JPH06219891A - ニオブ酸リチウム単結晶膜の製造方法 - Google Patents
ニオブ酸リチウム単結晶膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH06219891A JPH06219891A JP3442793A JP3442793A JPH06219891A JP H06219891 A JPH06219891 A JP H06219891A JP 3442793 A JP3442793 A JP 3442793A JP 3442793 A JP3442793 A JP 3442793A JP H06219891 A JPH06219891 A JP H06219891A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- lithium niobate
- niobate single
- crystal film
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 液相エピタキシャル法により、１００μｍ以
上の厚さの欠陥のないニオブ酸リチウム単結晶膜を得る
製法を提供すること。 【構成】 液相エピタキシャル成長の過程で、ニオブ酸
リチウム単結晶基板の回転方向を１〜１０分の周期で反
転させる。
上の厚さの欠陥のないニオブ酸リチウム単結晶膜を得る
製法を提供すること。 【構成】 液相エピタキシャル成長の過程で、ニオブ酸
リチウム単結晶基板の回転方向を１〜１０分の周期で反
転させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液相エピタキシャル法
によるニオブ酸リチウム単結晶の製造方法に関する。
によるニオブ酸リチウム単結晶の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液相エピタキシャル法によるニオブ酸リ
チウム単結晶膜の育成は、組成制御が容易であるため、
ストイキオメトリ組成等の光デバイスに要求される特性
を持つ結晶材料を得る方法として研究が活発に行われて
いる。
チウム単結晶膜の育成は、組成制御が容易であるため、
ストイキオメトリ組成等の光デバイスに要求される特性
を持つ結晶材料を得る方法として研究が活発に行われて
いる。
【０００３】従来、ニオブ酸リチウム単結晶膜の液相エ
ピタキシャル育成においては、図１に示すような液相エ
ピタキシャル成長炉を用い、育成に最適な過冷却温度に
結晶原料融液２を保ち、結晶原料融液２の表面にニオブ
酸リチウム単結晶基板３を浸漬させ、その基板を１方向
に回転しながら基板上にニオブ酸リチウム単結晶膜を成
長させるというものであった。しかしながら、この方法
ではニオブ酸リチウム単結晶膜の厚さが１００μｍ以上
になるとニオブ酸リチウム単結晶膜に欠陥（正常な結晶
成長方位とは異なる方位の結晶）が発生するため、１０
０μｍ以上の厚さの、欠陥のないニオブ酸リチウム単結
晶膜を得ることができず、応用できる光デバイスの範囲
が限られていた。
ピタキシャル育成においては、図１に示すような液相エ
ピタキシャル成長炉を用い、育成に最適な過冷却温度に
結晶原料融液２を保ち、結晶原料融液２の表面にニオブ
酸リチウム単結晶基板３を浸漬させ、その基板を１方向
に回転しながら基板上にニオブ酸リチウム単結晶膜を成
長させるというものであった。しかしながら、この方法
ではニオブ酸リチウム単結晶膜の厚さが１００μｍ以上
になるとニオブ酸リチウム単結晶膜に欠陥（正常な結晶
成長方位とは異なる方位の結晶）が発生するため、１０
０μｍ以上の厚さの、欠陥のないニオブ酸リチウム単結
晶膜を得ることができず、応用できる光デバイスの範囲
が限られていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、１０
０μｍ以上の厚さの、欠陥のないニオブ酸リチウム単結
晶膜の得られる製造方法を得ようとするものである。
０μｍ以上の厚さの、欠陥のないニオブ酸リチウム単結
晶膜の得られる製造方法を得ようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、ニオブ酸リ
