KR19990013611U - 반도체 웨이퍼 세정장치 - Google Patents

Abstract

본 고안은 반도체 웨이퍼 세정장치에 관한 것으로, 종래에는 이온 주입 공정에 의해 웨이퍼 표면에 잔류하게 되는 이온 성분들이 순환라인에 의해 재순환되어 베스로 유입되고 이 이온들에 의해 웨이퍼가 오염될 수 있는 문제점이 있었던바, 본 고안의 반도체 웨이퍼 세정장치는 이온 성분들을 제거할 수 있는 이온제거필터를 순환라인에 장착하여 고품질의 반도체 웨이퍼를 생산할 수 있게 한 것이다.

Description

반도체 웨이퍼 세정장치

본 고안은 반도체 제조장치에 관한 것으로, 특히 반도체 제조공정 중 웨이퍼를 세정하는 장치에 관한 것이다.

일반적으로 웨이퍼를 세정하는 웨트 스테이션(wet-station) 장치는 웨이퍼의 세정을 위한 케미칼(chemical)이 담겨있는 케미칼 베스(bath)와, 이 케미칼 베스를 거친 후 웨이퍼가 담겨지는 핫 디아이 워터 베스(hot DI water bath)와, 상온 디아이 워터 베스와, 진공 드라이어(vapor dryer) 등으로 구성되어 있으며, 웨이퍼는 이 베스들을 순서대로 거친 후 진공 드라이어에서 건조되어 웨트 스테이션 장치 밖으로 나오게 된다.

상기 케미칼 베스가 설치되는 종래의 반도체 웨이퍼 세정장치는, 도 1에 도시한 바와 같이, 케미칼(1)이 담겨있는 베스(2)와, 이 베스(2)에 담겨있는 케미칼(1)을 순환시키기 위해 설치되는 순환라인(line)(3)과, 이 순환라인(3)에 설치되어 케미칼(1)에 포함되어 있는 이물질을 제거하기 위한 필터(4)를 포함하여 구성된다.

도면중 부호 P는 상기 순환라인(3)에 설치되어 있는 펌프(pump)이며, D는 댐퍼(damper)이고, H는 히터(heater)이다.

상기와 같은 구성의 반도체 웨이퍼 세정장치의 작용을 설명하면 다음과 같다.

상기 베스(2)에 세정하고자 하는 웨이퍼가 투입되면 웨이퍼에 묻은 파티클(particle)과 기타 불순물들이 케미칼(1)에 의해 제거되어 웨이퍼 세정공정이 시작된다.

이 베스(2)에는 순환라인(3)이 설치되어 있어 베스(2) 내 케미칼(1)을 순환시킨다.

상기 순환라인(3)을 설치해 놓은 이유는 케미칼(1)의 사용을 절감하기 위해서이며, 베스(2)에 담겨진 케미칼(1)에 의해 세정작업이 시작되면 베스(2) 내에는 파티클과 기타 불순물이 케미칼(1)과 혼합되어 잔존하게 되는데 이러한 불순물들은 케미칼(1)과 같이 상기 순환라인(3)을 흐르게 된다.

상기 순환라인(3)에는 필터(4)가 설치되어 있으므로 상기와 같이 케미칼(1)에 혼합된 불순물은 이 필터(4)에 의해 걸러지게 되어 베스(2) 내로 재유입되는 것을 막으므로, 상기 베스(2)로 유입되는 케미칼(1) 내에는 파티클 및 불순물이 포함되어 있지 않게 된다.

그러나, 상기와 같은 종래의 반도체 웨이퍼 세정장치를 이용하여 웨이퍼를 세정하는 공정은 반도체 제조 공정상 웨이퍼에 이온을 주입하는 이온 주입 공정 후 있는 것으로서, 이온 주입 공정에 의해 웨이퍼 표면에 잔류하게 되는 이온 성분들이 종래의 반도체 웨이퍼 세정장치를 통하여 세정할 때 케미칼(1)에 의해 웨이퍼에서 제거되고 이때 제거된 이온 성분들은 케미칼(1)과 함께 순환라인(3)을 순환하지만, 이 이온성분들은 상기 필터(4)로 제거할 수 없으므로 다음 순서로 베스(2)에 투입되는 웨이퍼가 이 이온들에 의해 오염될 수 있는 문제점이 있었던바, 이에 대한 보완이 요구되어 왔다.

