JPH02187010A - レジストパターン形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法Info
- Publication number
- JPH02187010A JPH02187010A JP633589A JP633589A JPH02187010A JP H02187010 A JPH02187010 A JP H02187010A JP 633589 A JP633589 A JP 633589A JP 633589 A JP633589 A JP 633589A JP H02187010 A JPH02187010 A JP H02187010A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- ion beam
- substrate
- pattern
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 24
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 abstract description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 abstract description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 7
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000952 Be alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N isoamyl acetate Chemical compound CC(C)CCOC(C)=O MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910001423 beryllium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 229940117955 isoamyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体素子製造工程に用いるレジストパターン
の形成方法に係り、詳しくは集束イオンビームを用いた
リフトオフパターン形成方法に関する。
の形成方法に係り、詳しくは集束イオンビームを用いた
リフトオフパターン形成方法に関する。
（従来の技術）
ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ等において、その動作速度の向上
を計るためには、ゲート長の短縮が有効な手段である。
を計るためには、ゲート長の短縮が有効な手段である。
現在ステッパ等の光露光の実用的限界解像度は０．５ｐ
ｍ程度であり、更に微細なゲート電極形成には電子ビー
ム露光、あるいは集束イオンビーム露光が用いられてき
た。その中でも特に集束イオンビーム露光は電子ビーム
露光と比較すると、前方及び後方散乱による近接効果の
影響を受けにくく、また感度が１〜２桁程高いため電荷
蓄積の影響も受けにくいなど優れた微細加工性を有して
いる。
ｍ程度であり、更に微細なゲート電極形成には電子ビー
ム露光、あるいは集束イオンビーム露光が用いられてき
た。その中でも特に集束イオンビーム露光は電子ビーム
露光と比較すると、前方及び後方散乱による近接効果の
影響を受けにくく、また感度が１〜２桁程高いため電荷
蓄積の影響も受けにくいなど優れた微細加工性を有して
いる。
従って現在線幅０．１ｐｍ程度の微細ゲートの形成には
集束イオンビームによる露光が用いられている。
集束イオンビームによる露光が用いられている。
第１図は従来技術によるリフトオフパターン形成方法を
示している。まず基板１２上にポジ型レジストポリメチ
ルメタクリレート１１を厚さ約１．０１１ｍスピン塗布
し、１７０’Ｃ１３０分間ベイクする（第１図（ａ））
。ついでビーム径０．１１！ｍ程度まで集束したＢｅ集
束イオンビーム１３を用いてポリメチルメタクリレート
１１を露光する（第１図（ｂ））。この時Ｂｅ集束イオ
ンビームの加速エネルギーは２６０ｋｅＶ、露光量は１
．５Ｘ１０１ｏｎｓ／ａｍであった。そしてメチルイソ
ブチルケトン：イソプロピルアルコール＝１：３混液中
にて３分間現像し、イソプロビルアルコール中で１分間
ノンスを行うことにより、線幅０．１ｐｍ程度の微細な
レジストパターンが形成される（第１図（Ｃ））。そし
て最後に電極金属としてＡｕを厚さ０．５ｐｍ蒸着し、
メチルエチルケトン中でリフトオフを行うことにより、
第１図（ｄ）に示したような線幅的０．１ｐｍの微細リ
フトオフパターンを形成していた。しかしながらこの従
来技術による方法では、他の露光方法では形成不可能な
