JPH06252042A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH06252042A JPH06252042A JP5031856A JP3185693A JPH06252042A JP H06252042 A JPH06252042 A JP H06252042A JP 5031856 A JP5031856 A JP 5031856A JP 3185693 A JP3185693 A JP 3185693A JP H06252042 A JPH06252042 A JP H06252042A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
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- H01L21/31105—Etching inorganic layers
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 イオン注入後のレジストの除去を高精度に且
つ簡易に行なうことができる半導体装置の製造方法を提
供する 【構成】 半導体基板１上に、エネルギー線が照射され
ると酸を発生する化合物と酸により保護基が脱離させら
れる樹脂とを含むレジストを形成した後、該レジストに
対して露光及び現像処理を行なうことによってレジスト
パターン２Ａを形成する。レジストパターン２Ａに対し
て紫外線光５Ａを全面に照射することにより、上記化合
物から酸を発生させると共に該酸によって上記樹脂から
保護基を離脱させ、これにより、レジストパターン２Ａ
の表面状態を粗にする。次に、レジストパターン２Ａを
マスクとして半導体基板１にイオン注入を行ない、その
後、洗浄液により半導体基板１の表面を洗浄すると、表
面が粗になったレジストパターンは容易且つ完全に除去
される。
つ簡易に行なうことができる半導体装置の製造方法を提
供する 【構成】 半導体基板１上に、エネルギー線が照射され
ると酸を発生する化合物と酸により保護基が脱離させら
れる樹脂とを含むレジストを形成した後、該レジストに
対して露光及び現像処理を行なうことによってレジスト
パターン２Ａを形成する。レジストパターン２Ａに対し
て紫外線光５Ａを全面に照射することにより、上記化合
物から酸を発生させると共に該酸によって上記樹脂から
保護基を離脱させ、これにより、レジストパターン２Ａ
の表面状態を粗にする。次に、レジストパターン２Ａを
マスクとして半導体基板１にイオン注入を行ない、その
後、洗浄液により半導体基板１の表面を洗浄すると、表
面が粗になったレジストパターンは容易且つ完全に除去
される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造方法において、イオン
注入後、特に高ドーズのイオン注入後のレジストパター
ンは、通常の酸による洗浄では除去されないので、Ｏ2
を用いたドライアッシング（灰化処理）により除去され
ている。ところが、このＯ2 を用いたドライアッシング
方法によっても半導体基板上のレジストパターンを完全
に除去できないのが実情である。
注入後、特に高ドーズのイオン注入後のレジストパター
ンは、通常の酸による洗浄では除去されないので、Ｏ2
を用いたドライアッシング（灰化処理）により除去され
ている。ところが、このＯ2 を用いたドライアッシング
方法によっても半導体基板上のレジストパターンを完全
に除去できないのが実情である。
【０００３】以下、図１３〜図１８に基づき、従来の半
導体装置の製造方法の一例について説明する。
導体装置の製造方法の一例について説明する。
【０００４】まず、図１３に示すように、半導体基板１
０の上に、ノボラック樹脂とナフトキノンジアジドとか
らなり通常のイオン注入用のレジストパターン形成に使
用されているレジスト（東京応化製ＴＳＭＲ−Ｖ３）１
１を膜厚１．５μｍに形成する。
０の上に、ノボラック樹脂とナフトキノンジアジドとか
らなり通常のイオン注入用のレジストパターン形成に使
用されているレジスト（東京応化製ＴＳＭＲ−Ｖ３）１
１を膜厚１．５μｍに形成する。
【０００５】次に、図１４に示すように、所定形状を有
するイオン注入用のマスク１２を用いてｉ線ステッパ
（ＮＡ０．５０）によりｉ線光１３を照射することによ
って、レジスト１１に対して露光を行なう。
するイオン注入用のマスク１２を用いてｉ線ステッパ
（ＮＡ０．５０）によりｉ線光１３を照射することによ
って、レジスト１１に対して露光を行なう。
【０００６】次に、レジスト１１に加熱処理及び現像処
理を行なうことにより、図１５に示すようなレジストパ
ターン１１´を形成する。
理を行なうことにより、図１５に示すようなレジストパ
ターン１１´を形成する。
【０００７】次に、図１６に示すように、レジストパタ
ーン１１´をマスクとして半導体基板１０に対して高ド
ーズ（１×１０16）のＡｓ+ １４をイオン注入する。こ
のように、高ドーズのイオンを注入すると、レジストパ
ターン１１´の表面が変質するため、通常の硫酸溶液か
