JPS63137430A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPS63137430A JPS63137430A JP28462186A JP28462186A JPS63137430A JP S63137430 A JPS63137430 A JP S63137430A JP 28462186 A JP28462186 A JP 28462186A JP 28462186 A JP28462186 A JP 28462186A JP S63137430 A JPS63137430 A JP S63137430A
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Landscapes
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- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体製造装置、特に半導体製造におけるウェ
ットエツチング装置のエツチング槽の液状態を清浄に保
つ装置に関するものである。
ットエツチング装置のエツチング槽の液状態を清浄に保
つ装置に関するものである。
［従来の技術］
従来、この種のウェットエツチング装置を第２図に示す
。内外二重構造のエツチング槽１の内槽１ａにエツチン
グ液（以降、液と呼ぶ）が満たされており、循環ポンプ
２で内槽１ａの液をオーバーフローさせている。外槽１
ｂにオーバーフローされた液はフィルタ３を通って清浄
化され、温調器４により適温に調温されて内槽１ａに循
環される構造となっていた。５は排液バルブ、８は給液
口である。
。内外二重構造のエツチング槽１の内槽１ａにエツチン
グ液（以降、液と呼ぶ）が満たされており、循環ポンプ
２で内槽１ａの液をオーバーフローさせている。外槽１
ｂにオーバーフローされた液はフィルタ３を通って清浄
化され、温調器４により適温に調温されて内槽１ａに循
環される構造となっていた。５は排液バルブ、８は給液
口である。
［発明が解決しようとする問題点コ
上述した従来のウェットエツチング装置はエツチング槽
１内の液の汚れ状態を常時モニターする機能を備えてい
ない。ところで、ウェットエツチング装置において、エ
ツチング槽１内の液がゴミで汚れていると、最終製品で
あるトランジスタのしきい値電圧（Ｖ丁＞が変化し、ラ
イフタイムが短かくなるという欠点があり、安定した半
導体デバイスの製造が不可能になる。ざらにフィルタリ
ング能力が常に一定であるために、液の汚れがひどい場
合には清浄な液状態に回復するまでの時間に長い時間を
要し、生産性が著しく悪くなるという欠点がある。
１内の液の汚れ状態を常時モニターする機能を備えてい
ない。ところで、ウェットエツチング装置において、エ
ツチング槽１内の液がゴミで汚れていると、最終製品で
あるトランジスタのしきい値電圧（Ｖ丁＞が変化し、ラ
イフタイムが短かくなるという欠点があり、安定した半
導体デバイスの製造が不可能になる。ざらにフィルタリ
ング能力が常に一定であるために、液の汚れがひどい場
合には清浄な液状態に回復するまでの時間に長い時間を
要し、生産性が著しく悪くなるという欠点がある。
本発明の目的は前記問題点を解消した半導体製造装置を
提供することにある。
提供することにある。
［発明の従来技術に対する相違点］
上述した従来のウェットエツチング装置に対し、本発明
はエツチング槽に液体微粒子計測器を取り付けて常に液
の清浄度を監視し、かつ液がある特定値以上に汚れた場
合にはフィルタリング液量を増して短時間で清浄状態に
回復させるという独創的内容を有する。
はエツチング槽に液体微粒子計測器を取り付けて常に液
の清浄度を監視し、かつ液がある特定値以上に汚れた場
合にはフィルタリング液量を増して短時間で清浄状態に
回復させるという独創的内容を有する。
［問題点を解決するための手段］
本発明は液槽内の処理液を濾過循環させるフィルタリン
グ機構を備えた半導体製造装置において、液槽内の微粒
子を測定する微粒子計測器と、液槽内の処理液のフィル
タリング量を調整して濾過循環させるフィルタリング機
構と、前記微粒子計測器の出力信号に基いて前記フィル
タリング機構のフィルタリング量を制御する制御部とを
有することを特徴とする半導体製造装置である。
グ機構を備えた半導体製造装置において、液槽内の微粒
子を測定する微粒子計測器と、液槽内の処理液のフィル
タリング量を調整して濾過循環させるフィルタリング機
構と、前記微粒子計測器の出力信号に基いて前記フィル
タリング機構のフィルタリング量を制御する制御部とを
有することを特徴とする半導体製造装置である。
［実施例］
以下、本発明の実施例を図により説明する。
（実施例１）
第１図において、内外二重構造のエツチング槽１の外槽
１ｂに給液口８を開口し、エツチング槽１の内槽１ａと
外槽１ｂとの間に、循環ポンプ２ａ、フィルタ３ａ、温