線幅０．１ｐｍ程度の微細なリフトオフパターンが形成
可能な反面、集束イオンビームによるレジストの露光時
にレジストを基板面まで露光しなければならないので、
必然的に露光イオンが基板に注入され基板に損傷を与え
、また注入されたイオンは不純物となるなどして、結果
的にソース−ドレイン電流の減少などデバイス特性を劣
化させていた（例えば、ジャーナルオブバキュームサイ
エンスアンドテクノロジーＢ５、ｐ２１１．１９８７、
モリモトら）。
示している。まず基板１２上にポジ型レジストポリメチ
ルメタクリレート１１を厚さ約１．０１１ｍスピン塗布
し、１７０’Ｃ１３０分間ベイクする（第１図（ａ））
。ついでビーム径０．１１！ｍ程度まで集束したＢｅ集
束イオンビーム１３を用いてポリメチルメタクリレート
１１を露光する（第１図（ｂ））。この時Ｂｅ集束イオ
ンビームの加速エネルギーは２６０ｋｅＶ、露光量は１
．５Ｘ１０１ｏｎｓ／ａｍであった。そしてメチルイソ
ブチルケトン：イソプロピルアルコール＝１：３混液中
にて３分間現像し、イソプロビルアルコール中で１分間
ノンスを行うことにより、線幅０．１ｐｍ程度の微細な
レジストパターンが形成される（第１図（Ｃ））。そし
て最後に電極金属としてＡｕを厚さ０．５ｐｍ蒸着し、
メチルエチルケトン中でリフトオフを行うことにより、
第１図（ｄ）に示したような線幅的０．１ｐｍの微細リ
フトオフパターンを形成していた。しかしながらこの従
来技術による方法では、他の露光方法では形成不可能な
線幅０．１ｐｍ程度の微細なリフトオフパターンが形成
可能な反面、集束イオンビームによるレジストの露光時
にレジストを基板面まで露光しなければならないので、
必然的に露光イオンが基板に注入され基板に損傷を与え
、また注入されたイオンは不純物となるなどして、結果
的にソース−ドレイン電流の減少などデバイス特性を劣
化させていた（例えば、ジャーナルオブバキュームサイ
エンスアンドテクノロジーＢ５、ｐ２１１．１９８７、
モリモトら）。
本発明の目的は、集束イオンビーム露光によるリフトオ
フパターン形成において、従来のように集束イオンビー
ム露光時に基板にイオン照射による損傷を与えることの
無いリフトオフパターン形成方法を提供することにある
。
フパターン形成において、従来のように集束イオンビー
ム露光時に基板にイオン照射による損傷を与えることの
無いリフトオフパターン形成方法を提供することにある
。
（問題を解決するための手段）
本発明は、集束イオンビーム露光によるリフトオフパタ
ーン形成において、基板上にネガ型レジストを塗布する
工程と、集束イオンビーム露光により前記レジストの表
面付近を露光する工程とを具備することにより、リフト
オフパターン形成のためのレジストパターン形成方法を
提供するものである。
ーン形成において、基板上にネガ型レジストを塗布する
工程と、集束イオンビーム露光により前記レジストの表
面付近を露光する工程とを具備することにより、リフト
オフパターン形成のためのレジストパターン形成方法を
提供するものである。
（作用）
イオンは電子と比較した場合質量が非常に大きい。従っ
てイオンを用いてレジスト露光を行った場合、電子と比
較してレジスト中への進入長は非常に短く、通常集束イ
オンビーム露光に用いられる５０〜３００ｋｅＶ程度の
加速エネルギーの範囲では、比較的質量が軽く進入長が
長いＢｅイオンを用いても、その進入長は約０．５〜１
．７１１ｍ程度である。従ってレジスト塗布膜厚を、用
いる集束イオンビームのレジスト中での進入長より厚く
することにより、露光時に照射されたイオンは基板面ま
で到達しなくなる。
てイオンを用いてレジスト露光を行った場合、電子と比
較してレジスト中への進入長は非常に短く、通常集束イ
オンビーム露光に用いられる５０〜３００ｋｅＶ程度の
加速エネルギーの範囲では、比較的質量が軽く進入長が
長いＢｅイオンを用いても、その進入長は約０．５〜１
．７１１ｍ程度である。従ってレジスト塗布膜厚を、用
いる集束イオンビームのレジスト中での進入長より厚く
することにより、露光時に照射されたイオンは基板面ま
で到達しなくなる。
以上のことを踏まえ、本発明の作用を第２図を用いて説
明する。まず基板２２上に、集束イオンビーム露光によ
ってネガ像を形成し得るレジスト２１を塗布する（第２
図（ａ））。次に集束イオンビーム２３によってリフト
オフバ、ターンを形成したい部分以外の部分を露光する
。この時照射されたイオンが基板面まで到達せず、レジ
ストの表面付近でとどまるよう、集束イオンビームの加
速エネルギー及びイオン種を選ぶことにより、レジスト
の表面付近にのみ露光による架橋反応が起き潜像が形成
される（第２図（ｂ））。ついで露光後のレジストを現
像液中にて現像を行うことにより、先の露光に於て露光
された部分はネガ像が形成され、現像液に対して不溶化
しているため、その下層の未露光のレジストの溶解は阻
止され、従って表面付近が未露光の部分のみ選択的に現