チウム単結晶膜の液相エピタキシャル膜の育成実験を進
める過程で、ニオブ酸リチウム単結晶基板の回転速度が
１〜１００ｒｐｍの場合、基板の回転方向を１〜１０分
の周期で反転すると、１００μｍ以上の厚さの、欠陥の
ないニオブ酸リチウム単結晶膜を得ることができること
を見いだした。
チウム単結晶膜の液相エピタキシャル膜の育成実験を進
める過程で、ニオブ酸リチウム単結晶基板の回転速度が
１〜１００ｒｐｍの場合、基板の回転方向を１〜１０分
の周期で反転すると、１００μｍ以上の厚さの、欠陥の
ないニオブ酸リチウム単結晶膜を得ることができること
を見いだした。
【０００６】
【作用】ニオブ酸リチウム単結晶膜をニオブ酸リチウム
単結晶基板の上にエピタキシャル成長させる場合に、該
基板の回転速度を１〜１００ｒｐｍとした場合、該基板
の回転方向を一方向のままで成長を続けず、１〜１０分
の周期で回転方向を反転してエピタキシャル成長させる
と、１〜１００μｍ以上の厚さの欠陥（正常な結晶成長
方位とは異なる方位の結晶）のないニオブ酸リチウム単
結晶膜が得られる。
単結晶基板の上にエピタキシャル成長させる場合に、該
基板の回転速度を１〜１００ｒｐｍとした場合、該基板
の回転方向を一方向のままで成長を続けず、１〜１０分
の周期で回転方向を反転してエピタキシャル成長させる
と、１〜１００μｍ以上の厚さの欠陥（正常な結晶成長
方位とは異なる方位の結晶）のないニオブ酸リチウム単
結晶膜が得られる。
【０００７】
【実施例】以下、実施例、比較例について説明する。
【０００８】（実施例１）ニオブ酸リチウム単結晶の原
料である酸化ニオブ、酸化リチウムの粉末を混合溶解
し、約１２６０℃に保持した融液を用いて２インチ径で
１ｍｍ厚のニオブ酸リチウム単結晶基板にニオブ酸リチ
ウム単結晶膜の液相エピタキシャル法による育成を１時
間の育成時間で試みた。この際、基板回転速度は１，１
０，１００ｒｐｍの３種類とし、３種類の回転速度につ
いて基板回転の反転周期を各々１，５，１０分の３種類
とした。即ち、９枚のニオブ酸リチウム単結晶膜を育成
した。
料である酸化ニオブ、酸化リチウムの粉末を混合溶解
し、約１２６０℃に保持した融液を用いて２インチ径で
１ｍｍ厚のニオブ酸リチウム単結晶基板にニオブ酸リチ
ウム単結晶膜の液相エピタキシャル法による育成を１時
間の育成時間で試みた。この際、基板回転速度は１，１
０，１００ｒｐｍの３種類とし、３種類の回転速度につ
いて基板回転の反転周期を各々１，５，１０分の３種類
とした。即ち、９枚のニオブ酸リチウム単結晶膜を育成
した。
【０００９】これら９枚の膜は全ての膜の厚さが１００
〜１２０μｍの範囲にあり、平滑な表面が得られ、欠陥
が観察されなかった。
〜１２０μｍの範囲にあり、平滑な表面が得られ、欠陥
が観察されなかった。
【００１０】（実施例２）ニオブ酸リチウム単結晶の原
料である酸化ニオブ、酸化リチウムの粉末を混合溶解
し、約１２６０℃に保持した融液を用いて、２インチ径
で１ｍｍ厚のニオブ酸リチウム単結晶基板にニオブ酸リ
チウム単結晶膜の液相エピタキシャル法による育成を５
時間の育成時間で試みた。この際、基板回転速度は１，
１０，１００ｒｐｍの３種類とし、３種類の回転速度に
ついて基板回転反転周期を各々１，５，１０分の３種類
とした。即ち、９枚のニオブ酸リチウム単結晶膜を育成
した。
料である酸化ニオブ、酸化リチウムの粉末を混合溶解
し、約１２６０℃に保持した融液を用いて、２インチ径
で１ｍｍ厚のニオブ酸リチウム単結晶基板にニオブ酸リ
チウム単結晶膜の液相エピタキシャル法による育成を５
時間の育成時間で試みた。この際、基板回転速度は１，
１０，１００ｒｐｍの３種類とし、３種類の回転速度に
ついて基板回転反転周期を各々１，５，１０分の３種類
とした。即ち、９枚のニオブ酸リチウム単結晶膜を育成
した。
【００１１】これら９枚の膜は全ての膜の厚さが１００
〜６００μｍの範囲にあり、平滑な表面が得られ、欠陥
が観察されなかった。
〜６００μｍの範囲にあり、平滑な表面が得られ、欠陥
が観察されなかった。
【００１２】（比較例１）ニオブ酸リチウム単結晶の原
料である酸化ニオブ、酸化リチウムの粉末を混合溶解
し、約１２６０℃に保持した融液を用いて、２インチ径
