KR920007189B1 - 불산처리 장치 및 그 처리방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
제1도는 본 발명에 의한 불산처리 장치를 도피한 모식도.
제2a도 내지 제2i도는 본 발명에 의한 불산처리 방법을 도시한 공정순서도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 평량조 2 : 중앙공급라인
3 : 혼합조 4 : 제1초순수 공급라인
5 : 필터 6 : 순환라인
7 : 진행조 8 : 제2초순수 공급라인
9 : 초순수 배수라인
본 발명은 세정공정에 관한 것으로, 특히 세정공정시 불산처리공정에 대한 그 장치 및 처리방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 재조공정이란 웨이퍼를 대상으로 하여 목적하는 바에 따라 가공 처리하는 과정으로, 집적회로를 제조함에 있어서는 여러가지 단위공정의 반복이나 조합으로 이루어지게 된다.
이러한 여러가지 단위공정들 가운데에서도 이물질로 인한 반도체소자의 결함을 적게하기 위하여 사용되는 세정공정 예컨대 초기 웨이퍼세정을 예로들면, 먼저 질소건(gun)을 사용하여 에이퍼에 붙어있는 먼지나 가루등을 제거한다. 고리고나서 이 웨이퍼를 1NH4OH : 1H2O2: 5H2O 용액에 10분간 담그는 제1과정이, 제1과정의 용액에서 꺼내어, 흐르는 순수에서 10분간 세척하는 제2과정이 제2과정후 웨이퍼 표면의 산화 막을 제거시키기 위하여 10H2O : 1HF 용액에 30초간 담그는 제3과정, 이 제3과정후 순수에 10분 세척하고 4H2SO4: 1H2O2용액에 10분간 담그는 제4과정, 이 제4과정후 순수에 10분간 세척하고 건조시키는 제5과정으로 초기 웨이퍼 세정을 마무리한다.
이와 같이 초기 웨이퍼세정을 예로든 종래 세정공정시 불산(HF)처리 공정은, 대부분의 경우 이 불산용액이 들어 있는 처리조에서 불산이 오버 플로우(over flew)되는 양을 필터링(filtering)하여 계속적으로 사용하고 있다. 이러한 방식은 처리조에 처음으로 불산용액을 채우고난 후, 다음 교체시까지 계속적으로 불산 용액을 사용하게 되기 때문에 필터링에도 한계가 생기게 된다. 또한 불산처리 공정이 끝나고 불산용액이 들어 있는 처리조에서, 반도체소자 예컨대 실리콘소자가 꽂혀있는 카세트(Cassette)를 꺼낼때 불산내에 녹아 있는 실리카들이 다시 재부착될 수 있는 상태가 되어 실리콘소자의 미립자를 증대시키는 큰 요인이 되고 있다.
따라서 본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 불산처리조내에 녹아있는 실리카 성분들이 실리콘소자에 재흡착되는 것을 방지할 수 있는 불산처리 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 상기 불산처리 장치를 사용한 불산처리방법을 제공하는데 있다. 상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 불산처리장치는 분산용액이 공급되는 평량조와, 이 평량조의 불산용액을 계속적으로 필터링하면서 순환시켜 깨끗한 상태의 불산용액을 유지시키는 혼합조와, 이 혼합조로 부터 불산용액을 공급받아 세정하는 진행조로 구비됨을 특징으로 한다.
상기 불산처리장치를 사용한 처리방법은 중앙공급라인을 통하여 평량조에 불산용액을 공급하는 제1단계와, 제1초순수 공급라인을 통하여 공급되는 초순수 및 상기 평량조의 불산용액을 혼합조에서 혼합하고, 이 불산혼합용액을 계속적으로 필터링하는 제2단계와, 상기 혼합조의 온도가 일정하게 유지되면 상기 불산혼합용액을 진행조로 공급하여 세정하는 제3단계와, 제2초순수 공급라인을 통하여 상기 진행조에 초순수를 공급함으로써 불산혼합용액을 업 플로우(up flow) 시키는 제4단계와, 이 제4단계후 불산처리공정을 반복하기 위한 준비상태가 되면 초순수 배수라인을 통하여 초순수를 배수하고, 상기 제1단계∼제4단계를 반복하는 제5단계로 이루어짐을 특징으로 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 설명하기로 한다.
