JPH06226453A - 抵抗溶接機 - Google Patents
抵抗溶接機Info
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- JPH06226453A JPH06226453A JP4228193A JP4228193A JPH06226453A JP H06226453 A JPH06226453 A JP H06226453A JP 4228193 A JP4228193 A JP 4228193A JP 4228193 A JP4228193 A JP 4228193A JP H06226453 A JPH06226453 A JP H06226453A
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- shutter
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- upper electrode
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 置換ガスの消費量を大幅に削減できると共
に，大気中に多量のガスを放散させることのない，地球
環境の保護上望ましい抵抗溶接機を提供する。 【構成】 相対的に移動し得る上部電極１及び下部電極
２間に被溶接物であるキャップ８とベース９を挟んで抵
抗溶接する装置において，被溶接物を含む第１のチャン
バを形成するためのチャンバ部材３，７と，上記第１の
チャンバの空気を吸引するための真空排気用通路５と，
上記第１のチャンバと真空排気用通路との間を遮断して
第１のチャンバより容積の小さい被溶接物を含む第２の
チャンバを形成するためのシャッタ１０と，上記第２の
チャンバに置換ガスを流すための通路７ａ，１０ａとを
備えた。
に，大気中に多量のガスを放散させることのない，地球
環境の保護上望ましい抵抗溶接機を提供する。 【構成】 相対的に移動し得る上部電極１及び下部電極
２間に被溶接物であるキャップ８とベース９を挟んで抵
抗溶接する装置において，被溶接物を含む第１のチャン
バを形成するためのチャンバ部材３，７と，上記第１の
チャンバの空気を吸引するための真空排気用通路５と，
上記第１のチャンバと真空排気用通路との間を遮断して
第１のチャンバより容積の小さい被溶接物を含む第２の
チャンバを形成するためのシャッタ１０と，上記第２の
チャンバに置換ガスを流すための通路７ａ，１０ａとを
備えた。
Description
【産業上の利用分野】本発明は，キャンタイプの半導体
装置におけるキャップとベースのような被溶接物を抵抗
溶接するのに適した抵抗溶接機に関する。
装置におけるキャップとベースのような被溶接物を抵抗
溶接するのに適した抵抗溶接機に関する。
【従来の技術】図５は従来の抵抗溶接機を説明するため
の図である。同図において，上部電極１は，上昇，下降
が可能な上部電極本体１ａと，その先端に着脱可能に取
り付けられた上部電極チップ１ｂとからなり，上部電極
チップ１ｂにはマグネット等のキャップ脱落防止機構が
取り付けられている。下部電極２は，下部電極本体２ａ
と，その先端に着脱可能に取り付けられた下部電極チッ
プ２ｂとからなる。上部チャンバ部材３は，上端部の内
径が狭くなっている筒状体であって，上端部が上部電極
本体１ａの外壁に対し動けるように取り付けられてお
り，上部電極本体１ａとの間に配設されたスプリング４
に押されて上部電極本体１ａの突起部により停止するよ
うになっている。５は，下部電極本体２ａに取り付けら
れている真空排気用通路であり，この真空排気用通路５
の開口部が狭いと，これに真空ポンプ開閉弁６を介して
接続されている真空ポンプの働きが悪くなるため，広い
開口部となっている。下部チャンバ部材７は，上部チャ
ンバ部材３とほぼ同一の内径を有する筒状体であって，
真空排気用通路５に取り付けられている。下部チャンバ
部材７の側壁には，置換ガスを流すための通路である第
