JPH0625415A - 半導体保護用樹脂組成物 - Google Patents

半導体保護用樹脂組成物

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Publication number
JPH0625415A
JPH0625415A JP20318392A JP20318392A JPH0625415A JP H0625415 A JPH0625415 A JP H0625415A JP 20318392 A JP20318392 A JP 20318392A JP 20318392 A JP20318392 A JP 20318392A JP H0625415 A JPH0625415 A JP H0625415A
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JP
Japan
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represented
general formula
following general
formula
resin composition
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP20318392A
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English (en)
Inventor
Keiichiro Wada
恵一郎 和田
Hisashi Katayama
久史 片山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Steel Chemical and Materials Co Ltd
Original Assignee
Nippon Steel Chemical Co Ltd
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Publication date
Application filed by Nippon Steel Chemical Co Ltd filed Critical Nippon Steel Chemical Co Ltd
Priority to JP20318392A priority Critical patent/JPH0625415A/ja
Publication of JPH0625415A publication Critical patent/JPH0625415A/ja
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  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 機械的、電気的特性に優れ、しかも高濃度か
つ低粘度で圧膜形成能に優れた半導体保護用樹脂組成物
を提供することにある。 【構成】 下記一般式(1)及び(2) M─R─ (1) ─Ar─R ─ (2) (但し、Rは芳香族単位80〜95モル%及びシロキサ
ン単位5〜95モル%よりなる2価の有機基を示し、A
rは2価の芳香族イミド基を示し、Xはマレイミド基を
示し、かつ、Arのモル数aとMのモル数mがa+m/
2=100のときaは90〜99であり、mは2〜20
である)で表される樹脂を主成分とする半導体保護用樹
脂組成物。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は新規な半導体保護用樹脂
組成物に関するものであり、特に圧膜塗布性、低温硬化
性、硬化後の被膜特性に優れた半導体保護用樹脂組成物
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、ポリイミド系樹脂は耐熱性、
電気絶縁性、機械的強度に優れているため、半導体素子
の表面保護膜、ジャンクション保護膜、多層配線用絶縁
膜、応力緩和膜等の半導体保護用樹脂として用いられて
いる。
【0003】従来のポリイミド系樹脂においては、圧膜
形勢性能及び段差被覆性を向上させるため、高濃度、低
粘度化が検討されている。その手段として重合度を落と
すことが行われている。しかしながら、このような方法
を用いた場合、機械的強度、電気的特性を低下させると
いう問題が生じていた。また、γ−アミノプロピルテト
ラアルコキシシラン等を用いた末端封止型ポリイミドも
開発されている(特開昭61−103927号公報、特
開昭61−108627号公報、特開昭62−2611
51号公報)。しかし、これらは加水分解性の基を有し
ているため保存安定性に劣り、硬化膜の機械的、電気的
特性が不充分であった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
問題点を解決し、機械的、電気的特性に優れ、しかも高
濃度かつ低粘度で圧膜形成能に優れた半導体保護用樹脂
組成物を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、下記
一般式(1)及び(2) A─R─ (1) ─Ar─R─ (2) (但し、Rは下記一般式(3)
【化6】 で表される芳香族単位80〜95モル%及び下記一般式
(4)
【化7】 で表されるシロキサン単位5〜95モル%よりなり2価
の有機基を示し、Arは下記一般式(5)
【化8】 で表される2価の芳香族イミド基を示し、Xは下記一般
式(6)
【化9】 で表されるマレイミド基を示し、かつ、Arのモル数a
とMのモル数mがa+m/2=100のときaは90〜
99であり、mは2〜20である)で表される樹脂を主
成分とすることを特徴とする半導体保護用樹脂組成物で
ある。
【0006】本発明の樹脂組成物は下記一般式(8)
【化10】 で表される芳香族ジアミン成分と、下記一般式(9)
【化11】 で表されるシロキサンジアミン成分からなるジアミン類
と、下記一般式(10)
【化12】 で表されるテトラカルボン酸無水物と、下記一般式(1
1)
【化13】 で表される無水マレイン酸類とを反応させることにより
得られる。
【0007】一般式(8)で表される芳香族ジアミンと
して具体的には、2,2−ビス(3−アミノフェノキシ
フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−アミノフェノ
キシフェニル)プロパン、ビス−3,3−(3−アミノ
フェノキシフェニル)スルホン、ビス−4,4−(3−
アミノフェノキシフェニル)スルホン、ビス−3,3−
(4−アミノフェノキシフェニル)スルホン、ビス−
4,4−(4−アミノフェノキシフェニル)スルホン、
2,2−ビス(3−アミノフェノキシフェニル)ヘキサ
フルオロプロパン、2,2−ビス(4−アミノフェノキ
シフェニル)ヘキサフルオロプロパン等が挙げられる。
【0008】一般式(9)で表されるシロキサンジアミ
ンとして具体的には、ビス(3−アミノプロピル)−
1,1’,3,3’−テトラメチルジシロキサン、ビス
(4−アミノフェニル)−1,1’,3,3’−テトラ
メチルジシロキサン、ビス(3−メチル−4−アミノフ
ェニル)−1,1’,3,3’−テトラメチルジシロキ
サン等が挙げられる。
【0009】また、一般式(10)で表されるテトラカル
ボン酸無水物として具体的には、3,3’,4,4’−
ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、3,
3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸
二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物等が挙げられる。
【0010】また、一般式(11)で表される無水マレイ
ン酸類として具体的には、無水マレイン酸、メチル無水
マレイン酸、フェニル無水マレイン酸等が挙げられる。
【0011】上記ジアミン成分と酸無水物成分は、モル
当量比でほぼ等モルとなるように反応させる。すなわ
ち、ジアミン成分の合計1モルに対して一般式(8)で
表され芳香族ジアミン80〜95モル%及びシロキサン
ジアミン5〜95モル%の範囲が好ましく、テトラカル
ボン酸二無水物のモル数と無水マレイン酸類のモル数の
半分の合計1モルに対してテトラカルボン酸二無水物が
0.90〜0.99モル、無水マレイン酸類が0.02
〜0.20モルの範囲であることが好ましい。
【0012】本発明の樹脂組成物の塗布基材への密着性
をさらに向上させるため、下記一般式(7)で表される
モノアミン類を上記樹脂固形分に対し、0.1〜5重量
%を添加、もしくは共重合させることができる。一般式
(7)で表されるモノアミン類は密着性向上の他に、粘
度調整に効果がある。
【0013】一般式(7)で表されるモノアミン類とし
て具体的には、
【化14】 等が挙げられる。
【0014】これらのモノアミン類は、0.1重量%未
満では密着性高上に効果が小さく、5重量%を超えると
樹脂組成物の硬化乾燥後の性能低下を起こす。
【0015】上記構成成分から樹脂組成物を製造する方
法としては、カルボン酸無水物の混合物とジアミン化合
物を、記載の範囲のモル比で公知の方法で重合すること
により得られる。重合の際用いられる反応溶媒として
は、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルア
セトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−シク
ロヘキシル−2−ピロリドン、フェノール、m−クレゾ
ール、p−クレゾール、p−クロロフェノール、o−ク
ロロフェノール、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブア
セテート等が挙げられる。これらは、単独又は2種以上
を混合させて用いることができる。
【0016】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明
するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【0017】なお、本実施例で用いた略語は以下のとお
りである。 ODPA:3,3’,4,4’−ジフェニルエーテルテ
トラカルボン酸二無水物 DSDA:3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテ
トラカルボン酸二無水物 BPDA:3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物 BTDA:3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物 MAN :無水マレイン酸 MMAN:メチル無水マレイン酸 GAPD:ビス(γ−アミノプロピル)−1,1,3,
3−テトラメチルジシロキサン BAPP:2,2−ビス(4−アミノフェノキシフェニ
ル)プロパン BAPS:ビス(4−アミノフェノキシフェニル)スル
ホン BAPSM:ヒズ(3−アミノフェノキシフェニル)ス
ルホン BAPF:2,2−ビス(4−アミノフェノキシフェニ
ル)ヘキサフルオロプロパン GAPS:γ−アミノプロピルトリエトキシシラン NMP :N−メチル−2−ピロリドン
【0018】実施例1 1lのセパラブルフラスコにODPA(27.9g、
0.09mol)、MAN(1.96g、0.02mo
l)及びNMP(200g)を装入し、室温でよく混合
した。次に、GAPD(2.48g、0.01mol)
を滴下ロートを用いて滴下し、さらにこの反応溶液を攪
拌下で氷冷し、次にPAPP(40.59g、0.09
mol)をNMP(91.7g)に溶解した溶液を同様
に滴下ロートで滴下し、固形分濃度が30重量%になる
ように調整した。
【0019】この後、室温にて2時間攪拌を継続し反応
を終了した。この樹脂溶液の粘度を測定したところ10
00cpであった。また、得られた樹脂溶液をシリコン
ウエハ上に塗布し、150℃で乾燥、硬化させて被膜を
形成したのち、機械的特性及び電気的特性を測定した。
結果を表2に示す。
【0020】実施例2〜6 実施例1と同様に表1に示す配合割合で反応を行い、溶
液粘度と固形分濃度を測定した。また、被膜としたのち
各種特性を測定した。結果を表2に示す。
【0021】比較例1〜3 無水マレイン酸類を用いない以外は実施例1と同様に表
1に示す配合割合で反応を行い、溶液粘度と固形分濃度
を測定した。また、被膜としたのち各種特性を測定し
た。結果を表2に示す。
【0022】
【表1】
【0023】
【発明の効果】本発明の樹脂組成物は、低粘度で高固形
分濃度の溶液とすることができるので圧膜形成が可能で
ある。また、機械的特性、電気的特性にも優れているた
め、半導体素子の表面保護膜、ジャンクションコーティ
ング、多層配線用絶縁膜として有用である。
【化15】
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 23/31

