JPH06236869A - ウェットエッチング装置 - Google Patents
ウェットエッチング装置Info
- Publication number
- JPH06236869A JPH06236869A JP873993A JP873993A JPH06236869A JP H06236869 A JPH06236869 A JP H06236869A JP 873993 A JP873993 A JP 873993A JP 873993 A JP873993 A JP 873993A JP H06236869 A JPH06236869 A JP H06236869A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- flow rate
- metal
- metal impurity
- valve
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ウェットエッチング装置において、よりエッチ
ング液の再生循環サイクルを早くしてスループットの向
上を図り、循環ラインの純水洗浄における金属不純物の
再溶出による汚染を無くす。 【構成】金属不純物除去カラム３を分流するバイパス配
管６と、このバイパス配管６及び金属不純物除去カラム
３に流入するエッチング液１４の流量を調節する流量調
整弁４とを設け、被エッチング物に影響を与えない程度
に金属不純物の含有量に応じてバイパス配管及び金属不
純物除去カラムに流入するエッチング液の流量を設定し
ている。また、金属不純物除去カラム３の後段に開閉弁
８を設け、循環ラインの純水洗浄に際しては、開閉弁８
と流量調整弁４を閉じ、金属不純物除去カラム３を循環
ラインより取外し出来るようにしてある。
ング液の再生循環サイクルを早くしてスループットの向
上を図り、循環ラインの純水洗浄における金属不純物の
再溶出による汚染を無くす。 【構成】金属不純物除去カラム３を分流するバイパス配
管６と、このバイパス配管６及び金属不純物除去カラム
３に流入するエッチング液１４の流量を調節する流量調
整弁４とを設け、被エッチング物に影響を与えない程度
に金属不純物の含有量に応じてバイパス配管及び金属不
純物除去カラムに流入するエッチング液の流量を設定し
ている。また、金属不純物除去カラム３の後段に開閉弁
８を設け、循環ラインの純水洗浄に際しては、開閉弁８
と流量調整弁４を閉じ、金属不純物除去カラム３を循環
ラインより取外し出来るようにしてある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はエッチング液を循環させ
エッチング液を更新しながらエッチングするウェットエ
ッチング装置に関する。
エッチング液を更新しながらエッチングするウェットエ
ッチング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の高集積化に伴ない半導
体ウェーハ表面の清浄化の要求が一段と厳しくなってい
る。例えば、半導体ウェーハの熱酸化膜あるいは自然酸
化膜を除去するのに、ウェットエッチング装置を使用し
てフッ酸含有のエッチング液に半導体ウェーハを浸しエ
ッチングを行なってるが、このエッチング液にはシリコ
ンよりもイオン化傾向の小さい金属イオン（Ｃｕ，Ａｕ
等）が多々含まれていることがある。このような金属イ
オンが含まれていると、これら金属イオンが半導体ウェ
ーハ面に付着し電気特性に悪影響を与えることになる。
このため、この種のウェットエッチング装置では、この
金属イオンを除去する種々の除去方法が提案されてき
た。
体ウェーハ表面の清浄化の要求が一段と厳しくなってい
る。例えば、半導体ウェーハの熱酸化膜あるいは自然酸
化膜を除去するのに、ウェットエッチング装置を使用し
てフッ酸含有のエッチング液に半導体ウェーハを浸しエ
ッチングを行なってるが、このエッチング液にはシリコ
ンよりもイオン化傾向の小さい金属イオン（Ｃｕ，Ａｕ
等）が多々含まれていることがある。このような金属イ
オンが含まれていると、これら金属イオンが半導体ウェ
ーハ面に付着し電気特性に悪影響を与えることになる。
このため、この種のウェットエッチング装置では、この
金属イオンを除去する種々の除去方法が提案されてき
た。
【０００３】この有害な金属イオンを除去する方法とし
て、金属析出シリコン粒子を吸着材に用いて金属イオン
を除去する方法を利用したウェットエッチング装置が公
開技法９１一８０３３号公報に開示されている。
て、金属析出シリコン粒子を吸着材に用いて金属イオン
を除去する方法を利用したウェットエッチング装置が公
開技法９１一８０３３号公報に開示されている。
【０００４】図４は従来の一例を示すウェットエッチン
グ装置の模式断面図である。公開技法９１一８０３３号