１の置換ガス供給孔７ａが形成されている。下部チャン
バ部材７の上部チャンバ部材３と接触する部分は，上部
チャンバ部材３から下部チャンバ部材７に溶接電流が流
れないように絶縁構造になっている。先ず，キャンタイ
プの半導体装置のキャップ８を上部電極チップ１ｂにセ
ットし，ベース９を下部電極チップ２ｂにセットする。
次に，上部電極１を上部チャンバ部材３と共に下降させ
ると，上部チャンバ部材３の下部と下部チャンバ部材７
の上部とが密着して，上部チャンバ部材３，下部チャン
バ部材７，及び真空排気用通路５とで真空ポンプを働か
せることのできる比較的大きな容積の密閉空間である第
１のチャンバを構成する。次に，真空ポンプ開閉弁６を
開いて真空ポンプを動作させ，第１のチャンバを所定の
高真空にする。この第１のチャンバが所定の高真空にな
ったことを確認後，真空ポンプ開閉弁７を閉じ，第１の
置換ガス供給孔７ａから置換ガス，例えばキセノンガス
を上記第１のチャンバに供給する。この第１のチャンバ
がキセノンガスで充満したところで，上部電極１を更に
一段下降させ，被溶接物であるキャップ８とベース９と
を密着させて溶接を行う。このようにして，半導体装置
の金属ケース内にキセノンガスが封入され，ハーメチッ
クシールされる。次に，第１のチャンバに残ったキセノ
ンガスは廃棄され，半導体装置が取り出される。
の図である。同図において，上部電極１は，上昇，下降
が可能な上部電極本体１ａと，その先端に着脱可能に取
り付けられた上部電極チップ１ｂとからなり，上部電極
チップ１ｂにはマグネット等のキャップ脱落防止機構が
取り付けられている。下部電極２は，下部電極本体２ａ
と，その先端に着脱可能に取り付けられた下部電極チッ
プ２ｂとからなる。上部チャンバ部材３は，上端部の内
径が狭くなっている筒状体であって，上端部が上部電極
本体１ａの外壁に対し動けるように取り付けられてお
り，上部電極本体１ａとの間に配設されたスプリング４
に押されて上部電極本体１ａの突起部により停止するよ
うになっている。５は，下部電極本体２ａに取り付けら
れている真空排気用通路であり，この真空排気用通路５
の開口部が狭いと，これに真空ポンプ開閉弁６を介して
接続されている真空ポンプの働きが悪くなるため，広い
開口部となっている。下部チャンバ部材７は，上部チャ
ンバ部材３とほぼ同一の内径を有する筒状体であって，
真空排気用通路５に取り付けられている。下部チャンバ
部材７の側壁には，置換ガスを流すための通路である第
１の置換ガス供給孔７ａが形成されている。下部チャン
バ部材７の上部チャンバ部材３と接触する部分は，上部
チャンバ部材３から下部チャンバ部材７に溶接電流が流
れないように絶縁構造になっている。先ず，キャンタイ
プの半導体装置のキャップ８を上部電極チップ１ｂにセ
ットし，ベース９を下部電極チップ２ｂにセットする。
次に，上部電極１を上部チャンバ部材３と共に下降させ
ると，上部チャンバ部材３の下部と下部チャンバ部材７
の上部とが密着して，上部チャンバ部材３，下部チャン
バ部材７，及び真空排気用通路５とで真空ポンプを働か
せることのできる比較的大きな容積の密閉空間である第
１のチャンバを構成する。次に，真空ポンプ開閉弁６を
開いて真空ポンプを動作させ，第１のチャンバを所定の
高真空にする。この第１のチャンバが所定の高真空にな
ったことを確認後，真空ポンプ開閉弁７を閉じ，第１の
置換ガス供給孔７ａから置換ガス，例えばキセノンガス
を上記第１のチャンバに供給する。この第１のチャンバ
がキセノンガスで充満したところで，上部電極１を更に
一段下降させ，被溶接物であるキャップ８とベース９と
を密着させて溶接を行う。このようにして，半導体装置
の金属ケース内にキセノンガスが封入され，ハーメチッ
クシールされる。次に，第１のチャンバに残ったキセノ
ンガスは廃棄され，半導体装置が取り出される。
【発明が解決しようとする課題】しかし，このような従
来の抵抗溶接機にあっては，大量の置換ガスを上記第１
のチャンバに供給しても，そのうち半導体装置の金属ケ
ース内に封入されて実際に使用される量は少なく，大部