調器４ａ、及び循環ポンプ２ｂ、フィルタ３ｂ、温調器
４ｂからなる２系統の循環路を形成する。
１ｂに給液口８を開口し、エツチング槽１の内槽１ａと
外槽１ｂとの間に、循環ポンプ２ａ、フィルタ３ａ、温
調器４ａ、及び循環ポンプ２ｂ、フィルタ３ｂ、温調器
４ｂからなる２系統の循環路を形成する。
５は排液パルプである。
一方、エツチング槽１に微粒子を測定する微粒子計測器
７を据え付け、ざに、計測器７の出力信号に基いて循環
ポンプ２ａ、 ２ｂを駆動制御してフィルタリング量を
調整する制御部６を備えている。
７を据え付け、ざに、計測器７の出力信号に基いて循環
ポンプ２ａ、 ２ｂを駆動制御してフィルタリング量を
調整する制御部６を備えている。
実施例において、エツチング槽１の内槽１ａには液、例
えば酸化膜エツチング液（バッフアート弗酸）が満たさ
れている。循環ポンプ２ａは常時動作しており、外槽１
ｂにあふれた液をフィルタ３ａを通してゴミをとり、温
調器４ａで適温にしてから内槽１ａにもどす。液体微粒
子計測器７は一定時間毎に内槽１ａ内の液をリアルタイ
ムでサンプリングし、粒子数をカウントしている。製品
を処理するとき、ウェハースおよびキャリア等より液が
汚れ、粒子カウント数が特定値（Ｘ）を越えると、制御
部６が働いて循環ポンプ２ｂが動作し、フィルタ３ｂ、
温調器４ｂ系統の循環が行われる。そして液体微粒子
計測器７の粒子カウント数が特定値：Ｖ （＜Ｘ）以下
になると、制御部６が働いてポンプ２ｂ、フィルタ３ｂ
、温調器４ｂ系統の循環をストップさせる。もし、粒子
カウント数が特定値Ｚ（＜Ｘ）を越えた場合は特定値Ｘ
より小さくなるまでエツチング作業をしないように制御
部６が働（。なおＸの値は０、１卯以上のゴミのカウン
ト数のトータル値で、１００〜２０００個／１００ｍ１
まで可変可能である。
えば酸化膜エツチング液（バッフアート弗酸）が満たさ
れている。循環ポンプ２ａは常時動作しており、外槽１
ｂにあふれた液をフィルタ３ａを通してゴミをとり、温
調器４ａで適温にしてから内槽１ａにもどす。液体微粒
子計測器７は一定時間毎に内槽１ａ内の液をリアルタイ
ムでサンプリングし、粒子数をカウントしている。製品
を処理するとき、ウェハースおよびキャリア等より液が
汚れ、粒子カウント数が特定値（Ｘ）を越えると、制御
部６が働いて循環ポンプ２ｂが動作し、フィルタ３ｂ、
温調器４ｂ系統の循環が行われる。そして液体微粒子
計測器７の粒子カウント数が特定値：Ｖ （＜Ｘ）以下
になると、制御部６が働いてポンプ２ｂ、フィルタ３ｂ
、温調器４ｂ系統の循環をストップさせる。もし、粒子
カウント数が特定値Ｚ（＜Ｘ）を越えた場合は特定値Ｘ
より小さくなるまでエツチング作業をしないように制御
部６が働（。なおＸの値は０、１卯以上のゴミのカウン
ト数のトータル値で、１００〜２０００個／１００ｍ１
まで可変可能である。
（実施例２）
第１図において、実施例１の酸化膜エツチング液のかわ
りに希硫酸を入れることにより金属膜形成前処理、例え
ばスパッタ前処理装置となる。液状態の監視および循環
のシステムは酸化膜エツチング装置と同様である。この
実施例も実施例１と同じ様に常時液の状態を監視し、粒
子レベルが高い場合はフィルタリング液量を増して短時
間で清浄な液状態にもどるため、清浄な液で製品を処理
できる利点がある。
りに希硫酸を入れることにより金属膜形成前処理、例え
ばスパッタ前処理装置となる。液状態の監視および循環
のシステムは酸化膜エツチング装置と同様である。この
実施例も実施例１と同じ様に常時液の状態を監視し、粒
子レベルが高い場合はフィルタリング液量を増して短時
間で清浄な液状態にもどるため、清浄な液で製品を処理
できる利点がある。
［発明の効果］
以上説明したように本発明は液体微粒子計測器とフィル
タリング液量を可変するシステムを組み合わぜる機能を
酸化膜エツチング装置および成長前処理装置に持たせる
ことにより、常に液体の清浄度が粒子数Ｘ以下のレベル
で製品を作業することができ、かつ短時間で液の粒子数
のレベルを下げることができる。したがって液の汚れに
よる半導体素子への金属汚染等を防止することができ、
安定した半導体素子の製造を実現できる効果がおる。
タリング液量を可変するシステムを組み合わぜる機能を
酸化膜エツチング装置および成長前処理装置に持たせる
ことにより、常に液体の清浄度が粒子数Ｘ以下のレベル
で製品を作業することができ、かつ短時間で液の粒子数
のレベルを下げることができる。したがって液の汚れに
よる半導体素子への金属汚染等を防止することができ、
安定した半導体素子の製造を実現できる効果がおる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明のウェットエツチング装置のエツチング
槽の構成図、第２図は従来のウェットエツチング装置の
エツチング槽の構成図である。
槽の構成図、第２図は従来のウェットエツチング装置の
エツチング槽の構成図である。
Claims (1)
