JPH0625242B2 - 変性フエノール樹脂及びその製造方法 - Google Patents

変性フエノール樹脂及びその製造方法

Info

Publication number
JPH0625242B2
JPH0625242B2 JP60270589A JP27058985A JPH0625242B2 JP H0625242 B2 JPH0625242 B2 JP H0625242B2 JP 60270589 A JP60270589 A JP 60270589A JP 27058985 A JP27058985 A JP 27058985A JP H0625242 B2 JPH0625242 B2 JP H0625242B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
formula
atom
hydrogen atom
carbon atoms
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP60270589A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS61133217A (ja
Inventor
ジヨージ デムマー クリストフアー
アービング エドワード
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Novartis AG
Original Assignee
Ciba Geigy AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ciba Geigy AG filed Critical Ciba Geigy AG
Publication of JPS61133217A publication Critical patent/JPS61133217A/ja
Publication of JPH0625242B2 publication Critical patent/JPH0625242B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C09D5/44Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes for electrophoretic applications
    • C09D5/4419Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes for electrophoretic applications with polymers obtained otherwise than by polymerisation reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09D5/4469Phenoplasts; Aminoplasts
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G8/00Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
    • C08G8/28Chemically modified polycondensates
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/164Coating processes; Apparatus therefor using electric, electrostatic or magnetic means; powder coating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S522/00Synthetic resins or natural rubbers -- part of the class 520 series
    • Y10S522/904Monomer or polymer contains initiating group

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)
  • Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は感光性であると同時に電着性でもある新規な変
性フエノール樹脂及びその製造方法に関するものであ
る。
〔従来の技術〕
感光性フエノールノボラツク樹脂はよく知られており、
主としてプレ感光リトグラフ印刷版の製造に用いられて
いる。それらは通常、フエノール樹脂とキノンジアジド
スルホニルクロリドとの縮合によつて得られ、キノンジ
アジド基の存在による感光性と、ノボラツク樹脂“骨
格”の存在による良好な接着性と靭性とを有する製品が
得られる。これらの物質を塗布した刷版はリトグラフ印
刷工程の機械的摩耗に対して耐久性を有している。
例えば英国特許第1,227,602号明細書にはベンゾ−また
はナフト−キノンジアジドスルホン酸と、クレゾール−
ホルムアルデヒド樹脂を例とするフエノール性ヒドロキ
シル基を含有する樹脂とのエステルである水溶性縮合物
の層を有するプレ感光リトグラフ刷版が記載されてい
る。英国特許第1,329,888号明細書にはフエノール性ヒ
ドロキシル基に対してパラの位置にあるアルキル基、ア
リール基、アルコキシ基、スルホアルキル基、アリール
オキシ基、アルアルキルオキシ基、カルボアルコキシ
基、アルアルキル基またはアセチル基を有するパラ置換
フエノール樹脂と、o−ベンゾキノンジアジドまたはo
−ナフトキノンジアジドのスルホニルクロリドとの縮合
物が記載されている。これらの縮合物は特に写真製版法
のためのプレ感光刷版の製造に有用であるといわれてい
る。
英国特許明細書第1,330,932号明細書にはベンゾ−また
はナフト−キノンジアジドスルホニルクロリドと、ビス
フエノール及びホルムアルデヒドから作られたノボラツ
クとの縮合物が記載されている。これらの生成物はリト
グラフ法のためのプレ感光版の製造に有用であるといわ
れている。最後に米国特許第4,306,010号明細書にはo
−ベンゾ−またはo−ナフト−キノンジアジドスルホニ
ルクロリドと多価フエノールから製造された樹脂、例え
ばレゾルシノール−ベンズアルデヒド樹脂またはレゾル
シノール−4−メチルベンズアルデヒド樹脂との縮合物
が記載されている。これらの生成物はリトグラフイで用
いる感光板の製造に有用であるといわれている。陽性で
作用するフオトレジストの電着は、比較的薄いフイルム
のフオトレジストを用いるエツジとメツキスルーホール
において特に重要な、非常に均一な被覆の得られるとい
う利点を有している。薄く、均一なフイルムは通常のフ
イルム−及び液体フオトレジストに比較して改善された
解決法を提供する可能性がある。さらに有利なことはメ
ツキスルーホール上の感光性ポリマーを支持すべき大き
な“レストリング(rest rings)”または“アイラン
ド(islands)”の必要性が減少し、そのため回路板の
大部分が導電トラツクに利用できる。また、電着性フオ
トレジストは最少量の有機溶媒により配合することがで
きて非常に高い固形分で付着させることができ、重要な
安全上及び環境上の利益が得られる。最後にレジストの
利用度が非常に高く、且つ塗装方法の完全な自動化が可
能である。
〔問題点を解決するための手段〕
さて本発明者等はある種のキノンジアジド基を含有する
ノボラツク樹脂を電着して印刷回路の製造用として適当
であり、上に掲げた利点を有する塗膜を得ることができ
ることを見出した。かような樹脂の電着能力はその塩と
しての在り様にかかつている。感光性キノンジアジド基
及び塩形成基、通常はカルボン酸基またはアミノ基を有
する新規樹脂の製造により、感光性を失うことなく、必
要な電着能力を得ることができる。キノンジアジドで変
性されたカルボキシル基含有ノボラツク樹脂は知られて
おり、そこではカルボキシル基はノボラツクの製造に用
いられるp−ヒドロキシ安息香酸のようなカルボキシル
基含有フエノールにのみ由来している。しかし電着媒中
でよりよい安定性を有し、イメージ様に露光した後の未
照射部現像液に対する耐久性が改善された樹脂が要求さ
れている。
従つて本発明は (i) 少くとも一部のフエノール性水酸基がキノンジア
ジドスルホニルオキシ基、好ましくはベンゾ−またはナ
フト−キノンジアジドスルホニルオキシ基により置換さ
れ、そして (ii) 少くとも一部の芳香族環がフエノール性ヒドロキ
シル基またはキノンジアジドスルホニルオキシ基に対し
オルト及び/又はパラの位置で式−CH(R)R (式中、 Rは水素原子、またはアルキル基、アリール基または
カルボン酸基を表わし、そして Rはスルホン酸基−SOHまたは式−A−R−X
の基を表わし、 Rはカルボン酸基、スルホン酸基またはホスホン酸基
で置換することのできる脂肪族、芳香族または芳香脂肪
族の二価の基を表わし、 Aは硫黄原子または式−N(R)−の基を表わし、式
中、Rは水素原子、またはカルボン酸基により、また
は所望によりエーテル化されたヒドロキシル基により置
換することのできるアルキル基を表わし、或いはR
はは一緒になつて上記の窒素原子と結合する、炭素
原子数が2ないし5で鎖中に酸素原子または窒素原子を
含有することのできるアルキレン鎖を表わし、そして Xはカルボン酸基またはスルホン酸基を表わし、または
