KR19990039625U - 반도체 웨이퍼의 세정장치 - Google Patents

Abstract

본 고안에 의한 반도체 웨이퍼의 세정장치는 웨이퍼를 세정하는 내조와, 그 내조의 둘레에 설치되는 외조와, 그 외조의 일측에 설치하여 상기 내조와 연결되도록 한 순환관과, 그 순환관의 일측에 설치한 펌프와, 상기 순환관의 타측에 설치한 이물제거필터부 및 이온제거필터부로 구성되어, 화학반응조의 정전기를 띤 입자를 이온제거필터에서 양, 음 대전입자를 제거시켜줌으로써, 반도체 제조공정중 발생하는 정전기적 이물을 억제하도록 하였다.

Description

반도체 웨이퍼의 세정장치

본 고안은 반도체 웨이퍼의 세정장치에 관한 것으로, 반도체 제조공정중 웨이퍼의 표면산화를 세정할 때, 에이치에프(HF) 화학용액내의 입자가 강한 정전기에 의하여 소수성 상태의 웨이퍼표면에 부착되는 현상을 미연에 방지하도록 한 반도체 웨이퍼의 세정장치에 관한 것이다.

종래의 기술에 의한 반도체 웨이퍼의 세정장치는 도 1에 도시한 바와 같이, 웨이퍼를 세정하는 내조(1)와, 상기 내조(1)의 둘레에 설치되며 내조(1)에서 넘쳐 흘러나온 세정액(6)을 담는 외조(2)와, 상기 외조(2)의 일측하부에 내조(1)와 연결되도록 설치한 순환관(5)과, 상기 순환관(5)의 일측에 설치하여 세정액(6)을 순환시키는 펌프(3)와, 상기 펌프(3)의 일측에 설치하여 순환관(5)을 통해 지나가는 세정액을 걸러주는 이물제거필터(4)로 구성된다.

이와 같이 구성된 웨이퍼 세정장치의 동작은 구성에 설명한 바와 같이, 내조(1)에 웨이퍼(7)를 담궈 세정하게 되면, 펌프(3)의 동작에 의해 세정액(6)을 내조(1)에서 외조(2)로, 외조(2)에서 순환관(5)을 통해 이물제거 필터(4)를 지나 다시 내조(1)로 흐르도록 함으로써 세정작업을 진행하게 된다.

웨트-스테이션의 화학세정시 산소막을 제거할 경우에는 에이치에프(HF) 초순수 화학반응조를 이용한다. 반도체 제조공정중 에이치에프 화학 세정액을 이용하여 웨이퍼(7) 표면의 산소를 제거하는데 일부공정중에는 산소를 완전히 제거하는 공정이 있다. 이와 같이 웨이퍼표면의 산소가 완전히 제거되면, 웨이퍼 표면이 소수성의 상태가 되고, 이 소수성 상태의 웨이퍼표면에는 정전기를 띤 입자가 부착된다. 상기 입자의 크기는 0.3 μ m 이하이며, 발생하는 이물의 갯수는 수십 내지 수백개 정도로 다양하게 나타난다.

그러나, 이러한 종래의 기술에서 상기와 같이 발생된 웨이퍼(7) 표면에 부착된 정전기를 띤 이물은 잘 제거되지 않는 문제점이 있다.

따라서, 본 고안의 목적은 상기와 같은 문제점을 고려하여 안출한 것으로 화학반응조의 정전기를 띤 입자를 이온제거필터에서 양, 음 대전입자를 제거시켜줌으로써, 반도체 제조공정중 발생하는 정전기적 이물을 억제하도록 한 반도체 웨이퍼의 세정장치를 제공함에 있다.

도 1은 종래의 기술에 의한 반도체 웨이퍼의 세정장치를 개략적으로 나타내는 구성도.

도 2는 본 고안에 의한 반도체 웨이퍼의 세정장치를 개략적으로 나타내는 구성도.

도 3은 본 고안에 의한 세정장치의 이물제거필터부 및 이온제거필터를 나타내는 구성도.

