DE69323104T2 - Anordnung mit einem Speicher und Mitteln zur Datenbestätigung. - Google Patents
Anordnung mit einem Speicher und Mitteln zur Datenbestätigung.Info
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Description
- Die Erfindung betrifft eine Anordnung mit einem Speicher und Mitteln zur Validierung von Daten, die in diesen Speicher eingeschrieben sind.
- Eine solche Vorrichtung hat wichtige Anwendungsgebiete, insbesondere da sie ein Zahlungsmittel (Karte mit Mikroschaltung) einschließt.
- Ein Problem, das sich bei dieser Art von Anordnung stellt, ist die Validation der Transaktion oder die Validation der eingeschriebenen Daten. Es ist wichtig, daß diese mit hoher Zuverlässigkeit registriert wird. Zu diesem Zweck wird häufig ein erneut programmierbarer Festspeicher (EEPROM) zum Festhalten des Wertes und der Validität (Gültigkeit) jener Transaktion verwendet. Dieses Problem wird noch dadurch komplizierter, daß die programmierbaren Speicher (EEPROM) nur eine begrenzte Einschreibhäufigkeit haben und daß zur Erzielung einer intensiven Nutzung vorgeschlagen wird, den Speicher als Umlaufspeicher auszubilden, so daß neu eingeschriebene Daten nicht den Platz der vorhergehenden belegen. Auf diese Weise erhöht die Anzahl der Speicherplätze dieses Umlaufspeichers die Anzahl der möglichen Transaktionen erheblich.
- In dem Patent EP 0 398 545 ist eine solche Anordnung beschrieben, bei der ein binäres Element oder Zeichen zur Anzeige benutzt wird, ob die eingegebenen Daten gültig sind.
- Die Verarbeitung dieses Zeichens erfordert jedoch einen erheblichen Aufwand; insbesondere ist ein erneutes Einschreiben für seine Positionierung erforderlich. Im Falle eines EEPROM ist die zum Einschreiben in den Speicher erforderliche Zeit verhältnismäßig lang (mehrere Millisekunden). Dieses Einschreiben ist daher aufwendig und wird als nachteilig angesehen.
- Erfindungsgemäß wird eine Anordnung gemäß dem Oberbegriff vorgeschlagen, bei der die Verwendung eines binären Zeichenelements nicht erforderlich ist.
- Darüber hinaus beschreibt das Dokument WO-A-9204716 eine Anordnung zur Aktualisierung von Informationen in einem Speicher, der als Umlaufspeicher ausgebildet sein kann, jedoch ebenfalls ein logisches Zeichen aufweist, das seinen Zustand ändert, nachdem der verifizierte Wert als richtig erkannt wurde.
- Die Erfindung ermöglicht es, diese Nachteile zu vermeiden. Genauer gesagt, betrifft die Erfindung eine Anordnung mit einem Speicher und Mitteln zur Validation von Daten, die in dem Speicher eingeschrieben sind, wobei der Speicher als Umlaufspeicher ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die erwähnten Validationsmittel wenigstens zwei "neutrale" Plätze bestimmen, die sich durch Löschung ihres Inhalts ergeben und an den Speicherplatz angrenzen, in den die zu validierenden Daten eingeschrieben werden sollen.
- Die folgende Beschreibung der beiliegenden Zeichnungen eines Ausführungsbeispiels macht verständlicher, wie die Erfindung realisiert werden kann.
- Fig. 1 zeigt eine erfindungsgemäße Anordnung.
- Fig. 2 zeigt, wie in einen Festspeicher eingeschrieben wird.
- Fig. 3 stellt ein Ablaufdiagramm des Betriebs der Validationsmittel dar.