Aが−N(R)−を表わすとき、Xはさらにホスホン
酸基、式−N(R)Rのアミノ基、水素原子または
ヒドロキシル基を表わし、そして RおよびRは同一であつても、異なつていてもよく
各々水素原子またはアルキル基、アリール基、アルアル
キル基またはアルケニル基を表わし、それらのいずれも
がヒドロキシル基により置換することができる)。で表
わされる基により置換された電着可能の感光性フエノー
ルノボラツク樹脂を提供するものである。
この樹脂は一価の単環フエノール、特にフエノールその
もの及び/又はアルキル置換フエノールまたはビスフエ
ノールから導かれるものが好ましい。通常ノボラツク樹
脂のフエノール性ヒドロキシル基の少くとも4%がキノ
ンジアジドスルホニルオキシ基により置換され、そして
樹脂には、水性媒質中に溶解または分散せしめるに足る
遊離のフエノール性ヒドロキシル基が含まれている。1
0ないし75%特に10ないし50%のフエノール性ヒ
ドロキシル基がキノンジアジドスルホニル基により置換
されることが好ましい。フエノール性ヒドロキシル基の
いくつかはエーテル基例えばアルキル基がヒドロキシル
基またはアルコキシ基により置換され得るアルコキシ
基、またはキノンジアジドスルホニルオキシ基以外のエ
ステル基例えばアセチルオキシ基、ベンゾイルオキシ
基、メタンスルホニルオキシ基またはp−トルエンスル
ホニルオキシ基により置換されていてもよい。通常、ノ
ボラツク樹脂の芳香族環の少くとも4%が式−CH(R
)Rの基で置換され;好ましくは7ないし75%の
環がこのような基により置換される。
好ましい樹脂は次式I: (式中、 R及びRは上記で定義した意味を表わし、Rは水
素原子、ヒドロキシル基またはアルコキシ基で置換する
ことのできるアルキル基、または式−SO10,−S
11または−COR12で表わされる基を表わし、少
くとも4%の基Rが基−SO10を表わし、 Rはハロゲン原子、ヒドロキシル基、アルコキシ基ま
たは所望によりエステル化されたカルボン酸基もしくは
スルホン酸基;ヒドロキシル基またはカルボン酸基によ
り置換することのできるアルキル基、アルケニル基また
はアリール基;または式−N(R13)R14,−CO
12,−OCOR12,−OSO10または−O−SO
11で表わされる基;または各々の芳香族環において
1個の基Rが次式II: で表わされ、隣接する芳香族環に式−CH(R)−の
基を介して結合することのできる基を表わし、 Rは水素原子またはアルキル基、アリール基またはカ
ルボン酸基を表わし、 R10は次式IIIまたはIV: で表わされる1,2−ベンゾキノンジアジド基または
1,2−ナフトキノンジアジド基を表わし、 そして式IVのナフトキノン基の遊離原子価結合が4−ま
たは5−位にあり、 R11及びR12は各々1価の脂肪族、環状脂肪族、芳香族
または芳香脂肪族基を表わし、 R13は水素原子、アルキル基または式−COR12,−S
10または−SO11の基を表わし、 R14は水素原子またはアルキル基を表わし、 Yは酸素原子または硫黄原子、カルボニル基またはスル
ホニル基、所望によりハロゲン原子、エーテル化するこ
とのできるヒドロキシル基またはエステル化することの
できるカルボキシル基により置換された炭素原子数1な
いし8のアルキレン基またはハロゲン原子、所望により
エーテル化されたヒドロキシル基または所望によりエス
テル化されたカルボキシル基により置換することのでき
る炭素原子数6ないし12のアリール基を表わし、 mはゼロ,1,2または3を表わし、 nはゼロまたは1ないし20、好ましくは1ないし10
の整数を表わし、 p、r及びtは各々ゼロ,1または2を表わし、 qはゼロまたは1を表わし、 sは1または2を表わし、 p+np+r+tの和は、上記の芳香族環の少くとも4
%が、基−ORに対しオルト及び/またはパラの位置
で式−CH(R)Rの基に置換されるように定めら
れ、 m+p、またはm+rの和は4を越えることなく、そし
て m+qの和は3を越えない。)で表わされるものであ
る。
基Rの好ましくは10ないし75%、特に10ないし
50%が式−SO10の基を表わす。
樹脂が水性媒質中で稀釈されるためには少くとも25
%、好ましくは少くとも50%の基Rが水素原子を表
わすことが好ましい。このように選択すると、基R
いくつかは、好ましくは40%以下のものが式−SO
11または−COR12の基またはヒドロキシル基または
アルコキシ基により置換することのできるアルキル基を
表わすことが好ましい。
p+np+r+tの和は、上記の芳香族環の7ないし7
5%が式CH(R)Rの基により置換されるような
ものであることが好ましい。
,R,R,R,R,R,R13及びR14
定義の範囲内のアルキル基、アルコキシ基及びアルケニ
ル基は20個迄、特に10個迄の炭素原子を有し、 R,R,R,R及びRの定義の範囲内のアリ
ール基及びアルアルキル基は20個迄、特に15個迄の
炭素原子を有し、 Rの定義の範囲内の2価の基は脂肪族では15個迄、
特に10個迄の炭素原子を有し、芳香族または芳香脂肪
族では20個迄、特に15個迄の炭素原子を有し、 R11及びR12の定義の範囲内の1価の基は、脂肪族、芳
香族または芳香脂肪族では20個迄、そして特に15個
迄の炭素原子を有し、そして環状脂肪族では15個迄、
特に10個迄の炭素原子を有することが好ましい。
は好ましくは水素原子、メチル基、エチル基または
フエニル基またはカルボン酸基を表わす。Rが水素原
子を表わす樹脂は特に好ましい。
は好ましくはスルホン酸基または式−A−R−X
の基を表わし、式中、Rはカルボン酸基で置換するこ
とのできる炭素原子数1ないし6のアルキレン基または
フエニレン基を表わし、Aは硫黄原子または−N
(R)−を表わし、式中、Rは水素原子またはヒド
ロキシル基で置換できる炭素原子数1ないし6のアルキ
ル基またはカルボン酸基を表わし、あるいはRとR
は一緒になつて鎖中に酸素原子または別の窒素原子を含
有する炭素原子数4個のアルキレン基または炭素原子数
5個のアルキレン基を形成し、Aが硫黄原子を表わすな
らばXはカルボン酸基またはスルホン酸基を表わし、そ
してAが−N(R)−を表わすならばXは水素原子、
ヒドロキシル基、カルボン酸基またはスルホンン酸基、
式−N(R)Rのアミノ基を表わし、式中、R
びRは各々水素原子または炭素原子数1ないし6のア
ルキル基またはヒドロキシル基を表わす。特に好ましい
基Rにはスルホン酸基及び式−N(CH3)CH2COOH,−
N(CH2COOH)CH2COOH,−NH−o−C6H4COOH,−NHCH
2COOH,−NHCH(COOH)(CH22COOH,−NHCH(COOH)C
H2COOH,−NH−p−C6H4COOH,−SCH2COOH,−SCH(C
H3)COOH,−SCH2CH2COOH,−SCH(COOH)CH2COOH,−N
HCH2CH3,−N(CH2CH32,−N〔CH25CH32,−NH
CH2CH2OH,−NHCH2CH2OCH3,−N(CH2CH2OH)2,−N
H(CH23OH,−NH(CH2OH,−NHCH2CH2NH2及び
−N<(CH2CH22>0で表わされる基が包含される。
が所望により置換されたアルキル基を表わす場合に
は、さらにアルキル基は1ないし4個の炭素原子を含有
し、所望によりヒドロキシル基または炭素原子数1ない
し4のアルコキシ基で置換されていることが好ましく、
そして特に好ましい基はメチル基、エチル基、イソプロ
ピル基、n−ブチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−
ヒドロキシプロピル基、2−メトキシエチル基及び2−
ブトキシエチル基である。
好ましい原子及び基Rには塩素原子及び臭素原子、ヒ
ドロキシル基、炭素原子数1ないし4のアルコキシ基、
炭素原子数1ないし8のアルキル基、カルボン酸基、式
−OSO2R10,−OSO2R11及び−OCOR12で表わされる基及び
式IIで表わされ、式中のYがメチレン基、イソプロピリ
デン基またはカルボニル基を表わす基または式−CH
(COOH)−または−C(CH)〔(CH
OOH〕−で表わされる基が包含される。
特に好ましい樹脂においては、mはゼロを表わし、従つ
てRが不在か、またはmは1を表わし、そして数個の
基Rは同一か、または異なつた炭素原子数1ないし8
のアルキル基を表わすか、あるいはさらに別に、mは式
Iの中のいくつかの特定の芳香族環に対してはゼロを表
わし、そして残りの環に対しては1を表わし、そして各
種のRは同一か、または異なる炭素原子数1ないし8
のアルキル基を表わす。特に好ましいアルキル基R
o−,m−及びp−メチル基、o−,m−及びp−第三
ブチル基及びo−,m−及びp−オクチル基である。
は好ましくは水素原子、メチル基、エチル基または
フエニル基またはカルボン酸基を表わす。Rが水素原
子を表わす樹脂が特に好ましい。
10は式IVの1,2−ナフトキノンジアジド基が好まし
い。
基R11及びR12に包含されるものの中で好ましいのは炭
素原子数1ないし4のアルキル基及び炭素原子数6ない
し10のアリール基、特にメチル基、フエニル基及びp
−トリル基である。
13は好ましくは水素原子、炭素原子数1ないし4のア
ルキル基または式−SO10,−SO11または−
COR12で表わされる基を表わし、式中のR10,R11
びR12は上記の好ましい基を表わす。R14は好ましくは
水素原子または炭素原子数1ないし4のアルキル基を表
わす。
本発明はまた上記のような電着性、感光性樹脂の製造方