像、除去される（第２図（Ｃ））。
明する。まず基板２２上に、集束イオンビーム露光によ
ってネガ像を形成し得るレジスト２１を塗布する（第２
図（ａ））。次に集束イオンビーム２３によってリフト
オフバ、ターンを形成したい部分以外の部分を露光する
。この時照射されたイオンが基板面まで到達せず、レジ
ストの表面付近でとどまるよう、集束イオンビームの加
速エネルギー及びイオン種を選ぶことにより、レジスト
の表面付近にのみ露光による架橋反応が起き潜像が形成
される（第２図（ｂ））。ついで露光後のレジストを現
像液中にて現像を行うことにより、先の露光に於て露光
された部分はネガ像が形成され、現像液に対して不溶化
しているため、その下層の未露光のレジストの溶解は阻
止され、従って表面付近が未露光の部分のみ選択的に現
像、除去される（第２図（Ｃ））。
従ってその後電極金属を蒸着し、リフトオフを行うこと
により、リフトオフパターンを形成することができる（
第２図（ｄ））。ここで集束イオンビーム露光を行う際
、その加速エネルギー及びイオン種は、イオンがレジス
トの表面付近でとどまるよう、すなわち言い替えればイ
オンのレジスト中での進入長に比べ、レジストの膜厚が
十分厚くなるような条件に設定されているので、イオン
が基板に直接照射されることがなく、従って基板にイオ
ン照射による不純物や損傷が与えられることはない。
により、リフトオフパターンを形成することができる（
第２図（ｄ））。ここで集束イオンビーム露光を行う際
、その加速エネルギー及びイオン種は、イオンがレジス
トの表面付近でとどまるよう、すなわち言い替えればイ
オンのレジスト中での進入長に比べ、レジストの膜厚が
十分厚くなるような条件に設定されているので、イオン
が基板に直接照射されることがなく、従って基板にイオ
ン照射による不純物や損傷が与えられることはない。
（実施例）
以下本発明の実施例として、線幅０．１ｐｍのＧａＡｓ
ＭＥＳＦＥＴリフトオフゲートパターンの形成について
、第３図を用いて説明する。まずＧａＡｓ基板３２上に
ネガ型レジストとして、クロロメチル化ポリスチレン３
１を厚さ約２．０ｐｍスピン塗布し、１１０°Ｃ１２５
分間ペイクする（第３図（ａ））。次いでＡｕ−８ｉ−
Ｂｅ合金イオン源から得られる加速エネルギー２６０ｋ
ｅＶのＳｉ集束イオンビームを用いて、形成したい線幅
０．１ｐｍのゲートパターン以外の部分を露光する。露
光量は３．５Ｘ１０１ｏｎｓ／ｃｍとした。ここで加速
エネルギー２６０ｋｅＶとＳｉイオンの組合せでは、レ
ジスト中へのイオン進入長は０．６ｐｍ程度であるので
、レジストは表面から０．６μｍ程度の深さまで露光に
よる架橋反応が起き、潜像が形成される（第３図（ｂ）
）。次に酢酸インアミル：エチルセロソルブ：１５：８
５の混液中にて１分間の現像を２回行い、イソプロピル
アルコール中にて１分間リンスを行うことてにより、未
露光部分のみが選択的に現像、除去され、第３図（ｅ）
に示したようなレジストパターンが形成される。従って
その後ゲート金属としてＡｕを厚さ約１．０ｐｍ蒸着し
、ノットオフを行うことにより第３図（ｄ）に示したよ
うな線幅的０．１ｐｍのゲートリフトオフパターンが形
成された。この時集束イオンビーム露光時のＳｉイオン
は基板面まで到達しないため、ゲートリフトオフパター
ン形成前と後で、基板の損傷によるソース−ドレイン電
流の減少は肥められなかった。
ＭＥＳＦＥＴリフトオフゲートパターンの形成について
、第３図を用いて説明する。まずＧａＡｓ基板３２上に
ネガ型レジストとして、クロロメチル化ポリスチレン３
１を厚さ約２．０ｐｍスピン塗布し、１１０°Ｃ１２５
分間ペイクする（第３図（ａ））。次いでＡｕ−８ｉ−
Ｂｅ合金イオン源から得られる加速エネルギー２６０ｋ
ｅＶのＳｉ集束イオンビームを用いて、形成したい線幅
０．１ｐｍのゲートパターン以外の部分を露光する。露
光量は３．５Ｘ１０１ｏｎｓ／ｃｍとした。ここで加速
エネルギー２６０ｋｅＶとＳｉイオンの組合せでは、レ
ジスト中へのイオン進入長は０．６ｐｍ程度であるので
、レジストは表面から０．６μｍ程度の深さまで露光に
よる架橋反応が起き、潜像が形成される（第３図（ｂ）
）。次に酢酸インアミル：エチルセロソルブ：１５：８
５の混液中にて１分間の現像を２回行い、イソプロピル
アルコール中にて１分間リンスを行うことてにより、未
露光部分のみが選択的に現像、除去され、第３図（ｅ）
に示したようなレジストパターンが形成される。従って
その後ゲート金属としてＡｕを厚さ約１．０ｐｍ蒸着し
、ノットオフを行うことにより第３図（ｄ）に示したよ
うな線幅的０．１ｐｍのゲートリフトオフパターンが形
成された。この時集束イオンビーム露光時のＳｉイオン
は基板面まで到達しないため、ゲートリフトオフパター
ン形成前と後で、基板の損傷によるソース−ドレイン電
流の減少は肥められなかった。
本実施例はＧａＡｓＭＥＳＦＥＴにおける微細ゲートリ
