JPH06231052A - データ確認手段を具える装置 - Google Patents
データ確認手段を具える装置Info
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- JPH06231052A JPH06231052A JP5065438A JP6543893A JPH06231052A JP H06231052 A JPH06231052 A JP H06231052A JP 5065438 A JP5065438 A JP 5065438A JP 6543893 A JP6543893 A JP 6543893A JP H06231052 A JPH06231052 A JP H06231052A
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- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/24—Memory cell safety or protection circuits, e.g. arrangements for preventing inadvertent reading or writing; Status cells; Test cells
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Security & Cryptography (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フラッグビットを用いずに記憶装置内に書き
込まれたデータの確認を行う。 【構成】 データ確認装置はEEPROMメモリ7を具える。
もし2個の「ニュートラル」ロケーション(Φ0 のA2,A
3 及びΦ2 のA3,A4 )が確認すべきデータを連続的に位
置する場合、この記憶装置に書き込まれたデータは有効
であるとみなす。この「ニュートラル」ロケーション
は、データの書込みのためにEEPROMメモリに必要な前も
って行われる消去によって発生する。
込まれたデータの確認を行う。 【構成】 データ確認装置はEEPROMメモリ7を具える。
もし2個の「ニュートラル」ロケーション(Φ0 のA2,A
3 及びΦ2 のA3,A4 )が確認すべきデータを連続的に位
置する場合、この記憶装置に書き込まれたデータは有効
であるとみなす。この「ニュートラル」ロケーション
は、データの書込みのためにEEPROMメモリに必要な前も
って行われる消去によって発生する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、記憶装置に書き込まれ
たデータを確認する手段を具える装置に関するものであ
る。
たデータを確認する手段を具える装置に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】この種の装置は、特に支払い装置(マイ
クロ回路を具えるカード又はチップカード)として動作
する場合に広く用いられる。この種の装置が直面する問
題としては、トランザクションの確認すなわち書き込ま
れたデータの確認がある。データが高信頼性をもって記
録されることは重要である。したがって最後のトランザ
クションの値及び正当度を蓄積するためには、電気的消
去可能PROM(EEPROM)で構成されたものがしばしば使用さ
れている。上記問題は、電気的消去可能PROM(EEPROM)は
限ぎられた回数の書込み動作のみにしか対処することが
できないという事実により複雑なものとなっており、集
中的な使用を考慮すると、書き込まれたそれぞれのデー
タが前のデータのロケーションを占有しないようにする
ため、循環記憶装置により記憶装置を構成することが提
案されている。したがって上記循環記憶装置のロケーシ
ョンの個数は、起こりうるトランザクションの数が増加
するに従って増加する。
クロ回路を具えるカード又はチップカード)として動作
する場合に広く用いられる。この種の装置が直面する問
題としては、トランザクションの確認すなわち書き込ま
れたデータの確認がある。データが高信頼性をもって記
録されることは重要である。したがって最後のトランザ
クションの値及び正当度を蓄積するためには、電気的消
去可能PROM(EEPROM)で構成されたものがしばしば使用さ
れている。上記問題は、電気的消去可能PROM(EEPROM)は
限ぎられた回数の書込み動作のみにしか対処することが
できないという事実により複雑なものとなっており、集
中的な使用を考慮すると、書き込まれたそれぞれのデー
タが前のデータのロケーションを占有しないようにする
ため、循環記憶装置により記憶装置を構成することが提
案されている。したがって上記循環記憶装置のロケーシ
ョンの個数は、起こりうるトランザクションの数が増加
するに従って増加する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】欧州特許明細書EP 0 3
98 545号には、この種の装置として入力データが正当で
あるかどうかを表示するためにビット又はフラグが使用
されているものが記載されている。このフラグを制御す