法を提供するものであり、該製造方法は フエノール(B)及びアルデヒド(C)から製造されたフエノ
ールノボラツク樹脂(A)と キノンジアジドスルホン酸またはその反応性誘導体(D)
と反応させ、 さらにノボラツク(A)、フエノール(B)及びノボラツク
(A)とキノンジアジド(D)の反応生成物の少くとも一つと アルデヒド(E)、及び 第一又は第二アミン、第一または第二アミノ基またはメ
ルカプト基とカルボン酸−、スルホン酸−またはホスホ
ン酸基とを有する化合物である酸、または亜硫酸である
酸、または上記の酸のいずれかの水溶性塩(F)と反応さ
せることを特徴とするものである。
この方法は好ましくはフエノール性ノボラツク(A)をキ
ノンジアジドスルホン酸またはその誘導体(D)と反応応
させ、次に得たる生成物をアルデヒド(E)及び反応物(F)
と反応させることにより、またはフエノールノボラツク
樹脂(A)をアルデヒド(E)及び反応物(F)と反応させ、次
に得たる生成物をキノンジアジドスルホン酸またはその
誘導体(D)と反応させることにより行なわれる。
樹脂上の遊離フエノール基は、所望によりエーテル化剤
(G)によりエーテル化することができ、または(D)以外の
エステル化剤(H)を用いてエステル化することができ
る。このエーテル化または付加的エステル化は 電着感光性樹脂、 ノボラツク樹脂(A) (A)とキノンジアジドスルホン酸または誘導体(D)との反
応生成物、及び (A)、アルデヒド(E)及び反応物(F)の少くとも一つをエ
ーテル化剤(G)または(D)以外のエステル化剤(H)と反応
させることにより実施することができる。
ノボラツク樹脂(A)の製造原料となるフエノール(B)は1
価でも多価でもよく、そして1個またはより多くの芳香
族環を有することができる。樹脂(A)がたゞ1種のフエ
ノール(B)から製造される場合は該フエノール(B)はフエ
ノール性ヒドロキシル基に対してオルソ及び/またはパ
ラで2個の遊離の位置を有していなければならない。樹
脂(A)がフエノール(B)の混合物から製造される場合は、
少くとも一種のフエノールがフエノール性ヒドロキシル
基に対してオルソ及び/またはパラの2個の遊離部位を
有してなければならない。
好ましいフエノール(B)は次の一般式: 〔式中、 mはゼロ,1,2または3を表わし、 R15は式IにおけるRと同じ意味を有し、但し、式II
の基を表わすことができないが、その代り次式: (式中、Y,R及びsは上記で指定したと同じ意味を
有す。)で表わされる基を表わす。〕で表わされる。
mのための好ましい値は上記で定義したのと同様であり
好ましい原子またはR15は上記で定義した好ましい原子
または基Rと同様である。かくして適当なフエノール
(B)にはo−,m−及びp−クロロフエノール、レゾル
シノール、2,2−ビス(4−ヒドロキシフエニル)プ
ロパン、ビス(4−ヒドロキシフエニル)メタン、4,
4′−ジヒドロオキシベンゾフエノン、2,2−ビス
(4−ヒドロオキシフエニル)酢酸、4,4−ビス(4
−ヒドロオキシフエニル)ペンタ酸、p−ヒドロオキシ
安息香酸及びこれらフエノールの2種またはより多くの
混合物が包含される。好ましいフエノール(B)はフエノ
ールそのもの、o−,m−及びp−クレゾール、o−,
m−及びp−第三ブチルフエノール、o−,m−及びp
−オクチルフエノール及びこれらフエノールの2種また
はより多くの混合物である。特に好ましい実施態様にお
いては(B)はフエノールとp−第三ブチルフエノールの
混合物またはm−及びp−クレゾールの混合物である。
ノボラツク(A)の製造原料であるアルデヒド(C)は次式VI
I: RCHO (VII) (式中、R及び好ましいRは上記と同じ意味を表わ
す。)で表わされるものが好ましい。かくして好ましい
アルデヒドにはホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、
プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド及びグリコー
ル酸が包含され、一方、ホルムアルデヒドが特に好まし
い。
ノボラツク樹脂を形成すべきフエノール(B)とアルデヒ
ド(C)との間の反応はノボラツク製造のための下記の慣
用的手法によつて行なわれ、フエノールを1モル等量ま
たはそれ以下のアルデヒドと酸存在下で加熱する。
キノンジアジド誘導体(D)で好ましいものは次式VIII: R10SOZ (VIII) (式中、) R10及び好ましい基R10は上記と同じ意味を表わし、 Zはヒドロキシル基好ましくは炭素原子数1ないし4の
アルコキシ基またはハロゲン原子、特に塩素原子を表わ
す。)で表わされるものである。
(D)は好ましくは1,2−ナフトキノン−2−ジアジド
−4−または5−スルホニルクロリドまたは1,2−ベ
ンゾキノン−2−ジアジド−4−スルホニルクロリドを
表わす。(D)とフエノールノボラツク(A)またはフエノー
ル(B)またはフエノールノボラツク(A)、アルデヒド(E)
及び反応物(F)の反応生成物との間の反応は通常、ケト
ンまたはエーテルのような不活性溶媒中、室温で、Zが
ヒドロキシル基またはアルコキシ基を表わすときは酸で
よく、Zがハロゲン原子を表わすときは塩基でよい適当
な縮合剤の存在下に行なうことができる。ノボラツク
(A)の遊離フエノール性ヒドロキシル基またはフエノー
ル(B)に対して当量またはやゝ過剰のキノンジアジド(D)
を用いると完全にエステル化された生成物を得る。しか
し生成物に良好な溶解性を得るためには、生成物中にな
おいくらかの量の遊離フエノール性ヒドロキシル基を含
有することが好ましく、そのため1当量以下のキノンジ
アジド誘導体(D)の用いられることが好ましい。ノボラ
ツク(A)またはフエノール(B)中のフエノール性ヒドロキ
シル基1当量につき0.1ないし0.75、特に0.1ないし0.5
モルの範囲内の量のキノンジアジド誘導体(D)が好まし
い。
アルデヒド(E)で好ましいものは次式IX: RCHO (IX) (式中、R及び好ましいRは上記で定義したのと同
じ意味を表わす。)で表わされる。このアルデヒドはノ
ボラツク(A)の製造に用いたアルデヒド(C)と同一のもの
でも異なるものでもよい。好ましくはホルムアルデヒド
であり、そのまゝで、またはパラホルムアルデヒドの形
で用いられる。
反応物(F)で好ましいものは次式XまたはXI: MSO (X) または H−A−R−X (XI) (式中、Mは水素原子または1価の金属原子を表わし、
そしてR、A及びX及び好ましい原子または基R
A及びXは上記で定義したのと同じ意味を表わす。)で
表わされるものである。
それ故、反応物(F)で好ましいものはアルカリ金属スル
フイツト、1個またはより多くのアルキル基をアルコキ
シ基で置換できる第一または第二アルキルアミン、アル
キレンジアミン、鎖中に酸素原子または別の窒素原子を
含有することのできる炭素原子数5個のアルキレン鎖、
または炭素原子数5個のアルキレン鎖に結合した環状ア
ミノ窒素原子を有する複素環化合物、ヒドロキシルアミ
ン、アミノ基と脂肪族、芳香族または芳香脂肪族残基に
接続したカルボキシル基とを有するアミノカルボン酸、
またはメルカプタン基と、脂肪族、芳香族または芳香脂
肪族残基に接続したカルボキシル基とを有するメルカプ
トカルボン酸である。
特に好ましい反応物(F)にはナトリウムスルフイツト、
エチルアミン、2−メトキシエチルアミン、ジエチルア
ミン、ジヘキシルアミン、エチレンジアミン、エタノー
ルアミン、ジエタノールアミン、プロパノールアミン、
ブタノールアミン、モルホリン、ザルコシン、イミノ二
酢酸、アントラニール酸、グリシン、グルタミン酸、ア
スパルチン酸、p−アミノ安息香酸、チオグリコール
酸、2−または3−メルカプトプロピオン酸及びチオリ
ンゴ酸が包含される。
好適なエーテル化剤(G)は通常のエーテル化剤でよく、
例えばアルコール、メタノール、エタノール、イソプロ
パノール、n−ブタノール、エチレングリコール、2−
メトキシエタノールまたは2−ブトキシエタノールのよ
うなアルコール、エチレンもしくはプロピレンオキシド
のようなアルキレンオキシド、ジメチルサルフエートの
ようなジアルキルサルフエート、または沃化メチルのよ
うなハロゲン化アルキルである。
好適なエステル化剤(H)は、通常はカルボン酸またはス
ルホン酸または次式XIIまたはXIII: R11SOZ (XII) または R12COZ (XIII) (式中、R11,R12及び好ましい原子または基R11,R
12及びZは前記で定義したのと同じ意味を有する。)で
表わされる誘導体である。このような好ましいエステル
化剤にはアセチルクロリド、ベンゾイルクロリド、メタ
ンスルホニルクロリド及びp−トルエンスルホニルクロ
リドが包含される。アルデヒド(E)、反応物(F)及びノボ
ラツク(A)またはノボラツク(A)とキノンジアジド(D)の
反応生成物との間の反応は通常、不活性溶媒例えばアル
コール、アルコキシアルコール、ケトンまたはエーテル
中、室温または高温、特に40ないし180℃で、いか
なる遊離酸をも少くとも部分的に中和するに十分な塩基
の存在下に行なわれる。反応物(F)の使用量は、ノボラ
ツク(A)中またはノボラツク(A)とキノンジアジド(D)と
の反応生成物中にフエノール性ヒドロキシル基1当量に
つき0.04ないし2.0、特に0.07ないし0.8モルの(F)が存
在するようにすることが好ましい。通常(F)に対して過
剰のアルデヒド(E)が用いられ、反応物(F)1モル当り4.
