JP6513004B2 - 基板処理装置及びその処理方法 - Google Patents
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Description
すなわち、従来の装置は、フィルタを通して処理液を流通させている関係上、処理液の流速が遅くなるので、エッチング性能が不足する場合があった。また流速が遅いためにエッチングされて基板から処理液に溶出したシリコンが、基板の周囲に滞留して基板に析出し再付着することがあるという問題がある。
すなわち、請求項1に記載の発明は、燐酸を含む処理液で基板を処理する基板処理装置において、処理液を貯留し、処理液を浸漬させて基板に対して処理を行う処理槽と、前記処理槽から溢れた処理液を回収するオーバフロー槽と、前記オーバフロー槽と前記処理槽とを連通接続する循環配管と、前記循環配管に設けられ、処理液を流通させるポンプと、前記ポンプの下流側にあたる前記循環配管に設けられ、処理液を処理温度に温調するインラインヒータと、前記ポンプの下流側にあたる前記循環配管に設けられ、処理液中のパーティクルを除去するフィルタと、前記フィルタの上流側と下流側にあたる前記循環配管を連通接続するバイパス管と、前記バイパス管を開閉する開閉弁と、前記ポンプで処理液を流通させつつ前記インラインヒータで処理液を処理温度に温調した後、前記処理槽の処理液に基板を浸漬させて処理を行う処理時間のうちの少なくとも一定時間の間、前記開閉弁を開放して処理液の流速を速くする制御手段と、を備えていることを特徴とするものである。
図1は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
1 … 処理槽
3 … オーバフロー槽
5 … 循環配管
CV1,CV2,EV,BV,SV … 開閉弁
HE1 … インラインヒータ
9 … フィルタ
11 … 分岐配管
13 … バイパス管
15 … 供給管
LF … リフタ
19 … 保持部
21 … 制御部
Ts … 処理時間
Claims (5)
- 燐酸を含む処理液で基板を処理する基板処理装置において、
処理液を貯留し、処理液を浸漬させて基板に対して処理を行う処理槽と、
前記処理槽から溢れた処理液を回収するオーバフロー槽と、
前記オーバフロー槽と前記処理槽とを連通接続する循環配管と、
前記循環配管に設けられ、処理液を流通させるポンプと、
前記ポンプの下流側にあたる前記循環配管に設けられ、処理液を処理温度に温調するインラインヒータと、
前記ポンプの下流側にあたる前記循環配管に設けられ、処理液中のパーティクルを除去するフィルタと、
前記フィルタの上流側と下流側にあたる前記循環配管を連通接続するバイパス管と、
前記バイパス管を開閉する開閉弁と、
前記ポンプで処理液を流通させつつ前記インラインヒータで処理液を処理温度に温調した後、前記処理槽の処理液に基板を浸漬させて処理を行う処理時間のうちの少なくとも一定時間の間、前記開閉弁を開放して処理液の流速を速くする制御手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記制御手段は、前記処理時間の全区間にわたって前記開閉弁を開放することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記制御手段は、前記処理時間の全区間のうち、前半において前記開閉弁を開放し、後半において前記開閉弁を閉止することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から3のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記制御手段は、前記処理時間が経過した後、一定時間の間、前記開閉弁を閉止することを特徴とする基板処理装置。 - 燐酸を含む処理液で基板を処理する基板処理方法において、
処理液を貯留し、処理液を浸漬させて基板に対して処理を行う処理槽と、前記処理槽から溢れた処理液を回収するオーバフロー槽とを連通接続する循環配管にポンプで処理液を流通させつつ、インラインヒータで処理液の温度を処理温度に温調する温調過程と、
前記処理槽の処理液に基板を浸漬させて処理時間にわたって処理を行う処理過程と、
をその順に実施する際に、
前記処理時間のうちの少なくとも一定時間の間、前記循環配管に設けられているフィルタをバイパスするバイパス管にも処理液を流通させ、処理液の流速を速くすることを特徴とする基板処理方法。
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