JPH06228223A - オレフィン重合用固体触媒成分、該触媒成分からなる触媒及び該触媒を用いるオレフィン重合体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 新規な固体触媒成分、該触媒成分からなる触
媒を提供するとともに、組成分布が狭く、かつ耐候性、
力学特性の優れたオレフィン重合体を製造する方法を提
供する。 【構成】 （Ａ）少なくとも１つのＴｉ−Ｎ結合を有す
るチタン化合物、マグネシウム化合物及び電子供与体か
らなるオレフィン重合用固体触媒成分、該触媒成分から
なる触媒、及び該触媒を用いるオレフィン重合体の製造
方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、オレフィン重合用固体
触媒成分、該触媒成分からなる触媒及び該触媒を用いる
オレフィン重合体の製造方法に関する。

【従来の技術】

【０００２】マグネシウム化合物にＴｉ−Ｎ結合を有す
るチタン化合物を担持した後、アルキルアルミニウムハ
ライドでハロゲン化処理して得られる固体触媒成分を、
オレフィン重合に使用することが提案されている（ＵＳ
Ｐ４，２１１，６７１）。しかしながら、かかる技術に
おいて、得られるエチレン−α−オレフィン共重合体
は、組成分布が広いという問題点があった。

【０００３】ところで、エチレン系共重合体は、その成
形方法や用途に応じて要求される特性が異なる。一般
に、高圧法低密度ポリエチレンは、柔軟でかつ透明性が
良好であるため、フィルム、中空容器等の用途に使用さ
れている。しかしながら、耐衝撃性、耐引き裂き性等に
劣る欠点があるため、その利用分野に制約を受ける。一
方、チタン系チーグラー・ナッタ触媒を用いて得られる
エチレン系共重合体は、比較的良好な機械的強度を有す
るものの、光学的特性及びヒートシール性等の熱的特性
において充分満足し得る性質を有しない。

【０００４】近年、ポリマー加工機械の高速化やポリマ
ー薄肉化の進展により、従来以上の機械的強度を有し、
なおかつ他の良好な性質をバランス良く兼備したエチレ
ン系共重合体の開発が望まれている。また、樹脂改質用
途に用いられるエチレン系共重合体熱可塑性ゴム分野に
おいては、従来のチタン系チーグラー・ナッタ触媒で得
られたポリマーは、エチレンの連鎖に基づく結晶性が強
すぎるため、耐衝撃性改良効果が充分でないか、または
耐衝撃性改良効果があっても、硬度、ＨＤＴの低下が大
きくその使用には問題があった。従って、もし、これら
の欠点を改良する組成分布が狭いエチレン共重合体を与
える高活性なチタン系チーグラー・ナッタ触媒が出現す
れば、機械的強度、光学的特性、熱的特性、樹脂改質特
性に優れた材料が安価に製造できその工業的価値は極め
て大きい。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】かかる現状において、
本発明の解決すべき課題、即ち本発明の目的は、新規の
触媒を用いることにより、上記のような従来技術の問題
点を解決しようとするものであって、組成分布が狭く且
つ耐候性、力学特性に優れたエチレン−α−オレフィン
共重合体を高分子量で与える、重合活性に優れ、高級α
−オレフィン、あるいはポリエンとの共重合性に優れた
固体触媒成分、該触媒成分よりなる触媒及びそれを用い
たオレフィン重合体の製造方法を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、
（Ａ）少なくとも１つのＴｉ−Ｎ結合を有するチタン化
合物、マグネシウム化合物及び電子供与体からなるオレ
フィン重合用固体触媒成分を提供するものである。ま
た、本発明は、（Ａ）少なくとも１つのＴｉ−Ｎ結合を
有するチタン化合物、マグネシウム化合物及び電子供与
体からなるオレフィン重合用固体触媒成分、並びに
（Ｂ）有機アルミニウム化合物からなるオレフィン重合
用触媒を提供するものである。さらに、本発明は、前記
オレフィン重合用触媒を用いることを特徴とするオレフ
ィン重合体の製造方法を提供するものである。

【０００７】以下、本発明を詳細に説明する。（Ａ）オレフィン重合用固体触媒成分 （ａ）チタン化合物 本発明の（Ａ）成分の合成において使用されるチタン化
合物は、少なくとも１つのＴｉ−Ｎ結合を有するチタン
化合物であり、さらに好ましい化合物としては、一般式
（Ｒ¹ Ｒ² Ｎ）_4-(m+n) ＴｉＸ¹ _m Ｙ_n （但し、Ｒ¹ 及
びＲ² は、それぞれ炭素数１〜３０の炭化水素基を表し
互いに同一でも異なっていてもよく、Ｘ ¹ はハロゲン、
Ｙはアルコキシ基、ｍは０≦ｍ＜４、ｎは０≦ｎ＜４の
数字を表し、０≦（ｍ＋ｎ）＜４である）で表されるチ
タン化合物である。かかるチタン化合物の具体例として
は、ジメチルアミノチタニウムトリクロライド、ビス
（ジメチルアミノ）チタニウムジクロライド、トリス
（ジメチルアミノ）チタニウムクロライド、テトラキス
（ジメチルアミノ）チタニウム、ジエチルアミノチタニ
ウムトリクロライド、ビス（ジエチルアミノ）チタニウ
ムジクロライド、トリス（ジエチルアミノ）チタニウム
クロライド、テトラキス（ジエチルアミノ）チタニウ
ム、ジ−イソプロピルアミノチタニウムトリクロライ
ド、ビス（ジ−イソプロピルアミノ）チタニウムジクロ
ライド、トリス（ジ−イソプロピルアミノ）チタニウム
クロライド、テトラキス（ジ−イソプロピルアミノ）チ
タニウム、ジプロピルアミノチタニウムトリクロライ
ド、ビス（ジプロピルアミノ）チタニウムジクロライ
ド、トリス（ジプロピルアミノ）チタニウムクロライ
ド、テトラキス（ジプロピルアミノ）チタニウム、ジ−
イソブチルアミノチタニウムトリクロライド、ビス（ジ
−イソブチルアミノ）チタニウムジクロライド、トリス
（ジ−イソブチルアミノ）チタニウムクロライド、テト
ラキス（ジ−イソブチルアミノ）チタニウム、ジ−ｔｅ
ｒｔ−ブチルアミノチタニウムトリクロライド、ビス
（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアミノ）チタニウムジクロライ
ド、トリス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアミノ）チタニウム
クロライド、テトラキス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアミ
ノ）チタニウム、ジブチルアミノチタニウムトリクロラ
イド、ビス（ジブチルアミノ）チタニウムジクロライ
ド、トリス（ジブチルアミノ）チタニウムクロライド、
テトラキス（ジブチルアミノ）チタニウム、ジヘキシル
アミノチタニウムトリクロライド、ビス（ジヘキシルア
ミノ）チタニウムジクロライド、トリス（ジヘキシルア
ミノ）チタニウムクロライド、テトラキス（ジヘキシル
アミノ）チタニウム、ジオクチルアミノチタニウムトリ
クロライド、ビス（ジオクチルアミノ）チタニウムジク
ロライド、トリス（ジオクチルアミノ）チタニウムクロ
ライド、テトラキス（ジオクチルアミノ）チタニウム、
ジデシルアミノチタニウムトリクロライド、ビス（ジデ
シルアミノ）チタニウムジクロライド、トリス（ジデシ
ルアミノ）チタニウムクロライド、テトラキス（ジデシ
ルアミノ）チタニウム、ジオクタデシルアミノチタニウ
ムトリクロライド、ビス（ジオクタデシルアミノ）チタ
ニウムジクロライド、トリス（ジオクタデシルアミノ）
チタニウムクロライド、テトラキス（ジオクタデシルア
ミノ）チタニウム、ジフェニルアミノチタニウムトリク
ロライド、ビス（ジフェニルアミノ）チタニウムジクロ
ライド、トリス（ジフェニルアミノ）チタニウムクロラ
イド、テトラキス（ジフェニルアミノ）チタニウム、ジ
プロペニルアミドチタニウムトリクロライド、ビス（ジ
プロペニルアミド）チタニウムジクロライド、トリス
（ジプロペニルアミド）チタニウムクロライド、テトラ
キス（ジプロペニルアミド）チタニウム、エトキシ（ジ
メチルアミノ）チタニウムジクロライド、エトキシ（ジ
エチルアミノ）チタニウムジクロライド、エトキシ（ジ
プロピルアミノ）チタニウムジクロライド、エトキシ
（ジイソプロピルアミノ）チタニウムジクロライド、エ
トキシ（ジイソブチルアミノ）チタニウムジクロライ
ド、エトキシ（ジ−tert−ブチルアミノ）チタニウムジ
クロライド、エトキシ（ジブチルアミノ）チタニウムジ
クロライド、エトキシ（ジヘキシルアミノ）チタニウム
ジクロライド、エトキシ（ジオクチルアミノ）チタニウ
ムジクロライド、エトキシ（ジフェニルアミノ）チタニ
ウムジクロライド、プロポキシ（ジメチルアミノ）チタ
ニウムジクロライド、プロポキシ（ジエチルアミノ）チ
タニウムジクロライド、プロポキシ（ジプロピルアミ
ノ）チタニウムジクロライド、プロポキシ（ジイソプロ
ピルアミノ）チタニウムジクロライド、プロポキシ（ジ
イソブチルアミノ）チタニウムジクロライド、プロポキ
シ（ジ−tert−ブチルアミノ）チタニウムジクロライ
ド、プロポキシ（ジブチルアミノ）チタニウムジクロラ
イド、プロポキシ（ジヘキシルアミノ）チタニウムジク
ロライド、プロポキシ（ジオクチルアミノ）チタニウム
ジクロライド、プロポキシ（ジフェニルアミノ）チタニ
ウムジクロライド、ブトキシ（ジメチルアミノ）チタニ
ウムジクロライド、ブトキシ（ジエチルアミノ）チタニ
ウムジクロライド、ブトキシ（ジプロピルアミノ）チタ
ニウムジクロライド、ブトキシ（ジイソプロピルアミ
ノ）チタニウムジクロライド、ブトキシ（ジイソブチル
アミノ）チタニウムジクロライド、ブトキシ（ジ−tert
−ブチルアミノ）チタニウムジクロライド、ブトキシ
（ジブチルアミノ）チタニウムジクロライド、ブトキシ
（ジヘキシルアミノ）チタニウムジクロライド、ブトキ
シ（ジオクチルアミノ）チタニウムジクロライド、ブト
キシ（ジフェニルアミノ）チタニウムジクロライド、ヘ
キシロキシ（ジオクチルアミノ）チタニウムジクロライ
ド、２−エチルヘキシロキシ（ジオクチルアミノ）チタ
ニウムジクロライド、デシロキシ（ジオクチルアミノ）
チタニウムジクロライド、エトキシ（ジデシルアミノ）
チタニウムジクロライド、ヘキシロキシ（ジデシルアミ
ノ）チタニウムジクロライド、２−エチルヘキシロキシ
（ジデシルアミノ）チタニウムジクロライド、デシロキ
シ（ジデシルアミノ）チタニウムジクロライド、エトキ
シ（ジオクタデシルアミノ）チタニウムジクロライド、
２−エチルヘキシロキシ（ジオクタデシルアミノ）チタ
ニウムジクロライド、デシロキシ（ジオクタデシルアミ
ノ）チタニウムジクロライド、ヘキシロキシビス（ジオ
クチルアミノ）チタニウムクロライド、２−エチルヘキ
シロキシビス（ジオクチルアミノ）チタニウムクロライ
ド、デシロキシビス（ジオクチルアミノ）チタニウムク
ロライド、ヘキシロキシビス（ジデシルアミノ）チタニ
ウムクロライド、２−エチルヘキシロキシビス（ジデシ
ルアミノ）チタニウムクロライド、デシロキシビス（ジ
デシルアミノ）チタニウムクロライド、ヘキシロキシビ
ス（ジオクタデシルアミノ）チタニウムクロライド、２
−エチルヘキシロキシビス（ジオクタデシルアミノ）チ
タニウムクロライド、デシロキシビス（ジオクタデシル
アミノ）チタニウムクロライド、メトキシトリス（ジメ
チルアミノ）チタニウム、エトキシトリス（ジメチルア
ミノ）チタニウム、ブトキシトリス（ジメチルアミノ）
チタニウム、ヘキシロキシトリス（ジメチルアミノ）チ
タニウム、２−エチルヘキシロキシトリス（ジメチルア
ミノ）チタニウム、デシロキシトリス（ジメチルアミ
ノ）チタニウム、メトキシトリス（ジエチルアミノ）チ
タニウム、エトキシトリス（ジエチルアミノ）チタニウ
ム、ブトキシトリス（ジエチルアミノ）チタニウム、ヘ
キシロキシトリス（ジエチルアミノ）チタニウム、２−
エチルヘキシロキシトリス（ジエチルアミノ）チタニウ
ム、デシロキシトリス（ジエチルアミノ）チタニウム、
メトキシトリス（ジプロピルアミノ）チタニウム、エト
キシトリス（ジプロピルアミノ）チタニウム、ブトキシ
トリス（ジプロピルアミノ）チタニウム、ヘキシロキシ
トリス（ジプロピルアミノ）チタニウム、２−エチルヘ
キシロキシトリス（ジプロピルアミノ）チタニウム、デ
シロキシトリス（ジプロピルアミノ）チタニウム、メト
キシトリス（ジブチルアミノ）チタニウム、エトキシト
リス（ジブチルアミノ）チタニウム、ブトキシトリス
（ジブチルアミノ）チタニウム、ヘキシロキシトリス
（ジブチルアミノ）チタニウム、２−エチルヘキシロキ
シトリス（ジブチルアミノ）チタニウム、デシロキシト
リス（ジブチルアミノ）チタニウム、メトキシトリス
（ジヘキシルアミノ）チタニウム、エトキシトリス（ジ
ヘキシルアミノ）チタニウム、ブトキシトリス（ジヘキ
シルアミノ）チタニウム、ヘキシロキシトリス（ジヘキ
シルアミノ）チタニウム、２−エチルヘキシロキシトリ
ス（ジヘキシルアミノ）チタニウム、デシロキシトリス
（ジヘキシルアミノ）チタニウム、メトキシトリス（ジ
フェニルアミノ）チタニウム、エトキシトリス（ジフェ
ニルアミノ）チタニウム、ブトキシトリス（ジフェニル
アミノ）チタニウム、ヘキシロキシトリス（ジフェニル
アミノ）チタニウム、２−エチルヘキシロキシトリス
（ジフェニルアミノ）チタニウム、デシロキシトリス
（ジフェニルアミノ）チタニウム、メトキシトリス（ジ
オクチルアミノ）チタニウム、エトキシトリス（ジオク
チルアミノ）チタニウム、ブトキシトリス（ジオクチル
アミノ）チタニウム、ヘキシロキシトリス（ジオクチル
アミノ）チタニウム、２−エチルヘキシロキシトリス
（ジオクチルアミノ）チタニウム、デシロキシトリス
（ジオクチルアミノ）チタニウム、メトキシトリス（ジ
デシルアミノ）チタニウム、エトキシトリス（ジデシル
アミノ）チタニウム、ブトキシトリス（ジデシルアミ
ノ）チタニウム、ヘキシロキシトリス（ジデシルアミ
ノ）チタニウム、２−エチルヘキシロキシトリス（ジデ
シルアミノ）チタニウム、デシロキシトリス（ジデシル
アミノ）チタニウム、メトキシトリス（ジオクタデシル
アミノ）チタニウム、エトキシトリス（ジオクタデシル
アミノ）チタニウム、ブトキシトリス（ジオクタデシル
アミノ）チタニウム、ヘキシロキシトリス（ジオクタデ
シルアミノ）チタニウム、２−エチルヘキシロキシトリ
ス（ジオクタデシルアミノ）チタニウム、デシロキシト
リス（ジオクタデシルアミノ）チタニウム等が挙げられ
る。