公報に開示されているウェットエッチング装置は、図４
に示すように、エッチング槽１９よりオーバフローする
エッチング液１４を蓄えるオーバフロー槽２０と、この
オーバフロー槽２０とエッチング槽１９と繋ぎエッチン
グ液１４を循環させる循環用配管１５と、オーバフロー
槽２０からエッチング槽１９にエッチング液１４を圧送
するポンプ１６と、このポンプ１６の後段にあって循環
用配管１５に直列に取付けられている金属不純物除去カ
ラム１７及フィルタ１８とを備えている。
グ装置の模式断面図である。公開技法９１一８０３３号
公報に開示されているウェットエッチング装置は、図４
に示すように、エッチング槽１９よりオーバフローする
エッチング液１４を蓄えるオーバフロー槽２０と、この
オーバフロー槽２０とエッチング槽１９と繋ぎエッチン
グ液１４を循環させる循環用配管１５と、オーバフロー
槽２０からエッチング槽１９にエッチング液１４を圧送
するポンプ１６と、このポンプ１６の後段にあって循環
用配管１５に直列に取付けられている金属不純物除去カ
ラム１７及フィルタ１８とを備えている。
【０００５】このウェットエッチング装置では、エッチ
ング槽１９よりオーバフローしたエッチング液１４を一
時的にオーバーフロー槽２０に蓄え、所定のレベルに達
したら、ポンプ１６によりエッチング液１９を圧送し、
循環用配管１５にエッチング液を流すことで、金属不純
物除去カラム１７で液中の金属イオンを吸着除去し、フ
ィルタ１８で微粒子を取除いている。そして精製された
エッチング液をエッチング槽１９に戻す。
ング槽１９よりオーバフローしたエッチング液１４を一
時的にオーバーフロー槽２０に蓄え、所定のレベルに達
したら、ポンプ１６によりエッチング液１９を圧送し、
循環用配管１５にエッチング液を流すことで、金属不純
物除去カラム１７で液中の金属イオンを吸着除去し、フ
ィルタ１８で微粒子を取除いている。そして精製された
エッチング液をエッチング槽１９に戻す。
【０００６】このように、オーバフロー槽２０の汚れた
エッチング液を金属不純物除去カラム１７とフィルタ１
８を通してエッチング槽１９に循環させ、エッチング槽
１９に清浄化されたエッチング液を供給し、新たに補充
するエッチング液を少なくし装置の運用費の低減を図っ
ていた。
エッチング液を金属不純物除去カラム１７とフィルタ１
８を通してエッチング槽１９に循環させ、エッチング槽
１９に清浄化されたエッチング液を供給し、新たに補充
するエッチング液を少なくし装置の運用費の低減を図っ
ていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述したウェットエッ
チング装置では、金属不純物除去カラムで完全に金属不
純物が除去されるものの、送液されるエッチング液の全
量が金属不純物除去カラムを通る循環系統となっている
ので、この循環系統ラインの流量はこの金属不純物所除
去カラムの最大流量（吸着能力が得られる流量）で決め
られ、エッチング液の一循環サイクル時間は制限され、
より早くすることが出来ないという欠点がある。このこ
とは、エッチング工程のスループットの向上が図れない
という問題がある。また、循環系統配管を洗浄するため
に純水を流すと、金属不純物除去カラムに純水が流入
し、洗浄後再使用するときに金属析出シリコン粒子に吸
着されていた金属不純物が溶出し、エッチング液が汚染
される問題もある。
チング装置では、金属不純物除去カラムで完全に金属不
純物が除去されるものの、送液されるエッチング液の全
量が金属不純物除去カラムを通る循環系統となっている
ので、この循環系統ラインの流量はこの金属不純物所除
去カラムの最大流量（吸着能力が得られる流量）で決め
られ、エッチング液の一循環サイクル時間は制限され、
より早くすることが出来ないという欠点がある。このこ
とは、エッチング工程のスループットの向上が図れない
という問題がある。また、循環系統配管を洗浄するため
に純水を流すと、金属不純物除去カラムに純水が流入
し、洗浄後再使用するときに金属析出シリコン粒子に吸
着されていた金属不純物が溶出し、エッチング液が汚染
される問題もある。
【０００８】従って、本発明の目的は、よりエッチング
液の再生循環サイクルを早くしてスループットの向上を
図り、金属不純物の再溶出で汚染を起すことがないウェ
ットエッチング装置を提供することである。
液の再生循環サイクルを早くしてスループットの向上を
図り、金属不純物の再溶出で汚染を起すことがないウェ
ットエッチング装置を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、エッチ
ング槽よりオーバフローするエッチング液を蓄えるオー
バフロー槽と、このオーバフロー槽と前記エッチング槽
と繋ぐ循環用配管と、前記オーバフロー槽から前記エッ