らなる洗浄液によってはレジストパターン１１´は除去
されない。
ーン１１´をマスクとして半導体基板１０に対して高ド
ーズ（１×１０16）のＡｓ+ １４をイオン注入する。こ
のように、高ドーズのイオンを注入すると、レジストパ
ターン１１´の表面が変質するため、通常の硫酸溶液か
らなる洗浄液によってはレジストパターン１１´は除去
されない。
【０００８】そこで、図１７に示すように、レジストパ
ターン１１´に対してＯ2 を用いたドライアッシング１
５を行なうことによって該レジストパターン１１´を除
去する。
ターン１１´に対してＯ2 を用いたドライアッシング１
５を行なうことによって該レジストパターン１１´を除
去する。
【０００９】これにより、大部分のレジストパターン１
１´は除去されるが、図１８に示すように、半導体基板
１０の上には若干の残渣・パーティクル１６が除去され
ずに残る。
１´は除去されるが、図１８に示すように、半導体基板
１０の上には若干の残渣・パーティクル１６が除去され
ずに残る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、上記のよう
に半導体基板１０の上に残った残渣・パーティクル１６
は、後工程における不良要因となり、半導体装置の歩留
り低下の原因になる。
に半導体基板１０の上に残った残渣・パーティクル１６
は、後工程における不良要因となり、半導体装置の歩留
り低下の原因になる。
【００１１】そこで、半導体基板１０の上に残った残渣
・パーティクル１６を除去するために、半導体基板１０
の表面を酸性洗浄液によって洗浄することが考慮される
が、ドライアッシング工程によりすでに悪くなっている
スループットがさらに悪化すると共に、プロセスコスト
も非常に悪くなることから、酸性洗浄液による洗浄は工
業的には採用困難である。
・パーティクル１６を除去するために、半導体基板１０
の表面を酸性洗浄液によって洗浄することが考慮される
が、ドライアッシング工程によりすでに悪くなっている
スループットがさらに悪化すると共に、プロセスコスト
も非常に悪くなることから、酸性洗浄液による洗浄は工
業的には採用困難である。
【００１２】上記に鑑み、本発明は、イオン注入後のレ
ジストの除去を高精度に且つ簡易に行なうことができる
半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
ジストの除去を高精度に且つ簡易に行なうことができる
半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の問題点を解決する
ため、本発明は、エネルギー線が照射されると酸を発生
する化合物と酸により保護基が脱離させられる樹脂とを
含むレジストを用い、レジストパターンにエネルギー線
を照射してレジストパターン中の上記化合物から酸を発
生させ、この酸によりレジストパターン中の上記樹脂か
ら保護基を脱離させることによってレジストパターンの
表面を粗にするものである。
ため、本発明は、エネルギー線が照射されると酸を発生
する化合物と酸により保護基が脱離させられる樹脂とを
含むレジストを用い、レジストパターンにエネルギー線
を照射してレジストパターン中の上記化合物から酸を発
生させ、この酸によりレジストパターン中の上記樹脂か
ら保護基を脱離させることによってレジストパターンの
表面を粗にするものである。
【００１４】具体的に請求項１の発明が講じた解決手段
は、半導体基板上に、エネルギー線が照射されると酸を
発生する化合物と酸により保護基が脱離させられる樹脂
とを含むレジストを形成する工程と、該レジストに対し
て所定形状のマスクによる露光及び現像処理を行なうこ
とによってレジストパターンを形成する工程と、該レジ
ストパターンに対してエネルギー線を全面に照射する工
程と、エネルギー線が照射されたレジストパターンをマ
スクとして半導体基板に対してイオン注入を行なう工程
と、イオン注入後のレジストパターンを洗浄液によって
除去する工程とを含む構成である。
は、半導体基板上に、エネルギー線が照射されると酸を
発生する化合物と酸により保護基が脱離させられる樹脂
とを含むレジストを形成する工程と、該レジストに対し
て所定形状のマスクによる露光及び現像処理を行なうこ
とによってレジストパターンを形成する工程と、該レジ
ストパターンに対してエネルギー線を全面に照射する工
程と、エネルギー線が照射されたレジストパターンをマ
スクとして半導体基板に対してイオン注入を行なう工程
と、イオン注入後のレジストパターンを洗浄液によって
除去する工程とを含む構成である。
【００１５】また、請求項２の発明が講じた解決手段
は、半導体基板上に、エネルギー線が照射されると酸を
発生する化合物と酸により保護基が脱離させられる樹脂
とを含むレジストを形成する工程と、該レジストに対し
て所定形状のマスクによる露光及び現像処理を行なうこ
とによってレジストパターンを形成する工程と、該レジ
ストパターンをマスクとして半導体基板に対してイオン
注入を行なう工程と、イオン注入後のレジストパターン
に対してエネルギー線を全面に照射する工程と、エネル