で１ｍｍ厚のニオブ酸リチウム単結晶基板にニオブ酸リ
チウム単結晶膜の液相エピタキシャル法による育成を１
時間の育成時間で試みた。この際、基板回転速度は１，
１０，１００ｒｐｍの３種類とし、回転方向は一定とし
た。即ち、３枚のニオブ酸リチウム単結晶膜を育成し
た。
料である酸化ニオブ、酸化リチウムの粉末を混合溶解
し、約１２６０℃に保持した融液を用いて、２インチ径
で１ｍｍ厚のニオブ酸リチウム単結晶基板にニオブ酸リ
チウム単結晶膜の液相エピタキシャル法による育成を１
時間の育成時間で試みた。この際、基板回転速度は１，
１０，１００ｒｐｍの３種類とし、回転方向は一定とし
た。即ち、３枚のニオブ酸リチウム単結晶膜を育成し
た。
【００１３】これら３枚の膜は全ての膜の厚さが１００
〜１２０μｍの範囲にあったが、平滑な表面は得られな
かった。即ち、径が１ｍｍ以上の欠陥が膜に発生してお
り、その密度は２個／ｃｍ2以上であった。
〜１２０μｍの範囲にあったが、平滑な表面は得られな
かった。即ち、径が１ｍｍ以上の欠陥が膜に発生してお
り、その密度は２個／ｃｍ2以上であった。
【００１４】（比較例２）ニオブ酸リチウム単結晶の原
料である酸化ニオブ、酸化リチウムの粉末を混合溶解
し、約１２６０℃に保持した融液を用いて、２インチ径
で１ｍｍ厚のニオブ酸リチウム単結晶基板にニオブ酸リ
チウム単結晶膜の液相エピタキシャル法による育成を５
時間の育成時間で試みた。この際、基板回転速度は１，
１０，１００ｒｐｍの３種類とし、回転方向は一定とし
た。即ち、３枚のニオブ酸リチウム単結晶膜を育成し
た。
料である酸化ニオブ、酸化リチウムの粉末を混合溶解
し、約１２６０℃に保持した融液を用いて、２インチ径
で１ｍｍ厚のニオブ酸リチウム単結晶基板にニオブ酸リ
チウム単結晶膜の液相エピタキシャル法による育成を５
時間の育成時間で試みた。この際、基板回転速度は１，
１０，１００ｒｐｍの３種類とし、回転方向は一定とし
た。即ち、３枚のニオブ酸リチウム単結晶膜を育成し
た。
【００１５】これら３枚の膜は全ての膜の厚さが５００
〜６００μｍの範囲にあったが、平滑な表面は得られな
かった。即ち、径が１ｍｍ以上の欠陥が膜に発生してお
り、その密度は５個／ｃｍ2以上であった。
〜６００μｍの範囲にあったが、平滑な表面は得られな
かった。即ち、径が１ｍｍ以上の欠陥が膜に発生してお
り、その密度は５個／ｃｍ2以上であった。
【００１６】
【発明の効果】本発明を用いることにより、厚さ１００
μｍ以上の欠陥のないニオブ酸リチウム単結晶膜を育成
することが可能になり、本発明の産業的効果は大であ
る。
μｍ以上の欠陥のないニオブ酸リチウム単結晶膜を育成
することが可能になり、本発明の産業的効果は大であ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】液相エピタキシャル成長炉の概略構造を示す断
面図。
面図。
１ 白金るつぼ ２ 結晶原料融液 ３ ニオブ酸リチウム単結晶基板 ４ 基板保持用白金ホルダー ５ アルミナ製支持棒 ６ 加熱用抵抗線 ７ 回転用モーター
Claims (1)
- 【請求項１】 ニオブ酸リチウム単結晶基板上にニオブ
酸リチウム単結晶膜を液相エピタキシャル成長させるニ
オブ酸リチウム単結晶膜の製造方法において、基板の回
転方向を１〜１０分の周期で反転してニオブ酸リチウム
単結晶膜を成長させることを特徴とするニオブ酸リチウ
ム単結晶膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3442793A JPH06219891A (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | ニオブ酸リチウム単結晶膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3442793A JPH06219891A (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | ニオブ酸リチウム単結晶膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06219891A true JPH06219891A (ja) | 1994-08-09 |