チング槽に前記エッチング液を圧送するポンプと、前記
循環用配管の上流側部に第１の流量調整弁を介して取付
けられているとともに金属析出シリコン粒子を充填する
金属不純物除去カラムと、前記循環用配管の上流側部に
接続されるとともに前記第１の流量調整弁及び前記金属
不純物除去カラムと分岐するバイパス配管と、前記金属
不純物除去カラムの液排出側に取付けられる第１の開閉
弁と、この第１の開閉弁と前記バイパス配管と合流する
循環用配管部に取付けられるフィルタとを備えているウ
ェットエッチング装置である。また、望ましくは、前記
オーバフロー槽より排出される前記エッチング液の金属
不純物の含有量を検出し、この含有量に応じて前記第１
の流量調整弁を制御することである。
ング槽よりオーバフローするエッチング液を蓄えるオー
バフロー槽と、このオーバフロー槽と前記エッチング槽
と繋ぐ循環用配管と、前記オーバフロー槽から前記エッ
チング槽に前記エッチング液を圧送するポンプと、前記
循環用配管の上流側部に第１の流量調整弁を介して取付
けられているとともに金属析出シリコン粒子を充填する
金属不純物除去カラムと、前記循環用配管の上流側部に
接続されるとともに前記第１の流量調整弁及び前記金属
不純物除去カラムと分岐するバイパス配管と、前記金属
不純物除去カラムの液排出側に取付けられる第１の開閉
弁と、この第１の開閉弁と前記バイパス配管と合流する
循環用配管部に取付けられるフィルタとを備えているウ
ェットエッチング装置である。また、望ましくは、前記
オーバフロー槽より排出される前記エッチング液の金属
不純物の含有量を検出し、この含有量に応じて前記第１
の流量調整弁を制御することである。
【００１０】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１１】図１は本発明のウェットエッチング装置の
第１の実施例を示す模式断面図である。このウェットエ
ッチング装置は、図１に示すように、オーバフローする
エッチング液を排出する循環用配管１５ａを分岐するバ
イパス配管６と、分岐された金属不純物除去カラム３の
液流入側に取付けられる流量調整弁４及び液排出側に取
付けられる開閉弁８をそれぞれ設け、流量調整弁４の開
度を変え、金属不純物除去カラム３に流入するエッチン
グ液の流量を変えることである。
第１の実施例を示す模式断面図である。このウェットエ
ッチング装置は、図１に示すように、オーバフローする
エッチング液を排出する循環用配管１５ａを分岐するバ
イパス配管６と、分岐された金属不純物除去カラム３の
液流入側に取付けられる流量調整弁４及び液排出側に取
付けられる開閉弁８をそれぞれ設け、流量調整弁４の開
度を変え、金属不純物除去カラム３に流入するエッチン
グ液の流量を変えることである。
【００１２】次に、このウェットエッチング装置におけ
るエッチング液の循環動作を説明する。ここで説明し易
くするために、具体的にエッチング液の総量を４０リッ
トル、ポンプ１６の吐出量を１２リットル／分、金属不
純物除去カラム３の最大流量を６リットル／ｍｉｎであ
ると仮定する。
るエッチング液の循環動作を説明する。ここで説明し易
くするために、具体的にエッチング液の総量を４０リッ
トル、ポンプ１６の吐出量を１２リットル／分、金属不
純物除去カラム３の最大流量を６リットル／ｍｉｎであ
ると仮定する。
【００１３】まず、オーバフローしたエッチング液１４
がポンプ２の動作により循環用配管１５ａより排出され
る。次に、金属不純物の含有量の規定値から推定し、弁
制御部７により流量調整弁４を閉じ、金属不純物除去カ
ラム３にエッチング液を流さない。このことにより、エ
ッチング液は１２リットル／分の流量でバイパス配管６
に流入しフィルタ５を通過しエッチング槽９に供給され
る。
がポンプ２の動作により循環用配管１５ａより排出され
る。次に、金属不純物の含有量の規定値から推定し、弁
制御部７により流量調整弁４を閉じ、金属不純物除去カ
ラム３にエッチング液を流さない。このことにより、エ
ッチング液は１２リットル／分の流量でバイパス配管６
に流入しフィルタ５を通過しエッチング槽９に供給され
る。
【００１４】次に、エッチング作業が進むにつれて、エ
ッチング液の金属不純物の濃度が大きくなるので、所定
回数の循環サイクル後に金属不純物の含有量を測定す
る。もし、金属不純物の含有量が規定値より、例えば、
２０パーセント超えたとすると、弁制御部７により流量
調整弁４を所定の開度に開き、例えば、エッチング液１
４を３リットル／分の流量で金属不純物除去カラム３に
流し、残りのエッチング液１４はバイパス配管６に９リ
ットル／分の流量で流す。次に、金属不純物含有量を再
び測定し、その測定値が規定値以下であれば、流量調整
バルブ４の開度をそのままとし、エッチング作業を続け
る。もし、規定値を超えていたら、超過した値に応じて