0モルのアルデヒド(E)が好ましい。
エステル化剤(H)を用いる任意のエステル化工程は通常
ケトンまたはエーテルのような不活性溶媒中、室温で、
Zがヒドロキシル基またはアルコキシ基を表わす強酸で
も、Zがハロゲン原子を表わす塩基でもよい適当な縮合
剤の存在下で行なわれる。(H)の量は(A)中のフエノール
性ヒドロキシル基1当量当り0.4モル以下であることが
好ましい。
(G)を用いる所望のエーテル化工程はフエノール樹脂の
エーテル化のための通常の方法を用いて実施することが
でき、(A)中のフエノール性ヒドロキシル基1当量当り
0.4モル以下の(G)を用いることが好ましい。
ノボラツク樹脂中のフエノール性ヒドロキシル基が1個
またはより多くのエステル化剤と部分的に反応すると、
変性樹脂には、いくらかの芳香族環が遊離のヒドロキシ
ル基を有し、そして他の芳香族環がエステル化されたヒ
ドロキシル基を有する分子に加えて、すべての芳香族環
が遊離のヒドロキシル基を有する分子と、すべての芳香
族環がエステル化されたヒドロキシル基を有する分子を
含有することが理解されよう。かくしてこのような樹脂
を表わす式Iのような式は統計的な表現であり、R
していくつかの環上の水素原子、他の環上のSO10
基、さらに他の環上のSO11基及びなおさらに他の
環上のCOR12基を表わさしめるものである。同様な考
えは式Iが、異なるフエノールの混合物から導かれた樹
脂及びいくつかの環が残基CH(R)Rにより置換
されて、他の環がそのように置換されてない樹脂を表わ
す限り、該式Iにあてはまる。
電着性フオトレジストとして用いられる場合、本発明の
樹脂は水性有機媒質を含む水性媒質に溶解または分散で
きる塩の形で用いられる。かくして、もしそれらが塩と
して存在するような媒質中で製造されるなら、これらの
塩を含む媒質を直接電着工程に使用することができる。
もし、電着工程における使用前に樹脂が酸または塩基と
して分離されるなら、それらは残基R及びR中の塩
形成基及び環中に存在できる他の塩形成基がそれぞれ塩
基であるか酸であるかによつて、適当な酸または塩基の
添加により塩に変えられる。塩を形成するのに用いられ
る適当な酸には塩酸及び硫酸のような鉱酸及び有機酸例
えば酢酸、プロピオン酸、乳酸、マレイン酸及びグリコ
ール酸が包含される。
塩を形成するために用いられる適当な塩基には水酸化ナ
トリウムまたは水酸化カリウムまたは炭酸塩及びアンモ
ニアのような無機塩基及び有機塩基例えばトリエチルア
ミン、トリエタノールアミン、ベンジルジメチルアミ
ン、ジメチルエタノールアミン及びジメチルアミノメチ
ルプロパノールが包含される。
フオトレジストとして用いるとき、本発明樹脂の塩を感
光性素子を形成すべき支持体に塗布することができる。
適当な支持体には、固体金属シートまたは金属表面積層
体としてのアルミニウムや銅のような金属が包含され
る。
本発明の樹脂は単独に、または所望ならば水性媒質に溶
解または分散でき、そして電着した塗膜の品質を改善す
る物質との混合物の形で用いることができる。このよう
な物質の代表的なものには水性媒質に溶解できるアクリ
ル−、アルキッド−、ポリブタジエン−及びエポキシ樹
脂が包含される。
新規な樹脂の電着は公知の方法による。一般に200ボ
ルト迄の電圧が5分間迄印可されるが、特殊な樹脂、基
板及び所望の厚さのための細かな条件は電着樹脂材料の
分野の当業者により容易に決めることができる。
電着後塗膜を乾燥し、次に好ましくは200ないし60
0nmの波長の化学線に、通常は透明画を通して露光す
ることができる。適当な水性または非水性の酸または塩
基中での現像により基板上にポジ画が残る。
〔実施例〕
本発明を次の実施例により説明する。すべての“部”及
び“%”は“重量部”及び“重量%”を示す。
出発物質として用いるノボラツク樹脂を下記に示す: ノボラツクI このものは3モルのフエノールと1モルのp−第三ブチ
ルフエノールとホルムアルデヒドから作られたノボラツ
クをさらに1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−
スルホニルクロリドと反応させて作られた樹脂を表わ
す。この生成物は式Iに該当し、 式中、 Rは水素原子を表わし、 88%のRが水素原子を表わし、そして残りが1,2
−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホニル基を表
わし、 75%の分子に対してmはゼロを表わしそして 25%の分子に対してmは1を表わし、その場合R
p−第三ブチル基を表わし、 nは平均値が7.1となる整数を表わし、そしてp,q及
びrは各々ゼロを表わす。
ノボラツクII このものは触媒としての蓚酸を用いm−クレゾール:p
−クレゾール:ホルムアルデヒド:蓚酸=0.5:0.5:0.
75:0.006のモル比のmm−クレゾール、p−クレゾー
ル、及びホルムアルデヒドから作られたノボラツクを表
わす。
このノボラツクは136℃の軟化点を有して式Iに該当
し、 式中、 Rは水素原子を表わし、 Rは水素原子を表わし、 mは1を表わし、 Rは等モル比のm−メチル基及びp−メチル基を表わ
し、 p,q及びrは各々ゼロを表わし、そして nは平均値が4.9となる整数を表わす。
ノボラツクIII このものはモル比が0.75:0.25:0.9:0.046のフエノー
ル、p−第三ブチルフエノール、ホルムアルデヒド及び
蓚酸から作られたノボラツクを表わす。
このノボラツクは119℃の軟化点を有し式Iに該当
し、 式中、 Rは水素原子を表わし、 Rは水素原子を表わし、 75%の分子に対してmはゼロを表わし、そして 25%の分子に対してmは1を表わし、その場合R
p−第三ブチル基を表わし、 nは平均値が7.5とある整数を表わし、そして p,q及びrは各々ゼロを表わす。
実施例1 ノボラツクI(10g)を2−ブトキシエタノール(5
0g)に溶解し50℃に加熱する。ザルコシン(0.45
g)、パラホルムアルデヒド(0.33g;91%(HCH
O))、水酸化ナトリウム20%水溶液(1g)及び
2−ブトキシエタノール(10g)の溶液を加えて混合
物を50℃に2時間保つ。次に混合物を室温に冷却して
水(1,000ml)を加える。1N塩酸(10ml)
を加えると褐色の樹脂状固体が沈殿する。これを粉末に
砕き、水洗して35℃で真空オーブン中で乾燥し9.5g
の式Iの生成物を得る。
式中、 75%の分子に対してmはゼロを表わしそして 25%の分子に対してmは1を表わし、 Rはp−第三ブチル基を表わし、 Rは水素原子を表わし、 Rは水素原子を表わし、 Rの88%は水素原子を表わし、そして12%は1,
2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホニル基を
表わし、 Rは基−N(CH)CHCOOHを表わし、 p+nq+rは上記の芳香族環8%が基−CH(R)R
で置換されているような平均値を有し、そして nは平均値が7.1となる整数を表わす。
そのKBrデイスクで測定した赤外線スペクトルは335
0,2940,2860,2150,2100,1600,1500,1470,145
0,1430,1250,1190及び1100cm-1での最高吸収を示
す。
この生成物(4g)を2−ブトキシエタノール(4g)
と水酸化カリウム20%水溶液の混合物に徐々に加えて
透明な赤褐色溶液を得、さらに生成物の含有量が10%
となるまで水の稀釈する。この生成物をステンレススチ
ールカソードを用いて銅クラツドラミネートアノード上
に電着させる。40ボルトで20秒後に厚さ29マイク
ロメータの電着層が形成される。ラミネートを浴から引
上げ、水ですゝぎ90℃で5分間乾燥する。
次に75cmの距離にある5,000W中圧ハロゲン化水
銀ランプを用い、透明画を通して1分間露光する。水酸
化ナトリウム2%水溶液に浸漬して明瞭なポジ透明画を
得る。
露出した銅を塩化第二鉄の40%水溶液中、30℃でエ
ツチングすることにより除去し、その後、基板を水洗し
て乾燥する。次に残留する塗膜を透明画を用いずに1分
間の5,000Wのランプへの2回目の露光によつて取
除き、そして水酸化ナトリウム2%水溶液に浸漬する。
実施例2 ノボラツクI(10g)、ザルコシン(0.89g)、パラ
ホルムアルデヒド(0.66g)、水酸化ナトリウム20%
水溶液(2g)及び2−ブトキシエタノール(60g)
を用い実施例1を繰返す。
生成物は式Iの樹脂であり、 式中、 mはゼロまたは1を表わし、m=0のm=1に対する比
率は3:1であり、 Rはp−第三ブチル基を表わし、 R及びRはともに水素原子を表わし、 Rの88%が水素原子を表わし、そして12%が1,
2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホニル基を
表わし、 Rは基−N(CH)CHCOOTを表わし、 (p+nq+r)は芳香族環の15%が基−CH(R
により置換されるような値を有し、 nは平均値が7.1となる整数を表わす。
この樹脂は実施例1の生成物と類似の赤外スペクトルを
有し、基板を電気被覆して、実施例1に述べたようにポ
ジ画像が形成される。
実施例3 ノボラツクII(12g)をアセトン(30g)とジオキ
サン(30g)の混合物に溶解しアセトン(10g)及
びジオキサン(10g)中、1,2−ナフトキノン−2
−ジアジド−5−スルホニルクロリド(4g)の溶液に
より処理する。炭酸ナトリウム10%水溶液の添加によ
り混合物をpH8に調整し、次に室温で90分間撹拌す
る。これを3N塩酸溶液(100ml)に注ぎ沈澱物を
過し水洗して35℃の真空オーブン中で乾燥する。
この生成物(10g)を2−ブトキシエタノール(50
g)に溶解し50℃に加熱する。ザルコシン(0.45
g)、パラホルムアルデヒド(0.33g)、水酸化ナトリ
ウム20%水溶液(1.0g)及び2−ブトキシエタノー
ル(10g)の溶液を加え、混合物を3時間50℃に保
つ。混合物を水(500ml)で稀釈し、1N塩酸溶液
の添加により生成物を沈澱させる。これを水洗し、35
℃の真空オーブン中で乾燥すると式Iの生成物10gを
得る。
式中、 Rはモル比のm−メチル基及びp−メチル基を表わ
し、 mは1を表わし、 R及びRは水素原子を表わし、 Rの86%は水素原子を表わし、そして14%は1,
2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホニル基を
表わし、 Rは基−N(CH)CHCOOHを表わし、 (p+nq+r)は芳香族環の7.4%が基−CH
(R)Rで置換されるような値を表わし、そして nは平均値が4.9となる整数を表わす。
このものゝKBrデイスクで測定した赤外スペクトルは
3350,2940,2860,2150,2100,1600,1490,1450,14
00,1360,1260,1190,及び1100cm-1で最高級収を示
す。
実施例1に述べた如くこの生成物を基板上に電気被覆し
てポジ画像を形成することができる。
実施例4 ノボラツク(8g)をアセトン(40g)に溶解し、ア
