JPH07101681B2 - 半導体製造におけるウエハ洗浄装置 - Google Patents

半導体製造におけるウエハ洗浄装置

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JPH07101681B2
JPH07101681B2 JP61304651A JP30465186A JPH07101681B2 JP H07101681 B2 JPH07101681 B2 JP H07101681B2 JP 61304651 A JP61304651 A JP 61304651A JP 30465186 A JP30465186 A JP 30465186A JP H07101681 B2 JPH07101681 B2 JP H07101681B2
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JP
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wafer
cleaning tank
tank
chemical solution
filter
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隼明 福本
寿朗 大森
信美 服部
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は次に示すプロセス(総じて湿式洗浄プロセス
と呼ぶ)に関するものである。
イ)半導体製造工程において利用した被覆で不用となつ
たもの(レジスト、酸化被膜等)の除去、 ロ)金属塩、有機物、その他デバイスの特性を低下させ
るような異物の除去、 ハ)パターン形成時のエツチング。
〔従来の技術〕
第3図は従来の装置を示し、そのうち第3図(a)は正
面図、第3図(b)は側面図、第3図(c)は上面図で
ある。図において(1)はウエハ洗浄槽、(2)は洗浄
すべきウエハ、(3)はウエハを収納するウエハカセツ
ト、(4)はフイルタ、(5)は薬液循環ポンプ、
(6)はウエハカセツトを設置する底板を兼ね液流を層
流状態に保つための整流板、(8)はオーバフロー受槽
である。これらの装置のうち洗浄槽(1)、ウエハカセ
ツト(3)、フイルタ(4)、底板(6)をはじめと薬
液と接触する部分はすべて薬液に侵されることのないよ
うテフロン製、もしくはテフロンコーテイングされてい
る。
次に動作について説明する。
ウエハ洗浄槽(1)に薬液を満たし、ウエハカセツトに
収納したウエハをその薬液中に浸す。これにより、ウエ
ハ表面が薬液によつて侵食され、有害物、異物の除去ま
たは回路パターンの形成がなされる。この際、ウエハ表
面に付着していた各種の被膜片や異物が液中に移動す
る。それでこの薬液を循環させて、繰り返しウエハを洗
浄すると、薬液中に存在するようになつた膜片や異物
(以下、ウエハにとつて好ましくない物質という意味で
“ゴミ”と総称する)が再びウエハに付着し、製品に重
大な欠陥を生み出すことになる。そこで従来より、この
ような洗浄槽においては、絶えず薬液を循環ポンプで槽
外へ一旦導き、フイルタを通過させて、ゴミの除去を行
い、再び洗浄槽(1)に戻すという作業を行つてきた。
これにより、洗浄槽(1)中のゴミ濃度が低くおさえら
れて、ウエハ洗浄プロセスにおいてウエハにゴミが付着
するのを防いでいる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来のウエハ洗浄装置は以上のように循環ポンプおよび
フイルタが槽外に配置されているので、循環ポンプおよ
びフイルタ等と、その配管部の継ぎ目で温度ストレス、
圧力ストレスが掛り、その結果継ぎ目から液漏れの危険
性が生じる。さらに、漏れた薬液が周辺の装置に危害を
加え、重大な事故を発生させることも予想され、より安
全性の高い循環システムの開発が待たれていた。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、万が一循環系で液漏れが発生しても洗浄装置
外への絶対に液を流出させない構造の装置を得ることを
目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係るウエハ洗浄装置は、従来循環ポンプ、フ
イルタ等の薬液循環に係る装置を洗浄槽の外部に配置し
ていたのを今回、洗浄槽と同一の槽内に収め、薬液が洗
浄槽内から一切外部に出ていかないようにクローズド化
した。
〔作 用〕
循環ポンプ、フイルタ、配管を総て洗浄槽と同一の槽内
に配置することにより、循環系の内部と外部間で生じる
温度ストレス、圧力ストレスを激減することができる。
そのため、ストレスによる循環系の継ぎ目から薬液のリ
ークがなくなる。さらに万が一、薬液が循環系から外部
に漏れ出たとしても、洗浄槽内を拡散するのみで、外部
へは一切漏れない。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を第1図および第2図を参照