分を廃棄してしまうため，置換ガスを大量消費して不経
済であるばかりでなく，大気中に多量のガスを放散させ
るので，地球環境の保護上望ましくないという問題があ
った。
来の抵抗溶接機にあっては，大量の置換ガスを上記第１
のチャンバに供給しても，そのうち半導体装置の金属ケ
ース内に封入されて実際に使用される量は少なく，大部
分を廃棄してしまうため，置換ガスを大量消費して不経
済であるばかりでなく，大気中に多量のガスを放散させ
るので，地球環境の保護上望ましくないという問題があ
った。
【課題を解決するための手段】本発明は以上の欠点を除
去するために，相対的に移動し得る上部電極及び下部電
極間に被溶接物であるキャップとベースを挟んで抵抗溶
接する装置において，被溶接物を含む第１のチャンバを
形成するためのチャンバ部材と，上記第１のチャンバの
空気を吸引するための真空排気用通路と，上記第１のチ
ャンバと真空排気用通路との間を遮断して第１のチャン
バより容積の小さい被溶接物を含む第２のチャンバを形
成するためのシャッタと，上記第２のチャンバに置換ガ
スを流すための通路とを備えたことを特徴とする抵抗溶
接機を提供するものである。
去するために，相対的に移動し得る上部電極及び下部電
極間に被溶接物であるキャップとベースを挟んで抵抗溶
接する装置において，被溶接物を含む第１のチャンバを
形成するためのチャンバ部材と，上記第１のチャンバの
空気を吸引するための真空排気用通路と，上記第１のチ
ャンバと真空排気用通路との間を遮断して第１のチャン
バより容積の小さい被溶接物を含む第２のチャンバを形
成するためのシャッタと，上記第２のチャンバに置換ガ
スを流すための通路とを備えたことを特徴とする抵抗溶
接機を提供するものである。
【実施例】図１乃至図３は，本発明の一実施例を説明す
るための図である。これらの図において，下部チャンバ
部材７の側壁には，第１の置換ガス供給孔７ａが形成さ
れており，下部チャンバ部材の内壁の第１の置換ガス供
給孔の位置には，一周にわたって溝７ｂが形成されてい
る。シャッタ１０は，上端部の内径が狭くなっている絶
縁物からなる筒状体であって，上部電極１の外壁及び上
部チャンバ部材３の内壁と密着しながら移動できるよう
に，上部電極１及び上部チャンバ部材３間に配設されて
いる。シャッタ１０の側壁には，シャッタが下限まで下
降したときに，下部チャンバ部材７の内壁の溝とほぼ一
致する位置に，第２の置換ガス供給孔１０ａがほぼ等間
隔に数カ所形成されている。上記第１の置換ガス供給孔
７ａ，溝７ｂ，及び第２の置換ガス供給孔１０ａとで，
置換ガスを流すための通路を構成している。上部電極本
体１ａにはシャッタ上昇用エア通路１ｃが形成されてお
り，このシャッタ上昇用エア通路から供給されたエアが
上部電極本体１ａとシャッタ１０とで構成される空間に
供給され，このエアがシャッタ１０を上昇させるように
なっている。上部チャンバ部材３にはシャッタ下降用エ
ア通路３ａが形成されており，このシャッタ下降用エア
通路から供給されたエアが上部チャンバ部材３とシャッ
タ１０とで構成される空間に供給され，このエアがシャ
ッタ１０を下降させるようになっている。先ず，図１に
示すように，キャンタイプの半導体装置のキャップ８を
上部電極チップ１ｂにセットし，ベース９を下部電極チ
ップ２ｂにセットする。次に，上部電極１を上部チャン
バ部材３及びシャッタ１０と共に下降させると，図２に
示すように，上部チャンバ部材３の下部と下部チャンバ
部材７の上部とが密着して，上部チャンバ部材３，下部
チャンバ部材７，及び真空排気用通路５とで真空ポンプ
を働かせることのできる比較的大きな容積の密閉空間で
ある第１のチャンバを構成する。次に，真空ポンプ開閉
弁６を開いて真空ポンプを動作させ，上記第１のチャン
バを所定の高真空にする。この第１のチャンバが所定の
高真空になったことを確認後，真空ポンプ開閉弁７を閉
じる。次に，シャッタ下降用エア通路３ａにエアが供給
されると，このエアによりシャッタ１０が上部電極１の
