KR19980068167A - 웨이퍼 세정 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 웨이퍼 세정 장치에 관한 것으로, 순환 펌프에 의해 순환되는 세정액은 내부 세정조의 저면에서부터 위로 차오르는데, 이때, 내부 세정조의 내벽에는 세정액의 흐름이 중첩되는 곳에서 와류가 발생하여 정전기가 생기고, 이로 인해 파티클이 발생되어 세정율이 저하되는 문제점을 제거하는 것을 목적으로 한다.
이를 위해 본 발명에서는 내부 세정조의 내벽에 바(bar) 형상의 돌출부를 세로 방향으로 소정 간격 이격하여 형성함으로써 세정액이 순환할 경우 발생하는 와류를 제거하여 정전기에 의한 파티클 발생을 방지할 수 있도록 한다.
Description
본 발명은 웨이퍼 세정 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 외부 세정조에 담겨져 있는 세정액이 순환하여 내부 세정조로 유입될 때 내부 세정조의 내벽에 세정액의 흐름이 중첩되어 와류가 발생하는 것을 방지할 수 있도록 내부 세정조의 내벽에 세로 방향으로 소정 간격 이격된 바(bar) 형상의 돌출부가 형성되어 있는 웨이퍼 세정 장치에 관한 것이다.
일반적으로 세정 공정이란 다양한 공정을 거쳐 제조된 웨이퍼 표면에 유기물이나 금속 이온 등과 같은 불순물을 사전에 제거하여 웨이퍼에 불량이 발생하지 않도록 하는 공정으로 웨이퍼 세정 방법에는 순수나 계면활성제와 같은 화학 약품을 사용하여 웨이퍼를 세정하는 화학적 방법과, 초음파 세정 장치나 브러쉬 세정 장치 등을 이용하여 웨이퍼를 세정하는 물리적 방법과, 자외선 오존이나 레이저 등을 이용한 건식 세정 방법 등이 있다.
도 1A는 종래의 기술에 의한 웨이퍼 세정 장치의 개략적인 사시도이고, 도 1B는 내부 세정조의 내측벽면을 따라 진행하는 세정액의 흐름을 나타낸 상태도이다.
도시된 바와 같이, 웨이퍼를 세정하기 위한 소정의 세정액이 담겨 있는 내부 세정조(10)의 외벽을 따라 소정 간격 이격되어 감싸는 외부 세정조(20)가 설치되어 있다.
또한 외부 세정조(20) 하부에는 외부 세정조(20)에 담겨있는 세정액을 내부 세정조(10)로 순환시키는 순환 펌프(40)와, 순환되는 세정액을 필터링하는 여과기(50)가 설치되어 있다
이와 같이 형성된 세정 장치의 작용을 설명하면 다음과 같다,
먼저, 선행 공정을 거친 웨이퍼가 적재된 카세트(미도시)는 로봇 암(미도시)에 의해 이송되어 세정액이 담겨있는 내부 세정조(10)내에 투입되어 약 10분 정도 내부 세정조(10)내에 머물게 된다.
카세트가 내부 세정조(10)에 머무는 동안, 외부 세정조(20)의 세정액은 순환 펌프(40)에 의해 여과기(50)를 거쳐 필터링된 후 외부 세정조(20)에서 내부 세정조(10)로 순환한다.
내부 세정조(10)에 10분간 머물면서 웨이퍼는 세정액의 화학적 반응에 의해 세정되고, 10분 후에 카세트는 로봇 암(미도시)에 의해 다음 공정이 진행될 곳으로 이송된다.
그러나, 순환 펌프에 의해 순환되는 세정액은 도 1B에 도시된 바와 같이 내부 세정조의 저면에서부터 위로 차오르는데, 이때, 내부 세정조의 내벽에는 세정액의 흐름이 중첩되는 곳에서 와류가 발생하여 정전기가 생기고, 이로 인해 파티클이 발생하여 세정율이 저하되는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은 세정액이 순환하면서 내부 세정조의 내벽에 세정액의 흐름이 중첩되는 것을 제거하여 와류가 발생하는 것 방지함으로써 정전기에 의한 파티클 발생을 방지할 수 있는 웨이퍼 세정 장치를 제공하는데 있다.
도 1A는 종래의 기술에 의한 웨이퍼 세정 장치의 개략적인 사시도이고, 도 1B는 세정 장치의 내부 세정조의 내측벽면을 따라 진행하는 세정액의 흐름을 나타낸 상태도.