るには、完全な操作が要求される。すなわちこのフラグ
の位置を定めるために追加の書込み動作を実行すること
が特に必要である。EEPROMの場合には、記憶装置への書
込みに必要な時間は比較的長い(数ミリセカンド)。し
たがって、この書込み動作は欠点であるとみなされてい
る。
98 545号には、この種の装置として入力データが正当で
あるかどうかを表示するためにビット又はフラグが使用
されているものが記載されている。このフラグを制御す
るには、完全な操作が要求される。すなわちこのフラグ
の位置を定めるために追加の書込み動作を実行すること
が特に必要である。EEPROMの場合には、記憶装置への書
込みに必要な時間は比較的長い(数ミリセカンド)。し
たがって、この書込み動作は欠点であるとみなされてい
る。
【0004】本発明は上述した種類の装置として、フラ
グビットを使用する必要がないものを提案している。
グビットを使用する必要がないものを提案している。
【0005】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、この種の装置は、確認手段が確認すべきデータに少
なくとも2つの連続した「ニュートラル」ロケーション
を割り当てることを特徴とするものである。
に、この種の装置は、確認手段が確認すべきデータに少
なくとも2つの連続した「ニュートラル」ロケーション
を割り当てることを特徴とするものである。
【0006】
【実施例】以下本発明を図面を参照して詳細に説明す
る。図1に、移動可能かつ携帯用の電子的情報記憶媒体
1を示す。この電子的情報記憶媒体1は、以下マイクロ
チップカード又は単にカードという。このカードのマイ
クロ回路2は、既知のアーキテクチャを有する。このア
ーキテクチャは、8ビットマイクロプロセッサ3から構
成されている。8ビットマイクロプロセッサ3は、メモ
リRAM 10と、バッファとして接続されている2つのメ
モリRAM 4及び5と、プログラムメモリROM 6と、EPRO
M 又はEEPROM式のデータメモリ7と、を含むことができ
るメモリRAM 4は双方向アドレスバス8を介してマイク
ロプロセッサ3と接続し、かつ、メモリRAM 5は双方向
データバス9を介してマイクロプロセッサ3に接続す
る。さらに各メモリRAM 4,5はそれぞれ、双方向バス
(図示せず)を介してメモリROM 6,7にそれぞれ接続
する。
る。図1に、移動可能かつ携帯用の電子的情報記憶媒体
1を示す。この電子的情報記憶媒体1は、以下マイクロ
チップカード又は単にカードという。このカードのマイ
クロ回路2は、既知のアーキテクチャを有する。このア
ーキテクチャは、8ビットマイクロプロセッサ3から構
成されている。8ビットマイクロプロセッサ3は、メモ
リRAM 10と、バッファとして接続されている2つのメ
モリRAM 4及び5と、プログラムメモリROM 6と、EPRO
M 又はEEPROM式のデータメモリ7と、を含むことができ
るメモリRAM 4は双方向アドレスバス8を介してマイク
ロプロセッサ3と接続し、かつ、メモリRAM 5は双方向
データバス9を介してマイクロプロセッサ3に接続す
る。さらに各メモリRAM 4,5はそれぞれ、双方向バス
(図示せず)を介してメモリROM 6,7にそれぞれ接続
する。
【0007】カード1は読取り機11内に挿入されてい
るように記号的に示す。このカードは6個の接点K1,K2,
K3,K4,K5及びK6を具える。このように挿入された位置に
おいて、これらの6個の接点は読取り機の対応する6個
の接点と共動する。また対応する6個の接点は、図にお
いて順次下から上向きに、すなわち直列入出力接点I/O
、接地接点GND 、マイクロ回路用電源用接点VCC(5V)
、プログラミング電源用接点VTP 、クロック接点CLK
、ゼロリセット接点RESET として任意の順序で線図的
に示されている。これら6個の接点の内所定の接点は、
ポート(図示せず)を介してマイクロ回路と接続され
る。インターフェース12及び通信リンク、例えば伝送
線13を介して、読取り機は、それ自身インターフェー
ス15を具える遠隔ホストシステム14と通信する。伝
送線13は2本のワイア、すなわち読取り機11から遠
隔ホストシステム14に情報を伝送するワイア16と、
逆方向にこの情報を移送するワイア17によって記号的
に図示されている。
るように記号的に示す。このカードは6個の接点K1,K2,
K3,K4,K5及びK6を具える。このように挿入された位置に
おいて、これらの6個の接点は読取り機の対応する6個
の接点と共動する。また対応する6個の接点は、図にお
いて順次下から上向きに、すなわち直列入出力接点I/O
、接地接点GND 、マイクロ回路用電源用接点VCC(5V)
、プログラミング電源用接点VTP 、クロック接点CLK
、ゼロリセット接点RESET として任意の順序で線図的
に示されている。これら6個の接点の内所定の接点は、
ポート(図示せず)を介してマイクロ回路と接続され
る。インターフェース12及び通信リンク、例えば伝送
線13を介して、読取り機は、それ自身インターフェー
ス15を具える遠隔ホストシステム14と通信する。伝
送線13は2本のワイア、すなわち読取り機11から遠
隔ホストシステム14に情報を伝送するワイア16と、