フトオフパターン形成に関するものであるが、本発明の
実施例はそれに限定されるものではなく、他の集束イオ
ンビーム露光によるリフトオフパターン形成に実施する
ことができる。
フトオフパターン形成に関するものであるが、本発明の
実施例はそれに限定されるものではなく、他の集束イオ
ンビーム露光によるリフトオフパターン形成に実施する
ことができる。
本実施例では集束イオンビーム露光工程にＡｕ−８ｉ−
Ｂｅ合金イオン源から得られる加速エネルギー２６０ｋ
ｅＶのＳｉ集束イオンビームを用いたが、これはレジス
トの塗布膜厚に対してイオンの進入長が短くなる条件で
あれば、他の加速エネルギー及び他のＬｉ、 Ｇａ、
Ａｕ等単体金属イオン源、Ａｕ−８ｉ、 Ｐｔ−３ｂ。
Ｂｅ合金イオン源から得られる加速エネルギー２６０ｋ
ｅＶのＳｉ集束イオンビームを用いたが、これはレジス
トの塗布膜厚に対してイオンの進入長が短くなる条件で
あれば、他の加速エネルギー及び他のＬｉ、 Ｇａ、
Ａｕ等単体金属イオン源、Ａｕ−８ｉ、 Ｐｔ−３ｂ。
Ｐｂ−Ｎ１−Ｂ等合金イオン源、あるいはＨｅ、 Ｈ２
，０２、Ｆ２等のガスイオン源から得られるイオン種の
組合せによる集束イオンビームを用いてもよい。集束イ
オンビーム露光の露光量は３．５Ｘ１０１ｏｎｓ／ｃｍ
としたが、これは用いるレジストに像形成反応を起こさ
せ、かつイオン衝撃によるレジストの膜減りが起こらな
い範囲であれば任意の大きさの露光量としてもよい。ま
た本実施例ではネガ型レジストおよび現像液として、ク
ロロメチル化ポリスチレンおよび酢酸イソアミル：エチ
ルセロソルブ＝１５：８５の混液の組合せを用いたが、
これに限らず環化ゴム系ネガ型レジストとアルカリ水溶
液現像液等、他のレジストと現像液の組合せを用いても
よい。
，０２、Ｆ２等のガスイオン源から得られるイオン種の
組合せによる集束イオンビームを用いてもよい。集束イ
オンビーム露光の露光量は３．５Ｘ１０１ｏｎｓ／ｃｍ
としたが、これは用いるレジストに像形成反応を起こさ
せ、かつイオン衝撃によるレジストの膜減りが起こらな
い範囲であれば任意の大きさの露光量としてもよい。ま
た本実施例ではネガ型レジストおよび現像液として、ク
ロロメチル化ポリスチレンおよび酢酸イソアミル：エチ
ルセロソルブ＝１５：８５の混液の組合せを用いたが、
これに限らず環化ゴム系ネガ型レジストとアルカリ水溶
液現像液等、他のレジストと現像液の組合せを用いても
よい。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば集束イオンビーム
による露光がレジストの表面付近であるため集束イオン
ビーム露光時の基板へのイオン照射による損傷を防ぐこ
とができ、デバイス特性の劣化を防ぐことができた。
による露光がレジストの表面付近であるため集束イオン
ビーム露光時の基板へのイオン照射による損傷を防ぐこ
とができ、デバイス特性の劣化を防ぐことができた。
第１図は従来技術を説明するための基板の部分断面図で
ある。また第２図は本発明の詳細な説明するための基板
の部分断面図、第３図は本発明の一実施例を説明するた
めの基板の部分ｖ面図である。 図において、１１・・・ポリメチルメタクリレート、１
２・・・基板、１３・・・Ｂｅ集束イオンビーム、１４
．・、損傷、１５・・・Ａｕリフトオフパターン、２１
・・・ネガ型レジスト、２２・・・基板、２３・・・集
束イオンビーム、２４・・・潜像、２５・・・リフトオ
フパターン、３１．・・り二ロメチル化ポリスチレン、
３２・・・ＧａＡｓ基板、３３・・・Ｓｉ集束イオンビ
ーム、３４・・・潜像、３５・・・Ａｕリフトオフゲー
トパターンである。
ある。また第２図は本発明の詳細な説明するための基板
の部分断面図、第３図は本発明の一実施例を説明するた
めの基板の部分ｖ面図である。 図において、１１・・・ポリメチルメタクリレート、１
２・・・基板、１３・・・Ｂｅ集束イオンビーム、１４
．・、損傷、１５・・・Ａｕリフトオフパターン、２１
・・・ネガ型レジスト、２２・・・基板、２３・・・集
束イオンビーム、２４・・・潜像、２５・・・リフトオ
フパターン、３１．・・り二ロメチル化ポリスチレン、
３２・・・ＧａＡｓ基板、３３・・・Ｓｉ集束イオンビ
ーム、３４・・・潜像、３５・・・Ａｕリフトオフゲー
トパターンである。
Claims (1)
- （１）集束イオンビーム露光によりネガ型レジストにリ
フトオフパターン用のレジストパターン形成する方法に
おいて、基板上にネガ型レジストを塗布する工程と、集
束イオンビーム露光により前記レジストの表面付近を所
望のパターンで露光する工程と、前記レジストを現像す
ることにより、未露光部分を第１の開口部とするパター
ンを形成し、この第１の開口部に比較して大きい第２の
開口部を、第１の開口部の下側に形成させる工程とを備