して説明する。図において(1)はウエハの洗浄槽であ
り、この槽の中に各プロセス(前記イ、ロ、ハ項)に見
合つた薬液(酸、アルカリ、純水等)を入れ、処理すべ
きウエハ(2)の入つたウエハカセツト(3)をこの槽
に浸す。これにより、ウエハ(2)は薬液により処理さ
れ、清浄なウエハを得ることが出来る(以上、従来装置
と同じ)。フイルタ(4)は槽内の薬液を過し、洗浄
作業中に薬液に移動したゴミを除去するものである。フ
イルタ(4)への薬液の送り込みおよび洗浄槽への送り
出し(要するに循環)は循環ポンプ(5)で行われる。
そして第2図よりわかるように循環ポンプ、フイルタ、
循環のための配管はすべて洗浄槽内に配置してある。か
くして従来技術と全く同様の作用、動作によりウエハの
洗浄および薬液の循環が行われるが、この発明における
改良点は循環ポンプ、フイルタ、それに係る配管等をす
べてウエハ洗浄槽(1)内に配置し、さらに、薬液に接
触する部分をすべてテフロンコーテイングすることによ
り薬液による腐食を防いだことである。
以上、この発明の本質であるところの薬液の循環につい
て説明する。洗浄槽上部よりオーバフローした薬液は循
環系入口(7)より循環ポンプ(5)を経由して、フイ
ルタ(4)に導かれ、薬液が過される。過された薬
液は再び、槽の下部より洗浄槽に戻される。この発明の
本質はこれら循環がすべて洗浄槽(1)という単一の槽
内で行われているということである。このため、万が一
循環系のどこかで薬液のリークが生じても、決して洗浄
槽(1)の外側へ薬液が漏れる心配はないのである。
なお、この発明は半導体製造におけるウエハ洗浄に限定
されることなく、循環方式により液処理する場合にも利
用できることは明らかである。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、循環系の各装置、配管
を洗浄槽と同一槽内に配置したので薬液リークの危険性
がなくなり、安全策や他の装置の配置面で非常に有意な
ものである。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明による実施例を示し、そのうち第1図
(a)は正面図、第1図(b)は側面図、第1図(c)
は上面図を示す。 第2図は第1図の実施例の内部をカセツト投入時の状態
で示し、そのうち第2図(a)は第1図(a)の断面線
II(a)−II(a)に沿つた正面断面図、第2図(b)
は第1図(c)の断面線II(b)−II(b)に沿つた側
面断面図、第2図(c)は第2図の断面線II(c)−II
(c)に沿つた上面断面図である。 第3図は従来装置を示し、第3図(a)は一部断面の正
面図、第3図(b)は一部断面の側面図、第3図(c)
は上面図である。 図面において、(1)はウエハ洗浄槽、(2)はウエ
ハ、(3)はウエハカセツト、(4)はフイルタ、
(5)は循環ポンプ、(6)は底板兼整流板、(7)は
循環系入口を示す。 なお、各図中同一符号は同一部材、または相当部分を示
す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 服部 信美 兵庫県伊丹市瑞原4丁目1番地 三菱電機 株式会社エル・エス・アイ研究所内 (56)参考文献 特開 昭61−164226(JP,A) 実開 昭58−58884(JP,U)

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】底板兼整流板により上下に分かれた二つの
    室を有する洗浄槽内に前記底板兼整流板へ多数枚の半導
    体ウエハを置き、前記底板兼整流板を通って循環する薬
    液により半導体ウエハを洗浄するようになしたウエハ洗
    浄装置において、 循環ポンプ、フィルタ、配管など薬液の循環を達成する
    系すべてを前記洗浄槽内にかつ前記底板兼整流板より下
    方の室内に前記薬液に直接浸す状態で配置したことを特
    徴とする半導体製造におけるウエハ洗浄装置。
  2. 【請求項2】洗浄槽内に配置される循環ポンプ、フィル
    タ、配管等はすべてテフロンコーティングされている特
    許請求の範囲第(1)項記載のウエハ洗浄装置。
JP61304651A 1986-12-19 1986-12-19 半導体製造におけるウエハ洗浄装置 Expired - Lifetime JPH07101681B2 (ja)

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JPS63156323A JPS63156323A (ja) 1988-06-29
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JPS61164226A (ja) * 1985-01-17 1986-07-24 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体ウエ−ハ洗浄装置

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