Family
ID=12413920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3442793A Pending JPH06219891A (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | ニオブ酸リチウム単結晶膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06219891A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06305894A (ja) * | 1993-04-20 | 1994-11-01 | Nec Corp | ニオブ酸リチウム単結晶厚膜及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-01-29 JP JP3442793A patent/JPH06219891A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06305894A (ja) * | 1993-04-20 | 1994-11-01 | Nec Corp | ニオブ酸リチウム単結晶厚膜及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPWO2007100146A1 (ja) | 液相成長法によるＺｎＯ単結晶の製造方法 | |
| JPH06219891A (ja) | ニオブ酸リチウム単結晶膜の製造方法 | |
| JPH01122998A (ja) | ＣｄＺｎＴｅ混晶半導体の製造方法 | |
| JP2507910B2 (ja) | 酸化物単結晶の製造方法 | |
| JPS6360195A (ja) | 液晶エピタキシヤル成長方法 | |
| CN110036143A (zh) | 单晶硅制造方法以及单晶硅晶片 | |
| JPH04300296A (ja) | チタン酸バリウムの単結晶の製造方法 | |
| JP3188541B2 (ja) | 液相エピタキシーによる単結晶薄膜の製造方法 | |
| JPS63195198A (ja) | ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の製造方法 | |
| JPH042683A (ja) | ルチル単結晶の製造方法 | |
| JPH0788270B2 (ja) | 単結晶薄膜の育成方法 | |
| JP2922039B2 (ja) | 単結晶の成長方法 | |
| JPH05155695A (ja) | ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の液相エピタキシャル成長法 | |
| JPH05117096A (ja) | ニオブ酸リチウム単結晶の薄膜の育成方法 | |
| JPH0850312A (ja) | 有機非線形光学結晶の製造方法 | |
| JP2739546B2 (ja) | 硼酸リチウム単結晶の製造方法 | |
| JPH07247200A (ja) | 酸化チタン単結晶の製造方法 | |
| JP2004091222A (ja) | 酸化物半導体単結晶の製造方法 | |
| JP2967372B2 (ja) | 液相エピタキシャル成長法にて使用される基板ホルダー | |
| JP2000233997A (ja) | 引き上げ法による単結晶の製造装置 | |
| JPH04243998A (ja) | β−メタホウ酸バリウム単結晶の製造方法 | |
| Ismom et al. | A study of the LiNbO3 crystal growth process by the Czochralski method | |
| JPH04325496A (ja) | マグネシウム添加ニオブ酸リチウム単結晶の製法 | |
| JPS62204510A (ja) | 液相エピタキシヤル成長方法 | |
| JPS6270296A (ja) | Ｂｉ↓２↓４Ｓｉ↓２Ｏ↓４↓０単結晶の製造方法 |