- Fig. 1 stellt einen lösbaren und tragbaren Elektronikträger dar, der nachstehend Mikroschaltungs-Karte oder auch nur "Karte" genannt wird. Die Mikroschaltung 2 der Karte hat einen im wesentlichen bekannten Aufbau. Dieser besteht aus einem 8-Bit-Mikroprozessor 3, der einen Speicher 10 in Form eines RAM, zwei Lebendspeicher in Form von RAM's 4 und 5 als Pufferspeicher, einen Programmspeicher ROM 6 und einen Datenspeicher 7 in Form eines EPROM oder EEPROM aufweist. Der RAM 4 ist mit dem Mikroprozessor 3 durch einen bidirektionalen Adressenbus 8 und der RAM 5 mit dem Mikroprozessor durch einen bidirektionalen Datenbus 9 verbunden. Darüber hinaus ist jeder RAM 4, 5 mit den Speichern 6, 7 jeweils durch einen bidirektionalen (nicht mit einer Bezugszahl versehenen) Bus verbunden. Die Karte 1 ist symbolisch als in einen Leser 11 eingeführt dargestellt. Sie hat sechs Kontakte K1, K2, K3, K4, K5 und K6, die in der eingeführten Lage mit sechs homologen Kontakten des Lesers zusammenarbeiten und, von unten nach oben in der Figur verlaufend, schematisch dargestellt sind, ohne eine spezielle Reihenfolge zu befolgen: Der serielle Eingabe-Ausgabe-Kontakt I/O, der Massekontakt GND, die Versorgung der Mikroschaltung VCC (5 V), die Versorgung der Programmierung VPP, der Taktgeber CLK und die Null-Rückstellung RESET. Einige der sechs Kontakte sind durch (nicht mit Bezugszeichen versehene) Ports mit der Mikroschaltung verbunden. Über ein Interface 12 und eine Kommunikationsverbindung, z. B. eine Übertragungsleitung 13, kommuniziert der Leser mit einem entfernten Gastsystem 14, der ebenfalls ein Interface aufweist. Die Übertragungsleitung 13 ist symbolisch durch zwei Drähte dargestellt, den Draht 16, der die Information des Lesers 11 zum Gastsystem 14 überträgt, und den Draht 17, der die Information in umgekehrter Richtung überträgt.
- Das Problem ist, daß bei einer Transaktion die Transaktion validierende (oder bestätigende) Daten in den EEPROM 7 eingeschrieben werden müssen. Dies wird besonders kritisch, wenn das Einschreiben nicht rechtzeitig erfolgt, insbesondere aufgrund eines Entreißens der Karte oder einer Unterbrechung der Stromversorgung. Um diese Transaktion zu validieren (zu bestätigen), d. h. das Ende einer Einschreiboperation (oder einer Neueinschreiboperation), wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, den EEPROM als Umlaufspeicher zu benutzen, dessen Plätze (Speicherplätze) mit den Adressencodes A0, A1, ... A4, A5, A6 bezeichnet sind, wobei das Einschreiben von Daten, die denen im Platz A6 folgen, im Platz A0 .... usw. erfolgt; die Daten werden ratifiziert, wenn sie an wenigstens zwei "neutralen" Plätzen angrenzen. Bei einem herkömmlichen EEPROM entspricht dies einer Löschung, wobei das Wort in Hexadezimalschreibweise mithin das "FF" ist.
- Anhand von Fig. 2 sei die Wirkungsweise der Erfindung erläutert.
- φ&sub0; stellt den Anfangszustand dar. Die valide (gültige) Information ist R5 und befindet sich im Platz A1. Die beiden folgenden Elemente mit den Adressen A2 und A3 enthalten den Code "FF", was bedeutet, daß diese beiden Kästen bereits gelöscht wurden.
- φ1 stellt das Einschreiben der Daten R6 im Platz A2 dar.
- φ2 stellt die Löschung der vorhergehenden Daten R1 dar. Diese effektive Löschung bedeutet die Validation der Daten R6.
- Mithin würde die Unterbrechung der Operation vor dem normalen Ende der Phase 2 nur eine jungfräuliche Eintragung im EEPROM 7 hinterlassen, und daher würden die Daten R6 als ungültig betrachtet.
- Diese Funktion wird durch die im ROM 6 enthaltenen Programmschritte gesteuert.
- Das in Fig. 3 dargestellte Programm beginnt im Block K0, wobei ein Adressenzähler A (Modulo 7) durch den Wert Ao initialisiert wird, der dem ersten Platz des Umlaufspeichers entspricht. Dann wird im Block K1 geprüft, ob der Inhalt dieses Blocks leer ist ("FF") oder nicht. Wenn der Inhalt nicht leer ist, wird zum Block K2 übergegangen, wobei der Zähler A um eins erhöht und zum Block K1 zurückgekehrt wird. Wenn der Inhalt des Umlaufspeichers leer ist, wird der Zähler A um eins erhöht (Block K5). Dann wird geprüft, ob der folgende Platz des Umlaufspeichers leer ist oder nicht. Wenn er nicht leer ist, ist die Information nicht validiert, und es wird ein Verfahrensablauf dieser Invalidation ausgelöst (Block K8). Dieses Verfahren bildet keinen Teil der Erfindung und wird daher nicht beschrieben. Wenn die Prüfung in Block K6 positiv ist, kann eine Leseoperation oder Einschreiboperation in Abhängigkeit von einer Prüfung durchgeführt werden, die im Block K10 angegeben ist.