外壁及び上部チャンバ部材３の内壁と密着しながら下降
し，図３に示すように，上部電極１，下部電極２，及び
シャッタ１０とで比較的小さな容積の密閉空間である第
２のチャンバを構成する。この第２のチャンバへ，第１
の置換ガス供給孔７ａから溝７ｂ及び第２の置換ガス供
給孔１０ａを介して，置換ガス，例えばキセノンガスを
供給する。キセノンガスは，溝７ｂとほぼ一致する位置
にほぼ等間隔に形成された複数個の第２の置換ガス供給
孔１０ａから，第２のチャンバ内の半導体装置のキャッ
プ８及びベース９に向かってほぼ均一に噴き出す。この
第２のチャンバがキセノンガスで充満したところで，上
部電極１を更に一段下降させ，被溶接物であるキャップ
８とベース９とを密着させて溶接を行う。このようにし
て，半導体装置の金属ケース内にキセノンガスが封入さ
れ，ハーメチックシールされる。次に，上部電極１が一
段上昇し，上部電極チップ１ｂと下部電極チップ２ｂと
が離れた状態となり，半導体装置は上部電極チップ１ｂ
に吸着されたまま，下部電極チップ２ｂから離れる。次
に，シャッタ上昇用エア通路１ｃにエアが供給される
と，このエアによりシャッタ１０が上部電極１の外壁及
び上部チャンバ部材３の内壁と密着しながら上昇し，半
導体装置を上部電極チップ１ｂに吸着したまま，図２に
示す状態に戻る。次に，上部電極１を上部チャンバ部材
３及びシャッタ１０と共に上昇させると，半導体装置を
上部電極チップ１ｂに吸着したまま，図１に示す状態に
戻り，半導体装置を取り出せる状態となる。このように
して，キャンタイプの半導体装置におけるキャップとベ
ースのような被溶接物を抵抗溶接することにより，置換
ガスの消費量を大幅に削減することができる。尚，第２
のチャンバの容積を更に小さくしたい場合には，必要に
応じて上部電極チップ１ｂ及び下部電極チップ２ｂにス
ペーサリングを配設すればよい。図４は本発明の他の一
実施例を説明するための図である。この実施例は下部電
極の上端部の面積を大きくして，シャッタ１０を下部電
極の上端部に当接させることにより，第２のチャンバを
構成する場合の実施例である。また，この実施例では，
複数個の第２の置換ガス供給孔２ｃが，シャッタ１０に
ではなく，下部電極２に形成されているが，第２の置換
ガス供給孔が上部電極１に形成されている場合について
も，同様に実施することができる。ここで，開口部２ｄ
はシャッタ１０が上昇しているときに，第１のチャンバ
を所定の高真空にするための通路である。この実施例に
おいても，前述の実施例とほぼ同様の効果が得られる。
尚，以上の実施例においては，シャッタ１０が上部電極
１の外壁及び上部チャンバ部材３の内壁と密着しながら
移動できるように，上部電極１及び上部チャンバ部材３
間に配設されており，上部チャンバ部材３と下部チャン
バ部材７とが密着している状態で，シャッタ１０を上昇
させると，第１のチャンバを構成し，シャッタ１０を下
降させると，第２のチャンバを構成する場合について述
べたが，シャッタ１０が下部電極２の外壁及び下部チャ
ンバ部材７の内壁と密着しながら移動できるように，下
部電極２及び下部チャンバ部材７間に配設されており，
上部チャンバ部材３と下部チャンバ部材７とが密着して
いる状態で，シャッタ１０を下降させると，第１のチャ
ンバを構成し，シャッタ１０を上昇させると，第２のチ
ャンバを構成する場合についても同様に実施することが
できる。この場合，シャッタは板状のものでもよい。
るための図である。これらの図において，下部チャンバ
部材７の側壁には，第１の置換ガス供給孔７ａが形成さ
れており，下部チャンバ部材の内壁の第１の置換ガス供
給孔の位置には，一周にわたって溝７ｂが形成されてい
る。シャッタ１０は，上端部の内径が狭くなっている絶
縁物からなる筒状体であって，上部電極１の外壁及び上
部チャンバ部材３の内壁と密着しながら移動できるよう
に，上部電極１及び上部チャンバ部材３間に配設されて
いる。シャッタ１０の側壁には，シャッタが下限まで下
降したときに，下部チャンバ部材７の内壁の溝とほぼ一
