JPS61287232A - レジストの露光方法 - Google Patents
レジストの露光方法Info
- Publication number
- JPS61287232A JPS61287232A JP60129682A JP12968285A JPS61287232A JP S61287232 A JPS61287232 A JP S61287232A JP 60129682 A JP60129682 A JP 60129682A JP 12968285 A JP12968285 A JP 12968285A JP S61287232 A JPS61287232 A JP S61287232A
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- JP
- Japan
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- resist
- ion beam
- exposure
- amount
- energy
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- Pending
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明レジストの露光方法を以下の項目に従って説明す
る。
る。
Ａ、産業上の利用分野
３８発明の概要
Ｃ９背景技術［第３図］
０１発明が解決しようとする問題点
Ｅ０問題点を解決するための手段
Ｆ、実施例［第１図、第２図］
ａ、露光方法［第１図、第２［ｆｆｌｌｂｏ作用
Ｃ９他の実施例
Ｇ１発明の効果
（Ａ、産業上の利用分野）
本発明は新規なレジストの露光方法に関する。
詳しくは、パターニングのためにレジストを部分的露光
して感光させるに際して要するイオン、光等のエネルギ
ーの照射時間を短くすることのできる新規なレジストの
露光方法を提供しようとするものである。
して感光させるに際して要するイオン、光等のエネルギ
ーの照射時間を短くすることのできる新規なレジストの
露光方法を提供しようとするものである。
（Ｂ、発明の概要）
本発明レジストの露光方法は、レジストを部分的に感光
させるために要するエネルギー照射時７間を短縮するた
めに、予めレジストに対して感光させるに必要な照射量
よりも少ない量のエネルギーにより露光する予備露光処
理を施し、その後、レジストに対して所望部分を露光し
て感光させる本露光処理を施すことを特徴とするもので
ある。
させるために要するエネルギー照射時７間を短縮するた
めに、予めレジストに対して感光させるに必要な照射量
よりも少ない量のエネルギーにより露光する予備露光処
理を施し、その後、レジストに対して所望部分を露光し
て感光させる本露光処理を施すことを特徴とするもので
ある。
（Ｃ，背景技術）［第３図］
ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置の高集積化に伴ってフォト
リングラフィにもより微細な加工をすることが要求され
る。そのため、レジストを露光する方法として第３図に
示すような収束イオンビーム装置を用いてレジストをイ
オンビームによって部分的に露光する方法が開発されて
いる。この露光方法の概略を説明すると、イオンガンａ
のエミッターｂから引出電極Ｃによってイオンビームｄ
を引き出し、そのイオンビームｄを収束レンズｅにより
収束し、次いでアパーチャｆによってイオンビームｄを
絞り、更にイオンビームｄを収束レンズｇによって収束
し、この収束されたイオンビームｄを偏向レンズｈによ
って偏向させることにより試料ステージｊ上に載置され
ている半導体基板ｊ上のレジスト膜に所定の描画を行な
うものである。
リングラフィにもより微細な加工をすることが要求され
る。そのため、レジストを露光する方法として第３図に
示すような収束イオンビーム装置を用いてレジストをイ
オンビームによって部分的に露光する方法が開発されて
いる。この露光方法の概略を説明すると、イオンガンａ
のエミッターｂから引出電極Ｃによってイオンビームｄ
を引き出し、そのイオンビームｄを収束レンズｅにより
収束し、次いでアパーチャｆによってイオンビームｄを
絞り、更にイオンビームｄを収束レンズｇによって収束
し、この収束されたイオンビームｄを偏向レンズｈによ
って偏向させることにより試料ステージｊ上に載置され
ている半導体基板ｊ上のレジスト膜に所定の描画を行な
うものである。
そして、そのレジスト膜のイオンビームが照射された部
分においてエネルギー変換が行われ、その照射イオンビ
ーム量が所定量を越えていれば感光する。即ち、例えば
レジストがポジ型であれば高分子の分解反応が起きる。
分においてエネルギー変換が行われ、その照射イオンビ