流量調整弁４の開度を拡ろげ金属不純物除去カラム３に
流すエッチング液の流量を増やす。
ッチング液の金属不純物の濃度が大きくなるので、所定
回数の循環サイクル後に金属不純物の含有量を測定す
る。もし、金属不純物の含有量が規定値より、例えば、
２０パーセント超えたとすると、弁制御部７により流量
調整弁４を所定の開度に開き、例えば、エッチング液１
４を３リットル／分の流量で金属不純物除去カラム３に
流し、残りのエッチング液１４はバイパス配管６に９リ
ットル／分の流量で流す。次に、金属不純物含有量を再
び測定し、その測定値が規定値以下であれば、流量調整
バルブ４の開度をそのままとし、エッチング作業を続け
る。もし、規定値を超えていたら、超過した値に応じて
流量調整弁４の開度を拡ろげ金属不純物除去カラム３に
流すエッチング液の流量を増やす。
【００１５】このように、金属不純物の含有量に応じて
金属不純物除去カラム３に流すエッチング液の流量を変
え、残りのエッチング液をバイパス配管６に流すこと
で、被エッチング物に影響を与えない程度に金属不純物
濃度を抑え循環ラインを流すエッチング液の流量を増大
し、従来の循環サイクルをより早くすることが出来る。
ちなみに、この装置では一循環サイクルが４０リットリ
／１２リットル／分＝３分２０秒であり、従来の装置で
は４０リットル／６リットル＝６分４０秒に比べ倍の早
さになる。
金属不純物除去カラム３に流すエッチング液の流量を変
え、残りのエッチング液をバイパス配管６に流すこと
で、被エッチング物に影響を与えない程度に金属不純物
濃度を抑え循環ラインを流すエッチング液の流量を増大
し、従来の循環サイクルをより早くすることが出来る。
ちなみに、この装置では一循環サイクルが４０リットリ
／１２リットル／分＝３分２０秒であり、従来の装置で
は４０リットル／６リットル＝６分４０秒に比べ倍の早
さになる。
【００１６】また、エッチング液の交換等により、この
ウェットエッチング装置の循環ラインを純水で洗浄する
場合は、開閉弁８及び流量調整弁４を閉じ、金属不純物
除去カラム３を取外し、金属不純物除去カラム３を循環
ラインとは別に清掃する。このことにより、従来、循環
ラインに取付けた状態で金属不純物除去カラムを清掃し
たときに起きる再溶出による汚染を解消することが出来
た。さらに、この金属不純物除去カラムの金属析出シリ
コン粒子の飽和吸着量は、エッチング液を定期的に金属
不純物濃度を測定することにより推定出来るので、金属
不純物除去カラムの交換時期を金属シリコンの飽和吸着
量に達するまで延すことが出来るという利点もある。
ウェットエッチング装置の循環ラインを純水で洗浄する
場合は、開閉弁８及び流量調整弁４を閉じ、金属不純物
除去カラム３を取外し、金属不純物除去カラム３を循環
ラインとは別に清掃する。このことにより、従来、循環
ラインに取付けた状態で金属不純物除去カラムを清掃し
たときに起きる再溶出による汚染を解消することが出来
た。さらに、この金属不純物除去カラムの金属析出シリ
コン粒子の飽和吸着量は、エッチング液を定期的に金属
不純物濃度を測定することにより推定出来るので、金属
不純物除去カラムの交換時期を金属シリコンの飽和吸着
量に達するまで延すことが出来るという利点もある。
【００１７】図２は本発明のウェットエッチング装置の
第２の実施例を示す模式断面図である。このウェットエ
ッチング装置は、図２に示すように、オーバフロー槽１
０から排出されるエッチング液１４の金属不純物の含有
量を測定する金属イオン検出器１を設け、循環サイクル
毎に金属不純物の含有量を測定し、この測定値を弁制御
部７ａに入力させ、測定値に応じて流量調整弁４の開度
を変え、金属不純物除去カラム３に流入するエッチング
液の流量を制御するとである。それ以外は前述の実施例
と同じである。
第２の実施例を示す模式断面図である。このウェットエ
ッチング装置は、図２に示すように、オーバフロー槽１
０から排出されるエッチング液１４の金属不純物の含有
量を測定する金属イオン検出器１を設け、循環サイクル
毎に金属不純物の含有量を測定し、この測定値を弁制御
部７ａに入力させ、測定値に応じて流量調整弁４の開度
を変え、金属不純物除去カラム３に流入するエッチング
液の流量を制御するとである。それ以外は前述の実施例
と同じである。
【００１８】このウェットエッチング装置は、循環サイ
クル毎に金属不純物を測定し、金属不純物除去カラム３
への流量を制御するので、前述の実施例に比べエッチン
グ液の清浄度をより精密に制御できるという利点があ
る。
クル毎に金属不純物を測定し、金属不純物除去カラム３
への流量を制御するので、前述の実施例に比べエッチン
グ液の清浄度をより精密に制御できるという利点があ
る。
【００１９】図３は本発明のウェットエッチング装置の
第３の実施例を示す模式断面図である。このウェットエ
