JPH04293587A - Ga−As研磨排水の処理方法 - Google Patents

Ga−As研磨排水の処理方法

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JPH04293587A
JPH04293587A JP3059949A JP5994991A JPH04293587A JP H04293587 A JPH04293587 A JP H04293587A JP 3059949 A JP3059949 A JP 3059949A JP 5994991 A JP5994991 A JP 5994991A JP H04293587 A JPH04293587 A JP H04293587A
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resin
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grinding water
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古藤 厳
Takashi Ogawa
高史 小川
Koichi Matsumoto
紘一 松本
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明はGa−As研磨排水の
処理方法に関する。さらに詳しくは、再度Ga−As研
磨水として用いることのできる研磨排水の処理方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】Ga−Asはエレクトロセラミックス、
詳しくは光電素子材料として用いられる。その光電素子
材料の生産において、たとえばGa−Asウエハーを加
工する工程としてスライシング、グラインディングおよ
びダイシングといった工程があり、Ga−As微粒子を
含む水を排出する。この水をGa−As研磨排水と呼ぶ
ことにする。
【0003】Ga−Asは固体の時は毒性がない。しか
しGa−As研磨排水中では一部のヒ素が酸化されて毒
性を示すヒ酸および亜ヒ酸に変化する。本発明者らは有
害物質の拡散を防止し、水資源の有効利用と研磨水とし
ての再利用を目的にGa−As研磨排水を系外に出さな
いクローズドシステムを考えた。そのシステムは限外濾
過システムまたは精密濾過システムと、ダイサーまたは
グラインダー、および沈降槽からなるものである。この
システムでは、ダイサーまたはグラインダーから排出さ
れるGa−As研磨排水は沈降槽に送られ、Ga−As
微粒子の一部が沈降する。沈降槽の上澄液は限外濾過シ
ステムまたは精密濾過システムの循環タンクに送られる
。ここに送られた液は濾過システム内を循環し、限外濾
過膜または精密濾過膜で濾過される。濾過水はダイサー
またはグラインダーにGa−As研磨水として送られる
。循環タンク内のGa−As微粒子は初期濃度の200
倍に濃縮されて自動的に定期的に排出される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このシステムで稼動を
続けた結果、濾過水にヒ素が徐々に溶解してヒ酸または
亜ヒ酸となり、濾過水のpHが下がってGa−As研磨
水としての水質が悪くなることが判明した。
【0005】
【課題を解決するための手段】この発明は前記のクロー
ズドシステム化されたGa−As研磨排水処理方法を改
善するものである。この発明のGa−As研磨排水の処
理方法の特徴は、Ga−As研磨排水を濾過膜で濾過し
、得られた濾過水を陰イオン交換樹脂またはキレート樹
脂を充填したカラムに通液することにある。
【0006】本発明に用いる濾過膜は、Ga−As微粒
子をカットするものであれば何でもよいが、Ga−As
微粒子の大きさが一般的に数ミクロンなので、膜の孔径
が10オングストロームから2ミクロンの限外濾過膜お
よび精密濾過膜が適している。膜の材質としてはポリス
ルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリオレフィ
ン樹脂、フッソ樹脂、ポリ四フッ化エチレン樹脂、アセ
チルセルロース樹脂、ポリビニルクロライド樹脂、ポリ
アミド樹脂等の有機質膜およびアルミナ、ジルコニア等
の無機質膜が使用できる。
【0007】濾過水中に含まれる亜ヒ酸およびヒ酸イオ
ンの吸着に用いるイオン交換樹脂は、陰イオン交換樹脂
のOH型であれば特に限定するものではない。OH型選
択の目的は、樹脂のOHイオンと亜ヒ酸およびヒ酸イオ
ンを交換し、濾過水中のHイオンと反応させ、濾過水の
pHを中性化することにある。樹脂の例としてはスチレ
ンにビニルベンゼンを共重合し、1〜3級アミンまたは
4級アンモニウムを導入したものがある。濾過水中から
亜ヒ酸およびヒ酸イオンを除去するために、キレート樹
脂を用いてもよい。キレート樹脂としては、イミノプロ
ピオン酸型、ジチゾン型、チオ尿素型、チオール型、リ
ン酸型、ポリアミン型などが用いられる。
【0008】長時間使用して、吸着効率の低下したイオ
ン交換樹脂およびキレート樹脂は、強塩基性濃厚水溶液
と接触させて再生処理できる。例えば1〜4規定の水酸
化ナトリウムで処理すれば、少量で洗浄できるので、吸
着したヒ素化合物を濃縮回収することができる。
【0009】
【実施例】以下、この発明を実施例および参考例によっ
て具体的に説明する。 参考例 クローズドシステム化した精密濾過装置で0.1〜10
ミクロンの粒子径分布を持ったGa−As濃度100p
pmの研磨排水の処理を行った。濾過装置は旭化成工業
株式会社製のML22003を用い、膜モジュールとし
て旭化成工業株式会社製のPSV−313(孔径0.1
ミクロンのポリオレフィン系中空糸型精密濾過膜内蔵)
を用いた。稼動1日目の濾過水のpHは6.8であった
が1月後は4.0に低下した。
【0010】実施例  1 参考例で得たpH4.0の濾過水2lをOH型の弱塩基
性イオン交換樹脂(三菱化成株式会社製のダイヤイオン
WA−20)150mlを充填した直径40mmのカラ
ムに300ml/minの速度で流した。その結果、濾
過水のpHは4.0から7.2へ変化した。
【0011】実施例  2 参考例で得たpH4.0の濾過水2lをOH型に処理し
た強塩基性イオン交換樹脂(三菱化成株式会社製のダイ
ヤイオンSA−10A)150mlを充填した直径40
mmのカラムに300ml/minの速度で流した。そ
の結果、濾過水のpHは4.0から7.4へ変化した。
【0012】実施例  3 参考例で得たpH4.0の濾過水2lをポリアミン型キ
レート樹脂(三菱化成株式会社製のダイヤイオンCR−
20)150mlを充填した直径40mmのカラムに3
00ml/minの速度で流した。その結果、濾過水の
pHは4.0から6.8へ変化した。
【0013】実施例  4 参考例のクローズドシステム化した精密濾過装置に、O
H型の弱塩基性イオン交換樹脂(三菱化成株式会社製の
ダイヤイオンWA−20)57lを充填したポリッシャ
ーを接続し、濾過水を30l/minの速度で流した。 その結果、濾過水のpHは4.0から7.2へ変化した
。1月連続運転後のpHは6.8であった。
【0014】
【発明の効果】以上より明らかなごとく、この発明によ
ればGa−As研磨排水を処理して得られる濾過水の水
質が向上するため、再度Ga−As研磨水として使用で
きる。また、装置に与える悪影響がなくなるとともに濾
過水の排出が不要となるため、有害物質の拡散防止に役
立ち、産業上極めて有用である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  Ga−As研磨排水を濾過膜で濾過し
    、得られた濾過水を陰イオン交換樹脂またはキレート樹
    脂を充填したカラムに通液することを特徴とするGa−
    As研磨排水の処理方法
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EP0798079A2 (en) * 1996-03-25 1997-10-01 Shin-Etsu Handotai Company Limited Polishing apparatus and polishing method for silicon wafers
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