ーム量が所定量を越えていれば感光する。即ち、例えば
レジストがポジ型であれば高分子の分解反応が起きる。
そして、その露光処理後半導体基板ｊに対して現像処理
を施せば、レジストがポジ型の場合、イオンビームが照
射された部分が除去され、イオンビームが照射されなか
った部分が残存してエツチング、あるいは不純物のイオ
ン打込みにおいてマスクとして利用されたりする。
を施せば、レジストがポジ型の場合、イオンビームが照
射された部分が除去され、イオンビームが照射されなか
った部分が残存してエツチング、あるいは不純物のイオ
ン打込みにおいてマスクとして利用されたりする。
（Ｄ、発明が解決しようとする問題点）ところで、レジ
ストを感光させるに必要イオン注入量は一般に１０！２
イオン／ｃｍ′と相邑に多い、従って、一般の収束イオ
ンビーム装置によって低？ｌｔ流密度でイオン注入を行
なおうとするとレジストが感光するに充分なイオン注入
量を得るために必要なイオンビーム照射時間が非常に長
くなる。これがイオンビームによるレジストの露光方法
の大きな問題点であった。
ストを感光させるに必要イオン注入量は一般に１０！２
イオン／ｃｍ′と相邑に多い、従って、一般の収束イオ
ンビーム装置によって低？ｌｔ流密度でイオン注入を行
なおうとするとレジストが感光するに充分なイオン注入
量を得るために必要なイオンビーム照射時間が非常に長
くなる。これがイオンビームによるレジストの露光方法
の大きな問題点であった。
そこで、本発明は露光することによりレジストを部分的
に感光させるに要するエネルギーの照射時間を短縮する
ことを目的とする。
に感光させるに要するエネルギーの照射時間を短縮する
ことを目的とする。
（Ｅ、問題点を解決するための手段）
本発明レジストの露光方法は上記問題点を解決するため
、予めレジストに対して感光させるに必要な照射量より
も少ない量のエネルギーにより露光する予備露光処理を
施し、その後、レジストに対して所望部分を露光して感
光させる本露光処理を施すことを特徴とするものである
。
、予めレジストに対して感光させるに必要な照射量より
も少ない量のエネルギーにより露光する予備露光処理を
施し、その後、レジストに対して所望部分を露光して感
光させる本露光処理を施すことを特徴とするものである
。
従って、本発明レジストの露光方法によれば、レジスト
に対して部分的に感光させる本露光の際にはレジストを
感光させるに必要なエネルギー照射量から予備照射量を
差し引いた分のエネルギーを照射すれば感光することが
できる。従って、部分的に感光させる際に必要なエネル
ギー照射量が少なくて済み、エネルギー照射時間を短く
することができ、パターニングのスループットを改善す
ることができる。
に対して部分的に感光させる本露光の際にはレジストを
感光させるに必要なエネルギー照射量から予備照射量を
差し引いた分のエネルギーを照射すれば感光することが
できる。従って、部分的に感光させる際に必要なエネル
ギー照射量が少なくて済み、エネルギー照射時間を短く
することができ、パターニングのスループットを改善す
ることができる。
ＣＦ、実施例）［第１図、第２図］
以下に、本発明レジストの露光方法を図示実施例に従っ
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
（ａ、露光方法）［第１図、第２図］
第１図（Ａ）、（Ｂ）は本発明レジストの露光方法の実
施の一例を工程順に示すものである。
施の一例を工程順に示すものである。
（Ａ）先ず、半導体基板ｌの表面に塗布されたレジスト
膜２に対して全面的に鼻収束イオンビーム３を照射する
。その場合、イオンビームの照射量はレジストを感光さ
せるに必要なイオンビームの照射量よりも少なくする。
膜２に対して全面的に鼻収束イオンビーム３を照射する
。その場合、イオンビームの照射量はレジストを感光さ
せるに必要なイオンビームの照射量よりも少なくする。
第２図はポジ型のレジストの一例（Ｄｅｅｐ ＵＶレ
ジスト０ＤＵＲ−１０１０）のレジスト感度曲線（但し
、１００ＫＶの加速電圧、イオンＨ−ｅ＋）を示すもの
で、縦軸は現像後に残存するレジスト膜の膜厚を示す、
このような感度を有するレジストの場合はこの予備露光
工程においてはイオン注入量を５Ｘ１０１１［イオン／
ｃｍ’］にする。
ジスト０ＤＵＲ−１０１０）のレジスト感度曲線（但し
、１００ＫＶの加速電圧、イオンＨ−ｅ＋）を示すもの
で、縦軸は現像後に残存するレジスト膜の膜厚を示す、
このような感度を有するレジストの場合はこの予備露光
工程においてはイオン注入量を５Ｘ１０１１［イオン／
ｃｍ’］にする。
そして、イオン注入装置としては通常の非収束大口径イ
オンビーム３を発生するものを用いる。
オンビーム３を発生するものを用いる。
（Ｂ）次に、第３図に示すような収束イオンビーム装置
