JPH06242041A - ニオイセンサ - Google Patents
ニオイセンサInfo
- Publication number
- JPH06242041A JPH06242041A JP5029398A JP2939893A JPH06242041A JP H06242041 A JPH06242041 A JP H06242041A JP 5029398 A JP5029398 A JP 5029398A JP 2939893 A JP2939893 A JP 2939893A JP H06242041 A JPH06242041 A JP H06242041A
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- JP
- Japan
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- substrate material
- sensor element
- sensor
- chip
- groove
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- Pending
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 基板と、酸化物半導体からなるセンサ素子３
と、該センサ素子用の電極４と、を含有してなるニオイ
センサ用チップ６が、一枚の基板材料５に多数形成され
たニオイセンサ１において、該センサ素子３および該電
極４が形成された基板材料５面とは反対の裏側面に、基
板材料５の切断を容易にするための穴部２または溝部
２'が設けられていることを特徴としている。 【効果】 治具を用いて基板材料５を容易に切断するこ
とができ、従ってチップに亀裂が生じたり、チップの大
きさがバラバラになったり、センサ素子を誤って破壊し
てしまうということがない。さらに、蒸着時にマスク版
が浮かないので、センサ素子が山なりとなることがな
く、またセンサ素子用電極が酸化物半導体膜によって覆
われることがないので、後のボンディング工程を容易に
行うことができる。
と、該センサ素子用の電極４と、を含有してなるニオイ
センサ用チップ６が、一枚の基板材料５に多数形成され
たニオイセンサ１において、該センサ素子３および該電
極４が形成された基板材料５面とは反対の裏側面に、基
板材料５の切断を容易にするための穴部２または溝部
２'が設けられていることを特徴としている。 【効果】 治具を用いて基板材料５を容易に切断するこ
とができ、従ってチップに亀裂が生じたり、チップの大
きさがバラバラになったり、センサ素子を誤って破壊し
てしまうということがない。さらに、蒸着時にマスク版
が浮かないので、センサ素子が山なりとなることがな
く、またセンサ素子用電極が酸化物半導体膜によって覆
われることがないので、後のボンディング工程を容易に
行うことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ニオイセンサに関する
ものである。さらに詳しくは本発明は、基板材料を容易
に切断することのできるニオイセンサに関するものであ
る。
ものである。さらに詳しくは本発明は、基板材料を容易
に切断することのできるニオイセンサに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、火災を早期に検出するための手法
として、火災の際に煙以前に発生する焦げ臭をニオイセ
ンサにより検知する方法が注目されている。ニオイセン
サは、例えば図２に示すように、基板５上に酸化物半導
体（例えばＳｎＯ2）のニオイ感応膜（センサ素子）３
および複数個のセンサ素子用電極４が設けられたニオイ
センサ用チップ６を含むものである。さらに前記センサ
素子３の基板材料５を通じた反対面には、印刷焼成され
たヒータおよびヒータ用電極が設けられている（図示せ
ず）。また、センサ素子用電極４およびヒータ用電極に
は、例えば金線からなるリード線（金ワイヤ）７がボン
ディングされ、他回路と接続されている。従来、ニオイ
センサ用チップ（以下、単にチップという）を得るため
には、あらかじめチップの大きさに合わせて、刃のある
治具を用いて基板材料を切断し、そこにセンサ素子から
なるセンサ素子を作成していた。また別の方法として
は、基板材料上に多数のセンサ素子およびセンサ素子用
電極を作成した後、チップとなるように治具を用いて切
断する方法がある。
として、火災の際に煙以前に発生する焦げ臭をニオイセ
ンサにより検知する方法が注目されている。ニオイセン
サは、例えば図２に示すように、基板５上に酸化物半導
体（例えばＳｎＯ2）のニオイ感応膜（センサ素子）３
および複数個のセンサ素子用電極４が設けられたニオイ
センサ用チップ６を含むものである。さらに前記センサ
素子３の基板材料５を通じた反対面には、印刷焼成され
たヒータおよびヒータ用電極が設けられている（図示せ
ず）。また、センサ素子用電極４およびヒータ用電極に
は、例えば金線からなるリード線（金ワイヤ）７がボン
ディングされ、他回路と接続されている。従来、ニオイ
