JPS6134670B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6134670B2 JPS6134670B2 JP13141879A JP13141879A JPS6134670B2 JP S6134670 B2 JPS6134670 B2 JP S6134670B2 JP 13141879 A JP13141879 A JP 13141879A JP 13141879 A JP13141879 A JP 13141879A JP S6134670 B2 JPS6134670 B2 JP S6134670B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass substrate
- photomask
- quartz glass
- mask
- ultraviolet rays
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/76—Patterning of masks by imaging
- G03F1/78—Patterning of masks by imaging by charged particle beam [CPB], e.g. electron beam patterning of masks
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はホストマスクの構造に関し、特に遠紫
外線露光に用いるホトマスクに関する。
外線露光に用いるホトマスクに関する。
半導体素子の超小型化、高密度化の進歩は目覚
しく、パターン巾が１〔μｍ〕あるいは、それ以
下のものが要求されるようになつている。半導体
基板上に塗布したホトレジストを露光してこのよ
うな微細パターンを形成するため、従来の紫外線
露光に代り、波長のより短かい遠紫外線露光技術
が多く用いられるに至つた。
しく、パターン巾が１〔μｍ〕あるいは、それ以
下のものが要求されるようになつている。半導体
基板上に塗布したホトレジストを露光してこのよ
うな微細パターンを形成するため、従来の紫外線
露光に代り、波長のより短かい遠紫外線露光技術
が多く用いられるに至つた。
上記遠紫外線露光に用いるホトマスクは石英ガ
ラス基板表面にクロム（Cr）等を用いて所望の
パターンを形成したハードマスクが用いられてい
るが、この種のハードマスクはマスクの洗浄の
際、或いは使用時の取り扱い等においてパターン
に傷がつきがやすく、マスクの寿命が比較的短か
いという欠点がある。
ラス基板表面にクロム（Cr）等を用いて所望の
パターンを形成したハードマスクが用いられてい
るが、この種のハードマスクはマスクの洗浄の
際、或いは使用時の取り扱い等においてパターン
に傷がつきがやすく、マスクの寿命が比較的短か
いという欠点がある。
また従来上記ハードマスクのパターニングは化
学薬品でエツチングして行なうためのサイドエツ
チングが避けられず、上述のような微細パターン
の露光に用いるには精度上の問題もある。
学薬品でエツチングして行なうためのサイドエツ
チングが避けられず、上述のような微細パターン
の露光に用いるには精度上の問題もある。
本発明の目的は上記問題点を解消して洗浄や取
扱いによりパターンが損傷することのない、かつ
微細パターンに対し十分な精度を有する遠紫外線
用ホトマスクの構造を提供することにある。
扱いによりパターンが損傷することのない、かつ
微細パターンに対し十分な精度を有する遠紫外線
用ホトマスクの構造を提供することにある。
本発明の遠紫外線用ホトマスクの特徴は、石英
ガラス基板内部にイオン注入法によりナトリウ
ム、カリウム、リン、ボロン、カルシウム、マグ
ネシウムの中から選ばれた一つが所定のパターン
に従つて注入されてなる遠紫外線吸収層を具備す
ることにある。
ガラス基板内部にイオン注入法によりナトリウ
ム、カリウム、リン、ボロン、カルシウム、マグ
ネシウムの中から選ばれた一つが所定のパターン
に従つて注入されてなる遠紫外線吸収層を具備す
ることにある。
遠紫外線用ホトマスクのガラス基板としては遠
紫外線に対する吸収率の小さい石英ガラス基板が
一般に用いられる。
紫外線に対する吸収率の小さい石英ガラス基板が
一般に用いられる。
発明者らは上記石英ガラスに各種イオンを注入
して遠紫外線に対する吸収率の変化を検討した結
果、ガラスの網目形成イオン及び網目修飾イオン
として知られる物質を注入した場合に上記吸収率
が大巾に増大することを見出した。
して遠紫外線に対する吸収率の変化を検討した結
果、ガラスの網目形成イオン及び網目修飾イオン
として知られる物質を注入した場合に上記吸収率
が大巾に増大することを見出した。
本発明はこの現象を利用したもので、以下本発
明の実施例を図面を用いて説明する。