ギー線照射後のレジストパターンを洗浄液によって除去
する工程とを含む構成である。
は、半導体基板上に、エネルギー線が照射されると酸を
発生する化合物と酸により保護基が脱離させられる樹脂
とを含むレジストを形成する工程と、該レジストに対し
て所定形状のマスクによる露光及び現像処理を行なうこ
とによってレジストパターンを形成する工程と、該レジ
ストパターンをマスクとして半導体基板に対してイオン
注入を行なう工程と、イオン注入後のレジストパターン
に対してエネルギー線を全面に照射する工程と、エネル
ギー線照射後のレジストパターンを洗浄液によって除去
する工程とを含む構成である。
【００１６】請求項３の発明は、レジストパターンをア
ルカリ性洗浄液によって除去可能にするため、請求項１
又は２の構成に、上記樹脂は酸により保護基が脱離させ
られるとアルカリ可溶性になる特性を有し、上記洗浄液
はアルカリ性洗浄液であるという構成を付加するもので
ある。
ルカリ性洗浄液によって除去可能にするため、請求項１
又は２の構成に、上記樹脂は酸により保護基が脱離させ
られるとアルカリ可溶性になる特性を有し、上記洗浄液
はアルカリ性洗浄液であるという構成を付加するもので
ある。
【００１７】請求項４の発明は、エネルギー線の照射時
にレジストパターンの表面をエッチングしておくため、
請求項１〜３の構成に、上記レジストパターンに対して
エネルギー線を全面に照射する工程は酸素雰囲気中にお
いて行なわれるという構成を付加するものである。
にレジストパターンの表面をエッチングしておくため、
請求項１〜３の構成に、上記レジストパターンに対して
エネルギー線を全面に照射する工程は酸素雰囲気中にお
いて行なわれるという構成を付加するものである。
【００１８】
【作用】請求項１又は２の構成により、エネルギー線が
照射されると酸を発生する化合物と酸により保護基が脱
離させられる樹脂とを含むレジストパターンに対してエ
ネルギー線を全面に照射するため、エネルギー線が照射
された化合物から酸が発生し、発生した酸によって樹脂
中の保護基が脱離する。保護基が脱離した後の樹脂は小
さな孔が形成された状態になりレジストパターンの表面
状態が粗になるため、レジストパターンをマスクとして
高ドーズのイオン注入を行なったとしても、アルカリ水
溶液や硫酸溶液等の洗浄液がレジストパターンの内部に
浸透し易くなる。
照射されると酸を発生する化合物と酸により保護基が脱
離させられる樹脂とを含むレジストパターンに対してエ
ネルギー線を全面に照射するため、エネルギー線が照射
された化合物から酸が発生し、発生した酸によって樹脂
中の保護基が脱離する。保護基が脱離した後の樹脂は小
さな孔が形成された状態になりレジストパターンの表面
状態が粗になるため、レジストパターンをマスクとして
高ドーズのイオン注入を行なったとしても、アルカリ水
溶液や硫酸溶液等の洗浄液がレジストパターンの内部に
浸透し易くなる。
【００１９】請求項３の構成により、上記樹脂は酸によ
り保護基が脱離させられるとアルカリ可溶性になる特性
を有しているため、レジストパターンをアルカリ性洗浄
液によって洗浄すると、アルカリ性洗浄液がレジストパ
ターンの内部に極めて浸透し易くなる。
り保護基が脱離させられるとアルカリ可溶性になる特性
を有しているため、レジストパターンをアルカリ性洗浄
液によって洗浄すると、アルカリ性洗浄液がレジストパ
ターンの内部に極めて浸透し易くなる。
【００２０】請求項４の構成により、レジストパターン
に対してエネルギー線を全面に照射する工程は酸素雰囲
気中において行なわれるため、エネルギー線の照射時に
おいてレジストパターンの表面はオゾンやＯ原子により
エッチングされる。
に対してエネルギー線を全面に照射する工程は酸素雰囲
気中において行なわれるため、エネルギー線の照射時に
おいてレジストパターンの表面はオゾンやＯ原子により
エッチングされる。
【００２１】
（第１実施例）以下、図１〜図６に基づき、本発明の第
１実施例に係る半導体装置の製造方法を説明する。
１実施例に係る半導体装置の製造方法を説明する。
【００２２】まず、図１に示すように、半導体基板１の
上に、以下の組成である、エネルギー線により酸を発生
する化合物と酸により保護基が脱離しアルカリ可溶性と
なる樹脂と溶媒とを含むレジスト２Ａを膜厚１．５μｍ
の厚さに形成する。
上に、以下の組成である、エネルギー線により酸を発生
する化合物と酸により保護基が脱離しアルカリ可溶性と
なる樹脂と溶媒とを含むレジスト２Ａを膜厚１．５μｍ
の厚さに形成する。
【００２３】○酸により保護基が脱離してアルカリ可溶
性となる樹脂……ポリターシャリーブチルオキシスチレ
ン：１０ｇ ○エネルギー線により酸を発生する化合物……トリフェ
ニルスルフォニウムアンチモネート：１ｇ ○溶媒……ジエチレングリコールジメチルエーテル：５
０ｇ 次に、図２に示すように、所定形状を有するイオン注入
用のマスク３を用いてｉ線ステッパ（ＮＡ０．５０）に
よりｉ線光４Ａを照射することによって、レジスト２Ａ
に対して露光を行なう。
性となる樹脂……ポリターシャリーブチルオキシスチレ
ン：１０ｇ ○エネルギー線により酸を発生する化合物……トリフェ