逆方向にこの情報を移送するワイア17によって記号的
に図示されている。
【0008】したがって上記問題は、トランザクション
の処理中に、このトランザクションを確認するデータを
メモリEEPROM7内に書き込む必要がある。ということで
ある。カードのジャム又は電源の遮断が主な原因となっ
て上記書込み動作が完了しないとき、この問題は特に重
要となる。このトランザクションを確認するために、す
なわち書込み動作(又は再書込み動作)の終了を確認す
るために、本発明では循環記憶装置としてメモリEEPROM
を用いることを提案している。循環記憶装置のロケーシ
ョンはアドレスコードA0,A1,─A4,A5,A6によって示さ
れ、データの書込みがロケーションA6に続いてロケーシ
ョンA0─等で行われ、データが少なくとも2つの「ニュ
ートラル」ロケーションと隣接しているかどうか確認す
る。一般的なEEPROMではこの動作は消去に対応し、この
とき16進法ではこの消去は「FF」という語に相当する。
の処理中に、このトランザクションを確認するデータを
メモリEEPROM7内に書き込む必要がある。ということで
ある。カードのジャム又は電源の遮断が主な原因となっ
て上記書込み動作が完了しないとき、この問題は特に重
要となる。このトランザクションを確認するために、す
なわち書込み動作(又は再書込み動作)の終了を確認す
るために、本発明では循環記憶装置としてメモリEEPROM
を用いることを提案している。循環記憶装置のロケーシ
ョンはアドレスコードA0,A1,─A4,A5,A6によって示さ
れ、データの書込みがロケーションA6に続いてロケーシ
ョンA0─等で行われ、データが少なくとも2つの「ニュ
ートラル」ロケーションと隣接しているかどうか確認す
る。一般的なEEPROMではこの動作は消去に対応し、この
とき16進法ではこの消去は「FF」という語に相当する。
【0009】図2において、本発明の原理を説明する。
Φ0 は初期状態を表している。確認される情報は、ロケ
ーションA1にあるR5である。次の2個のエレメントすな
わちアドレスA2及びA3はコード「FF」を含み、これらの
2個のボックスは既に消去されていることを示してい
る。。Φ1 は、ロケーションA2へのデータR6の書込みを
示す。Φ2 は、最も古いデータR1の消去を示す。この消
去により、データR6の有効性が効果的に確認される。こ
のようにして、二段階の操作が正規に終了する前に動作
の中断が生じると、メモリEEPROM7の情報の入っていな
いロケーションが1つだけ残り、したがってデータR6は
無効であるとみなされる。この動作は、メモリROM 6に
含まれるプログラムラインによって制御される。
Φ0 は初期状態を表している。確認される情報は、ロケ
ーションA1にあるR5である。次の2個のエレメントすな
わちアドレスA2及びA3はコード「FF」を含み、これらの
2個のボックスは既に消去されていることを示してい
る。。Φ1 は、ロケーションA2へのデータR6の書込みを
示す。Φ2 は、最も古いデータR1の消去を示す。この消
去により、データR6の有効性が効果的に確認される。こ
のようにして、二段階の操作が正規に終了する前に動作
の中断が生じると、メモリEEPROM7の情報の入っていな
いロケーションが1つだけ残り、したがってデータR6は
無効であるとみなされる。この動作は、メモリROM 6に
含まれるプログラムラインによって制御される。
【0010】図3に示されたプログラムは、ボックスK0
からスタートし、ここではアドレスカウンタA(モジュ
ロ─7)を上記循環記憶装置の第1のロケーションに対
応する値A0によって初期設定する。次にボックスK1にお
いて、このボックスが空(「FF」) かどうかをテストす
る。もし空でなければボックスK2に進み、カウンタAに
一単位がインクリメントされ、ボックスK1に戻る。もし
上記循環記憶装置が空であれば、カウンタAに一単位が
インクリメントされる(ボックスK5)。上記循環記憶装
置の次のロケーションが空かどうかをテストする(ボッ
クスK6)。もし空でなければ、情報は確認されず、確認
されなかった結果プロセスは初期設定される(ボックス
K8)。このプロセスは本発明の一部ではないので、以下
説明しない。もしボックスK6のテストで空でなければ、
ボックスK10 で指示されるテストの機能に従って読取り
又は書込み動作を始める。
からスタートし、ここではアドレスカウンタA(モジュ
ロ─7)を上記循環記憶装置の第1のロケーションに対
応する値A0によって初期設定する。次にボックスK1にお
いて、このボックスが空(「FF」) かどうかをテストす
る。もし空でなければボックスK2に進み、カウンタAに
一単位がインクリメントされ、ボックスK1に戻る。もし
上記循環記憶装置が空であれば、カウンタAに一単位が
インクリメントされる(ボックスK5)。上記循環記憶装
置の次のロケーションが空かどうかをテストする(ボッ
クスK6)。もし空でなければ、情報は確認されず、確認
されなかった結果プロセスは初期設定される(ボックス
K8)。このプロセスは本発明の一部ではないので、以下
説明しない。もしボックスK6のテストで空でなければ、
ボックスK10 で指示されるテストの機能に従って読取り
