JP2002119964A - 半導体製造工程における排水循環システム - Google Patents
半導体製造工程における排水循環システムInfo
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体製造工程の排水から各種イオンを取り
除いた水を循環させて再利用する場合に、フィルタのろ
過効果を長期に亘って維持し、循環した水の純度を高め
ると共に、フィルタ自体の寿命を延ばすことである。 【解決手段】 半導体を製造する際の排水をろ過するセ
ラミックフィルタ装置４と、ろ過された排水の中に含ま
れる陰イオンを取り除くイオン交換装置６とを備える。
除いた水を循環させて再利用する場合に、フィルタのろ
過効果を長期に亘って維持し、循環した水の純度を高め
ると共に、フィルタ自体の寿命を延ばすことである。 【解決手段】 半導体を製造する際の排水をろ過するセ
ラミックフィルタ装置４と、ろ過された排水の中に含ま
れる陰イオンを取り除くイオン交換装置６とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体を製造する
際に生ずる排水を再利用するための排水循環システムに
関する。
際に生ずる排水を再利用するための排水循環システムに
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の製造工程において、表面に電子
回路が形成されている半導体ウエハに対して、その裏面
を機械的に研削するバックグラインディング工程が設け
られる。この工程ではテーブルに半導体ウエハの表面側
を真空吸着し、研削面に水を供給しながら砥石によって
研削していくが、研削した後の排水を再生して利用する
ための排水循環システムが設けられている。
回路が形成されている半導体ウエハに対して、その裏面
を機械的に研削するバックグラインディング工程が設け
られる。この工程ではテーブルに半導体ウエハの表面側
を真空吸着し、研削面に水を供給しながら砥石によって
研削していくが、研削した後の排水を再生して利用する
ための排水循環システムが設けられている。
【０００３】従来、この種の排水循環システムは、濾紙
や濾布を用いたフィルタによって排水をろ過し、固形物
を取り除いた後の水を循環して再利用するものが一般的
であった。
や濾布を用いたフィルタによって排水をろ過し、固形物
を取り除いた後の水を循環して再利用するものが一般的
であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体材料
としてシリコンのように比較的脆い性質のものを使用す
る場合には、切削した後のカスが微粉状になり易いの
で、フィルタを傷付けることが少ないが、半導体材料と
してガリウムヒ素を用いる場合には、研削した後のカス
が比較的大きく全体的に尖っていると考えられるため、
濾紙や濾布を用いたフィルタでは研削カスでフィルタを
傷付けてしまい、ろ過効果が低下すると共にフィルタの
寿命を縮めるおそれがあった。また、上記のフィルタの
みでは排水中に含まれる亜ヒ酸やヒ酸を十分に取り除く
こともできなかった。なお、上記問題はバックグライン
ディング工程における研削加工時のみならず、ダイシン
グ工程における切削加工時においても同様である。
としてシリコンのように比較的脆い性質のものを使用す
る場合には、切削した後のカスが微粉状になり易いの
で、フィルタを傷付けることが少ないが、半導体材料と
してガリウムヒ素を用いる場合には、研削した後のカス
が比較的大きく全体的に尖っていると考えられるため、
濾紙や濾布を用いたフィルタでは研削カスでフィルタを
傷付けてしまい、ろ過効果が低下すると共にフィルタの
寿命を縮めるおそれがあった。また、上記のフィルタの
みでは排水中に含まれる亜ヒ酸やヒ酸を十分に取り除く
こともできなかった。なお、上記問題はバックグライン
ディング工程における研削加工時のみならず、ダイシン
グ工程における切削加工時においても同様である。
【０００５】そこで、本発明の目的は、フィルタのろ過
効果を長期に亘って維持し、循環した水の純度を高める
と共に、フィルタ自体の寿命を延ばすことである。
効果を長期に亘って維持し、循環した水の純度を高める
と共に、フィルタ自体の寿命を延ばすことである。
【０００６】また、本発明の他の目的は、排水中に含ま
れる亜ヒ酸やヒ酸などの陰イオンを循環する間に十分に
取り除けるようにすることである。