ニルスルフォニウムアンチモネート：１ｇ ○溶媒……ジエチレングリコールジメチルエーテル：５
０ｇ 次に、図２に示すように、所定形状を有するイオン注入
用のマスク３を用いてｉ線ステッパ（ＮＡ０．５０）に
よりｉ線光４Ａを照射することによって、レジスト２Ａ
に対して露光を行なう。
【００２４】次に、レジスト２Ａに加熱処理及び現像処
理を行なうことにより、図３に示すようなポジ型のレジ
ストパターン２Ａ´を形成する。
理を行なうことにより、図３に示すようなポジ型のレジ
ストパターン２Ａ´を形成する。
【００２５】次に、図４に示すように、レジストパター
ン２Ａ´に対してエネルギー線としての紫外線光５Ａを
全面に照射して、レジストパターン２Ａ´中の上記化合
物から酸を発生させると共にこの酸によって上記樹脂か
ら保護基を脱離させ、これにより、レジストパターン２
Ａ´の表面を粗にすると共にレジストパターン２Ａ´を
アルカリ可溶性に変性させる。
ン２Ａ´に対してエネルギー線としての紫外線光５Ａを
全面に照射して、レジストパターン２Ａ´中の上記化合
物から酸を発生させると共にこの酸によって上記樹脂か
ら保護基を脱離させ、これにより、レジストパターン２
Ａ´の表面を粗にすると共にレジストパターン２Ａ´を
アルカリ可溶性に変性させる。
【００２６】次に、図５に示すように、レジストパター
ン２Ａ´をマスクとして半導体基板１に対して高ドーズ
（１×１０16）のＡｓ+ ６Ａをイオン注入する。
ン２Ａ´をマスクとして半導体基板１に対して高ドーズ
（１×１０16）のＡｓ+ ６Ａをイオン注入する。
【００２７】次に、半導体基板１の表面をアルカリ水溶
液からなる洗浄液によって除去する。この結果、高ドー
ズのイオン注入によりレジストパターン２Ａ´の表面は
変質したが、レジストパターン２Ａ´の表面が粗になっ
ていると共にレジストパターン２Ａ´がアルカリ可溶性
になっているために、図６に示すように、上記の洗浄液
によって半導体基板１の表面のレジストパターン２Ａ´
は完全に除去され、残渣やパーティクル等は半導体基板
１の表面には全く観察されなかった。なお、アルカリ水
溶液の代わりに、硫酸溶液、過酸化水素水溶液、又は硫
酸溶液と過酸化水素水溶液との混合液からなる加熱した
酸性洗浄液を用いても、全く同様の良好な結果が得られ
た。
液からなる洗浄液によって除去する。この結果、高ドー
ズのイオン注入によりレジストパターン２Ａ´の表面は
変質したが、レジストパターン２Ａ´の表面が粗になっ
ていると共にレジストパターン２Ａ´がアルカリ可溶性
になっているために、図６に示すように、上記の洗浄液
によって半導体基板１の表面のレジストパターン２Ａ´
は完全に除去され、残渣やパーティクル等は半導体基板
１の表面には全く観察されなかった。なお、アルカリ水
溶液の代わりに、硫酸溶液、過酸化水素水溶液、又は硫
酸溶液と過酸化水素水溶液との混合液からなる加熱した
酸性洗浄液を用いても、全く同様の良好な結果が得られ
た。
【００２８】（第２実施例）以下、図７〜図１２に基づ
き、本発明の第２実施例に係る半導体装置の製造方法を
説明する。
き、本発明の第２実施例に係る半導体装置の製造方法を
説明する。
【００２９】まず、図７に示すように、半導体基板１の
上に、以下の組成である、エネルギー線により酸を発生
する化合物と酸により保護基が脱離しアルカリ可溶性と
なる樹脂と溶媒とを含むレジスト２Ｂを膜厚１．５μｍ
の厚さに形成する。
上に、以下の組成である、エネルギー線により酸を発生
する化合物と酸により保護基が脱離しアルカリ可溶性と
なる樹脂と溶媒とを含むレジスト２Ｂを膜厚１．５μｍ
の厚さに形成する。
【００３０】○酸により保護基が脱離してアルカリ可溶
性となる樹脂……ポリ（エトキシ）エトキシスチレン：
１０ｇ ○エネルギー線により酸を発生する化合物……２−ジア
ゾ−１、３−（ジシクロヘキシル）ジスルフォン：０．
５ｇ ○溶媒……ジエチレングリコールジメチルエーテル：５
０ｇ 次に、図８に示すように、所定形状を有するイオン注入
用のマスク３を用いてＫｒＦエキシマレーザステッパ
（ＮＡ０．４５）によりＫｒＦエキシマレーザ４Ｂを照
射することによって、レジスト２Ｂに対して露光を行な
う。
性となる樹脂……ポリ（エトキシ）エトキシスチレン：
１０ｇ ○エネルギー線により酸を発生する化合物……２−ジア
ゾ−１、３−（ジシクロヘキシル）ジスルフォン：０．
５ｇ ○溶媒……ジエチレングリコールジメチルエーテル：５
０ｇ 次に、図８に示すように、所定形状を有するイオン注入
用のマスク３を用いてＫｒＦエキシマレーザステッパ
（ＮＡ０．４５）によりＫｒＦエキシマレーザ４Ｂを照
射することによって、レジスト２Ｂに対して露光を行な
う。
【００３１】次に、レジスト２Ｂに加熱処理及び現像処
理を行なうことにより、図９に示すようなポジ型のレジ
ストパターン２Ｂ´を形成する。
理を行なうことにより、図９に示すようなポジ型のレジ
ストパターン２Ｂ´を形成する。
【００３２】次に、図１０に示すように、レジストパタ
ーン２Ｂ´をマスクとして半導体基板１に対して高ドー
ズ（１×１０16）のＢＦ2 + ６Ｂをイオン注入する。