セトン(20g)中、1,2−ナフトキノン−2−ジア
ジド−5−スルホニルクロリド(4g)の溶液で処理す
る。炭酸ナトリウム5%水溶液により混合物のPHを8
に調整し、次に室温で1時間撹拌する。これを3N塩酸
(100ml)に注ぎ沈澱物を別し、水洗して35℃
の真空オーブン中で乾燥し10gの生成物を得る。
この生成物を2−ブトキシエタノール(50g)に溶解
し、50℃に加熱してザルコシン(0.45g)、パラホル
ムアルデヒド(0.33g)、水酸化ナトリウム20%水溶
液(1.0g)及び2−ブトキシエタノール(25g)を
含有する溶液に加え、そして混合物を50℃で2時間加
熱する。次に1N塩酸(500ml)に徐々に加え、黄
色の沈澱物を別し、水洗しそして35℃の真空オーブ
ン中で乾燥する。生成物(10g)は式Iに該当し、 式中、 Rはp−第三ブチル基を表わし、 mは75%の分子に対してゼロを表わし、そして25%
の分子に対して1を表わし、 R及びRは水素原子を表わし、 基Rの78%は水素原子を表わし、そして22%は
1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホニル
基を表わし、 Rは−N(CH)CHCOOHを表わし、 (p+nq+r)は芳香族環の9%が基−CH(R)R
により置換されるような平均値を表わし、そして nは平均値が7.5となる整数を表わす。
この樹脂は実施例1の生成物と類似の赤外スペクトルを
有し、実施例1で述べたように基板上に電着されてポジ
画像を形成することができる。
実施例5 ノボラツクIII(50g)を2−ブトキシエタノール
(150g)に溶解し、ザルコシン(2.25g)、パラホ
ルムアルデヒド(1.65g)水酸化ナトリウム20%水溶
液(50g)及び2−ブトキシエタノール(50g)を
含有する溶液で処理する。混合物を80℃で4時間加熱
し、室温に冷却し、水(2リツター)で稀釈し、そして
塩酸によりpH3に調整する。白色の樹脂状沈澱物が生
成し、これを別し乾燥する。乾燥生成物を粉末に砕
き、水洗し、35℃の真空オーブン中で乾燥して式Iの
ノボラツク46gを得る。
式中、 mは25%の分子に対し1を表わし、75%の分子に対
してはゼロを表わし、 Rはp−第三ブチル基を表わし、 R,R及びRは水素原子を表わし、 Rは基−N(CH)CHCOOHを表わし、 (p+nq+r)は芳香族環の6%が基−CH(R)R
で置換されるような平均値を有し、そして nは平均値が7.5となる整数を表わす。
このノボラツク(9g)をアセトン(40g)に溶解し
てそしアセトン(20g)中、1,2−ナフトキノン−
2−ジアジド−5−スルホニルクロリド(3g)の溶液
を加える。
炭酸ナトリウム(16.6g)10%水溶液を加えることに
より溶液のpHを8に調整する。混合物を室温で1時間
撹拌し、次に1N塩酸500mlに適下する。黄色の樹
脂状沈澱物が得られ、別、水洗し、35℃の真空オー
ブン中で乾燥して実施例4で得たと類似の生成物10g
を得る。
実施例6 実施例2に用いたザルコシンをグリシン(0.75g)に代
え実施例2を繰返す。0.8当量/kgの酸価を有する褐色
固体で式Iで表わされる生成物10gを得、 式中、 mはゼロまたは1を表わし、m=0のm=1に対する比
率は3:1であり、 Rはp−第三ブチル基を表わし、 R及びRはともに水素原子を表わし、 基Rの88%が水素原子を表わし、12%が1,2−
ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホニル基を表わ
し、 Rは−NHCHCOOHを表わし、 (p+nq+r)は芳香族環の15%が基−CH(R
で置換されるような平均値を有し、そして nは平均値が7.1となる整数を表わす。
実施例7 ノボラツクIII(12g)を2−ブトキシエタノール
(50g)に溶解しジエタノールアミン(2.1g)、ホ
ルマリン(2.4g;38.3%HCHO)及び45%乳酸
(2.1g)で処理する。混合物を80℃で3時間加熱
し、室温に冷却し、水(1リツター)で稀釈しそしてp
H6に調整する。沈澱物が生成し、別、水洗して35
℃の真空オーブン中で乾燥すると式Iで表わされるノボ
ラツクの乳酸塩12gを得、 式中、 mはゼロまたは1を表わし、m=0のm=1に対する比
率は3:1であり、 Rはp−第三ブチル基を表わし、 R及びRは水素原子を表わし、 基Rの89%は水素原子を表わし、11%は1,2−
ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホニル基を表わ
し; Rは基−N(CHCHOH)を表わし、 (p+nq+r)は芳香族環の20%が基−CH(R
で置換されるような平均値を表わし、そして nは平均値が7.5となる整数を表わす。
KBrデイスクで測定された赤外吸収スペクトルは330
0,2940,2860,2150,2100,1590,1500,1470,145
0,1430,1360,1250,1190及び1080cm-1で最高を示
す。
この生成物(4g)を2−ブトキシエタノール(4g)
に溶解し、水(32g)で稀釈する。この樹脂をステン
レススチールアノードを用いて銅クラツドラミネートカ
ソード上に電着する。10ボルトで20秒後に厚さ6マ
イクロメータの電着層が形成される。ラミネートを浴か
ら引上げ、水ですゝぎ90℃で5分間乾燥する。次に7
5cmの距離にある5,000W中圧塩化水銀ランプをを
用い、透明画を通して1分間露光する。水酸化ナトリウ
ム2%水溶液に浸漬して明瞭なポジ透明画を得る。
実施例8 ノボラツクI(10g)を2−ブトキシエタノール(5
0g)に溶解し50℃に加熱する。ジエタノールアミン
(4.2g)、ホルマリン(38.8%;5.8g)、乳酸(75
%;4.7g)及び2−ブトキシエタノール(10g)の
溶液を加え混合物を70℃で11/2時間撹拌する。次に混
合物を室温に冷却して水(1,000ml)を加える。
1N水酸化ナトリウム水溶液を加えるとpH6で沈澱を
生成し、過、水洗し35℃の真空オーブン中で乾燥す
ると、式Iの生成物10.8gを得、 式中、 mはゼロまたは1を表わし、m=0のm=1に対するモ
ル比は3:1であり、 Rはp−第三ブチル基を表わし、 R及びRは水素原子を表わし、 Rの88%は水素原子を表わし、12%は1,2−ナ
フトキノン−2−ジアジド−5−スルホニル基を表わ
し、 Rは基−N(CHCHOH)を表わし、 (p+nq+r)は芳香族環の60%が基−CH(R
で置換されるような平均値を有し、そして nは平均値が7.1となる整数を表わす。
KBrデイスクで測定されたこの樹脂の赤外吸収スペク
トルは3350,2940,2860,2150,2100,1590,1500,14
70,1450,1430,1360,1250,1190及び1080-cmで最高
を示す。
この樹脂を実施例7で述べた如くに基板上に電着し、ポ
ジ画を形成することができる。
実施例9 ノボラツクIII(36g)を2−ブトキシ−エタノール
(36g)に溶解し、チオグリコール酸(13.8g)及び
パラホルムアルデヒド(14.9g)を加える。混合物を1
40℃で2時間加熱し、その後真空下におき、すべての
揮発物質を除くために混合物を180℃に加熱する。得
られた変性ノボラツクは、式Iで表わされる可撓性固体
であり、式中、 mは25%の分子に対しては1を表わし、75%の分子
に対してはゼロを表わし、 Rはp−第三ブチル基を表わし、 R,R及びRは水素原子を表わし、 Rは基−SCHCOOHを表わし、 (p+nq+r)は芳香族環の50%が基−CH(R
で置換されるような平均値を有する。
ノボラツク(18g)をアセトン(40g)に溶解しア
セトン(20g)中、1,2−ナフトキノン−2−ジア
ジド−5−スルホニルクロリド(6g)の溶液を加え
る。炭酸ナトリウム10%水溶液の添加により溶液をp
H8に調整する。混合物を室温で1時間撹拌し、次に2
NHCl(2リツター)を滴下する。
黄色の樹脂状沈澱物を得てこれを過、水洗し、真空オ
ーブン中、35℃で乾燥すると、式Iの生成物18.8gを
得る。
式中、 mは25%の分子に対して1を表わし、75%の分子に
対してゼロを表わし、 Rはp−第三ブチル基を表わし、 R及びRは水素原子を表わし、 基Rの82%は水素原子を表わし、18%は1,2−
ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルフオニル基を表
わし、 Rは基−SCHCOOHを表わし、 (p+nq+r)は芳香族環の50%が基−CH(R
により置換されるような平均値を有し、 nは平均値が7.5となる整数を表わす。
この生成物を実施例1の如く基板に電着してポジ画を形
成することができる。
実施例10 モル比で0.175:0.25:0.1:0.99:0.016のフエノー
ル、p−第三ブチルフエノール、4,4−ビス(4−ヒ
ドロキシフエニル)ペンタノイン酸及びホルムアルデヒ
ド(38.8%ホルマリン)及び触媒としての蓚酸を加熱す
ることによりノボラツクを製造する。蒸溜によつて揮発
物質を除き、119℃の軟化点を有するノボラツク樹脂
を得る。ノボラツク(18g)をアセトン(50g)に
溶解してアセトン(20g)中、1,2−ナフトキノン
−2−ジアジド−5−スルフオニルクロリド(6g)の
溶液で処理する。炭酸ナトリウム10%水溶液の添加に
より混合物をpH8に調整し、次に室温で1時間撹拌す
る。次にこれを0.2NHCl溶液(2.5リツター)に滴下
し;生じた沈澱物を過、水洗し、真空オーブン中35
℃で乾燥して18gの樹脂を得る。
この樹脂(13.8g)を2−ブトキシエタノール(40
g)に溶解して50℃に加熱する。ザルコシン(0.61
g)、パラホルムアルデヒド(0.46g:91g(HCH
O))、水酸化ナトリウム(1g)20%水溶液及び
2−ブトキシエタノール(15g)の溶液を上記混合物
に加え50℃に2時間保つ。0.13N塩酸溶液中で沈澱さ
せることにより生成物を回収する。このものを水洗し、
真空オーブン中35℃で乾燥して式Iの生成物13gを
得る。
式中、 Rの72%はp−第三ブチル基を表わし、28%は式
IIで表わされ、該式II中、sが1を表わす基を表わし、 mは68%の分子に対してゼロを表わし、32%の分子
に対しては1を表わし、 R及びRは水素原子を表わし、 式I中のR及び式II中のRの全数の9%が1,2−
ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルフホニル基を表
わし、91%が水素原子を表わし、 Rは基−N(CH)CHCOOHを表わし、 Yは基 を表わし、 (p+nq+r+t)は芳香族環の7%が基−CH
(R)Rにより置換されるような平均値を表わし、
そして nは平均値が3.8となる整数を表わす。
この生成物を実施例1に述べたように基板上に電着しポ
ジ画を形成することができる。
実施例11 ノボラツクI(20g)を2−ブトキシエタノール(5
0g)に溶解し70℃に加熱する。ジエチルアミン(2.