れる亜ヒ酸やヒ酸などの陰イオンを循環する間に十分に
取り除けるようにすることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明に係る半導体製造工程における排水循環シス
テムは、半導体を製造する際の排水をろ過するセラミッ
クフィルタと、ろ過された排水の中に含まれる陰イオン
を取り除くイオン交換樹脂とを備えたことを特徴とす
る。
に、本発明に係る半導体製造工程における排水循環シス
テムは、半導体を製造する際の排水をろ過するセラミッ
クフィルタと、ろ過された排水の中に含まれる陰イオン
を取り除くイオン交換樹脂とを備えたことを特徴とす
る。
【０００８】この発明によれば、セラミックフィルタに
よって排水中に分散している金属固形物が取り除かれ、
またイオン交換樹脂によって排水中に溶けている陰イオ
ンが取り除かれる。セラミックフィルタを用いること
で、ろ過性能が長期に亘って維持され、循環した水の純
度を高めることができる。また、フィルタを再生できる
のでフィルタ自体の寿命も延ばすことができる。さら
に、陰イオンを取り除くことで、水の純度と共に安全性
を高めることができる。
よって排水中に分散している金属固形物が取り除かれ、
またイオン交換樹脂によって排水中に溶けている陰イオ
ンが取り除かれる。セラミックフィルタを用いること
で、ろ過性能が長期に亘って維持され、循環した水の純
度を高めることができる。また、フィルタを再生できる
のでフィルタ自体の寿命も延ばすことができる。さら
に、陰イオンを取り除くことで、水の純度と共に安全性
を高めることができる。
【０００９】また、請求項２の発明は、請求項１記載の
半導体製造工程における排水循環システムにおいて、前
記半導体がガリウムヒ素化合物半導体であることを特徴
とする。
半導体製造工程における排水循環システムにおいて、前
記半導体がガリウムヒ素化合物半導体であることを特徴
とする。
【００１０】また、請求項３の発明は、請求項１記載の
半導体製造工程における排水循環システムにおいて、前
記陰イオンが亜ヒ酸イオン及び／又はヒ酸イオンである
ことを特徴とする。
半導体製造工程における排水循環システムにおいて、前
記陰イオンが亜ヒ酸イオン及び／又はヒ酸イオンである
ことを特徴とする。
【００１１】請求項２及３の発明によれば、ガリウムヒ
素化合物半導体の製造工程にあって、排水中に溶け出し
た亜ヒ酸イオン及び／又はヒ酸イオンをイオン交換樹脂
によって取り除くことができるので、排水を循環させて
加工時の洗浄水や切削水として再使用するときの安全性
が高いものとなる。
素化合物半導体の製造工程にあって、排水中に溶け出し
た亜ヒ酸イオン及び／又はヒ酸イオンをイオン交換樹脂
によって取り除くことができるので、排水を循環させて
加工時の洗浄水や切削水として再使用するときの安全性
が高いものとなる。
【００１２】また、請求項４の発明は、請求項１記載の
半導体製造工程における排水循環システムにおいて、前
記セラミックフィルタでろ過された排水に、水を補給す
ることを特徴とする。
半導体製造工程における排水循環システムにおいて、前
記セラミックフィルタでろ過された排水に、水を補給す
ることを特徴とする。
【００１３】この発明によれば、ろ過された後の排水に
適当量の水を補給することによって、これを加工時の洗
浄水や切削水として再利用することが可能である。
適当量の水を補給することによって、これを加工時の洗
浄水や切削水として再利用することが可能である。
【００１４】また、請求項５の発明は、請求項１記載の
半導体製造工程における排水循環システムにおいて、前
記イオン交換体の下流側に、二酸化炭素吹込装置を設け
たことを特徴とする。
半導体製造工程における排水循環システムにおいて、前
記イオン交換体の下流側に、二酸化炭素吹込装置を設け
たことを特徴とする。
【００１５】この発明によれば、セラミックフィルタや
イオン交換樹脂を通すことによってクリーンとなった排
水の純度が高くなりすぎるのを調整して、加工時の洗浄
水や切削水として最適な純度に保つことができる。
イオン交換樹脂を通すことによってクリーンとなった排
水の純度が高くなりすぎるのを調整して、加工時の洗浄
水や切削水として最適な純度に保つことができる。
【００１６】本発明の半導体製造工程における排水循環
システムは、ガリウムヒ素化合物半導体のウエハを研削
したり、ダイシングした時の排水を処理する場合に特に