を用いて収束したイオンビーム４を半導体基板１の予備
露光済みレジスト２に対して選択的に照射する。５はレ
ジスト２の選択的に照射された部分である。
を用いて収束したイオンビーム４を半導体基板１の予備
露光済みレジスト２に対して選択的に照射する。５はレ
ジスト２の選択的に照射された部分である。
この本露光工程におけるイオン注入量を１．５ＸＩＯＩ
２［イオン／ ｃｍ″］にする。なぜならば。
２［イオン／ ｃｍ″］にする。なぜならば。
本実施例においてレジストは２Ｘ１０１２［イオン／ｃ
ｒｎ’］で完全に感光する特性を有するが、既に予備露
光工程の段階で５Ｘ１０１１［イオン／Ｃｍｌ〕のイオ
ンビームが照射されているので、２×１０＋２［イオン
／ｃｍ”ｌから５Ｘ１０１１［イオン／ｃｒｎ’］を差
し引いた１、５Ｘ１０１２［イオン／ｃｒｎ’］をこの
本露光工程において照射すればその本露光した部分５を
感光させることができる。即ち、その本露光した部分５
は恰かも当初から、２×１０１２［イオン／ｃｒｒｆ］
の収束イオンビーム５を照射されたような状態となって
分解する。従って、その後に感光したときその本露光さ
れた部分５が除去される。そして、現像後残存する部分
がエツチング、不純物のイオン打込み等のマスクとして
利用される。
ｒｎ’］で完全に感光する特性を有するが、既に予備露
光工程の段階で５Ｘ１０１１［イオン／Ｃｍｌ〕のイオ
ンビームが照射されているので、２×１０＋２［イオン
／ｃｍ”ｌから５Ｘ１０１１［イオン／ｃｒｎ’］を差
し引いた１、５Ｘ１０１２［イオン／ｃｒｎ’］をこの
本露光工程において照射すればその本露光した部分５を
感光させることができる。即ち、その本露光した部分５
は恰かも当初から、２×１０１２［イオン／ｃｒｒｆ］
の収束イオンビーム５を照射されたような状態となって
分解する。従って、その後に感光したときその本露光さ
れた部分５が除去される。そして、現像後残存する部分
がエツチング、不純物のイオン打込み等のマスクとして
利用される。
（ｂ、作用）
以上に述べたレジストの露光方法によれば、収束イオン
ビーム装置によりレジスト膜２に選択的にイオンビーム
を照射する前に予め感光に至らない量のイオンビームを
レジスト膜２に前面的に照射しておくので、選択的にイ
オンビームを照射するときの照射時間が短くて済む。
ビーム装置によりレジスト膜２に選択的にイオンビーム
を照射する前に予め感光に至らない量のイオンビームを
レジスト膜２に前面的に照射しておくので、選択的にイ
オンビームを照射するときの照射時間が短くて済む。
（ｃ、他の実施例）
尚、上記実施例においてはレジストを感光させるエネル
ギーとしてイオンビームが用いられていたが、ＵＶ光、
ＤＵＶ光、Ｘ線、電子線等レジストにおいてエネルギー
変換を生じさせるエネルギーはすべてレジストを感光さ
せるエネルギーとして利用できる。そして、予備露光は
ＵＶ光で、本露光は収束イオンビームでというように予
備露光と本露光とでレジストに注入するエネルギーの種
類を異ならせるようにしてもよい。
ギーとしてイオンビームが用いられていたが、ＵＶ光、
ＤＵＶ光、Ｘ線、電子線等レジストにおいてエネルギー
変換を生じさせるエネルギーはすべてレジストを感光さ
せるエネルギーとして利用できる。そして、予備露光は
ＵＶ光で、本露光は収束イオンビームでというように予
備露光と本露光とでレジストに注入するエネルギーの種
類を異ならせるようにしてもよい。
尚、上記実施例においては予備露光工程は半導体基板表
面上に形成された状態のレジストに施された。しかし、
レジストに対して半導体基板に塗布される前の段階で予
備露光処理を施すようにしても良い、また、レジストの
メーカがレジスト製造後予備露光処理を施し、予備露光
処理済のレジストとして半導体メーカ等に販売するよう
にしても良い、この場合は、半導体メーカはレジストに
対して前述した本露光処理のみを行うことによってパタ
ーニングのための感光をさせることができることになる
。
面上に形成された状態のレジストに施された。しかし、
レジストに対して半導体基板に塗布される前の段階で予
備露光処理を施すようにしても良い、また、レジストの
メーカがレジスト製造後予備露光処理を施し、予備露光
処理済のレジストとして半導体メーカ等に販売するよう
にしても良い、この場合は、半導体メーカはレジストに
対して前述した本露光処理のみを行うことによってパタ
ーニングのための感光をさせることができることになる
。
（Ｇ、発明の効果）
以上に述べたところから明らかなように、本発明レジス
トの露光方法は、所定量を越えるエネルギーを受けると
感光するレジストに対して上記所定量に達しない量のエ
ネルギーを予備照射する予備露光工程と、前記予備照射
が為されたレジストに対して部分的にエネルギーを照射
して感光させる本露光工程と、からなることを特徴とす