【０００８】かかるチタン化合物のうち、Ｒ¹ 及びＲ²
は、炭素数１〜３０の脂肪族炭化水素であることが好ま
しく、中でも炭素数１〜２０の直鎖脂肪族炭化水素であ
ることが特に好ましい。Ｘは、塩素、臭素、沃素である
ことが好ましく、中でも塩素であることが特に好まし
い。また、ｍ及びｎは、それぞれ０≦ｍ≦３、０≦ｎ≦
３、０≦（ｍ＋ｎ）≦３であることが好ましく、中でも
１≦ｍ≦３、０≦ｎ≦２、１≦（ｍ＋ｎ）≦３であるこ
とが特に好ましい。かかるチタン化合物の具体例として
は、ジメチルアミドチタニウムトリクロライド、ビス
（ジメチルアミド）チタニウムジクロライド、トリス
（ジメチルアミド）チタニウムクロライド、ジブチルア
ミドチタニウムトリクロライド、ビス（ジブチルアミ
ド）チタニウムジクロライド、トリス（ジブチルアミ
ド）チタニウムクロライド、ジオクチルアミドチタニウ
ムトリクロライド、ビス（ジオクチルアミド）チタニウ
ムジクロライド、トリス（ジオクチルアミド）チタニウ
ムクロライド、ジデシルアミドチタニウムトリクロライ
ド、ビス（ジデシルアミド）チタニウムジクロライド、
トリス（ジデシルアミド）チタニウムクロライド、ジオ
クタデシルアミドチタニウムトリクロライド、ビス（ジ
オクタデシルアミド）チタニウムジクロライド、トリス
（ジオクタデシルアミド）チタニウムクロライド、エト
キシ（ジオクチルアミド）チタニウムジクロライド、エ
トキシ（ジデシルアミド）チタニウムジクロライド、
（ジオクタデシルアミド）チタニウムジクロライド等が
挙げられる。

【０００９】本発明で用いるチタン化合物の合成方法と
しては、例えば特公昭４１−５３９７号公報、特公昭４
２−１１６４６号公報、Ｈ．Ｂｕｅｒｇｅｒ ｅｔ ａ
ｌ．Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．１０８（１９
７６）６９−８４，Ｈ．Ｂｕｅｒｇｅｒ ｅｔ ａｌ．
Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．２０（１９６９）
１２９−１３９、Ｈ．Ｂｕｅｒｇｅｒ，Ｚ．Ａｎｏｒ
ｇ．ａｌｌｇ．Ｃｈｅｍ．，３６５（１９９１），２４
３−２５４等に記載の方法を用いることができる。ま
た、本発明で用いるチタン化合物は、上記したチタン化
合物に、ハロゲン化チタン化合物及び／またはアルコキ
シチタン化合物を混合して得られたチタン化合物でもよ
い。さらにこれらのチタン化合物は炭化水素化合物ある
いは、ハロゲン化炭化水素化合物などの希釈剤に希釈さ
れてもよい。

【００１０】（ｂ）マグネシウム化合物 本発明の（Ａ）成分の製造において使用されるマグネシ
ウム化合物は、公知の有機マグネシウム化合物及び無機
マグネシウム化合物が挙げられる。有機マグネシウム化
合物は、マグネシウム−炭素の結合を含有する任意の型
の有機マグネシウム化合物が使用できる。有機マグネシ
ウム化合物としては、例えば一般式Ｒ⁸ Ｒ⁹ Ｍｇ（ただ
し、Ｒ⁸ 及びＲ⁹ は炭素数１〜２０の炭化水素基を表わ
す。）、一般式Ｒ¹⁰ＭｇＺ² （ただし、Ｒ¹⁰は炭素数１
〜２０の炭化水素基、Ｚ² は水素原子又はアルコキシ基
を表わす。）、一般式Ｒ¹¹ＭｇＸ² （ただし、Ｒ¹¹は炭
素数１〜２０の炭化水素基、Ｘ² はハロゲンを表わ
す。）及び（Ｒ¹²ＣＯＯ）₂ Ｍｇ（ただし、Ｒ¹²は炭素
数１〜２０の炭化水素を表わす。）で表わされる有機マ
グネシウム化合物等が挙げられる。ここで、Ｒ⁸ 、Ｒ
⁹ 、Ｒ¹⁰、Ｒ ¹¹及びＲ¹²は同一でも異なっていてもよ
く、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチ
ル、sec-ブチル、tert−ブチル、アミル、イソアミル、
ヘキシル、オクチル、２−エチルヘキシル、フェニル、
ベンジル、ビニル、１−プロペニル、２−プロペニル等
の炭素数１〜２０のアルキル基、アリール基、アラルキ
ル基、アルケニル基を示す。また、無機マグネシウム化
合物としては、例えば一般式ＭｇＸ³ ₂（ただし、Ｘ ³ は
ハロゲンを表わす。）で表わされる無機マグネシウム化
合物が挙げられる。