えてあることを特徴とするレジストパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP633589A JPH02187010A (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | レジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP633589A JPH02187010A (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | レジストパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02187010A true JPH02187010A (ja) | 1990-07-23 |
Family
ID=11635497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP633589A Pending JPH02187010A (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | レジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02187010A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012009497A (ja) * | 2010-06-22 | 2012-01-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 微小構造体の製造方法 |
-
1989
- 1989-01-13 JP JP633589A patent/JPH02187010A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012009497A (ja) * | 2010-06-22 | 2012-01-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 微小構造体の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2883798B2 (ja) | 半導体素子のパターン化方法 | |
| JPS594017A (ja) | 電子ビ−ム露光方法 | |
| JPS58124230A (ja) | 微細パタ−ン形成方法 | |
| JPH02187010A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JP2827992B2 (ja) | 微細パターンの形成方法 | |
| JPS5819127B2 (ja) | 微細パタ−ン形成方法 | |
| JPS6159505B2 (ja) | ||
| JPH0319310A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPS6142852B2 (ja) | ||
| JPH022604A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JPH02187011A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JP2736154B2 (ja) | 電極の作製方法 | |
| JPH04305912A (ja) | Ｖ型ゲート形成方法 | |
| JPH02187012A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH03235322A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH08222501A (ja) | 露光方法 | |
| JPH0762228B2 (ja) | 電子線レジスト及びその製造方法 | |
| JPH024267A (ja) | レジストエッチ耐性向上方法 | |
| JPH0191421A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH01185545A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH0212820A (ja) | 微細電極の形成法 | |
| JPH0312912A (ja) | 微細レジストパターン形成方法 | |
| JPH07263319A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH02103054A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS61177720A (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 |