るものである。
トの露光方法は、所定量を越えるエネルギーを受けると
感光するレジストに対して上記所定量に達しない量のエ
ネルギーを予備照射する予備露光工程と、前記予備照射
が為されたレジストに対して部分的にエネルギーを照射
して感光させる本露光工程と、からなることを特徴とす
るものである。
従って、本発明レジストの露光方法によれば。
レジストに対して部分的に感光させる本露光の際にはレ
ジストを感光させるに必要なエネルギー照射量から予備
照射量を差し引いた分のエネルギーを照射すれば良いの
で１部分的に感光させる際に必要なエネルギー照射量が
少なくて済み、エネルギー照射時間を短くすることがで
き、パターニングのスルーブツトを改善することができ
る。
ジストを感光させるに必要なエネルギー照射量から予備
照射量を差し引いた分のエネルギーを照射すれば良いの
で１部分的に感光させる際に必要なエネルギー照射量が
少なくて済み、エネルギー照射時間を短くすることがで
き、パターニングのスルーブツトを改善することができ
る。
第１図（Ａ）、（Ｂ）は本発明レジストの露光方法の実
施の一例を工程順に示す斜視図、第２−図はレジストの
感度特性の一例を示す曲線図、第３図は収束イオンビー
ム装置の一例を示す縦断面図である。 符号の説明 ２・・曇レジスト、 ３．４・・・エネルギー（Ｂ） 第１図
施の一例を工程順に示す斜視図、第２−図はレジストの
感度特性の一例を示す曲線図、第３図は収束イオンビー
ム装置の一例を示す縦断面図である。 符号の説明 ２・・曇レジスト、 ３．４・・・エネルギー（Ｂ） 第１図
Claims (1)
- （１）所定量を越えるエネルギーを受けると感光するレ
ジストに対して上記所定量に達しない量のエネルギーを
予備照射する予備露光工程と、前記予備照射が為された
レジストに対して部分的にエネルギーを照射して感光さ
せる本露光工程と、 からなることを特徴とするレジストの露光方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60129682A JPS61287232A (ja) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | レジストの露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60129682A JPS61287232A (ja) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | レジストの露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61287232A true JPS61287232A (ja) | 1986-12-17 |
Family
ID=15015566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60129682A Pending JPS61287232A (ja) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | レジストの露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61287232A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56164531A (en) * | 1980-05-21 | 1981-12-17 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor |
| JPS5742130A (en) * | 1980-08-26 | 1982-03-09 | Mitsubishi Electric Corp | Forming method for minute pattern |
-
1985
- 1985-06-14 JP JP60129682A patent/JPS61287232A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56164531A (en) * | 1980-05-21 | 1981-12-17 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor |
| JPS5742130A (en) * | 1980-08-26 | 1982-03-09 | Mitsubishi Electric Corp | Forming method for minute pattern |
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