(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)

1 ; 내조 2 ; 외조

3 ; 펌프 4 ; 이물제거필터부

5 ; 순환관 6 ; 세정액

7 ; 웨이퍼 11 ; 이온제거필터부

11a ; 양이온필터 11b ; 음이온필터

이러한, 본 고안의 목적은 웨이퍼를 세정하는 내조와, 그 내조의 둘레에 설치되는 외조와, 그 외조의 일측에 설치하여 상기 내조와 연결되도록 한 순환관과, 그 순환관의 일측에 설치한 펌프와, 상기 순환관의 타측에 설치한 이물제거필터부 및 이온제거필터부에 의해 달성된다.

이하, 본 고안에 의한 반도체 웨이퍼의 세정장치를 첨부도면에 도시한 실시예에 따라서 설명한다.

도 2는 본 고안에 의한 반도체 웨이퍼의 세정장치를 개략적으로 나타내는 구성도이고, 도 3은 본 고안에 의한 세정장치의 이물제거필터부 및 이온제거필터를 나타내는 구성도를 각각 보인 것으로, 이에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(7)를 세정하는 내조(1)와, 그 내조(1)의 둘레에 설치되는 외조(2)와, 그 외조(2)의 일측에 설치하여 상기 내조(1)와 연결되도록 한 순환관(5)과, 그 순환관(5)의 일측에 설치한 펌프(3)와, 상기 순환관(5)의 타측에 설치한 이물제거필터부(4) 및 이온제거필터부(11)로 구성된다.

상기 이온제거필터부(11)는 이물제거필터(4)를 통과하면서 큰이물이 제거된 세정액의 음이온 물질을 걸러내는 양이온필터(11a)와, 양이온 물질을 걸러내는 음이온필터(11b)로 이루어진다.

이와 같이 구성된 본 고안에 의한 반도체 웨이퍼의 세정장치의 동작을 살펴보면, 웨트-스테이션의 순환시스템은 종래와 동일하며, 종래 기술의 이물제거필터(4)에 추가하여 이온제거필터부(11)를 설치한 것이 본 고안의 요지이다. 본 고안의 동작설명은 화학반응조의 외조(2)로부터 넘친 세정액(6)이 펌프(3)를 통해 이물제거필터부(4)와 전기적으로 대전된 이온들을 제거시키는 이온제거필터부(11)를 지나면서 이물이 제거된 후 화학반응조의 내조(1)로 유입된다.

상기 이물제거는 1차로 일반 이물제거필터(4)를 거치면서 극성을 띠지 않은 큰 이물들이 걸러지게 되고, 2차로 양이온 필터(11a)에서는 양 대전 이물을 제거시키게 되며, 3차로 음이온필터(11b)에서는 음 대전 이물을 제거시켜, 이온입자들을 완전히 제거하게 된다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 고안에 의한 반도체 웨이퍼의 세정장치는 웨이퍼를 세정하는 내조와, 그 내조의 둘레에 설치되는 외조와, 그 외조의 일측에 설치하여 상기 내조와 연결되도록 한 순환관과, 그 순환관의 일측에 설치한 펌프와, 상기 순환관의 타측에 설치한 이물제거필터부 및 이온제거필터부로 구성되어, 화학반응조의 정전기를 띤 입자를 이온제거필터에서 양, 음 대전입자를 제거시켜줌으로써, 반도체 제조공정중 발생하는 정전기적 이물을 억제하도록 한 효과가 있다.

Claims (2)

1. 웨이퍼를 세정하는 내조와, 그 내조의 둘레에 설치되는 외조와, 그 외조의 일측에 설치하여 상기 내조와 연결되도록 한 순환관과, 그 순환관의 일측에 설치한 펌프와, 상기 순환관의 타측에 설치한 이물제거필터부 및 이온제거필터부로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 세정장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 이온제거필터부는 이물제거필터를 통과하면서 큰이물이 제거된 세정액의 음이온 물질을 걸러내는 양이온필터와, 양이온 물질을 걸러내는 음이온필터로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 세정장치.