明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明の遠紫外線用ホトマスクの第１
の実施例を示す要部断面図である。
の実施例を示す要部断面図である。
同図ａに示すように先ず石英基板１表面にホト
レジストAZ1370（シプレー社製ポジレジスト）
を塗布したホトレジスト膜２を形成する。
レジストAZ1370（シプレー社製ポジレジスト）
を塗布したホトレジスト膜２を形成する。
次いで同図ｂに示すように上記ホトレジスト膜
２にステツプ・アンド・レピータを用いて予め作
成されたレチクルのパターンを縮小投影する。図
において２′は被露光部分を示す。
２にステツプ・アンド・レピータを用いて予め作
成されたレチクルのパターンを縮小投影する。図
において２′は被露光部分を示す。
次いで同図ｃに示すように現象処理を行なつて
前記被露光部分２′を除去し、ホトレジスト膜２
に開口３を設ける。
前記被露光部分２′を除去し、ホトレジスト膜２
に開口３を設ける。
次いで同図ｄに示すように前記残留せるホトレ
ジスト膜２をマスクとしてイオン注入法を用いて
リン（Ｐ）を石英基板１内に注入する。本実施例
では加速電圧50〔KeV〕で実施し、注入されたイ
オン分布のピーク位置の深さRpが凡そ500
〔Å〕、ドーズ量凡そ５×1015〔cm2〕の注入層４が
得られた。
ジスト膜２をマスクとしてイオン注入法を用いて
リン（Ｐ）を石英基板１内に注入する。本実施例
では加速電圧50〔KeV〕で実施し、注入されたイ
オン分布のピーク位置の深さRpが凡そ500
〔Å〕、ドーズ量凡そ５×1015〔cm2〕の注入層４が
得られた。
本工程において残留せるホトレジスト膜２はイ
オンの注入を阻止するので、前記注入層４はホト
レジスト膜の開口３部にのみ形成される。
オンの注入を阻止するので、前記注入層４はホト
レジスト膜の開口３部にのみ形成される。
次いで同図ｅに示すように前記残留せるホトレ
ジスト膜２を除去する。
ジスト膜２を除去する。
このようにして形成した注入層４は第２図に実
線Ｉで示すように遠紫外線（図の領域Ａ）に対す
る吸収率が大きいので、該注入層４は遠紫外線に
対する遮光層として用いることができる。従つて
本実施例に示すように石英ガラス基板１内部に所
定のパターンに従つてリン注入層４を形成するこ
とにより、これを遠紫外線用ホトマスクとして使
用できる。
線Ｉで示すように遠紫外線（図の領域Ａ）に対す
る吸収率が大きいので、該注入層４は遠紫外線に
対する遮光層として用いることができる。従つて
本実施例に示すように石英ガラス基板１内部に所
定のパターンに従つてリン注入層４を形成するこ
とにより、これを遠紫外線用ホトマスクとして使
用できる。
本実施例により得られた遠紫外線用ホトマスク
は、パターンが石英ガラス基板内部に形成されて
いるのでマスクの洗浄や取扱いにより損傷を受け
ることがなく、またパターンの結成に際しエツチ
ングを用いることがないのでサイドエツチングに
よるパターンのくずれもなく従つて微細パターン
であつても十分な精度が得られる。
は、パターンが石英ガラス基板内部に形成されて
いるのでマスクの洗浄や取扱いにより損傷を受け
ることがなく、またパターンの結成に際しエツチ
ングを用いることがないのでサイドエツチングに
よるパターンのくずれもなく従つて微細パターン
であつても十分な精度が得られる。
なお上記実施例ではリンを注入したが、これに
代えてナトリウム、カリウム、ボロン、カルシウ
ム、或いはマグネシウムを用いてもよい。
代えてナトリウム、カリウム、ボロン、カルシウ
ム、或いはマグネシウムを用いてもよい。
本発明は上記実施例に限定されることなく更に
種々変形して実施できる。
種々変形して実施できる。
第３図は本発明の第２の実施例の紫外線・遠紫
外線共用マスクを示す要部断面図である。
外線共用マスクを示す要部断面図である。
同図において１は石英ガラス基板、４は該石英
ガラス基板１内部にリン（Ｐ）等を注入して形成
した遠紫外線遮光層、５は該遮光層の開口部、６
は前記石英ガラス基板１表面に通常の方法で形成
されたクロム（Cr）等よりなる紫外線遮光層、
７はその開口部である。
ガラス基板１内部にリン（Ｐ）等を注入して形成
した遠紫外線遮光層、５は該遮光層の開口部、６
は前記石英ガラス基板１表面に通常の方法で形成
されたクロム（Cr）等よりなる紫外線遮光層、
７はその開口部である。
上記紫外線・遠紫外線共用マスクは、石英ガラ
ス基板１表面に通常の方法により紫外線遮光層６
を形成したあと、前記第１の実施例で説明した方
法を実施することにより製作できる。
ス基板１表面に通常の方法により紫外線遮光層６
を形成したあと、前記第１の実施例で説明した方
法を実施することにより製作できる。
次に上記紫外線・遠紫外線共用マスクを半導体
素子の製造に用いて好適な例を第４図に要部断面