【００１１】具体的には、一般式Ｒ⁸ Ｒ⁹ Ｍｇで表わさ
れる有機マグネシウム化合物としては、例えばジメチル
マグネシウム、ジエチルマグネシウム、ジプロピルマグ
ネシウム、ジイソプロピルマグネシウム、ジブチルマグ
ネシウム、ジイソブチルマグネシウム、ジ−sec −ブチ
ルマグネシウム、ジ−tert−ブチルマグネシウム、ジア
ミルマグネシウム、ジネオペンチルマグネシウム、ジヘ
キシルマグネシウム、ジシクロヘキシルマグネシウム、
ジフェニルマグネシウム、ジベンジルマグネシウム、ジ
ビニルマグネシウム、ジ−２−プロペニルマグネシウ
ム、ジ−２−ブテニルマグネシウム、ビス（トリメチル
シリルメチル）マグネシウム、メチルエチルマグネシウ
ム、メチルプロピルマグネシウム、メチルイソプロピル
マグネシウム、メチルブチルマグネシウム、メチルイソ
ブチルマグネシウム、メチル−sec−ブチルマグネシウ
ム、メチル−tert−ブチルマグネシウム、メチルアミル
マグネシウム、メチルネオペンチルマグネシウム、メチ
ルヘキシルマグネシウム、メチルシクロヘキシルマグネ
シウム、メチルフェニルマグネシウム、メチルベンジル
マグネシウム、メチルビニルマグネシウム、メチル−２
−プロペニルマグネシウム、メチル−２−ブテニルマグ
ネシウム、メチル（トリメチルシリルメチル）マグネシ
ウム、エチルプロピルマグネシウム、エチルイソプロピ
ルマグネシウム、エチルブチルマグネシウム、エチルイ
ソブチルマグネシウム、エチル−sec −ブチルマグネシ
ウム、エチル−tert−ブチルマグネシウム、エチルアミ
ルマグネシウム、エチルネオペンチルマグネシウム、エ
チルヘキシルマグネシウム、エチルシクロヘキシルマグ
ネシウム、エチルフェニルマグネシウム、エチルベンジ
ルマグネシウム、エチルビニルマグネシウム、エチル−
２−プロペニルマグネシウム、エチル−２−ブテニルマ
グネシウム、エチル（トリメチルシリルメチル）マグネ
シウム、プロピルイソプロピルマグネシウム、プロピル
ブチルマグネシウム、プロピルイソブチルマグネシウ
ム、プロピル−sec −ブチルマグネシウム、プロピル−
tert−ブチルマグネシウム、プロピルアミルマグネシウ
ム、プロピルネオペンチルマグネシウム、プロピルヘキ
シルマグネシウム、プロピルシクロヘキシルマグネシウ
ム、プロピルフェニルマグネシウム、プロピルベンジル
マグネシウム、プロピルビニルマグネシウム、プロピル
−２−プロペニルマグネシウム、プロピル−２−ブテニ
ルマグネシウム、プロピル（トリメチルシリルメチル）
マグネシウム、イソプロピルブチルマグネシウム、イソ
プロピルイソブチルマグネシウム、イソプロピル−sec
−ブチルマグネシウム、イソプロピル−tert−ブチルマ
グネシウム、イソプロピルアミルマグネシウム、イソプ
ロピルネオペンチルマグネシウム、イソプロピルヘキシ
ルマグネシウム、イソプロピルシクロヘキシルマグネシ
ウム、イソプロピルフェニルマグネシウム、イソプロピ
ルベンジルマグネシウム、イソプロピルビニルマグネシ
ウム、イソプロピル−２−プロペニルマグネシウム、イ
ソプロピル−２−ブテニルマグネシウム、イソプロピル
（トリメチルシリルメチル）マグネシウム、ブチルイソ
ブチルマグネシウム、ブチル−sec −ブチルマグネシウ
ム、ブチル−tert−ブチルマグネシウム、ブチルアミル
マグネシウム、ブチルネオペンチルマグネシウム、ブチ
ルヘキシルマグネシウム、ブチルシクロヘキシルマグネ
シウム、ブチルフェニルマグネシウム、ブチルベンジル
マグネシウム、ブチルビニルマグネシウム、ブチル−２
−プロペニルマグネシウム、ブチル−２−ブテニルマグ
ネシウム、ブチル（トリメチルシリルメチル）マグネシ
ウム、イソブチル−sec −ブチルマグネシウム、イソブ
チル−tert−ブチルマグネシウム、イソブチルアミルマ
グネシウム、イソブチルネオペンチルマグネシウム、イ
ソブチルヘキシルマグネシウム、イソブチルシクロヘキ
シルマグネシウム、イソブチルフェニルマグネシウム、
イソブチルベンジルマグネシウム、イソブチルビニルマ
グネシウム、イソブチル−２−プロペニルマグネシウ
ム、イソブチル−２−ブテニルマグネシウム、イソブチ
ル（トリメチルシリルメチル）マグネシウム、sec −ブ
チル−tert−ブチルマグネシウム、sec −ブチルアミル
マグネシウム、sec −ブチルネオペンチルマグネシウ
ム、sec −ブチルヘキシルマグネシウム、sec −ブチル
シクロヘキシルマグネシウム、sec −ブチルフェニルマ
グネシウム、sec −ブチルベンジルマグネシウム、sec
−ブチルビニルマグネシウム、sec −ブチル−２−プロ
ペニルマグネシウム、sec −ブチル−２−ブテニルマグ
ネシウム、sec −ブチル（トリメチルシリルメチル）マ
グネシウム、tert−ブチルアミルマグネシウム、tert−
ブチルネオペンチルマグネシウム、tert−ブチルヘキシ
ルマグネシウム、tert−ブチルシクロヘキシルマグネシ
ウム、tert−ブチルフェニルマグネシウム、tert−ブチ
ルベンジルマグネシウム、tert−ブチルビニルマグネシ
ウム、tert−ブチル−２−プロペニルマグネシウム、te
rt−ブチル−２−ブテニルマグネシウム、tert−ブチル
（トリメチルシリルメチル）マグネシウム、アミルネオ
ペンチルマグネシウム、アミルヘキシルマグネシウム、
アミルシクロヘキシルマグネシウム、アミルフェニルマ
グネシウム、アミルベンジルマグネシウム、アミルビニ
ルマグネシウム、アミル−２−プロペニルマグネシウ
ム、アミル−２−ブテニルマグネシウム、アミル（トリ
メチルシリルメチル）マグネシウム、ネオペンチルヘキ
シルマグネシウム、ネオペンチルシクロヘキシルマグネ
シウム、ネオペンチルフェニルマグネシウム、ネオペン
チルベンジルマグネシウム、ネオペンチルビニルマグネ
シウム、ネオペンチル−２−プロペニルマグネシウム、
ネオペンチル−２−ブテニルマグネシウム、ネオペンチ
ル（トリメチルシリルメチル）マグネシウム、ヘキシル
シクロヘキシルマグネシウム、ヘキシルフェニルマグネ
シウム、ヘキシルベンジルマグネシウム、ヘキシルビニ
ルマグネシウム、ヘキシル−２−プロペニルマグネシウ
ム、ヘキシル−２−ブテニルマグネシウム、ヘキシル
（トリメチルシリルメチル）マグネシウム、シクロヘキ
シルフェニルマグネシウム、シクロヘキシルベンジルマ
グネシウム、シクロヘキシルビニルマグネシウム、シク
ロヘキシル−２−プロペニルマグネシウム、シクロヘキ
シル−２−ブテニルマグネシウム、シクロヘキシル（ト
リメチルシリルメチル）マグネシウム、フェニルベンジ
ルマグネシウム、フェニルビニルマグネシウム、フェニ
ル−２−プロペニルマグネシウム、フェニル−２−ブテ
ニルマグネシウム、フェニル（トリメチルシリルメチ
ル）マグネシウム、ベンジルビニルマグネシウム、ベン
ジル−２−プロペニルマグネシウム、ベンジル−２−ブ
テニルマグネシウム、ベンジル（トリメチルシリルメチ
ル）マグネシウム、ビニル−２−プロペニルマグネシウ
ム、ビニル−２−ブテニルマグネシウム、ビニル（トリ
メチルシリルメチル）マグネシウム等が挙げられる。

【００１２】一般式Ｒ¹⁰ＭｇＺ² で表わされる有機マグ
ネシウム化合物としては、例えばエチルマグネシウムハ
イドライド、プロピルマグネシウムハイドライド、イソ
プロピルマグネシウムハイドライド、ブチルマグネシウ
ムハイドライド、sec −ブチルマグネシウムハイドライ
ド、tert−ブチルマグネシウムハイドライド、フェニル
マグネシウムハイドライド、エチルマグネシウムメトキ
シド、エチルマグネシウムエトキシド、エチルマグネシ
ウムプロポキシド、エチルマグネシウムブトキシド、エ
チルマグネシウムフェノキシド、プロピルマグネシウム
メトキシド、プロピルマグネシウムエトキシド、プロピ
ルマグネシウムプロポキシド、プロピルマグネシウムブ
トキシド、プロピルマグネシウムフェノキシド、イソプ
ロピルマグネシウムメトキシド、イソプロピルマグネシ
ウムエトキシド、イソプロピルマグネシウムプロポキシ
ド、イソプロピルマグネシウムブトキシド、イソプロピ
ルマグネシウムフェノキシド、ブチルマグネシウムメト
キシド、ブチルマグネシウムエトキシド、ブチルマグネ
シウムプロポキシド、ブチルマグネシウムブトキシド、
ブチルマグネシウムフェノキシド、sec −ブチルマグネ
シウムメトキシド、sec −ブチルマグネシウムエトキシ
ド、sec −ブチルマグネシウムプロポキシド、sec −ブ
チルマグネシウムブトキシド、sec −ブチルマグネシウ
ムフェノキシド、tert−ブチルマグネシウムメトキシ
ド、tert−ブチルマグネシウムエトキシド、tert−ブチ
ルマグネシウムプロポキシド、tert−ブチルマグネシウ
ムブトキシド、tert−ブチルマグネシウムフェノキシ
ド、フェニルマグネシウムメトキシド、フェニルマグネ
シウムエトキシド、フェニルマグネシウムプロポキシ
ド、フェニルマグネシウムブトキシド、フェニルマグネ
シウムフェノキシド等が挙げられる。

