KR19980068804A - 반도체 소자의 습식 세정장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 습식 세정 장치를 개시한다. 이는 세정조; 상기 세정조 내의 세정액을 순환시키는 제 1 순환선(circulation line); 상기 제 1 순환선에서 세정액에 포함된 파티클(particle)을 제거하는 제 1 여과 수단; 상기 제 1 순환선에서 세정액의 금속 오염도를 감시하는 모니터(Monitor) 수단; 상기 제 1 순환선을 개폐하는 제 1 개폐 수단; 상기 제 1 개폐 수단 양끝의 제 1 순환선에 연결된 제 2 순환선(circulation line); 상기 제 2 순환선을 개폐하는 제 2 개폐 수단; 및 상기 제 2 순환선에서 세정액에 포함된 금속 오염원을 제거하는 제 2 여과수단으로 이루어진다. 즉 순환되는 세정액에 포함된 금속 오염원을 제거하는 여과수단의 수명이 길어지고 그 결과 상기 여과 수단으로 인한 비용 증가의 문제점을 최소화할 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 소자의 제조 장치에 관한 것으로, 특히 금속 오염원을 제거하는 여과수단을 이용함으로써 나타나는 비용 증가를 최소화하기 위한 반도체 소자의 습식 세정 장치에 관한 것이다.
습식 세정(Wet Cleaning) 공정은 전체 반도체 소자의 제조 공정의 약 20％ 이상을 차지하는 공정으로, 반도체 소자 제조 공정 중에 발생하는 각종 오염(contamination)물질을 효과적으로 제어하여 소자의 신뢰성과 수율을 향상시키기 위한 목적을 가진다.
반도체 소자의 고집적화가 매우 바른 속도로 진행함에 따라 비교적 낮은 집적도의 소자에서는 문제가 되지 않았던 미세 오염이 소자의 성능 및 수율을 저하시키는 현상이 나타나므로 습식 세정 공정에 대한 관심이 증가되고 있다.
현재 대부분의 습식 세정 공정은 2단계로 나누어지는데, 먼저 NH4OH-H2O2-H2O를 사용하여 유기물 및 파티클을 제거하고 이어서 HCl-H2O2-H2O를 사용하여 금속 오염을 제거한다.
그러나 금속 오염을 제거하는 혼합물 중 HCl은 강한 산화력으로 인해 설비 부식 및 안전에 문제가 있으므로 점차 묽은불산(Diluted HF)으로 대체되고 있다.
그러나 상기 묽은 불산도 일부 환원력이 강한 구리(Cu) 등의 전위 금속원에 대한 제거가 불가능하여 이러한 금속 제어를 위한 연구가 진행되고 있다.
이러한 방법의 일환으로 이온 교환(ion exchange)방법을 이용하는 여과 수단(purifier)으로 습식 세정액 내의 금속 이온 농도를 제어하는데 이는 상기 여과 수단이 고가 및 짧은 수명으로 인해 비용(cost)측면에서 문제가 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 금속 오염원을 제거하는 여과수단을 이용함으로써 나타나는 비용 증가를 최소화하기 위한 반도체 소자의 습식 세정 장치를 제공하는데 있다.
도 1은 본 발명에 의한 반도체 소자의 습식 세정 장치를 나타낸다.
상기 과제를 이루기 위하여 본 발명은, 세정조; 상기 세정조 내의 세정액을 순환시키는 제 1 순환선(circulation line); 상기 제 1 순환선에서 세정액에 포함된 파티클(particle)을 제거하는 제 1 여과 수단; 상기 제 1 순환선에서 세정액의 금속 오염도를 감시하는 모니터(Monitor) 수단; 상기 제 1 순환선을 개폐하는 제 1 개폐 수단; 상기 제 1 개폐 수단 양끝의 제 1 순환선에 연결된 제 2 순환선(circulation line); 상기 제 2 순환선을 개폐하는 제 2 개폐 수단; 및 상기 제 2 순환선에서 세정액에 포함된 금속 오염원을 제거하는 제 2 여과수단을 구비하는 것을 특징으로하는 반도체 소자의 습식 세정 장치를 제공한다.
상기 모니터 수단은, 측정된 금속 오염도에 따라 상기 제 1 개페 수단 및 제 2 개폐 수단 중 어느 하나를 게폐함으로써 상기 제 1 순환선 및 제 2 순환선 중 어느 하나로 세정액이 순환되는 것이 바람직하다.
본 발명에 의한 반도체 소자의 습식 세정 장치는, 순환되는 세정액에 포함된 금속 오염원을 제거하는 여과수단의 수명이 길어지고 그 결과 상기 여과 수단으로 인한 비용 증가의 문제점을 최소화할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 의한 반도체 소자의 습식 세정 장치를 나타낸다.