有効となるが、それ以外にシリコンやセレン、ゲルマニ
ウムなどの酸化物半導体を用いた場合にも適用される。
システムは、ガリウムヒ素化合物半導体のウエハを研削
したり、ダイシングした時の排水を処理する場合に特に
有効となるが、それ以外にシリコンやセレン、ゲルマニ
ウムなどの酸化物半導体を用いた場合にも適用される。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて本発明
に係る半導体製造工程における排水循環システムについ
て、その実施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明
に係る排水循環システムの概念を示したものであり、半
導体製造装置１の下流側には沈殿槽２、ダーティタンク
３、セラミックフィルタ装置４、クリーンタンク５、イ
オン交換装置６、二酸化炭素を吹き込むためのバブラー
７がこの順序で配設され、恒温槽８ａ，８ｂで所定温度
に調整された後、再び半導体製造装置１に戻る循環路を
形成している。
に係る半導体製造工程における排水循環システムについ
て、その実施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明
に係る排水循環システムの概念を示したものであり、半
導体製造装置１の下流側には沈殿槽２、ダーティタンク
３、セラミックフィルタ装置４、クリーンタンク５、イ
オン交換装置６、二酸化炭素を吹き込むためのバブラー
７がこの順序で配設され、恒温槽８ａ，８ｂで所定温度
に調整された後、再び半導体製造装置１に戻る循環路を
形成している。
【００１８】この実施形態において、上記半導体製造装
置１は、ガリウムヒ素化合物半導体のウエハの裏面を研
削するためのバックグラインディング装置１ａと、回路
形成が完了した後のウエハをチップ毎に切断するための
ダイシング装置１ｂとからなり、それぞれが恒温槽８
ａ，８ｂを備えて並列に接続されている。
置１は、ガリウムヒ素化合物半導体のウエハの裏面を研
削するためのバックグラインディング装置１ａと、回路
形成が完了した後のウエハをチップ毎に切断するための
ダイシング装置１ｂとからなり、それぞれが恒温槽８
ａ，８ｂを備えて並列に接続されている。
【００１９】上記バックグラインディング装置１ａ及び
ダイシング装置１ｂで処理された排水は、ポンプＰ１に
よって先ず沈殿槽２に送り込まれ、そこで排水中に含ま
れているガリウムヒ素の割合に大きな固形物、その他の
固形物を沈殿させる。沈殿した固形物の汚泥は、産業廃
棄物として定期的に処理される。沈殿槽２の上澄み液は
ポンプＰ２によってダーティタンク３内に送り込まれ、
ここで流量調整を受けながらセラミックフィルタ装置４
にポンプＰ３で送り込まれる。
ダイシング装置１ｂで処理された排水は、ポンプＰ１に
よって先ず沈殿槽２に送り込まれ、そこで排水中に含ま
れているガリウムヒ素の割合に大きな固形物、その他の
固形物を沈殿させる。沈殿した固形物の汚泥は、産業廃
棄物として定期的に処理される。沈殿槽２の上澄み液は
ポンプＰ２によってダーティタンク３内に送り込まれ、
ここで流量調整を受けながらセラミックフィルタ装置４
にポンプＰ３で送り込まれる。
【００２０】上記セラミックフィルタ装置４は、一対の
フィルタモジュール４ａ，４ｂによって構成される。フ
ィルタモジュール４ａ，４ｂの各エレメントは、耐薬品
性および耐熱性に優れたアルミナ質セラミックスによっ
てハニカム形状に形成されており、フィルタ表面に細孔
が分布している。第１のフィルタモジュール４ａと第２
のフィルタモジュール４ｂとは下端部で連通しており、
第１のフィルタモジュール４ａでろ過された後の残りの
排水が、下端部から第２のフィルタモジュール４ｂ内に
導かれ、ここで再びろ過される。また、第１及び第２の
フィルタモジュール４ａ，４ｂの各上端には、ダーティ
タンク３から延びる配管１０ａ，１０ｂが接続されてい
るが、一方の配管１０ａは、ダーティタンク３から第１
のフィルタモジュール４ａに排水を供給するためのも
の、他方の配管１０ｂは、第２のフィルタモジュール４
ｂからダーティタンク３に排水を戻すためのものであ
る。また、第１及び第２のフィルタモジュール４ａ，４
ｂの側面にはクリーンタンク５に延びる配管１０ｃが接
続されている。
フィルタモジュール４ａ，４ｂによって構成される。フ
ィルタモジュール４ａ，４ｂの各エレメントは、耐薬品