ッチング装置は、図３に示すように、バイパス配管６の
流入側に流量調整弁４ａを、流出側に開閉弁８ａを設け
たことである。それ以外は前述の実施例と同じである。
第３の実施例を示す模式断面図である。このウェットエ
ッチング装置は、図３に示すように、バイパス配管６の
流入側に流量調整弁４ａを、流出側に開閉弁８ａを設け
たことである。それ以外は前述の実施例と同じである。
【００２０】このウェットエッチング装置は、バイパス
配管６に流れるエッチング液１４の流量を流量調整弁４
ａを絞ることにより、バイパスされるエッチング液を少
くし、エッチング液１４に含有する金属不純物をより少
くすることが出来る。言い換えば、被エッチング物に影
響する金属不純物の含有量を考慮し、バイパス配管６に
流すエッチング液の流量を適宜少くし、金属不純物除去
カラム３への流量を増大させて金属不純物を適切な量以
下に制御し循環サイクルを効率良くしたものである。勿
論、流量調整弁４ａを最大開度にし、流量調整弁４を可
変することで前述の実施例で説明した動作も出来るし、
また、流量調整弁４ａ及び開閉弁８ａを閉じることによ
り、従来例に述べたように、完全に金属不純物の除去も
出来るという適用範囲の広いウェットエッチング装置が
得られる。
配管６に流れるエッチング液１４の流量を流量調整弁４
ａを絞ることにより、バイパスされるエッチング液を少
くし、エッチング液１４に含有する金属不純物をより少
くすることが出来る。言い換えば、被エッチング物に影
響する金属不純物の含有量を考慮し、バイパス配管６に
流すエッチング液の流量を適宜少くし、金属不純物除去
カラム３への流量を増大させて金属不純物を適切な量以
下に制御し循環サイクルを効率良くしたものである。勿
論、流量調整弁４ａを最大開度にし、流量調整弁４を可
変することで前述の実施例で説明した動作も出来るし、
また、流量調整弁４ａ及び開閉弁８ａを閉じることによ
り、従来例に述べたように、完全に金属不純物の除去も
出来るという適用範囲の広いウェットエッチング装置が
得られる。
【００２１】また、実際の配管系統の違いによるエッチ
ング液１４のバイパス配管への流量抵抗と金属不純物所
除去カラム３への配管の流量抵抗とが多少差があって
も、これら二つの流量調整弁４，４ａを独立に調整する
ことによって、バイパス配管６及び金属不純物除去カラ
ム３に流すエッチング液の流量を正確に設定出来るとい
う利点がある。
ング液１４のバイパス配管への流量抵抗と金属不純物所
除去カラム３への配管の流量抵抗とが多少差があって
も、これら二つの流量調整弁４，４ａを独立に調整する
ことによって、バイパス配管６及び金属不純物除去カラ
ム３に流すエッチング液の流量を正確に設定出来るとい
う利点がある。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、金属不純
物除去カラムを分流するバイパス配管と、このバイパス
配管及び金属不純物除去カラムに流入するエッチング液
の流量を調節する流量調整弁とを設け、被エッチング物
に影響を与えない程度に金属不純物の含有量に応じてバ
イパス配管及び金属不純物除去カラムに流入するエッチ
ング液の流量を設定することにより、金属不純物を効率
良く除去してより早いエッチング液の循環サイクルが得
られスループットの向上が図れるという効果がある。ま
た、金属不純物除去カラムの循環ラインを遮断する開閉
バルブを設けることによって、金属不純物除去カラムを
循環ラインより取外すことが出来るので、循環ラインの
純水洗浄による金属不純物の再溶出によるエッチング液
の汚染が無くなるという効果がある。
物除去カラムを分流するバイパス配管と、このバイパス
配管及び金属不純物除去カラムに流入するエッチング液
の流量を調節する流量調整弁とを設け、被エッチング物
に影響を与えない程度に金属不純物の含有量に応じてバ
イパス配管及び金属不純物除去カラムに流入するエッチ
ング液の流量を設定することにより、金属不純物を効率
良く除去してより早いエッチング液の循環サイクルが得
られスループットの向上が図れるという効果がある。ま
た、金属不純物除去カラムの循環ラインを遮断する開閉
バルブを設けることによって、金属不純物除去カラムを
循環ラインより取外すことが出来るので、循環ラインの
純水洗浄による金属不純物の再溶出によるエッチング液
の汚染が無くなるという効果がある。
【図１】本発明のウェットエッチング装置の第１の実施
例を示す模式断面図である。
例を示す模式断面図である。
【図２】本発明のウェットエッチング装置の第２の実施
例を示す模式断面図である。
例を示す模式断面図である。
【図３】本発明のウェットエッチング装置の第３の実施
例を示す模式断面図である。
例を示す模式断面図である。
【図４】従来の一例を示すウェットエッチング装置の模