【００１３】一般式Ｒ¹¹ＭｇＸ² で表わされる有機マグ
ネシウム化合物としては、例えばメチルマグネシウムク
ロライド、エチルマグネシウムクロライド、エチルマグ
ネシウムブロマイド、エチルマグネシウムアイオダイ
ド、プロピルマグネシウムクロライド、プロピルマグネ
シウムブロマイド、ブチルマグネシウムクロライド、ブ
チルマグネシウムブロマイド、sec −ブチルマグネシウ
ムクロライド、sec −ブチルマグネシウムブロマイド、
tert−ブチルマグネシウムクロライド、tert−ブチルマ
グネシウムブロマイド、アミルマグネシウムクロライ
ド、イソアミルマグネシウムクロライド、ビニルマグネ
シウムブロマイド、ビニルマグネシウムクロライド、１
−プロペニルマグネシウムブロマイド、１−プロペニル
マグネシウムクロライド、２−プロペニルマグネシウム
ブロマイド、２−プロペニルマグネシウムクロライド、
フェニルマグネシウムクロライド、フェニルマグネシウ
ムブロマイド、ベンジルマグネシウムクロライド、ベン
ジルマグネシウムブロマイド等が挙げられる。

【００１４】一般式（Ｒ¹²ＣＯＯ）₂ Ｍｇで表わされる
有機マグネシウム化合物としては、例えば酢酸マグネシ
ウム、安息香酸マグネシウム、ラウリル酸マグネシウ
ム、ステアリン酸マグネシウム、オレイン酸マグネシウ
ム、２−エチル酪酸マグネシウム、シクロヘキサン酪酸
マグネシウム等が挙げられる。

【００１５】一般式ＭｇＸ³ ₂で表わされる無機マグネシ
ウム化合物としては、例えばマグネシウムジクロライ
ド、マグネシウムジブロマイド、マグネシウムジアイオ
ダイド等が挙げられる。

【００１６】上記マグネシウム化合物の中でも一般式Ｒ
⁸ Ｒ⁹ Ｍｇ、Ｒ¹¹ＭｇＸ² 及びＭｇＸ³ ₂で表わされるマ
グネシウム化合物が好ましい。ただし、固体触媒成分を
製造した場合に、マグネシウム−ハロゲン結合を有する
マグネシウム化合物であれば特に制限されるものではな
い。一般式Ｒ⁸ Ｒ⁹ Ｍｇで表わされる有機マグネシウム
化合物では、Ｒ⁸ 及びＲ⁹が脂肪族飽和炭化水素である
化合物がより好ましい。これらの具体的化合物としては
ジメチルマグネシウム、ジエチルマグネシウム、ジプロ
ピルマグネシウム、ジイソプロピルマグネシウム、ジブ
チルマグネシウム、ジイソブチルマグネシウム、ジ−se
c −ブチルマグネシウム、ジ−tert−ブチルマグネシウ
ム、ジアミルマグネシウム、ジネオペンチルマグネシウ
ム、ジヘキシルマグネシウム、ジシクロヘキシルマグネ
シウム、メチルエチルマグネシウム、メチルプロピルマ
グネシウム、メチルイソプロピルマグネシウム、メチル
ブチルマグネシウム、メチルイソブチルマグネシウム、
メチル−sec −ブチルマグネシウム、メチル−tert−ブ
チルマグネシウム、メチルアミルマグネシウム、メチル
ネオペンチルマグネシウム、メチルヘキシルマグネシウ
ム、メチルシクロヘキシルマグネシウム、エチルプロピ
ルマグネシウム、エチルイソプロピルマグネシウム、エ
チルブチルマグネシウム、エチルイソブチルマグネシウ
ム、エチル−sec −ブチルマグネシウム、エチル−tert
−ブチルマグネシウム、エチルアミルマグネシウム、エ
チルネオペンチルマグネシウム、エチルヘキシルマグネ
シウム、エチルシクロヘキシルマグネシウム、プロピル
イソプロピルマグネシウム、プロピルブチルマグネシウ
ム、プロピルイソブチルマグネシウム、プロピル−sec
−ブチルマグネシウム、プロピル−tert−ブチルマグネ
シウム、プロピルアミルマグネシウム、プロピルネオペ
ンチルマグネシウム、プロピルヘキシルマグネシウム、
プロピルシクロヘキシルマグネシウム、イソプロピルブ
チルマグネシウム、イソプロピルイソブチルマグネシウ
ム、イソプロピル−sec −ブチルマグネシウム、イソプ
ロピル−tert−ブチルマグネシウム、イソプロピルアミ
ルマグネシウム、イソプロピルネオペンチルマグネシウ
ム、イソプロピルヘキシルマグネシウム、イソプロピル
シクロヘキシルマグネシウム、ブチルイソブチルマグネ
シウム、ブチル−sec −ブチルマグネシウム、ブチル−
tert−ブチルマグネシウム、ブチルアミルマグネシウ
ム、ブチルネオペンチルマグネシウム、ブチルヘキシル
マグネシウム、ブチルシクロヘキシルマグネシウム、イ
ソブチル−sec −ブチルマグネシウム、イソブチル−te
rt−ブチルマグネシウム、イソブチルアミルマグネシウ
ム、イソブチルネオペンチルマグネシウム、イソブチル
ヘキシルマグネシウム、イソブチルシクロヘキシルマグ
ネシウム、sec −ブチル−tert−ブチルマグネシウム、
sec −ブチルアミルマグネシウム、sec −ブチルネオペ
ンチルマグネシウム、sec −ブチルヘキシルマグネシウ
ム、sec −ブチルシクロヘキシルマグネシウム、tert−
ブチルアミルマグネシウム、tert−ブチルネオペンチル
マグネシウム、tert−ブチルヘキシルマグネシウム、te
rt−ブチルシクロヘキシルマグネシウム、アミルネオペ
ンチルマグネシウム、アミルヘキシルマグネシウム、ア
ミルシクロヘキシルマグネシウム、ネオペンチルヘキシ
ルマグネシウム、ネオペンチルシクロヘキシルマグネシ
ウム、ヘキシルシクロヘキシルマグネシウム等の有機マ
グネシウム化合物が挙げられる。一般式Ｒ¹¹ＭｇＸ² で
表わされる有機マグネシウム化合物としては、例えばメ
チルマグネシウムクロライド、エチルマグネシウムクロ
ライド、プロピルマグネシウムクロライド、ブチルマグ
ネシウムクロライド、sec −ブチルマグネシウムクロラ
イド、tert−ブチルマグネシウムクロライド、アミルマ
グネシウムクロライド、イソアミルマグネシウムクロラ
イド、ビニルマグネシウムクロライド、１−プロペニル
マグネシウムクロライド、２−プロペニルマグネシウム
クロライド、フェニルマグネシウムクロライド、ベンジ
ルマグネシウムクロライド等の塩素を含有する化合物が
より好ましい。一般式ＭｇＸ³ ₂で表わされる無機マグネ
シウム化合物としては、マグネシウムジクロライドがよ
り好ましい。

【００１７】上記有機マグネシウム化合物の代わりに、
該有機マグネシウム化合物と有機金属化合物との炭化水
素可溶性錯体を使用することもできる。有機金属化合物
としては、例えばＬｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ａｌ及びＺｎの有機
化合物が挙げられる。また本発明は上記化合物に限定さ
れるものではない。

【００１８】（ｃ）電子供与体 本発明の（Ａ）成分の製造において使用される電子供与
体は、一般に知られているものであり、具体的には、
水、アルコール類、エーテル類、ケトン類、アルデヒド
類、カルボン酸類、カルボン酸エステル類、酸ハロゲン
化物類、酸無水物類、酸アミド類、ケタール類、アセタ
ール類、オルトカルボン酸エステル類、ニトリル類、ア
ミン類、シラノール類、アルコキシシラン類、亜リン酸
エステル類、リン酸エステル類、亜硫酸エステル類、硫
酸エステル類等が挙げられる。これらは単独ではなく、
各類内および／または類間で組み合わせて使用できる。

【００１９】これら電子供与体のなかでも、一般式Ｒ⁴
ＯＲ⁵ 及び下記一般式で表わされる化合物（ただし、Ｒ
⁴ 、Ｒ⁵ は、それぞれ炭素数１〜３０の炭化水素基を表
わし、同一でも異なっていてもよい。Ｒ⁶ は炭素数１〜
２０の炭化水素基を表わす。）であるエーテル類が好ま
しく、さらに一般式Ｒ⁴ ＯＲ⁵ で表わされるエーテル類
がより好ましい。 一般式Ｒ⁴ ＯＲ⁵ で示されるエーテル類としては、例え
ばジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジプロピルエ
ーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、
ジイソブチルエーテル、ジアミルエーテル、ジイソアミ
ルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジオクチルエーテ
ル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、メチル
ブチルエーテル、メチルイソアミルエーテル、エチルイ
ソブチルエーテル、フェネトール、アニソール、イソア
ミルセチルエーテル、エチルナフチルエーテル、ｔ−ブ
チル−ステアリルエーテル等が挙げられる。これらの中
でも、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジプロピ
ルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテ
ル、ジイソブチルエーテル、ジアミルエーテル、ジイソ
アミルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジオクチルエー
テル、メチルブチルエーテル、メチルイソアミルエーテ
ル、エチルイソブチルエーテル等のＲ⁴ 及びＲ⁵ がそれ
ぞれ炭素数１〜１０のエーテル類が好ましい。 上記一般式で示される環状エーテル類としては、例えば
テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、フラン、エ
チレンオキシド、プロピレンオキシド、スチレンオキシ
ド、シクロヘキセンオキシド、ベンゾフラン、ピラン、
１，３−エポキシブタン、１，３−エポキシペンタン、
１，２−エポキシデカン等の環状エーテル類が挙げられ
る。さらにこれらの電子供与体は炭化水素化合物あるい
は、ハロゲン化炭化水素化合物などの希釈剤に希釈され
てもよい。