ーン２Ｂ´をマスクとして半導体基板１に対して高ドー
ズ（１×１０16）のＢＦ2 + ６Ｂをイオン注入する。
【００３３】次に、図１１に示すように、レジストパタ
ーン２Ｂ´に対してエネルギー線としての遠紫外線光５
Ｂを全面に照射して、レジストパターン２Ａ´中の上記
化合物から酸を発生させると共にこの酸によって上記樹
脂から保護基を脱離させる。これにより、レジストパタ
ーン２Ｂ´がアルカリ可溶性に変性すると共に、樹脂か
ら脱離した保護基がエトキシエチレン化合物となり、こ
のエトキシエチレン化合物がイオン注入によって変質し
たレジストパターン２Ｂ´の表面をレジスト内部から反
応させて表面状態を粗くする。
ーン２Ｂ´に対してエネルギー線としての遠紫外線光５
Ｂを全面に照射して、レジストパターン２Ａ´中の上記
化合物から酸を発生させると共にこの酸によって上記樹
脂から保護基を脱離させる。これにより、レジストパタ
ーン２Ｂ´がアルカリ可溶性に変性すると共に、樹脂か
ら脱離した保護基がエトキシエチレン化合物となり、こ
のエトキシエチレン化合物がイオン注入によって変質し
たレジストパターン２Ｂ´の表面をレジスト内部から反
応させて表面状態を粗くする。
【００３４】次に、半導体基板１の表面をアルカリ水溶
液からなる洗浄液によって除去する。この結果、高ドー
ズのイオン注入によりレジストパターン２Ｂ´の表面は
変質したが、レジストパターン２Ｂ´の表面が粗になっ
ていると共にレジストパターン２Ｂ´がアルカリ可溶性
になっているために、上記の洗浄液がレジストパターン
２Ｂ´の内部にまで容易に浸透するので、図１２に示す
ように、半導体基板１の表面のレジストパターン２Ｂ´
は完全に除去され、残渣やパーティクル等は半導体基板
１の表面には全く観察されなかった。なお、アルカリ水
溶液の代わりに、硫酸溶液、過酸化水素水溶液、又は硫
酸溶液と過酸化水素水溶液との混合液からなる加熱した
酸性洗浄液を用いても、全く同様の良好な結果が得られ
た。
液からなる洗浄液によって除去する。この結果、高ドー
ズのイオン注入によりレジストパターン２Ｂ´の表面は
変質したが、レジストパターン２Ｂ´の表面が粗になっ
ていると共にレジストパターン２Ｂ´がアルカリ可溶性
になっているために、上記の洗浄液がレジストパターン
２Ｂ´の内部にまで容易に浸透するので、図１２に示す
ように、半導体基板１の表面のレジストパターン２Ｂ´
は完全に除去され、残渣やパーティクル等は半導体基板
１の表面には全く観察されなかった。なお、アルカリ水
溶液の代わりに、硫酸溶液、過酸化水素水溶液、又は硫
酸溶液と過酸化水素水溶液との混合液からなる加熱した
酸性洗浄液を用いても、全く同様の良好な結果が得られ
た。
【００３５】尚、上記第１及び第２実施例において、レ
ジストパターン２Ａ´，２Ｂ´に対してエネルギー線を
全面に照射する工程を酸素雰囲気中において行なうと、
エネルギー線の照射時においてレジストパターン２Ａ
´，２Ｂ´の表面はオゾンやＯ原子により若干エッチン
グされるため、洗浄液によるレジストパターン２Ａ´，
２Ｂ´の除去がいっそう容易になる。
ジストパターン２Ａ´，２Ｂ´に対してエネルギー線を
全面に照射する工程を酸素雰囲気中において行なうと、
エネルギー線の照射時においてレジストパターン２Ａ
´，２Ｂ´の表面はオゾンやＯ原子により若干エッチン
グされるため、洗浄液によるレジストパターン２Ａ´，
２Ｂ´の除去がいっそう容易になる。
【００３６】また、エネルギー線としては、上記の紫外
線や遠紫外線の他に、エキシマレーザ光、電子線又はＸ
線等を用いることができる。
線や遠紫外線の他に、エキシマレーザ光、電子線又はＸ
線等を用いることができる。
【００３７】また、本発明に係るエネルギー線が照射さ
れると酸を発生する化合物としては、オニウム塩、スル
ホン酸発生化合物、カルボン酸発生化合物又はトリアジ
ン化合物等がある。
れると酸を発生する化合物としては、オニウム塩、スル
ホン酸発生化合物、カルボン酸発生化合物又はトリアジ
ン化合物等がある。
【００３８】さらに、本発明に係る酸により保護基が離
脱する樹脂としては、ポリビニールフェノール、ポリビ
ニールフェノールの共重合体、ノボラック樹脂又はノボ
ラック樹脂の共重合体に保護基を付与した樹脂等があ
り、離脱する保護基としては、ターシャリーブチル基、
ターシャリーブチロキシ基、テトラヒドロキシ基又はタ
ーシャリーブチルシリル基がある。
脱する樹脂としては、ポリビニールフェノール、ポリビ
ニールフェノールの共重合体、ノボラック樹脂又はノボ
ラック樹脂の共重合体に保護基を付与した樹脂等があ
り、離脱する保護基としては、ターシャリーブチル基、
ターシャリーブチロキシ基、テトラヒドロキシ基又はタ
ーシャリーブチルシリル基がある。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１又は２の
発明に係る半導体装置の製造方法によると、エネルギー
線が照射されると酸を発生する化合物と酸により保護基
が脱離させられる樹脂とを含むレジストを用い、該レジ
ストからなるレジストパターンに対してエネルギー線を