性および耐熱性に優れたアルミナ質セラミックスによっ
てハニカム形状に形成されており、フィルタ表面に細孔
が分布している。第１のフィルタモジュール４ａと第２
のフィルタモジュール４ｂとは下端部で連通しており、
第１のフィルタモジュール４ａでろ過された後の残りの
排水が、下端部から第２のフィルタモジュール４ｂ内に
導かれ、ここで再びろ過される。また、第１及び第２の
フィルタモジュール４ａ，４ｂの各上端には、ダーティ
タンク３から延びる配管１０ａ，１０ｂが接続されてい
るが、一方の配管１０ａは、ダーティタンク３から第１
のフィルタモジュール４ａに排水を供給するためのも
の、他方の配管１０ｂは、第２のフィルタモジュール４
ｂからダーティタンク３に排水を戻すためのものであ
る。また、第１及び第２のフィルタモジュール４ａ，４
ｂの側面にはクリーンタンク５に延びる配管１０ｃが接
続されている。
【００２１】したがって、ダーティタンク３からポンプ
Ｐ３によって第１のフィルタモジュール４ａに導かれた
排水はセラミックスフィルタの表面で固形物が捕捉さ
れ、ろ過されたクリーンな水はセラミックスフィルタの
側面から流出し、配管１０ｃを通じてクリーンタンク５
へと導かれる。一方、残りの排水は、第１のフィルタモ
ジュール４ａの下端部から第２のフィルタモジュール４
ｂ内に導かれる。第２のフィルタモジュール４ｂ内でも
同様のろ過が行われ、クリーンな水は側面から流出し、
配管１０ｃを通じてクリーンタンク５に導かれる。残り
の排水は、第２のフィルタモジュール４ｂの上端部から
配管１０ｂを通ってダーティタンク３内に戻され、再び
第１のフィルタモジュール４ａに送り込まれる。なお、
０．２μｍ以上の固形物を捕捉できるようセラミックス
フィルタの細孔を選択することで、大部分のガリウムヒ
素の固形物を取り除くことができる。
Ｐ３によって第１のフィルタモジュール４ａに導かれた
排水はセラミックスフィルタの表面で固形物が捕捉さ
れ、ろ過されたクリーンな水はセラミックスフィルタの
側面から流出し、配管１０ｃを通じてクリーンタンク５
へと導かれる。一方、残りの排水は、第１のフィルタモ
ジュール４ａの下端部から第２のフィルタモジュール４
ｂ内に導かれる。第２のフィルタモジュール４ｂ内でも
同様のろ過が行われ、クリーンな水は側面から流出し、
配管１０ｃを通じてクリーンタンク５に導かれる。残り
の排水は、第２のフィルタモジュール４ｂの上端部から
配管１０ｂを通ってダーティタンク３内に戻され、再び
第１のフィルタモジュール４ａに送り込まれる。なお、
０．２μｍ以上の固形物を捕捉できるようセラミックス
フィルタの細孔を選択することで、大部分のガリウムヒ
素の固形物を取り除くことができる。
【００２２】このようにして、排水がダーティタンク３
とセラミックフィルタ装置４との間で循環を繰り返して
いくと、ダーティタンク３内の排水は徐々に濃縮されて
いく。そして、この濃縮液は定量排出弁１１を介して濃
縮タンク１２内に一旦貯留され、産廃業者によって定期
的に処理される。また、セラミックフィルタの細孔もガ
リウムヒ素などの固形物で次第に詰まってくるので、定
期的に洗浄して再生する必要がある。この再生ではクリ
ーンタンク５内の液を使って逆洗・フラッシングして再
生することができる。この再生によってセラミックフィ
ルタの寿命が格段に延びると共に、フィルタのろ過性能
を低下させずに保持することができる。
とセラミックフィルタ装置４との間で循環を繰り返して
いくと、ダーティタンク３内の排水は徐々に濃縮されて
いく。そして、この濃縮液は定量排出弁１１を介して濃
縮タンク１２内に一旦貯留され、産廃業者によって定期
的に処理される。また、セラミックフィルタの細孔もガ
リウムヒ素などの固形物で次第に詰まってくるので、定
期的に洗浄して再生する必要がある。この再生ではクリ
ーンタンク５内の液を使って逆洗・フラッシングして再
生することができる。この再生によってセラミックフィ
ルタの寿命が格段に延びると共に、フィルタのろ過性能
を低下させずに保持することができる。
【００２３】上述したように、クリーンタンク５内に導
かれたろ過後の排水中には、０．２μｍ以上のガリウム
ヒ素化合物の固形物は取り除かれれているが、ガリウム
ヒ素化合物がイオン化した状態で水の中に溶けている場
合がある。即ち、ガリウムヒ素化合物は、水の中で以下
のように反応して陰イオンを生じさせる。（反応式）
ＧａＡｓ＋３Ｈ2Ｏ＝Ｇａ(ＯＨ)3＋ＡｓＨ3そして、反