又は書込み動作を始める。
【0011】カウンタAから一単位をデクリメントする
ことにより書込み動作がスタートし(ボックスK12 )、
これに従ってデータの書込みが行われる(ボックスK13
)。(再読取りによって)データが正しいと確認した
後(ボックスK14 )、カウンタAには二単位がインクリ
メントされ(ボックスK15 )、その後このカウンタによ
って表示されたロケーションは消去される(ボックスK1
6 )。書き込まれたデータが誤りであるとき、プログラ
ムはここには記載されていないエラー処理ルーチンを開
始し、C(A)は消去されない。読取り動作を実行するに当
たり、カウンタAは読取り動作を行う(ボックスK22 )
前に二単位をデクリメントする必要がある(ボックスK2
1 )。
ことにより書込み動作がスタートし(ボックスK12 )、
これに従ってデータの書込みが行われる(ボックスK13
)。(再読取りによって)データが正しいと確認した
後(ボックスK14 )、カウンタAには二単位がインクリ
メントされ(ボックスK15 )、その後このカウンタによ
って表示されたロケーションは消去される(ボックスK1
6 )。書き込まれたデータが誤りであるとき、プログラ
ムはここには記載されていないエラー処理ルーチンを開
始し、C(A)は消去されない。読取り動作を実行するに当
たり、カウンタAは読取り動作を行う(ボックスK22 )
前に二単位をデクリメントする必要がある(ボックスK2
1 )。
【図1】本発明の装置を示す。
【図2】非確認メモリへの書込みを例示している。
【図3】確認手段の使用法を説明するフローチャートを
示す。
示す。
1 電子サポート 2 マイクロ回路 3 マイクロプロセッサ 4,5,10 メモリRAM 6 プログラムメモリROM 7 データメモリ 8 双方向アドレスバス 9 双方向データバス 11 読取り機 12,15 インターフェース 13 伝送線 14 遠隔ホストシステム 16,17 ワイア K1,K2,K3,K4,K5,K6 接点 I/O 直列入出力接点 GND 接地接点 VCC マイクロ回路用電源用接点 VPP プログラミング電源用接点 CLK ゼロクロック接点 RESET リセット接点 A0,A1,A2,A3,A4,A5,A6 アドレス
コード R1,R2,R3,R4,R5,R6 情報 Φ0 初期状態 Φ1 書き込まれた状態 Φ2 消去された状態
コード R1,R2,R3,R4,R5,R6 情報 Φ0 初期状態 Φ1 書き込まれた状態 Φ2 消去された状態
Claims (4)
- 【請求項1】記憶装置のデータを確認する確認手段を具
える装置において、前記確認手段が確認すべきデータに
少なくとも2つの連続した「ニュートラル」ロケーショ
ンを割り当てることを特徴とするデータ確認手段を具え
る装置。 - 【請求項2】前記記憶装置が、循環記憶装置から構成さ
れていることを特徴とする請求項1記載のデータ確認手
段を具える装置。 - 【請求項3】前記記憶装置がEEPROMタイプのものからな
り、前記「ニュートラル」ロケーションが消去により発
生することを特徴とする請求項1又は2記載のデータ確
認手段を具える装置。 - 【請求項4】前記確認手段が、少なくとも2つの連続し
た「ニュートラル」ロケーションが存在するかどうかを
検査することによって、データの有効性を確認すること
を特徴とする請求項1,2又は3記載のデータ確認手段
を具える装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR9203619 | 1992-03-25 | ||
FR9203619A FR2689263A1 (fr) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | Dispositif comportant des moyens pour valider des données inscrites dans une mémoire. |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06231052A true JPH06231052A (ja) | 1994-08-19 |
Family
ID=9428077
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5065438A Pending JPH06231052A (ja) | 1992-03-25 | 1993-03-24 | データ確認手段を具える装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5675541A (ja) |
EP (1) | EP0562669B1 (ja) |
JP (1) | JPH06231052A (ja) |
DE (1) | DE69323104T2 (ja) |
FR (1) | FR2689263A1 (ja) |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6148381A (en) * | 1997-04-08 | 2000-11-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Single-port trace buffer architecture with overflow reduction |