- Eine Einschreiboperation beginnt mit der Verringerung des Zählwerts des Zählers A um eins (Block K12), um dann die Daten einzuschreiben (Block K13). Nach der Verifikation (durch erneutes Lesen), daß die Daten gut sind (Block K14), wird der Zählwert des Zählers A um zwei Einheiten erhöht (Block K15), und dann wird der durch den Zähler angezeigte Platz gelöscht (Block K16). Wenn die eingeschriebenen Daten falsch sind, verzweigt sich das Programm zu einer Fehlerbehandlungsroutine, die hier nicht beschrieben wird (Block K18) und nicht löscht C(A).
- Um die Leseoperation zu bewirken, muß der Zählwert des Zählers A um zwei Einheiten verringert werden (Block K21), bevor das Lesen beginnt (Block K22).
Claims (2)
1. Anordnung mit einem Speicher (7) und Mitteln zur
Validation von Daten (R6), die in dem Speicher eingeschrieben
sind, wobei der Speicher als Umlaufspeicher ausgebildet
ist, dadurch gekennzeichnet, daß die erwähnten
Validationsmittel wenigstens zwei "neutrale" Plätze (A3, A4)
bestimmen, die sich durch Löschung ihres Inhalts ergeben
und an den Speicherplatz (A2) angrenzen, in den die zu
validierenden Daten eingeschrieben werden sollen.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
der erwähnte Speicher (7) ein EEPROM ist.
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102009048144A1 (de) * | 2009-10-02 | 2011-04-07 | Giesecke & Devrient Gmbh | Verfahren zum Schreiben von Datensätzen in einen nicht-flüchtigen Datenspeicher |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6094729A (en) * | 1997-04-08 | 2000-07-25 | Advanced Micro Devices, Inc. | Debug interface including a compact trace record storage |
US6148381A (en) * | 1997-04-08 | 2000-11-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Single-port trace buffer architecture with overflow reduction |
DE19718479C1 (de) * | 1997-04-30 | 1998-09-24 | Siemens Ag | Chipkarte mit Speicherzugriffsmaximierung und Protokollierung |
WO2000019384A1 (de) * | 1998-09-30 | 2000-04-06 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsanordnung und verfahren zum authentifizieren des inhalts eines speicherbereichs |
JP4599059B2 (ja) * | 2001-09-18 | 2010-12-15 | キロパス テクノロジー インコーポレイテッド | 超薄膜誘電体のブレークダウン現象を利用した半導体メモリセルセル及びメモリアレイ |
US6798693B2 (en) * | 2001-09-18 | 2004-09-28 | Kilopass Technologies, Inc. | Semiconductor memory cell and memory array using a breakdown phenomena in an ultra-thin dielectric |
US6700151B2 (en) * | 2001-10-17 | 2004-03-02 | Kilopass Technologies, Inc. | Reprogrammable non-volatile memory using a breakdown phenomena in an ultra-thin dielectric |
US6766960B2 (en) * | 2001-10-17 | 2004-07-27 | Kilopass Technologies, Inc. | Smart card having memory using a breakdown phenomena in an ultra-thin dielectric |
US6992925B2 (en) * | 2002-04-26 | 2006-01-31 | Kilopass Technologies, Inc. | High density semiconductor memory cell and memory array using a single transistor and having counter-doped poly and buried diffusion wordline |
US6777757B2 (en) * | 2002-04-26 | 2004-08-17 | Kilopass Technologies, Inc. | High density semiconductor memory cell and memory array using a single transistor |
US6940751B2 (en) * | 2002-04-26 | 2005-09-06 | Kilopass Technologies, Inc. | High density semiconductor memory cell and memory array using a single transistor and having variable gate oxide breakdown |
US6898116B2 (en) * | 2002-04-26 | 2005-05-24 | Kilopass Technologies, Inc. | High density semiconductor memory cell and memory array using a single transistor having a buried N+ connection |
US6650143B1 (en) | 2002-07-08 | 2003-11-18 | Kilopass Technologies, Inc. | Field programmable gate array based upon transistor gate oxide breakdown |
US7042772B2 (en) * | 2002-09-26 | 2006-05-09 | Kilopass Technology, Inc. | Methods and circuits for programming of a semiconductor memory cell and memory array using a breakdown phenomenon in an ultra-thin dielectric |
US7031209B2 (en) * | 2002-09-26 | 2006-04-18 | Kilopass Technology, Inc. | Methods and circuits for testing programmability of a semiconductor memory cell and memory array using a breakdown phenomenon in an ultra-thin dielectric |