全面に照射するため、エネルギー線が照射された化合物
から酸が発生し、発生した酸によって樹脂中の保護基が
脱離し、レジストパターンの表面状態が粗になり、レジ
ストパターンをマスクとして高ドーズのイオン注入を行
なっても洗浄液がレジストパターンの内部に浸透し易く
なるので、レジストパターンの除去が容易になる。
発明に係る半導体装置の製造方法によると、エネルギー
線が照射されると酸を発生する化合物と酸により保護基
が脱離させられる樹脂とを含むレジストを用い、該レジ
ストからなるレジストパターンに対してエネルギー線を
全面に照射するため、エネルギー線が照射された化合物
から酸が発生し、発生した酸によって樹脂中の保護基が
脱離し、レジストパターンの表面状態が粗になり、レジ
ストパターンをマスクとして高ドーズのイオン注入を行
なっても洗浄液がレジストパターンの内部に浸透し易く
なるので、レジストパターンの除去が容易になる。
【００４０】このため、請求項１又は２の発明は、従来
の方法では困難であったイオン注入後のレジストパター
ンを簡易な方法によって完全に除去することができるの
で、スループットやプロセスコストの著しい低減を図る
ことができ、半導体装置の生産性及び歩留りを向上させ
ることができる極めて工業的価値が大きい半導体装置の
製造方法と言える。
の方法では困難であったイオン注入後のレジストパター
ンを簡易な方法によって完全に除去することができるの
で、スループットやプロセスコストの著しい低減を図る
ことができ、半導体装置の生産性及び歩留りを向上させ
ることができる極めて工業的価値が大きい半導体装置の
製造方法と言える。
【００４１】また、請求項３の発明に係る半導体装置の
製造方法によると、レジストパターンを構成する樹脂は
酸により保護基が脱離させられるとアルカリ可溶性とな
るため、レジストパターンをアルカリ性洗浄液によって
洗浄すると、アルカリ性洗浄液がレジストパターンの内
部に極めて浸透し易くなるので、レジストパターンの除
去がいっそう容易になる。
製造方法によると、レジストパターンを構成する樹脂は
酸により保護基が脱離させられるとアルカリ可溶性とな
るため、レジストパターンをアルカリ性洗浄液によって
洗浄すると、アルカリ性洗浄液がレジストパターンの内
部に極めて浸透し易くなるので、レジストパターンの除
去がいっそう容易になる。
【００４２】さらに、請求項４の発明に係る半導体装置
の製造方法によると、レジストパターンに対してエネル
ギー線を全面に照射する工程は酸素雰囲気中において行
なわれるため、エネルギー線の照射時においてレジスト
パターンの表面はオゾンやＯ原子により若干エッチング
されているので、洗浄液によるレジストパターンの除去
がいっそう容易になる。
の製造方法によると、レジストパターンに対してエネル
ギー線を全面に照射する工程は酸素雰囲気中において行
なわれるため、エネルギー線の照射時においてレジスト
パターンの表面はオゾンやＯ原子により若干エッチング
されているので、洗浄液によるレジストパターンの除去
がいっそう容易になる。
【図１】本発明の第１実施例に係る半導体装置の製造方
法の工程を示す断面図である。
法の工程を示す断面図である。
【図２】本発明の第１実施例に係る半導体装置の製造方
法の工程を示す断面図である。
法の工程を示す断面図である。
【図３】本発明の第１実施例に係る半導体装置の製造方
法の工程を示す断面図である。
法の工程を示す断面図である。
【図４】本発明の第１実施例に係る半導体装置の製造方
法の工程を示す断面図である。
法の工程を示す断面図である。
【図５】本発明の第１実施例に係る半導体装置の製造方
法の工程を示す断面図である。
法の工程を示す断面図である。
【図６】本発明の第１実施例に係る半導体装置の製造方
法の工程を示す断面図である。
法の工程を示す断面図である。
【図７】本発明の第２実施例に係る半導体装置の製造方
法の工程を示す断面図である。
法の工程を示す断面図である。
【図８】本発明の第２実施例に係る半導体装置の製造方
法の工程を示す断面図である。
法の工程を示す断面図である。
【図９】本発明の第２実施例に係る半導体装置の製造方
法の工程を示す断面図である。
法の工程を示す断面図である。
【図１０】本発明の第２実施例に係る半導体装置の製造
方法の工程を示す断面図である。
方法の工程を示す断面図である。
【図１１】本発明の第２実施例に係る半導体装置の製造
方法の工程を示す断面図である。
方法の工程を示す断面図である。
【図１２】本発明の第２実施例に係る半導体装置の製造
方法の工程を示す断面図である。
方法の工程を示す断面図である。
【図１３】従来の半導体装置の製造方法の工程を示す断
面図である。
面図である。
【図１４】従来の半導体装置の製造方法の工程を示す断
面図である。
面図である。
【図１５】従来の半導体装置の製造方法の工程を示す断
面図である。
面図である。
【図１６】従来の半導体装置の製造方法の工程を示す断
面図である。
面図である。
【図１７】従来の半導体装置の製造方法の工程を示す断
面図である。
面図である。
【図１８】従来の半導体装置の製造方法の工程を示す断
面図である。
面図である。