【００２０】（Ｂ）有機アルミニウム化合物 本発明において、触媒の一成分である有機アルミニウム
化合物（Ｂ）は、公知の有機アルミニウム化合物が使用
できる。有機アルミニウム化合物（Ｂ）としては、例え
ば一般式Ｒ³ _a ＡｌＭ_3-a で示される有機アルミニウム
化合物（Ｂ１）及び一般式−〔Ａｌ（Ｒ⁷ ）−Ｏ〕_b −
で示される構造を有する鎖状もしくは環状のアルミノキ
サン（Ｂ２）等が挙げられる。有機アルミニウム化合物
（Ｂ）としては、一般式Ｒ³ _a ＡｌＭ_3-a で示される有
機アルミニウム化合物（Ｂ１）が好ましい。一般式中、
Ｒ³ 及びＲ⁷ は炭素数１〜２０の炭化水素基、好ましく
は炭素数１〜１０の炭化水素基、Ｍはハロゲン、水素又
はアルコキシ基である。ａは０＜ａ≦３の数字である。
ｂは１以上の整数、好ましくは２〜３０の整数である。

【００２１】一般式Ｒ³ _a ＡｌＭ_3-a で示される有機ア
ルミニウム化合物の具体例としては、トリメチルアルミ
ニウム、トリエチルアルミニウム、トリプロピルアルミ
ニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリヘキシルア
ルミニウム、トリオクチルアルミニウム、トリデシルア
ルミニウム等のトリアルキルアルミニウム、ジメチルア
ルミニウムハイドライド、ジエチルアルミニウムハイド
ライド、ジプロピルアルミニウムハイドライド、ジイソ
ブチルアルミニウムハイドライド、ジヘキシルアルミニ
ウムハイドライド、ジオクチルアルミニウムハイドライ
ド、ジデシルアルミニウムハイドライド等のジアルキル
アルミニウムハイドライド、メトキシメチルアルミニウ
ムハイドライド、メトキシエチルアルミニウムハイドラ
イド、メトキシイソブチルアルミニウムハイドライド、
エトキシヘキシルアルミニウムハイドライド、エトキシ
オクチルアルミニウムハイドライド、エトキシデシルア
ルミニウムハイドライド等のアルコキシアルキルアルミ
ニウムハイドライド、ジメチルアルミニウムメトキシ
ド、メチルアルミニウムジメトキシド、ジエチルアルミ
ニウムメトキシド、エチルアルミニウムジメトキシド、
ジイソブチルアルミニウムメトキシド、イソブチルアル
ミニウムジメトキシド、ジヘキシルアルミニウムメトキ
シド、ヘキシルアルミニウムジメトキシド、ジメチルア
ルミニウムエトキシド、メチルアルミニウムジエトキシ
ド、ジエチルアルミニウムエトキシド、エチルアルミニ
ウムジエトキシド、ジイソブチルアルミニウムエトキシ
ド、イソブチルアルミニウムジエトキシド等のアルキル
アルミニウムアルコキシド等が挙げられる。

【００２２】かかる化合物の中で触媒活性という観点か
ら一般式中ａが３であるトリメチルアルミニウム、トリ
エチルアルミニウム、トリプロピルアルミニウム、トリ
イソブチルアルミニウム、トリヘキシルアルミニウム等
のトリアルキルアルミニウム化合物がより好ましい。し
かしながら、本発明は上記化合物に限定されるものでは
ない。

【００２３】一般式−〔Ａｌ（Ｒ⁷ ）−Ｏ〕_b −で示さ
れるアルミノキサン（Ｂ２）の具体例としては、テトラ
メチルジアルミノキサン、テトラエチルジアルミノキサ
ン、テトラブチルジアルミノキサン、テトラヘキシルジ
アルミノキサン、メチルアルミノキサン、エチルアルミ
ノキサン、ブチルアルミノキサン、ヘキシルアルミノキ
サン等が挙げられる。また本発明は上記化合物に限定さ
れるものではない。

【００２４】有機アルミニウム化合物の使用量は、固体
触媒成分中のチタン原子１モル当たり０．０１〜１００
０モル、好ましくは０．５〜６００モルである。

【００２５】固体触媒成分の合成 本発明の固体触媒成分（Ａ）は、少なくとも１つのＴｉ
−Ｎ結合を有するチタン化合物、マグネシウム化合物及
び電子供与体を含むものであればよく、その製造方法に
ついて、特に限定を受けるものではない。このような固
体触媒成分は、例えば少なくとも１つのＴｉ−Ｎ結合を
有するチタン化合物、マグネシウム化合物及び電子供与
体を接触させることにより製造することができる。

【００２６】また、これらの固体触媒成分（Ａ）のより
具体的な製造方法を、下記（１）〜（７）に述べる。 （１）液状のマグネシウム化合物、あるいはマグネシウ
ム化合物および電子供与体からなる錯化合物を四塩化け
い素のような析出剤と反応させた後、これにチタン化合
物、あるいはチタン化合物及び電子供与体を接触させる
方法。 （２）固体のマグネシウム化合物、あるいは固体のマグ
ネシウム化合物および電子供与体からなる錯化合物をチ
タン化合物、あるいはチタン化合物および電子供与体と
接触させる方法。 （３）液状のマグネシウム化合物と、液状のチタン化合
物とを、電子供与体の存在下で反応させて固体状のチタ
ン複合体を析出させる方法。 （４）（１）、（２）あるいは（３）で得られた反応生
成物をチタン化合物、あるいは電子供与体及びチタン化
合物とさらに接触させる方法。 （５）金属酸化物、ジヒドロカルビルマグネシウムおよ
びハロゲン含有アルコールとの接触反応物をハロゲン化
剤で処理した後あるいは処理せずに、電子供与体および
チタン化合物と接触する方法。 （６）有機酸のマグネシウム塩、アルコキシマグネシウ
ム等のマグネシウム化合物をハロゲン化剤で処理した後
あるいは処理せずに、電子供与体およびチタン化合物と
接触する方法。 （７）（１）〜（６）で得られる化合物を、ハロゲン、
ハロゲン化合物および芳香族炭化水素のいずれかと接触
させる方法。 本発明の固体触媒成分の製造方法は、上記（１）〜
（３）に挙げた方法が好ましく用いられる。

【００２７】この固体触媒成分（Ａ）において、電子供
与体／チタン（モル比）は、０．００１〜１０、好まし
くは、０．００５〜５であり、マグネシウム／チタン
（原子比）は、１〜１００、好ましくは、２〜５０であ
る。

【００２８】また、本発明の固体触媒成分（Ａ）は、単
独でも使用することができるが、無機酸化物、有機ポリ
マー等の多孔質物質に含浸させて使用することも可能で
ある。かかる多孔質無機酸化物としては、例えばＳｉＯ
₂ 、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＭｇＯ、ＴｉＯ₂ 、ＺｒＯ₂ 、ＳｉＯ
₂ −Ａｌ₂ Ｏ₃ 複合酸化物、ＭｇＯ−Ａｌ₂ Ｏ₃ 複合酸
化物、ＭｇＯ−ＳｉＯ₂ −Ａｌ₂ Ｏ₃ 複合酸化物等が挙
げられ、多孔質ポリマーとしては、例えばポリスチレ
ン、スチレン−ジビニルベンゼン共重合体、スチレン−
ｎ、ｎ’−アルキレンジメタクリルアミド共重合体、ス
チレン−エチレングリコールジメタクリル酸メチル共重
合体、ポリアクリル酸エチル、アクリル酸メチル−ジビ
ニルベンゼン共重合体、アクリル酸エチル−ジビニルベ
ンゼン共重合体、ポリメタクリル酸メチル、メタクリル
酸メチル−ジビニルベンゼン共重合体、ポリエチレング
リコールジメタクリル酸メチル、ポリアクリロニトリ
ル、アクリロニトリル−ジビニルベンゼン共重合体、ポ
リ塩化ビニル、ポリビニルピロリジン、ポリビニルピリ
ジン、エチルビニルベンゼン−ジビニルベンゼン共重合
体、ポリエチレン、エチレン−アクリル酸メチル共重合
体、ポリプロピレン等に代表されるポリスチレン系、ポ
リアクリル酸エステル系、ポリアクリロニトリル系、ポ
リ塩化ビニル系、ポリオレフィン系のポリマーを挙げる
ことができる。これらの多孔質物質のうち、ＳｉＯ₂ 、
Ａｌ₂ Ｏ₃ 、スチレン−ジビニルベンゼン共重合体が好
ましく用いられる。

【００２９】オレフィン重合体の製造方法 各触媒成分を重合槽に供給する方法としては、窒素、ア
ルゴン等の不活性ガス中で水分のない状態で供給する以
外は、特に制限すべき条件はない。

【００３０】触媒成分（Ａ）、（Ｂ）は個別に供給して
もよいし、予め接触させて供給してもよい。

【００３１】オレフィン重合体の製造は、不活性溶媒の
存在下または不存在下、液相または気相で行うことがで
きる。重合に用いることができる不活性溶媒としては、
例えばプロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタ
ン、オクタン、デカン、灯油成分のような炭化水素、シ
クロペンタン、メチルシクロペンタン、シクロヘキサ
ン、メチルシクロヘキサンのような脂環族炭化水素、ベ
ンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼンのような
芳香族炭化水素等が挙げられる。

【００３２】本発明における製造条件は、−３０〜３５
０℃、好ましくは０〜２７０℃の温度、圧力は気相法、
溶媒法の場合には、０．１〜１００ｋｇ／ｃｍ² 、好ま
しくは１〜５０ｋｇ／ｃｍ² 、高圧イオン法の場合に
は、３５０〜３５００ｋｇ／ｃｍ² 、好ましくは７００
〜１３００ｋｇ／ｃｍ² で行われ、製造形式としては、
バッチ式、連続式いずれでも可能である。