9g)、ホルマリン(3.8.8%HCHO;6.2g)、乳酸
(75%;4.8g)及び2−ブトキシエタノール(5
%)の溶液を加え、混合物を70℃で1時間混合する。
次に混合物を室温に冷却し、水酸化ナトリウム(1.6
g)を含有する水(1000ml)に加える。生成した
沈澱物を過、水洗し、真空オーブン中35℃で乾燥す
ると10.8gの式Iの生成物を得る。
式中、 mはゼロまたは1を表わし、m=0のm=1に対するモ
ル比は3:1を表わし、 Rはp−第三ブチル基を表わし、 R及びRは水素原子を表わし、 基Rの88%は水素原子を表わし、12%は1,2−
ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルフオニル基を表
わし、 Rは基−N(CHCHを表わし、 (p+nq+r)は芳香族環の30%が基−CH(R
で置換されるような平均値をを表わし、そして nは平均値が7.1となる整数を表わす。
KBrデイスクで測定したこの樹脂の赤外吸収スペクト
ルは3350,2950,2860,2160,2120,1610,1590,150
0,1480,1470,1450,1440,1400,1360,1260,123
0,1210,1190,1170,1150,1110及び1080cm-1で最高
を示す。

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】次式I: 〔式中、 Rは水素原子、またはアルキル基、アリール基または
    カルボン酸基を表わし、 Rはスルホン酸基−SOHまたは式−A−R−X
    の基を表わし、 Rは脂肪族、芳香族または芳香脂肪族の2価の基を表
    わし、 Aは硫黄原子または式−N(R)−の基を表わし、式
    中、Rは水素原子、またはカルボン酸基により、また
    は所望によりエーテル化されたヒドロキシル基により置
    換することできるアルキル基を表わし、或いはRとR
    は一緒になって上記窒素原子と結合する、炭素原子数
    2ないし5で鎖中に酸素原子または別の窒素原子を含有
    することのできるアルキレン鎖を表わし、そして Xはカルボン酸基またはスルホン酸基を表わし、または
    Aが−N(R)−を表わすとき、Xはさらにホスホン
    酸基、式 −N(R)(R)のアミノ基、水素原子またはヒド
    ロキシル基を表わし、そして RおよびRは同一であっても異なっていてもよく各
    々水素原子またはいずれもがヒドロキシル基により置換
    できるアルキル基、アリール基、アルアルキル基または
    アルケニル基を表わし、 Rは水素原子、ヒドロキシル基またはアルコキシ基で
    置換することのできるアルキル基、または−SO
    10,−SO11または−COR12で表わされる基
    を表わし、少なくとも4%の基Rが基−SO10
    表わし、 Rはハロゲンン原子、ヒドロキシル基、アルコキシ基
    または所望によりエステル化されたカルボン酸基もしく
    はスルホン酸基;ヒドロキシル基またはカルボン酸基に
    より置換することのできるアルキル基、アルケニル基ま
    たはアリール基;または式−N(R13)R14、−COR
    12、−OCOR12、−OSO10または−O−SO
    11で表わされる基;または各々の芳香族環において1
    個の基Rが次式II: で表わされ、隣接する芳香族環に 式−CH(R)−の基を介して結合することできる基
    を表わし、 Rは水素原子またはアルキル基、アリール基またはカ
    ルボン酸基を表わし、 R10は次式IIIまたはIV: で表わされる1,2−ベンゾキノンジアジド基または
    1,2−ナフトキノンジアジド基を表わし、 そして式IVのナフトキノン基の遊離原子価結合が4−ま
    たは5−位にあり、 R11及びR12は各々1価の脂肪族、環状脂肪族、芳香族
    または芳香脂肪族基を表わし、 R13は水素原子、アルキル基または 式−COR12、−SO10または −SO11の基を表わし、 R14は水素原子またはアルキル基を表わし、 Yは酸素原子または硫黄原子、カルボニル基またはスル
    ホニル基、所望によりハロゲン原子、エーテル化するこ
    とのできるヒドロキシル基またはエステル化することの
    できるカルボキシル基により置換された炭素原子数1な
    いし8のアルキレン基またはハロゲン原子、所望により
    エーテル化されたヒドロキシル基または所望によりエス
    テル化されたカルボキシル基により置換することのでき
    る炭素原子数6ないし12のアリール基を表わし、 mはゼロ、1,2または3を表わし、 nはゼロまたは1ないし20の整数を表わし、 p,r及びtは各々ゼロ、1または2を表わし、 qはゼロまたは1を表わし、 sは1または2を表わし、 p+nq+r+tの和は、上記芳香族環の少なくとも4
    %が、基−ORに対しオルトもしくはパラ、またはオ
    ルト及びパラの位置で式−CH(R)Rの基に置換
    されるように定められ、m+pまたはm+rの和は4を
    越えることはなく、そして m+qの和は3を越えない。〕で表わされる樹脂。
  2. 【請求項2】式Iにおいて基Rの10ないし75%が
    式−SO10の基を表わす特許請求の範囲第1項記載
    の樹脂。
  3. 【請求項3】式Iにおいて基Rの10ないし50%が
    式−SO10の基を表わす特許請求の範囲第1項記載
    の樹脂。
  4. 【請求項4】式Iにおいて芳香族環の7ないし75%が
    式−CH(R)Rの基により置換されている特許請
    求の範囲第1項記載の樹脂。
  5. 【請求項5】式IにおいてR、R、R、R、R
    、R、R13及びR14の定義の範囲内のアルキル基、
    アルコキシ基及びアルケニル基が20個迄の炭素原子を
    有し、 R、R、R、R及びRの定義の範囲内のアリ
    ール基及びアルアルキル基が20個迄の炭素原子を有
    し、 Rの定義の範囲内の2価の基が、脂肪族では15個迄
    の炭素原子を有し、そして芳香族または芳香脂肪族では
    20個迄の炭素原子を有し、そして R11及びR12の定義の範囲内の1価の基が脂肪族、芳香
    族または芳香脂肪族では20個迄の炭素原子を有し、そ
    して環状脂肪族では15個迄の炭素原子を有する特許請
    求の範囲第1項記載の樹脂。
  6. 【請求項6】式IにおいてRが水素原子、メチル基、
    エチル基またはフェニル基またはカルボン酸基を表わす
    特許請求の範囲第1項記載の樹脂。
  7. 【請求項7】式IにおいてRが式−A−R−Xの基
    を表わし、式中、Rがカルボン酸基で置換することの
    できる炭素原子数1ないし6のアルキレン基、またはフ
    ェニレン基を表わし、Aは硫黄原子または基−N
    (R)−を表わし、式中、Rは水素原子またはヒド
    ロキシル基で置換できる炭素原子数1ないし6のアルキ
    ル基またはカルボン酸基を表わし、あるいはRとR
    は一緒になって鎖中に酸素原子または別の窒素原子を含
    有する炭素原子数4個のアルキレン基または炭素原子数
    5個のアルキレン基を形成し、Aが硫黄原子を表わすな
    らばXはカルボン酸基またはスルホン酸基を表わし、そ
    してAが−N(R)−を表わすならばXは水素原子、
    ヒドロキシル基、カルボン酸基またはスルホン酸基、 式−N(R)Rのアミノ基を表わし、式中R及び
    は各々水素原子または炭素原子数1ないし6のアル
    キル基を表わす特許請求の範囲第1項に記載の樹脂。
  8. 【請求項8】式Iにおいて、 mがゼロを表わし、または mが1を表わし、そして基Rが炭素原子数1ないし8
    の同一の、または異なるアルキル基を表わし、または mがいくつかの芳香族環に対してゼロを表わし、そして
    残りの芳香族環に対して1を表わし、そしてRが炭素
    原子数1ないし8の同一の、または異なるアルキル基を
    表わす特許請求の範囲第1項記載の樹脂。
  9. 【請求項9】水性媒質に溶解または分散できる特許請求
    の範囲第1項記載の樹脂の塩。
  10. 【請求項10】次式I: 〔式中、 Rは水素原子、またはアルキル基、アリール基または
    カルボン酸基を表わし、 Rはスルホン酸基−SOHまたは式−A−R−X
    の基を表わし、 Rは脂肪族、芳香族または芳香脂肪族の2価の基を表
    わし、 Aは硫黄原子または式−N(R)−の基を表わし、式
    中、Rは水素原子、またはカルボン酸基により、また
    は所望によりエーテル化されたヒドロキシル基により置
    換することできるアルキル基を表わし、或いはRとR
    は一緒になって上記窒素原子と結合する、炭素原子数
    2ないし5で鎖中に酸素原子または別の窒素原子を含有
    することのできるアルキレン鎖を表わし、そして Xはカルボン酸基またはスルホン酸基を表わし、または
    Aが−N(R)−を表わすとき、Xはさらにホスホン
    酸基、 式−N(R)(R)のアミノ基、水素原子またはヒ
    ドロキシル基を表わし、そして RおよびRは同一であっても異なっていてもよく各
    々水素原子またはいずれもがヒドロキシル基により置換