により説明する。
素子の製造に用いて好適な例を第４図に要部断面
により説明する。
同図ａに示すようにシリコン基板１１表面に第
１のホトレジスト（例えばシプレー社製紫外線用
ポジレジストAZ1370）膜１２を形成し、その上
に第２のホトレジスト（例えば東京応化工業社製
遠紫外線用ポジレジスト0DUR1001）膜１３を形
成する。
１のホトレジスト（例えばシプレー社製紫外線用
ポジレジストAZ1370）膜１２を形成し、その上
に第２のホトレジスト（例えば東京応化工業社製
遠紫外線用ポジレジスト0DUR1001）膜１３を形
成する。
次いで同図ｂに示すように前記紫外線・遠紫外
線用マスクを用いて先ず紫外線露光を行なう。１
２′は第１のホトレジスト膜１２の被露光部を示
す。
線用マスクを用いて先ず紫外線露光を行なう。１
２′は第１のホトレジスト膜１２の被露光部を示
す。
次に同図ｃに示すように上記共用マスクを用い
て遠紫外線露光を行なう。１３′は第２のホトレ
ジスト膜１３の被露光部を示す。
て遠紫外線露光を行なう。１３′は第２のホトレ
ジスト膜１３の被露光部を示す。
次いで第２のホトレジスト膜１３の現像処理を
行ない、次い第１のホトレジスト膜１２の現像処
理を行なつて同図ｄに示すように両者の被露光部
１２′，１３′を除去する。
行ない、次い第１のホトレジスト膜１２の現像処
理を行なつて同図ｄに示すように両者の被露光部
１２′，１３′を除去する。
前記第３図に示した共用マスクの開口部５を開
口部７より小さくしておくことにより、第１のホ
トレジスト膜１２の開口１４より第２のホトレジ
スト膜１３の開口１５を小さく形成できる。
口部７より小さくしておくことにより、第１のホ
トレジスト膜１２の開口１４より第２のホトレジ
スト膜１３の開口１５を小さく形成できる。
このあと同図ｅに示すようにアルミニウム
（Al）を蒸着法を用いて被着することにより、シ
リコン基板１の開口１５の部分の表面及び第２の
ホトレジスト膜１３上にアルミニウム膜１６，１
６′が被着する。
（Al）を蒸着法を用いて被着することにより、シ
リコン基板１の開口１５の部分の表面及び第２の
ホトレジスト膜１３上にアルミニウム膜１６，１
６′が被着する。
次いで同図ｆに示すように第１及び第２のホト
レジスト膜１２及び１３を除去することにより、
第２のホトレジスト膜１３上に被着したアルミニ
ウム膜１６′をリフトオフして除去する。
レジスト膜１２及び１３を除去することにより、
第２のホトレジスト膜１３上に被着したアルミニ
ウム膜１６′をリフトオフして除去する。
このようにすることによりシリコン基板１表面
に微細なパターン巾のアルミニウム配線層を精度
よく、かつ容易に形成することができる。しかも
位置合せ作業及び現像処理作業が各一工程省略で
き工数も大巾に削減できる。
に微細なパターン巾のアルミニウム配線層を精度
よく、かつ容易に形成することができる。しかも
位置合せ作業及び現像処理作業が各一工程省略で
き工数も大巾に削減できる。
以上説明したごとく、本発明の遠紫外線用ホト
マスクの構造によれば、マスクの洗浄や取り扱い
により損傷を受けることのない、かつ十分な精度
を有する遠紫外線用微細パターンのホトマスクが
得られる。
マスクの構造によれば、マスクの洗浄や取り扱い
により損傷を受けることのない、かつ十分な精度
を有する遠紫外線用微細パターンのホトマスクが
得られる。
第１図及び第２図は本発明の遠紫外線用ホトマ
スクの第１の実施例を示す要部断面図、及び上記
ホトマスクの遠紫外線吸収率を示す曲線図、第３
図及び第４図は第２の実施例を示す要部断面であ
る。 １……石英ガラス基板、４……イオン注入層即
ち遠紫外線吸収層。
スクの第１の実施例を示す要部断面図、及び上記
ホトマスクの遠紫外線吸収率を示す曲線図、第３
図及び第４図は第２の実施例を示す要部断面であ
る。 １……石英ガラス基板、４……イオン注入層即
ち遠紫外線吸収層。
Claims (1)
- １ ガラス基板内部に所定のパターンを有する遮
光層を具備してなるホトマスクにおいて、前記ガ
ラス基板が石英ガラスよりなり、前記遮光層がイ
オン注入法によりナトリウム、カリウム、リン、
ボロン、カルシウム、マグネシウムの中から選ば
れた一つが前記石英ガラス基板内部に注入されて
なる遠紫外線吸収層であることを特徴とする遠紫
外線用ホストマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13141879A JPS5655947A (en) | 1979-10-12 | 1979-10-12 | Photomask for far ultraviolet rays |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13141879A JPS5655947A (en) | 1979-10-12 | 1979-10-12 | Photomask for far ultraviolet rays |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5655947A JPS5655947A (en) | 1981-05-16 |