センサ用チップ（以下、単にチップという）を得るため
には、あらかじめチップの大きさに合わせて、刃のある
治具を用いて基板材料を切断し、そこにセンサ素子から
なるセンサ素子を作成していた。また別の方法として
は、基板材料上に多数のセンサ素子およびセンサ素子用
電極を作成した後、チップとなるように治具を用いて切
断する方法がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、通常使
用されるチップの大きさは１〜２mm角であるので、治具
を用いてこの大きさに基板材料を正確に切断することは
非常に困難である。従って、チップに亀裂が生じたり、
チップの大きさがバラバラになったりして、使用できな
い場合が多々ある。また、予め基板材料上に多数のセン
サ素子およびセンサ素子用電極を作成した場合も、治具
を用いてチップを切断するために、センサ素子面に治具
を当てると、膜を誤って破壊する恐れがある。またセン
サ素子の形成されていない面に治具を当てる場合も上記
の問題点がある。本発明は、基板材料の切断を容易に
し、上記のようなチップの破損の危険性が少なくなるニ
オイセンサを提供することを目的とするものである。
用されるチップの大きさは１〜２mm角であるので、治具
を用いてこの大きさに基板材料を正確に切断することは
非常に困難である。従って、チップに亀裂が生じたり、
チップの大きさがバラバラになったりして、使用できな
い場合が多々ある。また、予め基板材料上に多数のセン
サ素子およびセンサ素子用電極を作成した場合も、治具
を用いてチップを切断するために、センサ素子面に治具
を当てると、膜を誤って破壊する恐れがある。またセン
サ素子の形成されていない面に治具を当てる場合も上記
の問題点がある。本発明は、基板材料の切断を容易に
し、上記のようなチップの破損の危険性が少なくなるニ
オイセンサを提供することを目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討の
結果、上記のような従来の課題を解決することができ
た。すなわち本発明は、基板と、酸化物半導体からなる
センサ素子と、該センサ素子用の電極と、を含有してな
るニオイセンサ用チップが、一枚の基板材料に多数形成
されたニオイセンサにおいて、該センサ素子および該電
極が形成された該基板材料面とは反対の裏側面に、該基
板材料の切断を容易にするための穴部または溝部が設け
られていることを特徴とする、ニオイセンサを提供する
ものである。
結果、上記のような従来の課題を解決することができ
た。すなわち本発明は、基板と、酸化物半導体からなる
センサ素子と、該センサ素子用の電極と、を含有してな
るニオイセンサ用チップが、一枚の基板材料に多数形成
されたニオイセンサにおいて、該センサ素子および該電
極が形成された該基板材料面とは反対の裏側面に、該基
板材料の切断を容易にするための穴部または溝部が設け
られていることを特徴とする、ニオイセンサを提供する
ものである。
【０００５】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明するが、本
発明は以下の実施例により限定されるものではない。図
１は、本発明のニオイセンサの概略断面図である。１は
本発明のニオイセンサ、２，２'は穴部または溝部、３
はセンサ素子、４はセンサ素子用電極、５は基板材料
（例えばアルミナ基板）、６は切断後のチップを示す。
また、図１には示していないが、センサ素子３の基板材
料５を通じた反対面には、印刷焼成されたヒータおよび
ヒータ用電極が設けられ、また、センサ素子用電極およ
びヒータ用電極には、図２に示すように例えば金ワイヤ
７がボンディングされ、他回路と接続されている。 図
１に示されるように、基板材料５のセンサ素子３が形成
されていない、すなわちヒータが印刷焼成されている裏
側には、チップ６の切断を容易にするための穴部２また
は溝部２'が設けられている。この穴部２または溝部２'
の形成方法は、とくに制限されないが、例えば穴部２
は、適当なレーザによって形成することができる。また
溝部２'は、適当なダイシング装置を用いて形成するこ
とができる。穴部２または溝部２'の深さは、基板材料
の厚さの１／３までにするのが好適である。穴部２また
は溝部２'の大きさは、これらを形成するための手段・
装置により適宜決定することができ、とくに制限されな
いが、例えば穴部２の場合、直径５０〜１００μmであ
り、溝部２'の場合は、幅５０〜２００μmである。穴部
２を設ける場合、穴の間隔は、基板材料５を容易に切断
することができればとくに制限されないが、例えば約１
５０μmである。
発明は以下の実施例により限定されるものではない。図
１は、本発明のニオイセンサの概略断面図である。１は
本発明のニオイセンサ、２，２'は穴部または溝部、３
はセンサ素子、４はセンサ素子用電極、５は基板材料
（例えばアルミナ基板）、６は切断後のチップを示す。
また、図１には示していないが、センサ素子３の基板材
料５を通じた反対面には、印刷焼成されたヒータおよび
ヒータ用電極が設けられ、また、センサ素子用電極およ
びヒータ用電極には、図２に示すように例えば金ワイヤ