    できるアルキル基、アリール基、アルアルキル基または
    アルケニル基を表わし、 Rは水素原子、ヒドロキシル基またはアルコキシ基で
    置換することのできるアルキル基、または−SO
    10、−SO11または−COR12で表わされる基
    を表わし、少なくとも4%の基Rが基−SO10
    表わし、 Rはハロゲン原子、ヒドロキシル基、アルコキシ基ま
    たは所望によりエステル化されたカルボン酸基もしくは
    スルホン酸基;ヒドロキシル基またはカルボン酸基によ
    り置換することのできるアルキル基、アルケニル基また
    はアリール基;または式−N(R13)R14、−CO
    12、−OCOR12、−OSO10または−O−SO
    11で表わされる基;または各々の芳香族環において
    1個の基Rが次式II: で表わされ、隣接する芳香族環に 式−CH(R)−の基を介して結合することできる基
    を表わし、 Rは水素原子またはアルキル基、アリール基またはカ
    ルボン酸基を表わし、 R10は次式IIIまたはIV: で表わされる1,2−ベンゾキノンジアジド基または
    1,2−ナフトキノンジアジド基を表わし、 そして式IVのナフトキノン基の遊離原子価結合が4−ま
    たは5−位にあり、 R11及びR12は各々1価の脂肪族、環状脂肪族、芳香族
    または芳香脂肪族基を表わし、 R13は水素原子、アルキル基または 式−COR12、−SO10または −SO11の基を表わし、 R14は水素原子またはアルキル基を表わし、 Yは酸素原子または硫黄原子、カルボニル基またはスル
    ホニル基、所望によりハロゲン原子、エーテル化するこ
    とのできるヒドロキシル基またはエステル化することの
    できるカルボキシル基により置換された炭素原子数1な
    いし8のアルキレン基またはハロゲン原子、所望により
    エーテル化されたヒドロキシル基または所望によりエス
    テル化されたカルボキシル基により置換することのでき
    る炭素原子数6ないし12のアリール基を表わし、 mはゼロ、1,2または3を表わし、 nはゼロまたは1ないし20の整数を表わし、 p,r及びtは各々ゼロ、1または2を表わし、 qはゼロまたは1を表わし、 sは1または2を表わし、 p+nq+r+tの和は、上記芳香族環の少なくとも4
    %が、基−ORに対しオルトもしくはパラ、またはオ
    ルト及びパラの位置で式−CH(R)Rの基に置換
    されるように定められ、m+pまたはm+rの和は4を
    越えることはなくそして m+qの和は3を越えない。〕で表わされる樹脂の製造
    方法であって、 フェノール(B)及びアルデヒド(C)から製造された
    フェノール性ノボラック樹脂(A)と キノンジアジドスルホン酸またはその反応性誘導体
    (D)と反応させ、 さらにノボラック(A)、フェノール(B)及びノボラ
    ック(A)とキノンジアジド(D)の反応生成物の少な
    くとも一つと アルデヒド(E)、及び 第一または第二アミン、第一または第二アミノ基または
    メルカプト基とカルボン酸−、スルホン酸−またはホス
    ホン酸基とを有する化合物である酸、または亜硫酸であ
    る酸または上記の酸のいずれかの水溶性塩と反応させる
    こと: {上記において、フェノールBが次式V: で表わされ、 アルデヒド(C)が式RCHOで表わされ、 キノンジアジドスルホン酸またはその誘導体(D)が式
    10SOZで表わされ、 アルデヒド(E)が式RCHOで表わされ、そして 反応物(F)が式MSOまたは H−A−R−Xで表わされる 〔式中、 Rは水素原子、またはアルキル基、アリール基または
    カルボン酸基を表わし、 Rは脂肪族、芳香族または芳香脂肪族の2価の基を表
    わし、 Aは硫黄原子または式−N(R)−の基を表わし、式
    中、Rは水素原子、またはカルボン酸基により、また
    は所望によりエーテル化されたヒドロキシル基により置
    換することできるアルキル基を表わし、或いはRとR
    は一緒になって上記窒素原子と結合する、炭素原子数
    2ないし5で鎖中に酸素原子または別の窒素原子を含有
    することのできるアルキレン鎖を表わし、そして Xはカルボン酸基またはスルホン酸基を表わし、または
    Aが−N(R)−を表わすとき、Xはさらにホスホン
    酸基、 式−N(R)(R)のアミノ基、水素原子またはヒ
    ドロキシル基を表わし、そして RおよびRは同一であっても異なっていてもよく各
    々水素原子またはいずれもがヒドロキシル基により置換
    できるアルキル基、アリール基、アルアルキル基または
    アルケニル基を表わし、Rは水素原子またはアルキル
    基、アリール基またはカルボン酸基を表わし、 R10は次式IIIまたはIV: で表わされる1,2−ベンゾキノンジアジド基または
    1,2−ナフトキノンジアジド基を表わし、そして式IV
    のナフトキノン基の遊離原子価結合が4−または5−位
    にあり、 mはゼロ、1,2または3を表わし、 R15はハロゲン原子、ヒドロキシル基、アルコキシ基ま
    たは所望によりエステル化されたカルボン酸基もしくは
    スルホン酸基;ヒドロキシル基またはカルボン酸基によ
    り置換することのできるアルキル基、アルケニル基また
    はアリール基;または式−N(R13)R14、−CO
    12、−OCOR12、−OSO10または−O−SO
    11で表わされる基;または1個の基R15が次式VI: (式中、Rは水素原子、ヒドロキシル基またはアルコ
    キシ基で置換することのできるアルキル基、または−S
    10、 −SO11または−COR12で表わされる基を表わ
    し、 sは1または2を表わし、 Yは酸素原子または硫黄原子、カルボニル基またはスル
    ホニル基、所望によりハロゲン原子、エーテル化するこ
    とのできるヒドロキシル基またはエステル化することの
    できるカルボキシル基により置換された炭素原子数1な
    いし8のアルキレン基またはハロゲン原子、所望により
    エーテル化されたヒドロキシル基または所望によりエス
    テル化されたカルボキシル基により置換することのでき
    る炭素原子数6ないし12のアリール基を表わし、 R11及びR12は各々1価の脂肪族、環状脂肪族、芳香族
    または芳香脂肪族基を表わし、 R13は水素原子、アルキル基または 式−COR12、−SO10または −SO11の基を表わし、 R14は水素原子またはアルキル基を表わし、 Mは水素原子または1価の金属原子を表わし、 Zはヒドロキシル基またはアルコキシ基またはハロゲン
    原子を表わす。)で表わされる基を表わす。〕。}から
    なる製造方法。
  11. 【請求項11】ノボラック樹脂(A)をキシレンジアジ
    ドスルホン酸またはその誘導体(D)と反応させ、次に
    得たる生成物をアルデヒド(E)及び反応物(F)と反
    応させることにより、またはフェノールノボラック樹脂
    (A)をアルデヒド(E)及び反応物(F)と反応さ
    せ、次に得たるキノンジアジドスルホン酸またはその誘
    導体(D)と反応させる特許請求の範囲第10項記載の
    方法。
  12. 【請求項12】フェノール(B)がフェノール、o−、
    m−またはp−クレゾール、o−、m−またはp−第三
    ブチルフェノール、o−、m−またはp−オクチルフェ
    ノールまたはそれらの2種またはそれ以上の混合物であ
    る特許請求の範囲第10項記載の製造方法。
  13. 【請求項13】アルデヒド(C)および(E)がホルム
    アルデヒドである特許請求の範囲第10項記載の製造方
    法。
  14. 【請求項14】(D)が1,2−ナフトキノン−2−ジ
    アジド−4−または5−スルホニルクロリドまたは1,
    2−ベンゾキノン−2−ジアジド−4−スルホニルクロ
    リドである特許請求の範囲第10項記載の製造方法。
  15. 【請求項15】反応物(F)がアルカリ金属スルフィッ
    ト、1個またはより多くのアルキル基をアルコキシ基で
    置換できる第一または第二アルキルアミン、アルキレン
    ジアミン、鎖中に酸素原子または別の窒素原子を含有す
    ることができる炭素原子数4個のアルキレン鎖、または
    炭素原子数5個のアルキレン鎖に結合した環状アミノ窒
    素原子を有する複素環化合物、ヒドロキシルアミン、ア
    ミノ基と脂肪族、芳香族または芳香脂肪族残基に接続し
    たカルボキシル基とを有するアミノカルボン酸、または
    メルカプタン基と脂肪族、芳香族または芳香脂肪族残基
    に接続したカルボキシル基とを有するメルカプトカルボ
    ン酸である特許請求の範囲第10項記載の製造方法。
  16. 【請求項16】(D)の量がノボラック樹脂(A)中の
    フェノール性ヒドロキシル基当量につき0.1ないし
    0.75モル、反応物(F)の量がノボラック樹脂
    (A)中のまたは(A)と(D)の反応生成物中のフェ
    ノール性ヒドロキシル基当量につき0.04ないし2.