따라서, 본 고안은 상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 것으로서, 순환라인을 흐르는 케미칼에서 이온 성분들을 제거하여 고품질의 반도체 웨이퍼를 생산할 수 있는 반도체 웨이퍼 세정장치를 제공하는데 그 목적이 있다.

도 1은 종래의 반도체 웨이퍼 세정장치의 구성을 개략적으로 도시한 도.

도 2는 본 고안의 반도체 웨이퍼 세정장치의 구성을 개략적으로 도시한 도.

(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)

1; 케미칼 2; 베스

3; 순환라인 4; 이물제거필터

10; 이온제거필터 P; 펌프

D; 댐퍼 H; 히터

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 고안은 세정액이 담겨있는 베스와, 이 베스에 담겨있는 세정액을 순환시키기 위해 설치되는 순환라인과, 이 순환라인에 설치되어 세정액에 포함되어 있는 이물을 제거하기 위한 이물제거필터와, 웨이퍼의 표면에 잔류하는 이온성분을 걸러내기 위해 상기 순환라인에 설치되는 이온제거필터를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정장치가 제공된다.

상기 이온제거필터는 역삼투압 방식으로 이온을 제거하는 것을 특징으로 한다.

이하, 본 고안의 반도체 웨이퍼 세정장치의 일실시예를 첨부한 도면을 참조로 하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

본 고안의 반도체 웨이퍼 세정장치는, 도 2에 도시한 바와 같이, 케미칼(1)이 담겨있는 베스(2)와, 이 베스(2)에 담겨있는 케미칼(1)을 순환시키기 위해 설치되는 순환라인(3)과, 이 순환라인(3)에 설치되어 케미칼(1)에 포함되어 있는 이물을 제거하기 위한 이물제거필터(4)와, 웨이퍼의 표면에 잔류하는 이온성분을 걸러내기 위해 상기 순환라인(3)에 설치되는 이온제거필터(10)를 포함하여 구성된다.

상기 순환라인(3)에는 종래의 기술과 마찬가지로 펌프(P)와 댐퍼(D), 히터(H)가 설치되어 있다.

상기 이온제거필터(10)는 반투막을 이용한 역삼투압 방식인 것이 바람직하다.

상기와 같은 구성의 반도체 웨이퍼 세정장치의 작용을 설명하면 다음과 같다.

상기 베스(2)에 세정하고자 하는 웨이퍼가 투입되면 웨이퍼에 묻은 파티클(particle)과 기타 불순물들이 케미칼(1)에 의해 제거되어 웨이퍼 세정공정이 시작된다.

이 베스(2)에는 순환라인(3)이 설치되어 있어 베스(2) 내 케미칼(1)을 순환시킨다.

상기 순환라인(3)에는 이물제거필터(4)가 설치되어 있으므로 케미칼(1)에 혼합된 불순물은 이 필터(4)에 의해 걸러지게 되어 베스(2) 내로 재유입되는 것을 방지할 수 있다.

본 고안의 반도체 웨이퍼 세정장치는 세정공정 전 이온 주입 공정에서 웨이퍼 표면에 잔류하게 되는 이온 성분을 제거할 수 있는 이온제거필터(10)가 순환라인(3)에 설치되어 있으므로 종래의 기술에서와 같이 케미칼(1)내에 혼합되어 있는 불순물 뿐만 아니라 이온성분을 거를 수 있게 되어 베스(2)로 이온성분이 재유입되는 것을 방지하게 된다.

따라서, 다음 순서로 베스(2)에 투입되는 웨이퍼의 이온에 의한 오염을 막을 수 있다.

본 고안의 반도체 웨이퍼 세정장치에 의하면 케미칼이 순환하는 순환라인에 이온성분을 제거할 수 있는 필터를 설치하여 이온에 의한 웨이퍼의 오염을 방지하여 고품질의 반도체 웨이퍼를 생산할 수 있는 효과가 있다.

Claims (2)

1. 세정액이 담겨있는 베스와, 이 베스에 담겨있는 세정액을 순환시키기 위해 설치되는 순환라인과, 이 순환라인에 설치되어 세정액에 포함되어 있는 이물을 제거하기 위한 이물제거필터와, 웨이퍼의 표면에 잔류하는 이온성분을 걸러내기 위해 상기 순환라인에 설치되는 이온제거필터를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정장치.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 이온제거필터는 역삼투압 방식으로 이온을 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정장치.