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記一般式(1)及び(2) M─R─ (1) ─Ar─R─ (2) (但し、Rは下記一般式(3) 【化1】 で表される芳香族単位80〜95モル%及び下記一般式
    (4) 【化2】 で表されるシロキサン単位5〜95モル%よりなる2価
    の有機基を示し、Arは下記一般式(5) 【化3】 で表される2価の芳香族イミド基を示し、Xは下記一般
    式(6) 【化4】 で表されるマレイミド基を示し、かつ、Arのモル数a
    とMのモル数mがa+m/2=100のときaは90〜
    99であり、mは2〜20である)で表される樹脂を主
    成分とすることを特徴とする半導体保護用樹脂組成物。
  2. 【請求項2】 下記一般式(7) 【化5】 で表されるアミン類から選ばれる少なくとも1種を、樹
    脂固形分に対し0.1〜5重量%含有することを特徴と
    する請求項1記載の半導体保護用樹脂組成物。
JP20318392A 1992-07-08 1992-07-08 半導体保護用樹脂組成物 Withdrawn JPH0625415A (ja)

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JPH0625415A true JPH0625415A (ja) 1994-02-01

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6755173B1 (en) 1999-09-24 2004-06-29 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Vertical engine

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6755173B1 (en) 1999-09-24 2004-06-29 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Vertical engine

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Legal Events

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Effective date: 19991005