応生成物であるＡｓＨ3は、水中でＨ3ＡｓＯ3（亜ヒ
酸）、一部はＨ3ＡｓＯ4（ヒ酸）となる。さらに、Ｈ3
ＡｓＯ3（亜ヒ酸）は、中性からアルカリ性において、
ＡＳＯ3３−，ＨＡＳＯ3２−，Ｈ2ＡＳＯ3−の亜ヒ酸イ
オンに分解する。一方、Ｈ3ＡｓＯ4（ヒ酸）は、中性か
らアルカリ性において、ＡｓＯ4 ３−，ＨＡｓＯ4２−，
Ｈ2ＡｓＯ4−のヒ酸イオンに分解する。このように、ク
リーンタンク５内の排水中にはこれらの陰イオンが残っ
ているので、次工程のイオン交換装置６によってこれら
の陰イオンを取り除く必要がある。なお、次工程へ送り
出す前にクリーンタンク５内の排水に適当量の純水を補
給することで濃度を一定に保つ。
かれたろ過後の排水中には、０．２μｍ以上のガリウム
ヒ素化合物の固形物は取り除かれれているが、ガリウム
ヒ素化合物がイオン化した状態で水の中に溶けている場
合がある。即ち、ガリウムヒ素化合物は、水の中で以下
のように反応して陰イオンを生じさせる。（反応式）
ＧａＡｓ＋３Ｈ2Ｏ＝Ｇａ(ＯＨ)3＋ＡｓＨ3そして、反
応生成物であるＡｓＨ3は、水中でＨ3ＡｓＯ3（亜ヒ
酸）、一部はＨ3ＡｓＯ4（ヒ酸）となる。さらに、Ｈ3
ＡｓＯ3（亜ヒ酸）は、中性からアルカリ性において、
ＡＳＯ3３−，ＨＡＳＯ3２−，Ｈ2ＡＳＯ3−の亜ヒ酸イ
オンに分解する。一方、Ｈ3ＡｓＯ4（ヒ酸）は、中性か
らアルカリ性において、ＡｓＯ4 ３−，ＨＡｓＯ4２−，
Ｈ2ＡｓＯ4−のヒ酸イオンに分解する。このように、ク
リーンタンク５内の排水中にはこれらの陰イオンが残っ
ているので、次工程のイオン交換装置６によってこれら
の陰イオンを取り除く必要がある。なお、次工程へ送り
出す前にクリーンタンク５内の排水に適当量の純水を補
給することで濃度を一定に保つ。
【００２４】イオン交換装置６の内部にはイオン交換樹
脂が充填されており、クリーンタンク５からポンプＰ４
によって導かれた排水をイオン交換樹脂の中に通す。イ
オン交換樹脂の中を通過しながら、排水中の陰イオンが
交換的に取り除かれる。主に陰イオンの除去を目的とす
ることからアニオン交換樹脂が好ましいが、カチオン交
換樹脂を組み合わせたものでも利用することができる。
脂が充填されており、クリーンタンク５からポンプＰ４
によって導かれた排水をイオン交換樹脂の中に通す。イ
オン交換樹脂の中を通過しながら、排水中の陰イオンが
交換的に取り除かれる。主に陰イオンの除去を目的とす
ることからアニオン交換樹脂が好ましいが、カチオン交
換樹脂を組み合わせたものでも利用することができる。
【００２５】上記イオン交換装置６を通過した後に、水
の中に含まれるイオン量を測定することで水の純度を管
理する。具体的には水の比抵抗を測定するものであり、
イオン交換装置６を通過した後の水の中に電極を入れ、
電極の両端に微弱電圧を加え流れる電流を測定すること
により比抵抗を求める。
の中に含まれるイオン量を測定することで水の純度を管
理する。具体的には水の比抵抗を測定するものであり、
イオン交換装置６を通過した後の水の中に電極を入れ、
電極の両端に微弱電圧を加え流れる電流を測定すること
により比抵抗を求める。
【００２６】また、この実施形態では上記イオン量を測
定した後の水をバブラー７の中に通す。バブラー７の中
で適当量の二酸化炭素を吹き込むことで水の純度を下げ
る。吹込量は、上記イオン量の測定結果などに基づく。
洗浄水の純度が高くなりすぎると、半導体が静電破壊を
起こす原因となるからである。バブラー７を通過した水
は、それぞれの恒温槽８ａ，８ｂに戻し、温度調整など
をしてから再びバックグラインダ用の研削水やダイシン
グ用の切削水として利用される。
定した後の水をバブラー７の中に通す。バブラー７の中
で適当量の二酸化炭素を吹き込むことで水の純度を下げ
る。吹込量は、上記イオン量の測定結果などに基づく。
洗浄水の純度が高くなりすぎると、半導体が静電破壊を
起こす原因となるからである。バブラー７を通過した水
は、それぞれの恒温槽８ａ，８ｂに戻し、温度調整など
をしてから再びバックグラインダ用の研削水やダイシン
グ用の切削水として利用される。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体製造工程における排水循環システムによれば、半導体
を製造する際の排水をろ過するセラミックフィルタと、
ろ過された排水の中に含まれる陰イオンを取り除くイオ
ン交換樹脂とを備えたので、セラミックフィルタによっ