７がボンディングされ、他回路と接続されている。 図
１に示されるように、基板材料５のセンサ素子３が形成
されていない、すなわちヒータが印刷焼成されている裏
側には、チップ６の切断を容易にするための穴部２また
は溝部２'が設けられている。この穴部２または溝部２'
の形成方法は、とくに制限されないが、例えば穴部２
は、適当なレーザによって形成することができる。また
溝部２'は、適当なダイシング装置を用いて形成するこ
とができる。穴部２または溝部２'の深さは、基板材料
の厚さの１／３までにするのが好適である。穴部２また
は溝部２'の大きさは、これらを形成するための手段・
装置により適宜決定することができ、とくに制限されな
いが、例えば穴部２の場合、直径５０〜１００μmであ
り、溝部２'の場合は、幅５０〜２００μmである。穴部
２を設ける場合、穴の間隔は、基板材料５を容易に切断
することができればとくに制限されないが、例えば約１
５０μmである。
【０００６】実用において、基板材料５を切断してチッ
プ６を得るまでの手順の一例を以下に示す。 ａ）図３に示されるように、例えば２インチ角で厚さ
０.５mmのアルミナ基板材料５に、例えばＣＯ2レーザを
用いたレーザスクライブで溝部２'を加工し（図３
ａ）、その溝部２'が形成されていない面にセンサ素子
用電極部分に金の焼き付けを行う。また、溝部２'が設
けられた面にはヒータ電極部分の金の焼き付けを行い、
その電極間に例えば酸化ルテニウムを焼き付けてヒータ
とする。なお、穴部２（図３ｂ）を設けるときにも、同
様のレーザを用いることができる。 ｂ）次に蒸着用基板ホルダにマスク版と基板材料をセッ
トしセンサ素子用電極上にＳｎＯ2膜を作成する。な
お、この工程を２回行い、膜厚の異なる２個のＳｎＯ2
膜をチップ上に作成してもよい。 ｃ）続いて、高温の炉の中で熱処理を行い、図４に示さ
れるように、ボンディングしやすいように、治具を用い
て基板材料を縦１列ずつに割る。この場合、治具は、セ
ンサ素子３が形成されている基板材料面の穴部または溝
部に対応するところに当て、ハンマーでたたく等して用
いれば、容易に基板材料を割ることができる。 ｄ）続いて基板材料５の各電極部分に金ワイヤ７をボン
ディングした後、センサチップ６となるように治具を用
いて基板材料５を割る。
プ６を得るまでの手順の一例を以下に示す。 ａ）図３に示されるように、例えば２インチ角で厚さ
０.５mmのアルミナ基板材料５に、例えばＣＯ2レーザを
用いたレーザスクライブで溝部２'を加工し（図３
ａ）、その溝部２'が形成されていない面にセンサ素子
用電極部分に金の焼き付けを行う。また、溝部２'が設
けられた面にはヒータ電極部分の金の焼き付けを行い、
その電極間に例えば酸化ルテニウムを焼き付けてヒータ
とする。なお、穴部２（図３ｂ）を設けるときにも、同
様のレーザを用いることができる。 ｂ）次に蒸着用基板ホルダにマスク版と基板材料をセッ
トしセンサ素子用電極上にＳｎＯ2膜を作成する。な
お、この工程を２回行い、膜厚の異なる２個のＳｎＯ2
膜をチップ上に作成してもよい。 ｃ）続いて、高温の炉の中で熱処理を行い、図４に示さ
れるように、ボンディングしやすいように、治具を用い
て基板材料を縦１列ずつに割る。この場合、治具は、セ
ンサ素子３が形成されている基板材料面の穴部または溝
部に対応するところに当て、ハンマーでたたく等して用
いれば、容易に基板材料を割ることができる。 ｄ）続いて基板材料５の各電極部分に金ワイヤ７をボン
ディングした後、センサチップ６となるように治具を用
いて基板材料５を割る。
【０００７】なお、本発明のニオイセンサにおいて、穴
部または溝部をセンサ素子および電極が形成された該基
板材料面とは反対の裏側面に設ける理由は、以下のとお
りである。穴部または溝部をセンサ素子および電極が形
成された基板材料面上に設けることも考えられるが、こ
の場合は、レーザにより穴部または溝部を形成したとき
に図５に示すように基板の隆起８が生じてしまう。この
ような隆起８があると、上記ｂ）工程でマスク版を基板
材料上にセットしたとき、マスク版が基板材料に対して
およそ５０〜１００μmも浮いてしまい、センサ特性に
悪影響を及ぼすからである。すなわち、蒸着時、酸化物
半導体例えばＳｎＯ2がマスク版の下部にまで潜り込
み、ＳｎＯ2膜が山なりとなってしまい、このため、
センサ素子用電極が覆われるため、後の上記ｄ）工程に
おけるセンサ素子用電極と金ワイヤとのボンディングが
困難となる、且つ、センサ個々の抵抗値にバラツキが
出てくるため均一なものができないからである。
部または溝部をセンサ素子および電極が形成された該基
板材料面とは反対の裏側面に設ける理由は、以下のとお
りである。穴部または溝部をセンサ素子および電極が形
成された基板材料面上に設けることも考えられるが、こ
の場合は、レーザにより穴部または溝部を形成したとき
に図５に示すように基板の隆起８が生じてしまう。この
ような隆起８があると、上記ｂ）工程でマスク版を基板
材料上にセットしたとき、マスク版が基板材料に対して
およそ５０〜１００μmも浮いてしまい、センサ特性に
悪影響を及ぼすからである。すなわち、蒸着時、酸化物
半導体例えばＳｎＯ2がマスク版の下部にまで潜り込