제1도는 본 발명에 의한 불산처리 장치를 도시한 모식도이다. 먼저, 중앙공급라인(2)을 통하여 불산용액이 공급되는 평량조(1)를 설치한다. 이 평량조(1)로 부터 공급되는 불산용액과 제1초순수 공급라인(4)을 통하여 공급되는 초순수를 혼합하고, 이 불산혼합용액을 계속적으로 필터링 하면서(5) 순환(6)시켜 깨끗한 상태의 불산용액을 유지시키는 혼합조(3)를 상기 평량조(1)와 연결되게 설치한다. 그리고 상기 불산혼합용액을 공급받아 세정하는 진행조(7)를 제2초순수 공급라인(8) 및 초순수 배수라인(9)을 구비하여 상기 혼합조(3)와 연결되게 설치한다.
제2a도 내지 제2i도는 본 발명에 의한 불산처리방법을 도시한 공정순서도이다. 제2a도는 불산용액의 공급을 도시한 것으로, 중앙공급라인(2)을 통하여 불산용액이 평량조(1)에 공급된다. 제2b도 내지 제2d도는 불산용액의 필터링공정을 도시한 것으로, 상기 평량조(1)의 불산용액이 제1초순수 공급라인(4)을 통하여 공급된 초순수와 혼합조(3)에서 공급되어 혼합이 되며, 이때 필터(5) 및 순환라인(6)을 통하여 상기 불산혼 합용액을 계속적으로 필터링하면서 순환시켜 깨끗한 상태의 불산용액을 유지시킨다.
제2e도 내지 제2g도는 불산혼합용액을 공급받아 세정하는 공정을 도시한 것으로, 상기 혼합조(3)의 온도 예컨대 25℃가 일정하게 유지되면, 제2e도와 같이 상기 혼합조(3)의 불산혼합용액이 진행조(7)로 공급되어 반도체소자 예컨대 실리콘소자의 세정공정중 불산처리공정을 수행한다. 그리고나서 제2f도 및 제2g도와 같이 평량조(1)에 공급되는 불산용액이 다시 혼합조(3)로 공급되어 필터링되면서 순환작업을 계속한다.
제2h도는 불산혼합용액의 업 플로우 시키는 과정을 도시한 것으로, 상기 진행조(7)에서 세정이 끝나면 제2초순수 공급라인(8)을 통해 초순수를 진행조(7)에 공급함으로써, 이 진행조(7)의 불산혼합용액을 업 플로우 시킨다. 약 5분정도의 업 플로우가 끝나면 불산세정 처리된 실리콘소자가 다음 공정으로 이동되고, 진행조(7)는 초순수 상태에서 오버 플로우 된다.
제2i도는 불산세정을 반복하기 위한 준비상태를 도시한 것으로, 초순수 배수라인(9)을 통하여 상기 진행조(7)의 초순수는 배수되고, 혼합조(3)에서의 불산혼합용액이 진행조(7)로 공급되면서 상술한 불산세정을 반복한다.
이상과 같이 본 발명은 불산세정을 할때 혼합조에서 불산혼합용액을 계속적으로 필터링하면서 순화시켜 깨끗한 상태로 유지시키기 때문에 실리콘소자의 미립자를 최소한으로 줄인 상태로 만들수 있다. 또한, 진행조에서 세정한 용액은 배수되고, 초순수로 오버 플로우시켜 진행조의 상태를 깨끗하게 유지하여 새로운 불산용액으로 세정하기 때문에 종래 방법에서 수반되는 실리콘소자와 미립자 부착문제를 최대한으로 줄일 수 있다.
Claims (3)
- 불산용액이 공급되는 평량조; 상기 평량조의 불산용액을 계속적으로 필터링하면서 순환시켜 깨끗한 상태의 불산용액을 유지시키는 혼합조; 상기 혼합조로 부터 불산용액을 공급받아 세정하는 진행조를 구비하는 것을 특징으로 하는 불산처리장치.
- 중앙공급라인을 통하여 평량조에 불산용액을 공급하는 제1단계 ; 제1초순수 공급라인을 통하여 공급되는 초순수 및 상기 평량조의 불산용액을 혼합조에서 혼합하고, 이 불산혼합용액을 계속적으로 필터링하는 제2단계 ; 상기 혼합조의 온도가 일정하게 유지되면, 상기 불산혼합용액을 진행조로 공급하여 세정하는 제3단계 ; 제2초순수 공급라인을 통하여 상기 진행조에 초순수를 공급함으로써 불산혼합용액을 업 플로우 시키는 제4단계 ; 상기 제4단계후 불산처리공정을 반복하기 위한 준비 상태가 되면 초순수 배수라인을 통하여 초순수를 배수하고, 상기 제1단계∼제4단계를 반복하는 제5단계로 이루어짐을 특징으로 하는 불산 처리방법.
- 제2항에 있어서, 상기 제3단계의 온도는 25℃로 하는 것을 특징으로 하는 불산처리방법.
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