１ 半導体基板 ２Ａ，２Ｂ レジスト ２Ａ´，２Ｂ´ レジストパターン ３ マスク ４Ａ ｉ線光 ４Ｂ ＫｒＦエキシマレーザ光 ５Ａ 紫外線光（エネルギー線） ５Ｂ 遠紫外線光（エネルギー線） ６Ａ Ａｓ+ （イオン） ６Ｂ ＢＦ2 + （イオン） １０ 半導体基板 １１ レジスト １１´ レジストパターン １２ マスク １３ ｉ線光 １４ Ａｓ+ １５ Ｏ2 アッシング １６ 残渣・パーティクル
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板上に、エネルギー線が照射さ
れると酸を発生する化合物と酸により保護基が脱離させ
られる樹脂とを含むレジストを形成する工程と、該レジ
ストに対して所定形状のマスクによる露光及び現像処理
を行なうことによってレジストパターンを形成する工程
と、該レジストパターンに対してエネルギー線を全面に
照射する工程と、エネルギー線が照射されたレジストパ
ターンをマスクとして半導体基板に対してイオン注入を
行なう工程と、イオン注入後のレジストパターンを洗浄
液によって除去する工程とを含むことを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - 【請求項２】 半導体基板上に、エネルギー線が照射さ
れると酸を発生する化合物と酸により保護基が脱離させ
られる樹脂とを含むレジストを形成する工程と、該レジ
ストに対して所定形状のマスクによる露光及び現像処理
を行なうことによってレジストパターンを形成する工程
と、該レジストパターンをマスクとして半導体基板に対
してイオン注入を行なう工程と、イオン注入後のレジス
トパターンに対してエネルギー線を全面に照射する工程
と、エネルギー線照射後のレジストパターンを洗浄液に
よって除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項３】 上記樹脂は酸により保護基が脱離させら
れるとアルカリ可溶性になる特性を有し、上記洗浄液は
アルカリ性洗浄液であることを特徴とする請求項１又は
２に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 上記レジストパターンに対してエネルギ
ー線を全面に照射する工程は酸素雰囲気中において行な
われることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に
記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5031856A JP2823768B2 (ja) | 1993-02-22 | 1993-02-22 | 半導体装置の製造方法 |
| KR1019940000145A KR970006210B1 (ko) | 1993-02-22 | 1994-01-06 | 반도체장치의 제조방법 |
| US08/193,550 US5472826A (en) | 1993-02-22 | 1994-02-08 | Semiconductor device fabrication method |
| EP94102597A EP0617455B1 (en) | 1993-02-22 | 1994-02-21 | Semiconductor device fabrication method |
| DE69429636T DE69429636T2 (de) | 1993-02-22 | 1994-02-21 | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5031856A JP2823768B2 (ja) | 1993-02-22 | 1993-02-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06252042A true JPH06252042A (ja) | 1994-09-09 |
| JP2823768B2 JP2823768B2 (ja) | 1998-11-11 |
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ID=12342696
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5031856A Expired - Fee Related JP2823768B2 (ja) | 1993-02-22 | 1993-02-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5472826A (ja) |
| EP (1) | EP0617455B1 (ja) |
| JP (1) | JP2823768B2 (ja) |
| KR (1) | KR970006210B1 (ja) |