み、ＳｎＯ2膜が山なりとなってしまい、このため、
センサ素子用電極が覆われるため、後の上記ｄ）工程に
おけるセンサ素子用電極と金ワイヤとのボンディングが
困難となる、且つ、センサ個々の抵抗値にバラツキが
出てくるため均一なものができないからである。
【０００８】
【発明の効果】本発明においては、センサ素子およびセ
ンサ素子用電極が形成された基板材料面の裏側に穴部ま
たは溝部が設けられているので、治具を用いて基板材料
を容易に切断することができ、従ってチップに亀裂が生
じたり、チップの大きさがバラバラになったり、センサ
素子を誤って破壊してしまうということがない。さら
に、蒸着時にマスク版が浮かないので、センサ素子（酸
化物半導体膜）が山なりとなることがない。さらにま
た、センサ素子用電極が酸化物半導体膜によって覆われ
ることがないので、後のボンディング工程を容易に行う
ことができる。
ンサ素子用電極が形成された基板材料面の裏側に穴部ま
たは溝部が設けられているので、治具を用いて基板材料
を容易に切断することができ、従ってチップに亀裂が生
じたり、チップの大きさがバラバラになったり、センサ
素子を誤って破壊してしまうということがない。さら
に、蒸着時にマスク版が浮かないので、センサ素子（酸
化物半導体膜）が山なりとなることがない。さらにま
た、センサ素子用電極が酸化物半導体膜によって覆われ
ることがないので、後のボンディング工程を容易に行う
ことができる。
【図１】本発明のニオイセンサの概略断面図である。
【図２】ニオイセンサ用チップの一例を示す斜視図であ
る。
る。
【図３】（ａ）溝部を形成した基板材料の斜視図であ
る。（ｂ）穴部を形成した基板材料の斜視図である。
る。（ｂ）穴部を形成した基板材料の斜視図である。
【図４】本発明のニオイセンサからセンサ用チップへの
切断を示す工程を示す斜視図である。
切断を示す工程を示す斜視図である。
【図５】穴部または溝部を形成したときに生じる基板材
料の隆起を示す概略断面図である。
料の隆起を示す概略断面図である。
１ 本発明のニオイセンサ ２ 穴部 ２' 溝部 ３ センサ素子 ４ センサ素子用電極 ５ 基板材料 ６ ニオイセンサ用チップ ７ リード線 ８ 隆起
Claims (1)
- 【請求項１】 基板と、酸化物半導体からなるセンサ素
子と、該センサ素子用の電極と、を含有してなるニオイ
センサ用チップが、一枚の基板材料に多数形成されたニ
オイセンサにおいて、 該センサ素子および該電極が形成された該基板材料面と
は反対の裏側面に、該基板材料の切断を容易にするため
の穴部または溝部が設けられていることを特徴とする、
ニオイセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5029398A JPH06242041A (ja) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | ニオイセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5029398A JPH06242041A (ja) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | ニオイセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06242041A true JPH06242041A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=12275040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5029398A Pending JPH06242041A (ja) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | ニオイセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06242041A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7687373B2 (en) * | 2006-10-27 | 2010-03-30 | Disco Corporation | Wafer dividing method and apparatus |
-
1993
- 1993-02-18 JP JP5029398A patent/JPH06242041A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7687373B2 (en) * | 2006-10-27 | 2010-03-30 | Disco Corporation | Wafer dividing method and apparatus |
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Legal Events
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