式断面図である。
式断面図である。
１ 金属イオン検出器 ２，２ａ，１６ ポンプ ３，１７ 金属不純物除去カラム ４，４ａ 流量調整弁 ５，５ａ，１８ フィルタ ６ バイパス配管 ７，７ａ，７ｂ 弁制御部 ８，８ａ 開閉弁 ９，１９ エッチング槽 １０，２０ オーバフロー槽 １４ エッチング液 １５，１５ａ，１５ｂ 循環用配管
Claims (3)
- 【請求項１】 エッチング槽よりオーバフローするエッ
チング液を蓄えるオーバフロー槽と、このオーバフロー
槽と前記エッチング槽と繋ぐ循環用配管と、前記オーバ
フロー槽から前記エッチング槽に前記エッチング液を圧
送するポンプと、前記循環用配管の上流側部に第１の流
量調整弁を介して取付けられているとともに金属析出シ
リコン粒子を充填する金属不純物除去カラムと、前記循
環用配管の上流側部に接続されるとともに前記第１の流
量調整弁及び前記金属不純物除去カラムと分岐するバイ
パス配管と、前記金属不純物除去カラムの液排出側に取
付けられる第１の開閉弁と、この第１の開閉弁と前記バ
イパス配管と合流する循環用配管部に取付けられるフィ
ルタとを備えることを特徴とするウェットエッチング装
置。 - 【請求項２】前記オーバフロー槽より排出される前記エ
ッチング液の金属不純物の含有量を検出し、この含有量
に応じて前記第１の流量調整弁を制御することを特徴と
する請求項１記載のウェットエッチング装置。 - 【請求項３】 前記バイパス配管の液流入側に第２の流
量調整弁を液流出側に第２の開閉弁をそれぞれ取付け、
前記オーバフロー槽より排出される前記エッチング液の
金属不純物の含有量を検出し、この含有量に応じて前記
第１の流量調整弁と前記第２の流量調整弁を制御するこ
とを特徴とする請求項１記載のウェットエッチング装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5008739A JPH0812854B2 (ja) | 1993-01-22 | 1993-01-22 | ウェットエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5008739A JPH0812854B2 (ja) | 1993-01-22 | 1993-01-22 | ウェットエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06236869A true JPH06236869A (ja) | 1994-08-23 |
| JPH0812854B2 JPH0812854B2 (ja) | 1996-02-07 |
Family
ID=11701321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5008739A Expired - Lifetime JPH0812854B2 (ja) | 1993-01-22 | 1993-01-22 | ウェットエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0812854B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008252049A (ja) * | 2006-05-18 | 2008-10-16 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | 処理液処理装置及びこれを備えた基板処理装置 |
| JP2009204445A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Hitachi High-Technologies Corp | 自動分析装置 |
| CN102879304A (zh) * | 2012-09-26 | 2013-01-16 | 上海大学 | 一种固体表面吸附层耐冲刷测试方法 |
| CN109192680A (zh) * | 2018-08-27 | 2019-01-11 | 长江存储科技有限责任公司 | 化学液槽装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63137430A (ja) * | 1986-11-29 | 1988-06-09 | Nec Corp | 半導体製造装置 |
| JPH02112303U (ja) * | 1988-10-28 | 1990-09-07 | ||
| JPH03107477A (ja) * | 1989-09-22 | 1991-05-07 | Kawasaki Steel Corp | 半導体材料の湿式処理方法および装置 |
-
1993