| DE (1) | DE69429636T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7880141B2 (en) | 2006-12-01 | 2011-02-01 | Panasonic Corporation | Resin film evaluation method and method for manufacturing a semiconductor device |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6210846B1 (en) | 1999-08-13 | 2001-04-03 | Advanced Micro Devices, Inc. | Exposure during rework for enhanced resist removal |
| JP3827556B2 (ja) * | 2001-10-31 | 2006-09-27 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4617251A (en) * | 1985-04-11 | 1986-10-14 | Olin Hunt Specialty Products, Inc. | Stripping composition and method of using the same |
| US4885047A (en) * | 1986-08-11 | 1989-12-05 | Fusion Systems Corporation | Apparatus for photoresist stripping |
| US4824763A (en) * | 1987-07-30 | 1989-04-25 | Ekc Technology, Inc. | Triamine positive photoresist stripping composition and prebaking process |
| EP0388343B1 (en) * | 1989-03-14 | 1996-07-17 | International Business Machines Corporation | Chemically amplified photoresist |
| US5120633A (en) * | 1990-04-10 | 1992-06-09 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Resist material for use in thick film resists |
| US5219711A (en) * | 1990-04-10 | 1993-06-15 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Positive image formation utilizing resist material with carbazole diazonium salt acid generator |
-
1993
- 1993-02-22 JP JP5031856A patent/JP2823768B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-01-06 KR KR1019940000145A patent/KR970006210B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-02-08 US US08/193,550 patent/US5472826A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-02-21 EP EP94102597A patent/EP0617455B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-02-21 DE DE69429636T patent/DE69429636T2/de not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7880141B2 (en) | 2006-12-01 | 2011-02-01 | Panasonic Corporation | Resin film evaluation method and method for manufacturing a semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| EP0617455A3 (en) | 1997-03-12 |
| DE69429636D1 (de) | 2002-02-21 |
| EP0617455A2 (en) | 1994-09-28 |
| DE69429636T2 (de) | 2002-08-08 |
| US5472826A (en) | 1995-12-05 |
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| KR970006210B1 (ko) | 1997-04-24 |
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