【００３３】そして、本発明の触媒を用いることによ
り、本発明は炭素数２〜４０個、好ましくは２〜３０個
のオレフィンの単独重合またはオレフィン同士の共重
合、あるいはオレフィンとポリエンの共重合を行うこと
ができる。重合に用いるオレフィンとしては、例えばエ
チレン、プロピレン、ブテン−１、ペンテン−１、ヘキ
セン−１、４−メチルペンテン−１、３−メチルペンテ
ン−１、オクテン−１、デセン−１、オクタデセン−
１、エイコセン−１等が挙げられる。また上記ポリエン
としては、例えばジシクロペンタジエン、ブタジエン、
イソプレン、１，３，７−オクタトリエン、ビニルシク
ロヘキサン、５−エチリデン−２−ノルボルネン、５−
イソプロペニル−２−ノルボルネン、１，４−ヘキサジ
エン、１，５−ヘキサジエン、１，９−デカジエン等が
挙げられる。オレフィンの中では、特にエチレンを主に
含有するエチレンと他のα−オレフィン、特にプロピレ
ン、ブテン−１、４−メチルペンテン−１、ヘキセン−
１、オクテン−１等との共重合が好ましく、またポリエ
ンの中ではジシクロペンタジエンのような環状ジエン、
１，９−デカジエンのような直鎖の非共役ジエンが好ま
しい。また、得られるオレフィン重合体は、樹脂状であ
ってもゴム状であってもよい。

【００３４】本発明のオレフィン重合体の製造方法は、
重合体の分子量を調節するために、水素などの連鎖移動
剤を添加することも可能である。また、重合体の立体規
則性、分子量を改良する目的で、重合系に公知の電子供
与性化合物を添加することもできる。かかる電子供与性
化合物としては、例えばメタクリル酸メチル、トルイル
酸メチル等の有機カルボン酸エステル、トリフェニルホ
スファイト等の亜リン酸エステル、テトラエトキシシラ
ン、ジフェニルジメトキシシラン、シクロヘキシルエチ
ルジメトキシシラン、ジシクロペンチルジメトキシシラ
ン等のケイ酸エステル等が挙げられる。

【００３５】

【発明の効果】以上の如く、本発明によれば下記のよう
な効果が得られる。 (1) 組成分布の狭いオレフィン重合体の製造が可能とな
り、耐候性、耐腐食性、透明性、着色性、べとつき及び
力学特性の優れたオレフィン重合体を提供することがで
きる。 (2) チタン原子当たりの触媒活性が高いため、オレフィ
ン重合体の生産コストの引き下げが可能である。 (3) α−オレフィンと高級α−オレフィンとの共重合性
が良好である。 (4) α−オレフィンとポリエンとの共重合性が良好であ
る。

【００３６】

【実施例】以下、実施例及び比較例によって本発明を更
に詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定され
るものではない。なお、実施例中の極限粘度［η］は、
ウベローデ型粘度計を用い135 ℃でテトラリン溶液中で
測定した。触媒成分中のチタン含量は、原子吸光法によ
って測定した。共重合体中のα−オレフィン含量、ヨウ
素価は、赤外分光光度計を用いてそれぞれ、エチレンと
α−オレフィン、ジエンの特性吸収から求めた。また、
エチレン−ヘキセン−１共重合体においては組成分布を
表す尺度としては示差走査熱量計を用いた下式によるＨ
Ｌ₁₁₀ を求めた。 ＨＬ₁₁₀ （％）＝（△Ｈ₁₁₀ ×１００）／△Ｈ_total 但し、 △Ｈ₁₁₀ ：示差走査熱量測定における３５℃〜１１０℃
間の融解エネルギー（ｍＪ／ｍｇ） △Ｈ_total ：示差走査熱量測定における３５℃〜１３５
℃間の融解エネルギー（ｍＪ／ｍｇ） を表す。ＨＬ₁₁₀ の値が、高い方が組成分布が狭く、分
岐が均一な重合体といえる。エチレン−プロピレン共重
合体においては共重合体中のエチレンとプロピレンの組
成分布の狭さの判定は、赤外線吸収スペクトルの７２８
ｃｍ^-1の吸収（ポリエチレンの結晶性に起因する吸収）
と、示差走査熱量計を用いたポリエチレンの結晶性に起
因する融解熱吸収ピークの存在の有無により行った。即
ち、共重合体の赤外線吸収スペクトルに７２８ｃｍ^-1の
吸収が明確に認められ、示差走査熱量測定により融解熱
吸収ピークが認められるものは組成分布が広く、また、
その両者が認められないものは組成分布が狭いことを意
味する。

【００３７】実施例１ (a) チタン化合物（（Ｃ₈ Ｈ₁₇）₂ Ｎ−ＴｉＣｌ₃ ）の
合成 撹拌機、滴下ロート、温度計を備えた２００ｍｌフラス
コを窒素で置換した後、ジオクチルアミン６．０ｍｌ
（２０ｍｍｏｌ）、ｎ−ヘプタン５０ｍｌを仕込んだ。
次に滴下ロートにｎ−ヘキサンで希釈したｎ−ブチルリ
チウム（ｎ−ブチルリチウム濃度１．６６ｍｍｏｌ／ｍ
ｌ）１２ｍｌを仕込み、フラスコ中の液温を５℃に保ち
ながら２０分間滴下し、滴下終了後５℃で２時間、２０
℃で２時間さらに反応を行った。次に、滴下ロートにｎ
−ヘプタン８．０ｍｌと四塩化チタン２．２ｍｌ（２０
ｍｍｏｌ）を仕込み、前記反応で得られた混合溶液中に
液温を５℃に保ちながら３０分間滴下し、滴下終了後５
℃で１時間、２０℃で２時間さらに反応を行い、組成式
（Ｃ₈ Ｈ₁₇）₂ Ｎ−ＴｉＣｌ₃ で表されるチタン化合物
を得た。 (b) ジ−ｎ−ブチルエーテル含有塩化マグネシウムの合
成 撹拌機、還流冷却器、滴下ロート、温度計を備えた５０
０ｍｌのフラスコを窒素で置換した後、ｎ−ブチルマグ
ネシウムクロライドのジ−ｎ−ブチルエーテル溶液（有
機合成薬品製、ｎ−ブチルマグネシウムクロライド濃度
２．１ｍｍｏｌ／ｍｌ）４２０ｍｌを投入した。滴下ロ
ートに四塩化ケイ素１００ｍｌを仕込み、フラスコ中の
液温が３０℃になるように水浴で調節しながら滴下し
た。滴下終了後、３０℃で１時間、更に６０℃で１時間
反応を続けた。反応終了後、室温に冷却して固体を濾別
しｎ−ヘプタン４００ｍｌで３回洗浄した。これを室温
で真空乾燥し白色粉末の塩化マグネシウム１２０ｇを得
た。この塩化マグネシウムにはジ−ｎ−ブチルエーテル
が２３．７重量％含まれていた。更にこれを１１０℃で
真空乾燥し、ジ−ｎ−ブチルエーテル６．１３重量％含
有塩化マグネシウムを得た。 (c) 固体触媒成分（Ａ）の合成 撹拌機、還流冷却器、温度計を備えた２００ｍｌのフラ
スコを窒素で置換した後、上記(b) で得られたジ−ｎ−
ブチルエーテル６．１３重量％含有塩化マグネシウム
３．２９ｇ、ｎ−ヘプタン１０ｍｌ、上記(a) で得られ
た組成式（Ｃ₈ Ｈ ₁₇）₂ Ｎ−ＴｉＣｌ₃ で表されるチタ
ン化合物１６．２ｍｍｏｌを含むｎ−ヘプタン溶液６７
ｍｌを投入し撹拌した。フラスコ中の溶液を９５℃に加
熱し還流下で２時間反応させた。反応終了後、室温に冷
却して固液分離した後、固体粉末をｎ−ヘプタン６７ｍ
ｌで７回、トルエン６７ｍｌで７回、更にｎ−ヘプタン
６７ｍｌで２回洗浄した後、室温で３時間、６０℃に加
熱して４時間真空乾燥し固体触媒成分３．５０ｇを得
た。この固体触媒成分にはチタン原子が２．５重量％、
マグネシウム原子が１５．２重量％、窒素原子が０．５
７重量％、ジ−ｎ−ブチルエーテルが０．４重量％含ま
れていた。 (d) エチレン−ヘキセン−１共重合 内容積４００ｍｌの撹拌機付きオートクレーブ型反応器
中で、上記(c) で合成した固体触媒成分を用い、表１に
示す重合条件によりエチレンとヘキセン−１の共重合を
行った。重合溶媒としてはシクロヘキサン、助触媒であ
る有機アルミニウム化合物としてはトリイソブチルアル
ミニウム（ＴｉＢＡ）を用い、エチレン量は常時２５ｋ
ｇ／ｃｍ² となるように供給した。ＴｉＢＡ投入量１ｍ
ｍｏｌ、固体触媒成分投入量３３．１ｍｇ（１．７２×
１０^-5チタン原子ｍｏｌ）、重合温度２００℃、重合時
間２分で重合を行った。重合の結果、チタン原子１ｍｍ
ｏｌ当たり１．２×１０⁵ ｇの共重合体が得られた。重
合結果を表２に示す。また、得られた共重合体の示差走
査熱量測定を行った結果を図１に示す。得られた共重合
体のＨＬ₁₁₀ は７０．７％とエチレンの結晶成分が非常
に少なく、その組成分布は非常に狭いものであった。

【００３８】実施例２ (a) チタン化合物（〔（Ｃ₈ Ｈ₁₇）₂ Ｎ〕₂ −ＴｉＣｌ
₂ ）の合成 実施例１(a) において合成に用いたｎ−ヘプタンを１０
０ｍｌ、ジオクチルアミンを１２ｍｌ、ｎ−ブチルリチ
ウムのｎ−ヘキサン溶液を２４ｍｌとした以外は、実施
例１(a) と同様にチタン化合物の合成を行い、組成式
〔（Ｃ₈ Ｈ₁₇）₂Ｎ〕₂ −ＴｉＣｌ₂ で表されるチタン
化合物を得た。 (b) 固体触媒成分（Ａ）の合成 撹拌機、還流冷却器、温度計を備えた５００ｍｌのフラ
スコを窒素で置換した後、実施例１(a) で得られたジ−
ｎ−ブチルエーテル６．１３重量％含有塩化マグネシウ
ム８．４２ｇ、ｎ−ヘプタン１０ｍｌ、上記(a) で得ら
れた組成式〔（Ｃ₈ Ｈ₁₇）₂ Ｎ〕₂ −ＴｉＣｌ₂ で表さ
れるチタン化合物３８．１ｍｍｏｌを含むｎ−ヘプタン
溶液２９５ｍｌを投入し撹拌した。フラスコ中の溶液を
８６℃に加熱し還流下で１時間反応させた。反応終了
後、室温に冷却して固液分離し得られた固体粉末をｎ−
ヘプタン３００ｍｌで５回洗浄した後、６０℃に加熱し
て４時間真空乾燥し固体触媒成分８．２７ｇを得た。こ
の固体触媒成分にはチタン原子が０．３１重量％、窒素
原子０．２４重量％、マグネシウム原子２２．７重量
％、ジ−ｎ−ブチルエーテルが０．３２重量％含まれて
いた。 (c) エチレン−ヘキセン−１共重合 重合条件を表１とし、実施例１(d) において上記(b) で
得られた固体触媒を用いた以外は、実施例１(d) と同様
に重合を行った。重合結果を表２に示す。また、得られ
た共重合体の示差走査熱量測定を行った結果を図１に示
す。得られた共重合体のＨＬ₁₁₀ は６９．５％とエチレ
ンの結晶成分が非常に少なく、その組成分布は非常に狭
いものであった。