- 1993-01-22 JP JP5008739A patent/JPH0812854B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63137430A (ja) * | 1986-11-29 | 1988-06-09 | Nec Corp | 半導体製造装置 |
| JPH02112303U (ja) * | 1988-10-28 | 1990-09-07 | ||
| JPH03107477A (ja) * | 1989-09-22 | 1991-05-07 | Kawasaki Steel Corp | 半導体材料の湿式処理方法および装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008252049A (ja) * | 2006-05-18 | 2008-10-16 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | 処理液処理装置及びこれを備えた基板処理装置 |
| JP2009204445A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Hitachi High-Technologies Corp | 自動分析装置 |
| CN102879304A (zh) * | 2012-09-26 | 2013-01-16 | 上海大学 | 一种固体表面吸附层耐冲刷测试方法 |
| CN109192680A (zh) * | 2018-08-27 | 2019-01-11 | 长江存储科技有限责任公司 | 化学液槽装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0812854B2 (ja) | 1996-02-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4997490A (en) | Method of cleaning and rinsing wafers | |
| US20150020968A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| US5277715A (en) | Method of reducing particulate concentration in process fluids | |
| JPH06236869A (ja) | ウェットエッチング装置 | |
| US20050271985A1 (en) | Method, apparatus and system for rinsing substrate with pH-adjusted rinse solution | |
| JPH03107477A (ja) | 半導体材料の湿式処理方法および装置 | |
| JP4553781B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置および基板処理システム | |
| JPH09219388A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2000070887A (ja) | 炭酸ガス溶存純水供給方法及び炭酸ガス溶存純水供給ユニット並びにそれを備えた基板処理装置 | |
| JP2968779B1 (ja) | 板状体の洗浄装置 | |
| JP2541443B2 (ja) | ウェットエッチング装置及びフィルタ再生方法 | |
| KR100406285B1 (ko) | 반도체 장비에 공급되는 세척액의 유량 및 유압 제어방법 | |
| JP2833944B2 (ja) | 超純水の製造方法 | |
| JPH0731810A (ja) | 洗浄工程におけるフィルタの清浄化方法 | |
| JPH05331652A (ja) | 湿式成膜装置 | |
| JP6513004B2 (ja) | 基板処理装置及びその処理方法 | |
| JP3099907B2 (ja) | 半導体処理装置 | |
| KR0129924Y1 (ko) | 반도체 식각장치 | |
| JPH05144787A (ja) | 洗浄槽への純水供給方法および装置 | |
| JP2994113B2 (ja) | 部品洗浄装置 | |
| JPS6242535Y2 (ja) | ||
| JP2022187148A (ja) | 水処理装置の立上げ方法および洗浄方法 | |
| JPH0576811A (ja) | 液処理槽および液処理装置 | |
| JPH05217988A (ja) | 洗浄装置 | |
| JPH088223A (ja) | 半導体基板洗浄方法および装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960716 |