도면 참조 번호 1은 세정조를, 2는 펌핑 수단을, 3은 온도 조절 수단을, 4는 모니터 수단을, 5는 제 1 여과 수단을, 6은 제 2 여과 수단을, 7은 제 1 개폐 수단을, 8은 제 2 개폐 수단을, 9는 제 1 순환선을, 10은 제 2 순환선을 그리고 11은 세정액을 각각 나타낸다.
도 1을 참조하면, 세정조(1)내에 들어있는 세정액(10)을 순환시키는 제 1 순환선(circulation line, 9)과 제 2 순환선(10)이 있다.
상기 제 1 순환선(9)은 상기 세정액(10)을 펌핑하는 펌핑 수단(2), 온도 조절 수단(3) 예컨대 坍 익스체인저(heat exchanger), 파티클(particle)을 제거하기 위한 제 1 여과 수단(5)인 필터(filter) 및 제 1 개페수단(7)인 밸브(valve)를 구비한다.
상기 제 2 순환선(10)은 상기 제 1 개페 수단(7)의 양 끝을 연결하면서 제 2 개폐 수단(8)인 밸브와 금속 오염원을 제거하는 제 2 여과수단, 즉 퓨리파이어(purifier)를 구비한다.
상기 온도 조절 수단(3)과 상기 제 1 여과 수단(5) 사이에는 모니터(Monitor) 수단(4)이 있는데, 이는 상기 제 1 순환선(9)을 통과하는 세정액의 금속 오염도를 측정한 후 일정값 이하이면 상기 제 1 개페 수단(7)을 닫고 상기 제 2 개폐 수단(8)을 열어서 상기 세정조(1)내의 세정액(11)을 상기 제 1 순환선(9)으로 순환시킨다.
그러나 금속 오염도가 일정값 이상이면 상기 제 1 개페 수단(7)을 열고 상기 제 2 개폐 수단(8)을 닫음으로써 상기 세정조(1)내의 세정액(11)을 상기 제 2 순환선(10)으로 순환시킨다.
즉, 금속 오염도가 일정값 이상일 때만 상기 제 2 여과 수단(6)을 통과시켜 순환되는 세정액 내의 금속 오염원이 제거됨으로써, 상기 제 2 여과 수단(6)의 수명이 길어진다.
본 발명은 이에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 기술적 사상내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 가능함은 명백하다.
이상, 설명된 바와 같이 본 발명에 의한 반도체 소자의 습식 세정 장치는 순환되는 세정액에 포함된 금속 오염원을 제거하는 여과수단의 수명이 길어지고 그 결과 상기 여과 수단으로 인한 비용 증가의 문제점을 최소화할 수 있다.
Claims (2)
- 세정조;상기 세정조 내의 세정액을 순환시키는 제 1 순환선(circulation line);상기 제 1 순환선에서 세정액에 포함된 파티클(particle)을 제거하는 제 1 여과 수단;상기 제 1 순환선에서 세정액의 금속 오염도를 감시하는 모니터(Monitor) 수단;상기 제 1 순환선을 개폐하는 제 1 개폐 수단;상기 제 1 개폐 수단 양끝의 제 1 순환선에 연결된 제 2 순환선(circulation line);상기 제 2 순환선을 개폐하는 제 2 개폐 수단; 및상기 제 2 순환선에서 세정액에 포함된 금속 오염원을 제거하는 제 2 여과수단을 구비하는 것을 특징으로하는 반도체 소자의 습식 세정 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 모니터 수단은측정된 금속 오염도에 따라 상기 제 1 개페 수단 및 제 2 개폐 수단 중 어느 하나를 게폐함으로써 상기 제 1 순환선 및 제 2 순환선 중 어느 하나로 세정액이 순환되는 것을 특징으로하는 반도체 소자의 습식 세정 장치.
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| KR1019970005586A KR19980068804A (ko) | 1997-02-24 | 1997-02-24 | 반도체 소자의 습식 세정장치 |
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| KR (1) | KR19980068804A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100355869B1 (ko) * | 1999-12-31 | 2002-10-12 | 아남반도체 주식회사 | 세정장치의 역세척장치 |
| KR100495400B1 (ko) * | 2001-12-04 | 2005-06-14 | 간또 가가꾸 가부시끼가이샤 | 반도체기판의 약액처리장치 |
| KR100697047B1 (ko) * | 2001-12-04 | 2007-03-20 | 주식회사 케이씨텍 | 웨이퍼 또는 기판 세정시 발생되는 이물질 분리장치 및 방법 |
-
1997
- 1997-02-24 KR KR1019970005586A patent/KR19980068804A/ko not_active Application Discontinuation
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| KR100495400B1 (ko) * | 2001-12-04 | 2005-06-14 | 간또 가가꾸 가부시끼가이샤 | 반도체기판의 약액처리장치 |
| KR100697047B1 (ko) * | 2001-12-04 | 2007-03-20 | 주식회사 케이씨텍 | 웨이퍼 또는 기판 세정시 발생되는 이물질 분리장치 및 방법 |
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