US6791891B1 (en) | 2003-04-02 | 2004-09-14 | Kilopass Technologies, Inc. | Method of testing the thin oxide of a semiconductor memory cell that uses breakdown voltage |
US6924664B2 (en) * | 2003-08-15 | 2005-08-02 | Kilopass Technologies, Inc. | Field programmable gate array |
US7064973B2 (en) * | 2004-02-03 | 2006-06-20 | Klp International, Ltd. | Combination field programmable gate array allowing dynamic reprogrammability |
US6972986B2 (en) * | 2004-02-03 | 2005-12-06 | Kilopass Technologies, Inc. | Combination field programmable gate array allowing dynamic reprogrammability and non-votatile programmability based upon transistor gate oxide breakdown |
US20050218929A1 (en) * | 2004-04-02 | 2005-10-06 | Man Wang | Field programmable gate array logic cell and its derivatives |
US7755162B2 (en) * | 2004-05-06 | 2010-07-13 | Sidense Corp. | Anti-fuse memory cell |
US9123572B2 (en) | 2004-05-06 | 2015-09-01 | Sidense Corporation | Anti-fuse memory cell |
WO2005109516A1 (en) * | 2004-05-06 | 2005-11-17 | Sidense Corp. | Split-channel antifuse array architecture |
US8735297B2 (en) | 2004-05-06 | 2014-05-27 | Sidense Corporation | Reverse optical proximity correction method |
US20050275427A1 (en) * | 2004-06-10 | 2005-12-15 | Man Wang | Field programmable gate array logic unit and its cluster |
US7164290B2 (en) * | 2004-06-10 | 2007-01-16 | Klp International, Ltd. | Field programmable gate array logic unit and its cluster |
US7135886B2 (en) * | 2004-09-20 | 2006-11-14 | Klp International, Ltd. | Field programmable gate arrays using both volatile and nonvolatile memory cell properties and their control |
US7193436B2 (en) * | 2005-04-18 | 2007-03-20 | Klp International Ltd. | Fast processing path using field programmable gate array logic units |
CN106816175A (zh) * | 2015-12-01 | 2017-06-09 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 存储器的控制方法及装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH669275A5 (de) * | 1985-08-21 | 1989-02-28 | Landis & Gyr Ag | Verfahren und einrichtung zum auswerten und loeschen von wertmarkierungen auf wertdokumenten. |
JPS6246483A (ja) * | 1985-08-22 | 1987-02-28 | Casio Comput Co Ltd | Icカ−ドにおけるデ−タ書込み方式 |
DE3602112A1 (de) * | 1986-01-24 | 1987-07-30 | Vdo Schindling | System zur speicherung von informationen |
JPS63120391A (ja) * | 1986-11-10 | 1988-05-24 | Hitachi Ltd | Icカ−ド |
JPH01259483A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-17 | Minolta Camera Co Ltd | Icカード |
KR0135082B1 (ko) * | 1988-04-28 | 1998-04-20 | 오가 노리오 | 정보 기억방법 및 그 장치 |
EP0398545A1 (de) * | 1989-05-19 | 1990-11-22 | Delco Electronics Corporation | Verfahren und Vorrichtung zur Datenspeicherung in einem nichtflüchtigen Speicher |
FR2665791B1 (fr) * | 1990-08-13 | 1994-11-10 | Didier Mazingue | Procede de mise a jour d'une memoire eeprom. |
FR2666425A1 (fr) * | 1990-08-31 | 1992-03-06 | Gemplus Card Int | Procede et dispositif de mise a jour d'informations dans une memoire et leur utilisation dans les cartes a memoire. |
-
1992
- 1992-03-25 FR FR9203619A patent/FR2689263A1/fr not_active Withdrawn
-
1993
- 1993-03-16 DE DE69323104T patent/DE69323104T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-03-16 EP EP93200755A patent/EP0562669B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-03-24 JP JP5065438A patent/JPH06231052A/ja active Pending
-
1995
- 1995-05-22 US US08/445,989 patent/US5675541A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102009048144A1 (de) * | 2009-10-02 | 2011-04-07 | Giesecke & Devrient Gmbh | Verfahren zum Schreiben von Datensätzen in einen nicht-flüchtigen Datenspeicher |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0562669A1 (de) | 1993-09-29 |
DE69323104D1 (de) | 1999-03-04 |
US5675541A (en) | 1997-10-07 |
JPH06231052A (ja) | 1994-08-19 |
EP0562669B1 (de) | 1999-01-20 |
FR2689263A1 (fr) | 1993-10-01 |
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