US6094729A (en) * | 1997-04-08 | 2000-07-25 | Advanced Micro Devices, Inc. | Debug interface including a compact trace record storage |
DE19718479C1 (de) * | 1997-04-30 | 1998-09-24 | Siemens Ag | Chipkarte mit Speicherzugriffsmaximierung und Protokollierung |
EP1118065B1 (de) * | 1998-09-30 | 2008-09-03 | Infineon Technologies AG | Schaltungsanordnung und verfahren zum authentifizieren des inhalts eines speicherbereichs |
EP1436815B1 (en) * | 2001-09-18 | 2010-03-03 | Kilopass Technology, Inc. | Semiconductor memory cell and memory array using a breakdown phenomena in an ultra-thin dielectric |
US6798693B2 (en) * | 2001-09-18 | 2004-09-28 | Kilopass Technologies, Inc. | Semiconductor memory cell and memory array using a breakdown phenomena in an ultra-thin dielectric |
US6766960B2 (en) * | 2001-10-17 | 2004-07-27 | Kilopass Technologies, Inc. | Smart card having memory using a breakdown phenomena in an ultra-thin dielectric |
US6700151B2 (en) * | 2001-10-17 | 2004-03-02 | Kilopass Technologies, Inc. | Reprogrammable non-volatile memory using a breakdown phenomena in an ultra-thin dielectric |
US6992925B2 (en) * | 2002-04-26 | 2006-01-31 | Kilopass Technologies, Inc. | High density semiconductor memory cell and memory array using a single transistor and having counter-doped poly and buried diffusion wordline |
US6777757B2 (en) * | 2002-04-26 | 2004-08-17 | Kilopass Technologies, Inc. | High density semiconductor memory cell and memory array using a single transistor |
US6940751B2 (en) * | 2002-04-26 | 2005-09-06 | Kilopass Technologies, Inc. | High density semiconductor memory cell and memory array using a single transistor and having variable gate oxide breakdown |
US6898116B2 (en) * | 2002-04-26 | 2005-05-24 | Kilopass Technologies, Inc. | High density semiconductor memory cell and memory array using a single transistor having a buried N+ connection |
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US7031209B2 (en) * | 2002-09-26 | 2006-04-18 | Kilopass Technology, Inc. | Methods and circuits for testing programmability of a semiconductor memory cell and memory array using a breakdown phenomenon in an ultra-thin dielectric |
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