도 2A는 본 발명에 의한 웨이퍼 세정 장치의 개략적인 사시도이고, 도 2B는 세정 장치의 내부 세정조의 평면도이며, 도 2C는 세정 장치의 내부 세정조의 내측벽면을 따라 진행하는 세정액의 흐름을 나타낸 상태도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10,20 : 내부 세정조30 : 외부 세정조40 : 순환 펌프
50 : 여과기34 : 돌출부32 : 홈
이와 같은 목적을 달성하기 위해서 본 발명은 웨이퍼 세정 장치에 있어서,
상기 웨이퍼 세정 장치의 내부 세정조의 높이 방향으로 연장된 돌출부가 상기 세정조의 내벽면에 다수개 병렬로 형성된 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 장치를 좀더 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2A는 본 발명에 의한 웨이퍼 세정 장치의 개략적인 사시도이고, 도 2B는 내부 세정조의 평면도이며, 도 2C는 내부 세정조의 내측벽면을 따라 진행하는 세정액의 흐름을 나타낸 상태도이다. 종래와 동일한 부분에는 동일한 부호를 부여한다.
도시된 바와 같이, 웨이퍼를 세정하기 위한 소정의 세정액이 담겨있는 내부 세정조(30)의 내벽에는 세정액 순환시 내부 세정조(30)내로 유입되는 세정액의 흐름을 가이드하는 바(bar) 형상의 돌출부(34)가 세정조(30)의 높이 방향으로 평행하게 소정 간격 이격 형성됨으로써 돌출부(34)들 사이에는 자연스럽게 홈(32)이 형성되어 있다.
이렇게 돌출부(34)에 의해 홈(32)이 형성된 내부 세정조(30)의 외벽을 따라 소정 간격 이격되어 감싸며 외부 세정조(20)가 설치되어 있다.
또한, 외부 세정조(20) 하부에는 외부 세정조(20)에 담겨있는 세정액을 내부 세정조(30)로 순환시키는 순환 펌프(40)와, 순환되는 세정액을 필터링하는 여과기(50)가 설치되어 있다.
이와 같이 형성된 본 발명에 의한 제조 기술에 따른 웨이퍼 세정 장치의 세정 과정을 상세히 설명하면 다음과 같다.
먼저, 선행 공정을 거친 웨이퍼가 적재된 카세트는 로봇 암(미도시)에 의해 이송되어 세정액이 담겨있는 내부 세정조(30)내에 투입되고 10분 정도 내부 세정조(30)내에 머물면서 웨이퍼는 세정액의 화학적 반응에 의해 세정되고 이후 로봇 암(미도시)에 의해 다음 공정으로 이송된다.
여기서, 카세트가 내부 세정조(30)에 머무는 동안에 외부 세정조(20)의 세정액은 순환 펌프(40)에 의해 여과기(50)를 거쳐 필터링된 후 외부 세정조(20)에서 내부 세정조(30)로 순환을 한다.
이때, 도 2C에 도시된 바와 같이, 내부 세정조(30)의 저면에서부터 위로 차오르면서 순환하는 세정액은 돌출부(34)들에 의해 형성된 홈(32)을 따라 순환하기 때문에 세정액의 흐름이 중첩되지 않고 돌출부(34)에 의해 가이드되어 와류의 발생이 저하된다.
이와 같이 내부 세정조의 내벽면에 홈이 형성되도록 세로 방향으로 돌출부들을 소정 간격 이격하여 형성함으로써 세정액 순환시 와류가 발생하는 것을 방지하여 정전기가 발생하는 것을 억제할 수 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 내부 세정조의 내벽면에 바 형상의 돌출부를 세로 방향으로 소정 간격 이격 형성함으로써 웨이퍼의 세정액 순환시, 세정액이 내부 세정조의 저면에서 위로 차오를 때, 돌출부에 의해 가이드되는 세정액의 흐름은 중첩되는 않아 와류의 발생이 저하되고, 이로 이해 정전기에 의한 파티클 발생이 억제됨으로써 웨이퍼의 세정율이 극대화되는 효과가 있다.
Claims (3)
- 웨이퍼 세정 장치에 있어서,상기 웨이퍼 세정 장치의 내부 세정조의 높이 방향으로 연장된 돌출부가 상기 세정조의 내벽면에 다수개 병렬로 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 돌출부는 상기 내부 세정조의 내벽 사면에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 장치.
- 제 1 항 또는 2 항에 있어서, 상기 돌출부는 바 형상인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019970004651A KR19980068167A (ko) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | 웨이퍼 세정 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019970004651A KR19980068167A (ko) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | 웨이퍼 세정 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR19980068167A true KR19980068167A (ko) | 1998-10-15 |
Family
ID=65984296
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019970004651A KR19980068167A (ko) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | 웨이퍼 세정 장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR19980068167A (ko) |
-
1997
- 1997-02-17 KR KR1019970004651A patent/KR19980068167A/ko not_active Application Discontinuation
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