【００３９】実施例３ (a) チタン化合物（〔（Ｃ₈ Ｈ₁₇）₂ Ｎ〕₃ −ＴｉＣ
ｌ）の合成 実施例１(a) において合成に用いたｎ−ヘプタンを１５
０ｍｌ、ジオクチルアミンを１８ｍｌ、ｎ−ブチルリチ
ウムのｎ−ヘキサン溶液を３６ｍｌとした以外は、実施
例１(a) と同様にチタン化合物の合成を行い、組成式
〔（Ｃ₈ Ｈ₁₇）₂Ｎ〕₃ −ＴｉＣｌで表されるチタン化
合物を得た。 (b) 固体触媒成分（Ａ）の合成 実施例２(a) の固体触媒成分の合成においてチタン化合
物として〔（Ｃ₈ Ｈ₁₇）₂ Ｎ〕₂ −ＴｉＣｌ₂ の代わり
に上記(a) で得られた〔（Ｃ₈ Ｈ₁₇）₂ Ｎ〕₃−ＴｉＣ
ｌを用いた以外は、実施例２(a) と同様にして固体触媒
成分の合成を行った。この固体触媒成分にはチタン原子
が０．５２重量％、窒素原子０．６８重量％、マグネシ
ウム原子２０．７重量％、ジ−ｎ−ブチルエーテルが
０．１０重量％含まれていた。 (c) エチレン−ヘキセン−１共重合 重合条件を表１とし、実施例１(d) において上記(b) で
得られた固体触媒を用いた以外は、実施例１(d) と同様
に重合を行った。重合結果を表２に示す。また、得られ
た共重合体の示差走査熱量測定を行った結果を図１に示
す。得られた共重合体のＨＬ₁₁₀ は６９．９％とエチレ
ンの結晶成分が非常に少なく、その組成分布は非常に狭
いものであった。

【００４０】比較例１ エチレン−ヘキセン−１共重合 重合条件を表１とし、実施例１(d) において固体触媒成
分の代わりに組成式〔（Ｃ₈ Ｈ₁₇）₂ Ｎ〕₃ −ＴｉＣｌ
で表されるチタン化合物３．６×１０^-5ｍｏｌを含むｎ
−ヘプタン溶液０．４ｍｌを用いた以外は、実施例１
（ｄ）と同様にエチレン−ヘキセン−１共重合を行っ
た。但し、ＴｉＢＡの投入量を２ｍｍｏｌとした。重合
結果を表２に示す。この場合、触媒系にマグネシウム化
合物および電子供与体を含まないため、チタン原子１ｍ
ｏｌ当たりの重合活性は非常に低いものであった。ま
た、重合活性が非常に低く、得られた共重合体の収量が
少なかったため、示差走査熱量測定を行うことができな
かった。

【００４１】実施例４ (a) 電子供与体を含有しない塩化マグネシウムの合成 撹拌機、還流冷却器、滴下ロート、温度計を備えた５０
０ｍｌのフラスコを窒素で置換した後、ｎ−ブチルエチ
ルマグネシウムのｎ−ヘプタン溶液（ＭＡＧＡＲＡ社製
ＢＥＭ マグネシウム原子４．２２重量％含有）２９
２ｍｌを投入した。滴下ロートに四塩化ケイ素１２５ｇ
を仕込み、室温で滴下した。滴下終了後、室温で１時
間、３０℃に加熱して１５分、４０℃で３０分間撹拌す
ると白濁し始め、さらに６０℃で１時間反応させた。反
応終了後、室温に冷却して固液分離しｎ−ヘプタン２０
０ｍｌで６回洗浄した。これを室温で真空乾燥し塩化マ
グネシウム２１．２ｇを得た。 (b) 固体触媒成分（Ａ）の合成 撹拌機、還流冷却器、温度計を備えた２００ｍｌのフラ
スコを窒素で置換した後、組成式〔（Ｃ₈ Ｈ₁₇）₂ Ｎ〕
₂ −ＴｉＣｌ₂ で表されるチタン化合物１０．６ｍｍｏ
ｌを含むｎ−ヘプタン溶液８２ｍｌ、ジ−ｎ−ブチルエ
ーテル３５．５ｍｌを投入し撹拌した。これを室温で１
時間、フラスコ中の溶液を６０℃に加熱して１時間、９
５℃還流下で１時間撹拌した。フラスコ中の溶液の温度
が４０℃になるまで室温中で放置し、その後、上記(a)
で得られた塩化マグネシウム２．１６ｇを加えた。再び
フラスコ中の溶液が９５℃になるまで加熱し還流下で１
時間反応させた。反応終了後、室温に冷却して固液分離
した後、ｎ−ヘプタン１００ｍｌで５回洗浄した。得ら
れた固体を６０℃に加熱し真空乾燥により固体触媒成分
２．２０ｇを得た。この固体触媒成分にはチタン原子が
０．７９重量％、窒素原子１．４１重量％、マグネシウ
ム原子１５．５重量％、ジ−ｎ−ブチルエーテルが０．
０３２重量％含まれていた。 (c) エチレン−ヘキセン−１共重合 重合条件を表１とし、実施例１(d) において上記(b) で
得られた固体触媒を用いた以外は、実施例１(d) と同様
に重合を行った。重合結果を表２に示す。得られた共重
合体のＨＬ₁₁₀ は７１．５％とエチレン結晶成分が少な
く、その組成分布は非常に狭いものであった。

【００４２】比較例２ (a) 固体触媒成分（Ａ）の合成 撹拌機、還流冷却器、温度計を備えた２００ｍｌのフラ
スコを窒素で置換した後、実施例４(a) で得られた塩化
マグネシウム１．３８ｇ、ｎ−ヘプタン２６ｍｌ、組成
式〔（Ｃ₈ Ｈ₁₇）₂ Ｎ〕₂ −ＴｉＣｌ₂ で表されるチタ
ン化合物７．２２ｍｍｏｌを含むｎ−ヘプタン溶液５６
ｍｌを投入し撹拌した。フラスコ中の溶液を９０℃に加
熱し還流下で１時間反応させた。反応終了後、室温に冷
却してろ過し得られた固体粉末をｎ−ヘプタン８２ｍｌ
で７回洗浄した後、６０℃に加熱して４時間真空乾燥し
固体触媒成分１．２２ｇを得た。この固体触媒成分には
チタン原子が１．０４重量％含まれていた。 (b) エチレン−ヘキセン−１共重合 重合条件を表１とし、実施例１(d) において上記(a) で
得られた固体触媒を用いた以外は、実施例１(d) と同様
に重合を行った。重合結果を表２に示す。この場合、固
体触媒成分中に電子供与体を含まないため、得られた共
重合体のＨＬ_{11 0} は５３．１％とエチレン結晶成分が多
く、その組成分布は非常に広いものであった。

【００４３】比較例３ (a) 固体触媒成分（Ａ）の合成 比較例２(a) において組成式〔（Ｃ₈ Ｈ₁₇）₂ Ｎ〕₂ −
ＴｉＣｌ₂ で表されるチタン化合物のかわりに組成式
（Ｃ₈ Ｈ₁₇）₂ Ｎ−ＴｉＣｌ₃ で表されるチタン化合物
を用いた以外は、比較例２(a) と同様にして固体触媒成
分の合成を行った。この固体触媒成分にはチタン原子が
４．２８重量％含まれていた。 (b) エチレン−ヘキセン−１共重合 重合条件を表１とし、実施例１(d) において上記(a) で
得られた固体触媒を用いた以外は、実施例１(d) と同様
に重合を行った。重合結果を表２に示す。この場合、固
体触媒成分中に電子供与体を含まないため、得られた共
重合体のＨＬ_{11 0} は５４．８％とエチレン結晶成分が多
く、その組成分布は非常に広いものであった。

【００４４】実施例５ (a) 固体触媒成分（Ａ）の合成 撹拌機、還流冷却器、滴下ロート、温度計を備えた３０
０ｍｌのフラスコを窒素で置換した後、組成式（Ｃ₈ Ｈ
₁₇）₂ Ｎ−ＴｉＣｌ₃ で表されるチタン化合物４３．６
ｍｍｏｌを含むｎ−ヘプタン溶液１８０ｍｌを投入し
た。滴下ロートにｎ−ブチルマグネシウムクロライドの
ジ−ｎ−ブチルエーテル溶液（ｎ−ブチルマグネシウム
クロライド濃度 ２．１ｍｍｏｌ／ｍｌ）２０．５ｍｌ
を仕込み、フラスコ中の液温が５〜６℃になるように氷
水浴で冷却しながら滴下すると固体が析出した。滴下終
了後、３℃で３０分、３２℃で３０分、９０℃還流下で
１時間反応を続けた。反応終了後、室温に冷却して固液
分離した後、ｎ−ヘプタン１００ｍｌで５回洗浄した。
得られた固体を６０℃に加熱し真空乾燥により固体粉末
１４．５ｇを得た。この固体粉末のうち１．９８ｇを窒
素置換したフラスコに投入した。これをトルエン１００
ｍｌで７回洗浄し、さらにｎ−ヘプタン１００ｍｌで２
回洗浄した後、５０℃に加熱し真空乾燥により固体触媒
成分１．４８ｇを得た。この固体触媒成分にはチタン原
子が９．１８重量％、窒素原子１．２５重量％、マグネ
シウム原子８．４２重量％、ジ−ｎ−ブチルエーテル
４．５２重量％含まれていた。 (c) エチレン−ヘキセン−１共重合 重合条件を表１とし、実施例１(d) において上記(b) で
得られた固体触媒を用いた以外は、実施例１(d) と同様
に重合を行った。重合結果を表２に示す。得られた共重
合体のＨＬ₁₁₀ は６２．５％とエチレン結晶成分が少な
く、その組成分布は非常に狭いものであった。