- （１）液槽内の処理液を濾過循環させるフィルタリング
機構を備えた半導体製造装置において、液槽内の微粒子
を測定する微粒子計測器と、液槽内の処理液のフィルタ
リング量を調整して濾過循環させるフィルタリング機構
と、前記微粒子計測器の出力信号に基いて前記フィルタ
リング機構のフィルタリング量を制御する制御部とを有
することを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28462186A JPS63137430A (ja) | 1986-11-29 | 1986-11-29 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28462186A JPS63137430A (ja) | 1986-11-29 | 1986-11-29 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63137430A true JPS63137430A (ja) | 1988-06-09 |
Family
ID=17680831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28462186A Pending JPS63137430A (ja) | 1986-11-29 | 1986-11-29 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63137430A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0276229A (ja) * | 1988-09-12 | 1990-03-15 | Nec Corp | 半導体装置の製造装置 |
| JPH06236869A (ja) * | 1993-01-22 | 1994-08-23 | Nec Corp | ウェットエッチング装置 |
| KR100273265B1 (ko) * | 1997-12-29 | 2000-12-15 | 김영환 | 반도체 웨이퍼 증착장비의 반응부산물제거장치 |
| US6241827B1 (en) | 1998-02-17 | 2001-06-05 | Tokyo Electron Limited | Method for cleaning a workpiece |
| US6878303B2 (en) * | 2002-01-17 | 2005-04-12 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP2009188048A (ja) * | 2008-02-04 | 2009-08-20 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法及びウエットエッチング装置 |
-
1986
- 1986-11-29 JP JP28462186A patent/JPS63137430A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0276229A (ja) * | 1988-09-12 | 1990-03-15 | Nec Corp | 半導体装置の製造装置 |
| JPH06236869A (ja) * | 1993-01-22 | 1994-08-23 | Nec Corp | ウェットエッチング装置 |
| KR100273265B1 (ko) * | 1997-12-29 | 2000-12-15 | 김영환 | 반도체 웨이퍼 증착장비의 반응부산물제거장치 |
| US6241827B1 (en) | 1998-02-17 | 2001-06-05 | Tokyo Electron Limited | Method for cleaning a workpiece |
| US6357458B2 (en) | 1998-02-17 | 2002-03-19 | Tokyo Electron Limited | Cleaning apparatus and cleaning method |
| US6878303B2 (en) * | 2002-01-17 | 2005-04-12 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US7591922B2 (en) | 2002-01-17 | 2009-09-22 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP2009188048A (ja) * | 2008-02-04 | 2009-08-20 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法及びウエットエッチング装置 |
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