て排水中に分散している金属固形物を効果的に除去し、
またイオン交換樹脂によって排水中に溶けている陰イオ
ンを取り除くことで、循環水の純度を上げることができ
ると共に、安全性の高い循環水を得ることができる。ま
た、セラミックフィルタを用いたことで、ガリウムヒ素
化合物半導体の製造工程においても、所定のろ過性能を
長期に亘って維持できると共に、フィルタの再生が可能
となりフィルタ寿命を格段に延ばすことができる。
体製造工程における排水循環システムによれば、半導体
を製造する際の排水をろ過するセラミックフィルタと、
ろ過された排水の中に含まれる陰イオンを取り除くイオ
ン交換樹脂とを備えたので、セラミックフィルタによっ
て排水中に分散している金属固形物を効果的に除去し、
またイオン交換樹脂によって排水中に溶けている陰イオ
ンを取り除くことで、循環水の純度を上げることができ
ると共に、安全性の高い循環水を得ることができる。ま
た、セラミックフィルタを用いたことで、ガリウムヒ素
化合物半導体の製造工程においても、所定のろ過性能を
長期に亘って維持できると共に、フィルタの再生が可能
となりフィルタ寿命を格段に延ばすことができる。
【図１】本発明に係る半導体製造工程における排水循環
システムの概要図である。
システムの概要図である。
１ 半導体製造装置 ２ 沈殿槽 ３ ダーティタンク ４ セラミックフィルタ装置 ５ クリーンタンク ６ イオン交換装置 ７ バブラー ８ 恒温槽
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４８ Ｃ０２Ｆ 1/00 Ｌ // Ｃ０２Ｆ 1/00 Ｂ０１Ｄ 35/02 Ｚ (72)発明者 古屋 貴志 山梨県塩山市下於曽596番地 株式会社塩 山製作所内 Ｆターム(参考） 3C047 FF08 GG13 4D019 AA03 BA05 BB01 CA01 4D025 AA09 AB14 AB24 BA08 BA13 DA10 4D064 AA31
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体を製造する際の排水をろ過するセ
ラミックフィルタと、ろ過された排水の中に含まれる陰
イオンを取り除くイオン交換樹脂とを備えたことを特徴
とする半導体製造工程における排水循環システム。 - 【請求項２】 前記半導体がガリウムヒ素化合物半導体
であることを特徴とする請求項１記載の半導体製造工程
における排水循環システム。 - 【請求項３】 前記陰イオンが亜ヒ酸イオン及び／又は
ヒ酸イオンであることを特徴とする請求項１記載の半導
体製造工程における排水循環システム。 - 【請求項４】 前記セラミックフィルタでろ過された排
水に、水を補給することを特徴とする請求項１記載の半
導体製造工程における排水循環システム。 - 【請求項５】 前記イオン交換樹脂の下流側に、二酸化
炭素吹込装置を設けたことを特徴とする請求項１記載の
半導体製造工程における排水循環システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000313041A JP2002119964A (ja) | 2000-10-13 | 2000-10-13 | 半導体製造工程における排水循環システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000313041A JP2002119964A (ja) | 2000-10-13 | 2000-10-13 | 半導体製造工程における排水循環システム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002119964A true JP2002119964A (ja) | 2002-04-23 |
Family
ID=18792523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000313041A Pending JP2002119964A (ja) | 2000-10-13 | 2000-10-13 | 半導体製造工程における排水循環システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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