【００４５】実施例６ エチレン−ヘキセン−１共重合 実施例１(d) において有機アルミニウム化合物としてト
リイソブチルアルミニウムの代わりにトリエチルアルミ
ニウムを用いた以外は、実施例１(d) と同様に重合を行
った。重合結果は表２に示す。得られた共重合体のＨＬ
₁₁₀ は６９．６％とエチレン結晶成分が少なく、実施例
１と同様に組成分布の非常に狭い共重合体が得られた。

【００４６】

【表１】 （注）ＴｉＢＡ：トリイソブチルアルミニウム ＴＥＡ：トリエチルアルミニウム エチレン量：２５ｋｇ／ｃｍ² 溶媒：シクロヘキサン 重合温度：２００℃ 重合時間：２分

【００４７】

【表２】 （注）＊：共重合体の赤外線吸収スペクトルから求めた
炭素１０００個中のメチル基の数

【００４８】実施例７ エチレン−プロピレン共重合 撹拌機、還流冷却器、温度計を備えた３００ｍｌのフラ
スコを窒素で置換した後、ｎ−ヘプタン２００ｍｌ、ト
リイソブチルアルミニウム１ｍｍｏｌを仕込み、ついで
Ｃ'₂／Ｃ’₃ 混合ガス（気相組成：３７５（ｍｌ／ｍｉ
ｎ．）／９００（ｍｌ／ｍｉｎ．））を吹き込み管を通
して溶液中に飽和させた後、実施例３(a) で得られた固
体触媒成分６３７．４ｍｇ（４．９５×１０^-5チタン原
子ｍｏｌ）を投入し重合を開始した。その後、温度を３
０℃に保ったまま混合ガスの供給を続け１時間重合を行
った後に、エタノールを添加し重合を停止した。生成ポ
リマーを１００メッシュ金網でｎ−ヘプタン可溶部と不
溶部に分けてそれぞれを塩酸／エタノール混合溶液１０
００ｍｌで２回洗浄を繰り返した後、真空乾燥してエチ
レン−プロピレン共重合体１．０２ｇ（内ｎ−ヘプタン
可溶部０．６９ｇ（６８％）、不溶部０．３３ｇ（３２
％））を得た。重合活性は２．１×１０⁴ ｇ／チタン原
子ｍｏｌ、共重合体中のエチレン含量はｎ−ヘプタン可
溶部では５５ｍｏｌ％、不溶部では５２ｍｏｌ％であっ
た。得られた共重合体のｎ−ヘプタン可溶部の赤外線吸
収スペクトル、示差走査熱量測定によるチャート図を図
２、図３に示す。エチレンの結晶連鎖に基づく７２８ｃ
ｍ^-1の吸収、融解熱吸収ピークは認められず、該ポリマ
ーは組成分布の狭いものであることがわかる。

【００４９】実施例８ 実施例７において実施例３(a) で得られた固体触媒の代
わりに実施例５(a) で得られた固体触媒を用いた以外
は、実施例７と同様に重合を行い、エチレン−プロピレ
ン共重合体３．６５ｇ（内ｎ−ヘプタン可溶部２．７２
ｇ（７５％）、不溶部０．９３ｇ（２５％））を得た。
重合活性は７．５×１０⁴ ｇ／チタン原子ｍｏｌ、共重
合体中のエチレン含量はｎ−ヘプタン可溶部では６５ｍ
ｏｌ％、不溶部では７５ｍｏｌ％であった。得られた共
重合体のｎ−ヘプタン可溶部の赤外線吸収スペクトル、
示差走査熱量測定によるチャート図を図４、図５に示
す。エチレンの結晶連鎖に基づく７２８ｃｍ^-1の吸収、
融解熱吸収ピークは認められず、該ポリマーは組成分布
の狭いものであることがわかる。

【００５０】実施例９ エチレン−デセン−１共重合 撹拌機、還流冷却器、温度計を備えた３００ｍｌのフラ
スコを窒素で置換した後、デセン−１ １００ｍｌ、ト
リイソブチルアルミニウム０．５ｍｍｏｌを仕込み、つ
いでＣ'₂ガス（３７５（ｍｌ／ｍｉｎ．））を吹き込み
管を通して溶液中に飽和させた後、実施例１(c) で得ら
れた固体触媒成分３５．５ｍｇ（１．８４×１０^-5チタ
ン原子ｍｏｌ）を投入し重合を開始した。その後、温度
を３０℃に保ったまま混合ガスの供給を続け１時間重合
を行った後に、エタノールを添加し重合を停止した。生
成ポリマーを塩酸／エタノール混合溶液１０００ｍｌで
２回洗浄を繰り返した後、真空乾燥してエチレン−デセ
ン−１共重合体０．７３ｇを得た。重合活性は４．０×
１０⁴ ｇ／チタン原子ｍｏｌ、共重合体中のデセン−１
含量は１９．４ｍｏｌ％であった。

【００５１】実施例１０ エチレン−プロピレン−ジシクロペンタジエン（ＤＣＰ
Ｄ）共重合 撹拌機、還流冷却器、温度計を備えた３００ｍｌのフラ
スコを窒素で置換した後、ｎ−ヘプタン２００ｍｌ、ト
リイソブチルアルミニウム１ｍｍｏｌ、ＤＣＰＤ１００
ｍｍｏｌを含むｎ−ヘプタン溶液２７ｍｌを仕込み、つ
いでＣ'₂／Ｃ'₃混合ガス（気相組成：３７５（ｍｌ／ｍ
ｉｎ．）／９００（ｍｌ／ｍｉｎ．））を吹き込み管を
通して溶液中に飽和させた後、実施例１(c) で得られた
固体触媒成分７８．５ｍｇ（４．０７×１０^-5チタン原
子ｍｏｌ）を投入し重合を開始した。その後、温度を３
０℃に保ったまま混合ガスの供給を続け１時間重合を行
った後に、エタノールを添加し重合を停止した。生成ポ
リマーを塩酸／エタノール混合溶液１０００ｍｌで２回
洗浄を繰り返した後、真空乾燥してエチレン−プロピレ
ン−ＤＣＰＤ共重合体０．０５ｇを得た。重合活性は
１．３×１０³ ｇ／チタン原子ｍｏｌ、また、得られた
共重合体の赤外線吸収スペクトルには炭素−炭素２重結
合に基づく吸収が１６１３ｃｍ^-1に存在しＤＣＰＤが共
重合されていた。そのヨウ素価は６．３８（ｇ／１００
ｇ）であった。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１、２及び３で得られた重合体の示差走
査熱量計で測定したチャート図である。

【図２】実施例７で得られた共重合体の赤外線吸収スペ
クトルである。

【図３】実施例７で得られた共重合体の示差走査熱量計
で測定したチャート図である。

【図４】実施例８で得られた共重合体の赤外線吸収スペ
クトルである。

【図５】実施例８で得られた共重合体の示差走査熱量計
で測定したチャート図である。

【図６】本発明の理解を助けるためのフローチャート図
である。本フローチャート図は、本発明の実施態様の代
表例であり、本発明はなんらこれに限定されるものでは
ない。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 常法寺 博文 千葉県市原市姉崎海岸５の１ 住友化学工 業株式会社内 (72)発明者 白石 寛之 千葉県市原市姉崎海岸５の１ 住友化学工 業株式会社内

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】（Ａ）少なくとも１つのＴｉ−Ｎ結合を有
   するチタン化合物、マグネシウム化合物及び電子供与体
   からなるオレフィン重合用固体触媒成分。
2. 【請求項２】少なくとも１つのＴｉ−Ｎ結合を有するチ
   タン化合物が、一般式（Ｒ¹ Ｒ² Ｎ）_4-(m+n) ＴｉＸ¹
   _m Ｙ_n （ただし、Ｒ¹ 及びＲ² は、それぞれ炭素数１〜
   ３０の炭化水素基を表わし、同一でも異なっていてもよ
   い。Ｘ¹ はハロゲン、Ｙはアルコキシ基、ｍは０≦ｍ＜
   ４、ｎは０≦ｎ＜４の数字を表わし、（ｍ＋ｎ）は０≦
   （ｍ＋ｎ）＜４である。）で示されるチタン化合物であ
   る請求項１記載の触媒成分。
3. 【請求項３】マグネシウム化合物が、下記一般式の中か
   ら選ばれる少なくとも１種の化合物である請求項１記載
   の触媒成分。 （１）Ｒ⁸ Ｒ⁹ Ｍｇ（ただし、Ｒ⁸ およびＲ⁹ は炭素数
   １〜２０の炭化水素基を表わす。） （２）Ｒ¹⁰ＭｇＺ² （ただし、Ｒ¹⁰は炭素数１〜２０の
   炭化水素基、Ｚ² は水素原子又はアルコキシ基を表わ
   す。） （３）Ｒ¹¹ＭｇＸ² （ただし、Ｒ¹¹は炭素数１〜２０の
   炭化水素基、Ｘ² はハロゲンを表わす。） （４）（Ｒ¹²ＣＯＯ）₂ Ｍｇ（ただし、Ｒ¹²は炭素数１
   〜２０の炭化水素基を表わす。） （５）ＭｇＸ³ ₂（ただし、Ｘ³ はハロゲンを表わす。）
4. 【請求項４】電子供与体がエーテル類である請求項１記
   載の触媒成分。
5. 【請求項５】（Ａ）少なくとも１つのＴｉ−Ｎ結合を有
   するチタン化合物、マグネシウム化合物及び電子供与体
   からなるオレフィン重合用固体触媒成分、並びに（Ｂ）
   有機アルミニウム化合物からなるオレフィン重合用触
   媒。
6. 【請求項６】（Ｂ）有機アルミニウム化合物が、一般式
   Ｒ³ _a ＡｌＭ_3-a （ただし、Ｒ³ は炭素数１〜２０の炭
   化水素基、Ｍはハロゲン、水素またはアルコキシ基、ａ
   は０＜ａ≦３の数字を表わす。）で示される有機アルミ
   ニウム化合物である請求項５記載のオレフィン重合用触
   媒。
7. 【請求項７】請求項５記載の触媒を用いることを特徴と
   するオレフィン重合体の製造方法。