致する位置に，第２の置換ガス供給孔１０ａがほぼ等間
隔に数カ所形成されている。上記第１の置換ガス供給孔
７ａ，溝７ｂ，及び第２の置換ガス供給孔１０ａとで，
置換ガスを流すための通路を構成している。上部電極本
体１ａにはシャッタ上昇用エア通路１ｃが形成されてお
り，このシャッタ上昇用エア通路から供給されたエアが
上部電極本体１ａとシャッタ１０とで構成される空間に
供給され，このエアがシャッタ１０を上昇させるように
なっている。上部チャンバ部材３にはシャッタ下降用エ
ア通路３ａが形成されており，このシャッタ下降用エア
通路から供給されたエアが上部チャンバ部材３とシャッ
タ１０とで構成される空間に供給され，このエアがシャ
ッタ１０を下降させるようになっている。先ず，図１に
示すように，キャンタイプの半導体装置のキャップ８を
上部電極チップ１ｂにセットし，ベース９を下部電極チ
ップ２ｂにセットする。次に，上部電極１を上部チャン
バ部材３及びシャッタ１０と共に下降させると，図２に
示すように，上部チャンバ部材３の下部と下部チャンバ
部材７の上部とが密着して，上部チャンバ部材３，下部
チャンバ部材７，及び真空排気用通路５とで真空ポンプ
を働かせることのできる比較的大きな容積の密閉空間で
ある第１のチャンバを構成する。次に，真空ポンプ開閉
弁６を開いて真空ポンプを動作させ，上記第１のチャン
バを所定の高真空にする。この第１のチャンバが所定の
高真空になったことを確認後，真空ポンプ開閉弁７を閉
じる。次に，シャッタ下降用エア通路３ａにエアが供給
されると，このエアによりシャッタ１０が上部電極１の
外壁及び上部チャンバ部材３の内壁と密着しながら下降
し，図３に示すように，上部電極１，下部電極２，及び
シャッタ１０とで比較的小さな容積の密閉空間である第
２のチャンバを構成する。この第２のチャンバへ，第１
の置換ガス供給孔７ａから溝７ｂ及び第２の置換ガス供
給孔１０ａを介して，置換ガス，例えばキセノンガスを
供給する。キセノンガスは，溝７ｂとほぼ一致する位置
にほぼ等間隔に形成された複数個の第２の置換ガス供給
孔１０ａから，第２のチャンバ内の半導体装置のキャッ
プ８及びベース９に向かってほぼ均一に噴き出す。この
第２のチャンバがキセノンガスで充満したところで，上
部電極１を更に一段下降させ，被溶接物であるキャップ
８とベース９とを密着させて溶接を行う。このようにし
て，半導体装置の金属ケース内にキセノンガスが封入さ
れ，ハーメチックシールされる。次に，上部電極１が一
段上昇し，上部電極チップ１ｂと下部電極チップ２ｂと
が離れた状態となり，半導体装置は上部電極チップ１ｂ
に吸着されたまま，下部電極チップ２ｂから離れる。次
に，シャッタ上昇用エア通路１ｃにエアが供給される
と，このエアによりシャッタ１０が上部電極１の外壁及
び上部チャンバ部材３の内壁と密着しながら上昇し，半
導体装置を上部電極チップ１ｂに吸着したまま，図２に
示す状態に戻る。次に，上部電極１を上部チャンバ部材
３及びシャッタ１０と共に上昇させると，半導体装置を
上部電極チップ１ｂに吸着したまま，図１に示す状態に
戻り，半導体装置を取り出せる状態となる。このように
して，キャンタイプの半導体装置におけるキャップとベ
ースのような被溶接物を抵抗溶接することにより，置換
ガスの消費量を大幅に削減することができる。尚，第２
のチャンバの容積を更に小さくしたい場合には，必要に
応じて上部電極チップ１ｂ及び下部電極チップ２ｂにス
ペーサリングを配設すればよい。図４は本発明の他の一
実施例を説明するための図である。この実施例は下部電
極の上端部の面積を大きくして，シャッタ１０を下部電
極の上端部に当接させることにより，第２のチャンバを
構成する場合の実施例である。また，この実施例では，
複数個の第２の置換ガス供給孔２ｃが，シャッタ１０に
ではなく，下部電極２に形成されているが，第２の置換
ガス供給孔が上部電極１に形成されている場合について
も，同様に実施することができる。ここで，開口部２ｄ
はシャッタ１０が上昇しているときに，第１のチャンバ