    0モルであり、そしてアルデヒド(E)の量が(F)1
    モルに対し1.1ないし4.0モルである特許請求の範
    囲第10項記載の製造方法。
  17. 【請求項17】アルデヒド(E)、反応物(F)とノボ
    ラック樹脂(A)または(A)とキノンジアジド(D)
    との反応生成物との間の反応が不活性溶媒中、40ない
    し180℃の温度でいかなる遊離酸をも少なくとも部分
    的に中和するに十分な塩基の存在下に行われる特許請求
    の範囲第10記載の製造方法。
JP60270589A 1984-12-01 1985-11-30 変性フエノール樹脂及びその製造方法 Expired - Fee Related JPH0625242B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB848430377A GB8430377D0 (en) 1984-12-01 1984-12-01 Modified phenolic resins
GB8430377 1984-12-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61133217A JPS61133217A (ja) 1986-06-20
JPH0625242B2 true JPH0625242B2 (ja) 1994-04-06

Family

ID=10570560

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60270589A Expired - Fee Related JPH0625242B2 (ja) 1984-12-01 1985-11-30 変性フエノール樹脂及びその製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4839253A (ja)
EP (1) EP0184553B1 (ja)
JP (1) JPH0625242B2 (ja)
CA (1) CA1258344A (ja)
DE (1) DE3583659D1 (ja)
ES (1) ES8700454A1 (ja)
GB (1) GB8430377D0 (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8505402D0 (en) * 1985-03-02 1985-04-03 Ciba Geigy Ag Modified phenolic resins
GB8708747D0 (en) * 1987-04-11 1987-05-20 Ciba Geigy Ag Formation of image
GB8802314D0 (en) * 1988-02-03 1988-03-02 Vickers Plc Improvements in/relating to radiation-sensitive compounds
US5047128A (en) * 1990-01-02 1991-09-10 Shipley Company Inc. Electrodialysis cell for removal of excess electrolytes formed during electrodeposition of photoresists coatings
GB2240549B (en) * 1990-01-31 1993-01-13 Sony Corp Photoresist materials
ATE175280T1 (de) * 1990-08-02 1999-01-15 Ppg Industries Inc Lichtempfindliche, elektroabscheidbare photoresistzusammensetzung
US5268256A (en) * 1990-08-02 1993-12-07 Ppg Industries, Inc. Photoimageable electrodepositable photoresist composition for producing non-tacky films
US5314789A (en) * 1991-10-01 1994-05-24 Shipley Company Inc. Method of forming a relief image comprising amphoteric compositions
US5384229A (en) * 1992-05-07 1995-01-24 Shipley Company Inc. Photoimageable compositions for electrodeposition
EP0653681B1 (en) * 1993-11-17 2000-09-13 AT&T Corp. A process for device fabrication using an energy sensitive composition
US5589553A (en) * 1995-03-29 1996-12-31 Shipley Company, L.L.C. Esterification product of aromatic novolak resin with quinone diazide sulfonyl group
KR100363695B1 (ko) * 1998-12-31 2003-04-11 주식회사 하이닉스반도체 유기난반사방지중합체및그의제조방법
JP5981465B2 (ja) * 2014-01-10 2016-08-31 信越化学工業株式会社 ネガ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE506677A (ja) * 1950-10-31
FR1517197A (fr) * 1966-03-25 1968-03-15 Ici Ltd Compositions d'enduisage rétifiables contenant une matière acide filmogène et unematière phénolique
GB1227602A (ja) * 1967-11-24 1971-04-07
JPS505084B1 (ja) * 1970-09-16 1975-02-28
JPS505083B1 (ja) * 1970-09-16 1975-02-28
JPS5024641B2 (ja) * 1972-10-17 1975-08-18
US3859099A (en) * 1972-12-22 1975-01-07 Eastman Kodak Co Positive plate incorporating diazoquinone
US4139384A (en) * 1974-02-21 1979-02-13 Fuji Photo Film Co., Ltd. Photosensitive polymeric o-quinone diazide containing lithographic printing plate and process of using the plate
DE2828037A1 (de) * 1978-06-26 1980-01-10 Hoechst Ag Lichtempfindliches gemisch
JPS561044A (en) * 1979-06-16 1981-01-08 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Photosensitive composition
US4362853A (en) * 1980-10-24 1982-12-07 Ciba-Geigy Corporation Resinous salts, their preparation, and their use in coatings
JPS57150844A (en) * 1981-03-13 1982-09-17 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Photosensitive composition
JPS58134631A (ja) * 1982-01-08 1983-08-10 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 感光性組成物
US4507446A (en) * 1982-03-23 1985-03-26 Ciba-Geigy Corporation Water-soluble or water-dispersible resinous sulphur or phosphorus containing salts, their preparation, and their use in coatings
JPS58203433A (ja) * 1982-05-21 1983-11-26 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性組成物
US4410675A (en) * 1982-12-15 1983-10-18 Ciba-Geigy Corporation Resinous salts, their preparations, and their use in coatings
AT375953B (de) * 1983-03-21 1984-09-25 Vianova Kunstharz Ag Verfahren zur herstellung von selbstvernetzenden, kathodisch abscheidbaren etl-bindemitteln auf basis modifizierter alkylphenol-formaldehyd -kondensationsprodukte
EP0155231B2 (de) * 1984-03-07 1997-01-15 Ciba-Geigy Ag Verfahren zur Herstellung von Abbildungen
US4592816A (en) * 1984-09-26 1986-06-03 Rohm And Haas Company Electrophoretic deposition process
GB8505402D0 (en) * 1985-03-02 1985-04-03 Ciba Geigy Ag Modified phenolic resins
US4578438A (en) * 1985-03-11 1986-03-25 Ciba-Geigy Corporation Preparation of resinous products

Also Published As

Publication number Publication date
US4839253A (en) 1989-06-13
EP0184553A3 (en) 1988-08-10
EP0184553A2 (de) 1986-06-11
ES549408A0 (es) 1986-10-01
EP0184553B1 (de) 1991-07-31
ES8700454A1 (es) 1986-10-01
JPS61133217A (ja) 1986-06-20
DE3583659D1 (de) 1991-09-05
CA1258344A (en) 1989-08-08
GB8430377D0 (en) 1985-01-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4681923A (en) Modified quinone-diazide group-containing phenolic novolak resins
JPH0625242B2 (ja) 変性フエノール樹脂及びその製造方法
EP0395049A1 (en) Positive-working photoresist composition
JPH06188540A (ja) 画像形成方法
JPH08272090A (ja) 光活性化合物の混合物のフォトレジスト
JPH08286370A (ja) 光活性化合物の混合物のフォトレジスト
EP0510672B1 (en) Positive type photoresist composition
JP2504624B2 (ja) ノボラック樹脂の製造方法
JPS63271442A (ja) 画像形成方法
JPH11263768A (ja) 新規な光活性化合物を有するフォトレジスト
JP2594088B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物ならびにその製法
US8563215B2 (en) Diazonaphthoquinonesulfonic acid bisphenol derivative useful in photo lithographic sub micron patterning and a process for preparation thereof
JPH06301203A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
KR20060073482A (ko) 포토레지스트 용액의 제조 방법
JPH0931147A (ja) 新規ノボラック樹脂、その製造法及びその用途
WO1999054788A1 (fr) Composition de resine photosensible
US7175960B2 (en) Positive resist composition and patterning process
JPH0337174B2 (ja)
JP3209058B2 (ja) ポジ型レジスト組成物
JP4302278B2 (ja) フェノールノボラック樹脂、その合成方法、およびそれを用いたポジ型ホトレジスト組成物
JPH07128849A (ja) ポジ型レジスト組成物
JPH08301804A (ja) ピロガロール誘導体、その製法及び用途
JP3774612B2 (ja) フェノールノボラック樹脂、およびそれを用いたポジ型ホトレジスト組成物
KR20020061321A (ko) 포지티브 포토레지스트 조성물
JPH08176438A (ja) 感光性樹脂組成物

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees