JPH04293587A - Ga−As研磨排水の処理方法 - Google Patents
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
処理方法に関する。さらに詳しくは、再度Ga−As研
磨水として用いることのできる研磨排水の処理方法に関
する。
詳しくは光電素子材料として用いられる。その光電素子
材料の生産において、たとえばGa−Asウエハーを加
工する工程としてスライシング、グラインディングおよ
びダイシングといった工程があり、Ga−As微粒子を
含む水を排出する。この水をGa−As研磨排水と呼ぶ
ことにする。
しGa−As研磨排水中では一部のヒ素が酸化されて毒
性を示すヒ酸および亜ヒ酸に変化する。本発明者らは有
害物質の拡散を防止し、水資源の有効利用と研磨水とし
ての再利用を目的にGa−As研磨排水を系外に出さな
いクローズドシステムを考えた。そのシステムは限外濾
過システムまたは精密濾過システムと、ダイサーまたは
グラインダー、および沈降槽からなるものである。この
システムでは、ダイサーまたはグラインダーから排出さ
れるGa−As研磨排水は沈降槽に送られ、Ga−As
微粒子の一部が沈降する。沈降槽の上澄液は限外濾過シ
ステムまたは精密濾過システムの循環タンクに送られる
。ここに送られた液は濾過システム内を循環し、限外濾
過膜または精密濾過膜で濾過される。濾過水はダイサー
またはグラインダーにGa−As研磨水として送られる
。循環タンク内のGa−As微粒子は初期濃度の200
倍に濃縮されて自動的に定期的に排出される。
続けた結果、濾過水にヒ素が徐々に溶解してヒ酸または
亜ヒ酸となり、濾過水のpHが下がってGa−As研磨
水としての水質が悪くなることが判明した。
ズドシステム化されたGa−As研磨排水処理方法を改
善するものである。この発明のGa−As研磨排水の処
理方法の特徴は、Ga−As研磨排水を濾過膜で濾過し
、得られた濾過水を陰イオン交換樹脂またはキレート樹
脂を充填したカラムに通液することにある。
子をカットするものであれば何でもよいが、Ga−As
微粒子の大きさが一般的に数ミクロンなので、膜の孔径
が10オングストロームから2ミクロンの限外濾過膜お
よび精密濾過膜が適している。膜の材質としてはポリス
ルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリオレフィ
ン樹脂、フッソ樹脂、ポリ四フッ化エチレン樹脂、アセ
チルセルロース樹脂、ポリビニルクロライド樹脂、ポリ
アミド樹脂等の有機質膜およびアルミナ、ジルコニア等
の無機質膜が使用できる。
ンの吸着に用いるイオン交換樹脂は、陰イオン交換樹脂
のOH型であれば特に限定するものではない。OH型選
択の目的は、樹脂のOHイオンと亜ヒ酸およびヒ酸イオ
ンを交換し、濾過水中のHイオンと反応させ、濾過水の
pHを中性化することにある。樹脂の例としてはスチレ
ンにビニルベンゼンを共重合し、1〜3級アミンまたは
4級アンモニウムを導入したものがある。濾過水中から
亜ヒ酸およびヒ酸イオンを除去するために、キレート樹
脂を用いてもよい。キレート樹脂としては、イミノプロ
ピオン酸型、ジチゾン型、チオ尿素型、チオール型、リ
ン酸型、ポリアミン型などが用いられる。
ン交換樹脂およびキレート樹脂は、強塩基性濃厚水溶液
と接触させて再生処理できる。例えば1〜4規定の水酸
化ナトリウムで処理すれば、少量で洗浄できるので、吸
着したヒ素化合物を濃縮回収することができる。
て具体的に説明する。 参考例 クローズドシステム化した精密濾過装置で0.1〜10
ミクロンの粒子径分布を持ったGa−As濃度100p
pmの研磨排水の処理を行った。濾過装置は旭化成工業
株式会社製のML22003を用い、膜モジュールとし
て旭化成工業株式会社製のPSV−313(孔径0.1
ミクロンのポリオレフィン系中空糸型精密濾過膜内蔵)
を用いた。稼動1日目の濾過水のpHは6.8であった
が1月後は4.0に低下した。
性イオン交換樹脂(三菱化成株式会社製のダイヤイオン
WA−20)150mlを充填した直径40mmのカラ
ムに300ml/minの速度で流した。その結果、濾
過水のpHは4.0から7.2へ変化した。
た強塩基性イオン交換樹脂(三菱化成株式会社製のダイ
ヤイオンSA−10A)150mlを充填した直径40
mmのカラムに300ml/minの速度で流した。そ
の結果、濾過水のpHは4.0から7.4へ変化した。
レート樹脂(三菱化成株式会社製のダイヤイオンCR−
20)150mlを充填した直径40mmのカラムに3
00ml/minの速度で流した。その結果、濾過水の
pHは4.0から6.8へ変化した。
H型の弱塩基性イオン交換樹脂(三菱化成株式会社製の
ダイヤイオンWA−20)57lを充填したポリッシャ
ーを接続し、濾過水を30l/minの速度で流した。 その結果、濾過水のpHは4.0から7.2へ変化した
。1月連続運転後のpHは6.8であった。
ればGa−As研磨排水を処理して得られる濾過水の水
質が向上するため、再度Ga−As研磨水として使用で
きる。また、装置に与える悪影響がなくなるとともに濾
過水の排出が不要となるため、有害物質の拡散防止に役
立ち、産業上極めて有用である。
Claims (1)
- 【請求項1】 Ga−As研磨排水を濾過膜で濾過し
、得られた濾過水を陰イオン交換樹脂またはキレート樹
脂を充填したカラムに通液することを特徴とするGa−
As研磨排水の処理方法
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---|---|---|---|---|
EP0798079A2 (en) * | 1996-03-25 | 1997-10-01 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Polishing apparatus and polishing method for silicon wafers |
JP2002119964A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-04-23 | Enzan Seisakusho:Kk | 半導体製造工程における排水循環システム |
JP2002320979A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-05 | Sharp Corp | 金属含有排水の処理方法および金属含有排水の処理装置 |
JP2003001269A (ja) * | 2001-06-19 | 2003-01-07 | Kurita Water Ind Ltd | ガリウム含有廃水の処理装置 |
JP2003001275A (ja) * | 2001-06-19 | 2003-01-07 | Kurita Water Ind Ltd | ガリウム−ヒ素含有廃水の処理装置 |
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0798079A2 (en) * | 1996-03-25 | 1997-10-01 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Polishing apparatus and polishing method for silicon wafers |
EP0798079A3 (en) * | 1996-03-25 | 1998-03-25 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Polishing apparatus and polishing method for silicon wafers |
JP2002119964A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-04-23 | Enzan Seisakusho:Kk | 半導体製造工程における排水循環システム |
JP2002320979A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-05 | Sharp Corp | 金属含有排水の処理方法および金属含有排水の処理装置 |
JP2003001269A (ja) * | 2001-06-19 | 2003-01-07 | Kurita Water Ind Ltd | ガリウム含有廃水の処理装置 |
JP2003001275A (ja) * | 2001-06-19 | 2003-01-07 | Kurita Water Ind Ltd | ガリウム−ヒ素含有廃水の処理装置 |
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