を所定の高真空にするための通路である。この実施例に
おいても，前述の実施例とほぼ同様の効果が得られる。
尚，以上の実施例においては，シャッタ１０が上部電極
１の外壁及び上部チャンバ部材３の内壁と密着しながら
移動できるように，上部電極１及び上部チャンバ部材３
間に配設されており，上部チャンバ部材３と下部チャン
バ部材７とが密着している状態で，シャッタ１０を上昇
させると，第１のチャンバを構成し，シャッタ１０を下
降させると，第２のチャンバを構成する場合について述
べたが，シャッタ１０が下部電極２の外壁及び下部チャ
ンバ部材７の内壁と密着しながら移動できるように，下
部電極２及び下部チャンバ部材７間に配設されており，
上部チャンバ部材３と下部チャンバ部材７とが密着して
いる状態で，シャッタ１０を下降させると，第１のチャ
ンバを構成し，シャッタ１０を上昇させると，第２のチ
ャンバを構成する場合についても同様に実施することが
できる。この場合，シャッタは板状のものでもよい。
【発明の効果】以上説明したように，この発明によれ
ば，置換ガスの消費量を大幅に削減できるので経済的で
あるのは勿論のこと，大気中に多量のガスを放散させな
いので，地球環境の保護上望ましいという効果が得られ
る。
ば，置換ガスの消費量を大幅に削減できるので経済的で
あるのは勿論のこと，大気中に多量のガスを放散させな
いので，地球環境の保護上望ましいという効果が得られ
る。
【図１】本発明の一実施例を説明するための図である。
【図２】本発明の一実施例を説明するための図である。
【図３】本発明の一実施例を説明するための図である。
【図４】本発明の他の一実施例を説明するための図であ
る。
る。
【図５】従来例を説明するための図である。
１…上部電極 １ａ…上部電極
本体 １ｂ…上部電極チップ １ｃ…シャッタ
上昇用エア通路 ２…下部電極 ２ａ…下部電極
本体 ２ｂ…下部電極チップ ２ｃ…第２の置
換ガス供給孔 ２ｄ…開口部 ３…上部チャン
バ部材 ３ａ…シャッタ下降用エア通路 ４…スプリング ５…真空排気用通路 ６…真空ポンプ
開閉弁 ７…下部チャンバ部材 ７ａ…第１の置
換ガス供給孔 ７ｂ…溝 ８…キャップ ９…ベース １０…シャッタ １０ａ…第２の置換ガス供給孔
本体 １ｂ…上部電極チップ １ｃ…シャッタ
上昇用エア通路 ２…下部電極 ２ａ…下部電極
本体 ２ｂ…下部電極チップ ２ｃ…第２の置
換ガス供給孔 ２ｄ…開口部 ３…上部チャン
バ部材 ３ａ…シャッタ下降用エア通路 ４…スプリング ５…真空排気用通路 ６…真空ポンプ
開閉弁 ７…下部チャンバ部材 ７ａ…第１の置
換ガス供給孔 ７ｂ…溝 ８…キャップ ９…ベース １０…シャッタ １０ａ…第２の置換ガス供給孔
Claims (5)
- 【請求項１】 相対的に移動し得る上部電極及び下部電
極間に被溶接物であるキャップとベースを挟んで抵抗溶
接する装置において，被溶接物を含む第１のチャンバを
形成するためのチャンバ部材と，上記第１のチャンバの
空気を吸引するための真空排気用通路と，上記第１のチ
ャンバと真空排気用通路との間を遮断して第１のチャン
バより容積の小さい被溶接物を含む第２のチャンバを形
成するためのシャッタと，上記第２のチャンバに置換ガ
スを流すための通路とを備えたことを特徴とする抵抗溶
接機。 - 【請求項２】 相対的に移動し得る上部電極及び下部電
極間に被溶接物であるキャップとベースを挟んで抵抗溶
接する装置において，上端部の内径が狭くなっている筒
状体であって，該上端部が上記上部電極の外壁を滑動し
得る状態で上部電極により支持された上部チャンバ部材
と，一端が上記下部電極に取り付けられ，他端が真空ポ
ンプ開閉弁に取り付けられている比較的広い開口部を有
する真空排気用通路と，該真空排気用通路により支持さ
れた筒状体である下部チャンバ部材と，上端部の内径が
狭くなっている筒状体であって，上記上部電極の外壁及
び上部チャンバ部材の内壁と当接しながら移動できるよ
うに，上記上部電極及び上部チャンバ部材間に配設され
ているシャッタとからなり，上記シャッタが上昇した状