| JPS6134670B2 true JPS6134670B2 (ja) | 1986-08-08 |
Family
ID=15057493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13141879A Granted JPS5655947A (en) | 1979-10-12 | 1979-10-12 | Photomask for far ultraviolet rays |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5655947A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10394114B2 (en) * | 2016-08-25 | 2019-08-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Chromeless phase shift mask structure and process |
-
1979
- 1979-10-12 JP JP13141879A patent/JPS5655947A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5655947A (en) | 1981-05-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2593601B2 (ja) | 位相シフトマスクの作製方法 | |
| US4410611A (en) | Hard and adherent layers from organic resin coatings | |
| JPH07211631A (ja) | 多層レジストパターン形成方法 | |
| JPH04115515A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS6318858B2 (ja) | ||
| JPH07106224A (ja) | パターン形成方法 | |
| DE69228585T2 (de) | Herstellung einer lithographischen Maske mit Phasensprung | |
| JPS58175830A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS6134670B2 (ja) | ||
| JPH0954438A (ja) | フォトレジストパターン及びその形成方法 | |
| JPS5834921A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59141230A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS588131B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| GB1583459A (en) | Masks their manufacture and the manufacture of microminiature solid-state devices using such masks | |
| JPH0611827A (ja) | ホトマスクおよびその修正方法 | |
| JPH04318852A (ja) | レジスト・パターン形成方法 | |
| JPH03228306A (ja) | 微細パターンの形成方法 | |
| JPH01234852A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JPH05210231A (ja) | 位相シフトマスク及びその製造方法 | |
| JPH07113771B2 (ja) | 基板上への樹脂パタ−ンの形成方法 | |
| JPS6351637A (ja) | マスク形成方法 | |
| JPH03269533A (ja) | フォトマスクの製造方法およびそれに使用する基板 | |
| JPS5987454A (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| JPH0715870B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH0124290B2 (ja) |