態では，上部チャンバ部材，下部チャンバ部材，及び真
空排気用通路とで比較的大きな容積の密閉空間である第
１のチャンバを構成し，上記シャッタが下降した状態で
は，上部電極，下部電極，及びシャッタとで比較的小さ
な容積の密閉空間である第２のチャンバを構成すること
を特徴とする抵抗溶接機。 - 【請求項３】 上記上部電極には，シャッタを上昇させ
るエアを上部電極とシャッタとで構成される空間に供給
するシャッタ上昇用エア通路が形成されており，上記上
部チャンバ部材には，シャッタを下降させるエアを上部
チャンバ部材とシャッタとで構成される空間に供給する
シャッタ下降用エア通路が形成されていることを特徴と
する請求項２に記載の抵抗溶接機。 - 【請求項４】 上記下部チャンバ部材には，側壁に第１
の置換ガス供給孔が，内壁の第１の置換ガス供給孔の位
置に一周にわたって溝が，それぞれ形成され，上記シャ
ッタの側壁には，該シャッタが下限まで下降したとき
に，上記溝とほぼ一致する位置に，第２の置換ガス供給
孔がほぼ等間隔に数カ所形成されており，上記第１の置
換ガス供給孔，溝，及び第２の置換ガス供給孔とで，上
記第２のチャンバに置換ガスを流すための通路を構成し
ていることを特徴とする請求項２または３に記載の抵抗
溶接機。 - 【請求項５】 上記シャッタが下部電極に密着すること
により，上記第２のチャンバを構成することを特徴とす
る請求項２または３に記載の抵抗溶接機。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4228193A JPH06226453A (ja) | 1993-02-04 | 1993-02-04 | 抵抗溶接機 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4228193A JPH06226453A (ja) | 1993-02-04 | 1993-02-04 | 抵抗溶接機 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06226453A true JPH06226453A (ja) | 1994-08-16 |
Family
ID=12631673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4228193A Withdrawn JPH06226453A (ja) | 1993-02-04 | 1993-02-04 | 抵抗溶接機 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06226453A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0890243A (ja) * | 1994-09-12 | 1996-04-09 | Ubukata Seisakusho:Kk | 密閉形センサーの製造装置 |
| JP2003046009A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-14 | Origin Electric Co Ltd | 抵抗溶接装置 |
-
1993
- 1993-02-04 JP JP4228193A patent/JPH06226453A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0890243A (ja) * | 1994-09-12 | 1996-04-09 | Ubukata Seisakusho:Kk | 密閉形センサーの製造装置 |
| JP2003046009A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-14 | Origin Electric Co Ltd | 抵抗溶接装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000404 |