JPH0850312A - 有機非線形光学結晶の製造方法 - Google Patents
有機非線形光学結晶の製造方法Info
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- JPH0850312A JPH0850312A JP18589594A JP18589594A JPH0850312A JP H0850312 A JPH0850312 A JP H0850312A JP 18589594 A JP18589594 A JP 18589594A JP 18589594 A JP18589594 A JP 18589594A JP H0850312 A JPH0850312 A JP H0850312A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】4’−ニトロベンジリデン−3−アルカノイル
アミノ−4−メトキシアニリン、4’−ニトロベンジリ
デン−3−ハロゲノアルカノイルアミノ−4−メトキシ
アニリン、および、これらの有する水素の少なくとも1
部が重水素置換された化合物から選ばれる有機非線形光
学結晶材料の単結晶を溶融法で製造する方法において、
融液と同一の化合物からなる種子結晶の結晶格子面のう
ち、(010)面を融液界面に接触させて結晶成長させ
ることを特徴とする有機非線形光学結晶の製造方法。 【効果】本発明によれば、非線形光学特性を有利に利用
できる結晶外形と結晶性を持つ有機非線形光学結晶を簡
便に育成することができる。
アミノ−4−メトキシアニリン、4’−ニトロベンジリ
デン−3−ハロゲノアルカノイルアミノ−4−メトキシ
アニリン、および、これらの有する水素の少なくとも1
部が重水素置換された化合物から選ばれる有機非線形光
学結晶材料の単結晶を溶融法で製造する方法において、
融液と同一の化合物からなる種子結晶の結晶格子面のう
ち、(010)面を融液界面に接触させて結晶成長させ
ることを特徴とする有機非線形光学結晶の製造方法。 【効果】本発明によれば、非線形光学特性を有利に利用
できる結晶外形と結晶性を持つ有機非線形光学結晶を簡
便に育成することができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信および光情報処
理の分野を用途とする非線形光学素子に使用される有機
非線形光学材料の単結晶製造方法に関する。
理の分野を用途とする非線形光学素子に使用される有機
非線形光学材料の単結晶製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】 一般式:
【化2】 (ただしRは炭素数が2以下のアルキルまたはハロゲン
化アルキルである。)で表される有機非線形光学材料
は、単結晶状態で高い2次非線形光学性能を示す物質で
ある。該有機非線形光学材料は、相互にヘテロエピタキ
シャル成長可能であったり、ドライエッチング可能であ
ったりすることから、導波路型非線形光学素子への応用
が有望視されている。
化アルキルである。)で表される有機非線形光学材料
は、単結晶状態で高い2次非線形光学性能を示す物質で
ある。該有機非線形光学材料は、相互にヘテロエピタキ
シャル成長可能であったり、ドライエッチング可能であ
ったりすることから、導波路型非線形光学素子への応用
が有望視されている。
【0003】該有機非線形光学材料を単結晶化する方法
としては、溶融法、溶液法による例が報告されている。
溶液法による単結晶製造は、簡便な成長装置で行うこと
ができ、常温での結晶育成が可能であるという利点を持
つが、成長に長期間を要する、結晶の大型化が困難であ
るなどの欠点を持つ。
としては、溶融法、溶液法による例が報告されている。
溶液法による単結晶製造は、簡便な成長装置で行うこと
ができ、常温での結晶育成が可能であるという利点を持
つが、成長に長期間を要する、結晶の大型化が困難であ
るなどの欠点を持つ。
【0004】溶融法は、溶液法の欠点である成長時間お
よび結晶大型化を改善する方法として有望である。特
に、シリコンなどの半導体単結晶成長に用いられる、溶
融引上げ法(別名チョクラルスキー法とも呼ばれる)
は、工業的にも優れた方法である。
よび結晶大型化を改善する方法として有望である。特
に、シリコンなどの半導体単結晶成長に用いられる、溶
融引上げ法(別名チョクラルスキー法とも呼ばれる)
は、工業的にも優れた方法である。
【0005】一般に、溶融法において良質の単結晶を得
るためには、融液の秩序ある結晶化を促すための、種子
結晶なるものが必要とされる。種子結晶には融液と同じ
組成からなる単結晶を用いることが最も簡便な方法であ
る。種子結晶から融液が結晶化を開始し、大型結晶を得
ることができる。
るためには、融液の秩序ある結晶化を促すための、種子
結晶なるものが必要とされる。種子結晶には融液と同じ
組成からなる単結晶を用いることが最も簡便な方法であ
る。種子結晶から融液が結晶化を開始し、大型結晶を得
ることができる。
【0006】しかし、低分子有機化合物の単結晶におい
ては、一般に、結晶の異方性(例えば、屈折率や硬度)
が大きいことが知られている。特に、一般式:
ては、一般に、結晶の異方性(例えば、屈折率や硬度)
が大きいことが知られている。特に、一般式:
【化3】 (ただしRは炭素数が2以下のアルキルまたはハロゲン
化アルキルである。)で示される有機非線形光学材料の
場合、分子の分極性を反映して、結晶成長速度が結晶面
によって異なるため、所望の結晶外形を得ることが難し
いだけでなく、結晶性などの品質においても著しい異方
性を帯びることが明らかである。また、大きな2次非線
形光学性能を示す結晶方位は限定されており、結晶外形
によっては、非線形光学素子化の際、大きな非線形光学
特性を有利に活用できない場合がある。
化アルキルである。)で示される有機非線形光学材料の
場合、分子の分極性を反映して、結晶成長速度が結晶面
によって異なるため、所望の結晶外形を得ることが難し
いだけでなく、結晶性などの品質においても著しい異方
性を帯びることが明らかである。また、大きな2次非線
形光学性能を示す結晶方位は限定されており、結晶外形
によっては、非線形光学素子化の際、大きな非線形光学
特性を有利に活用できない場合がある。
【0007】しかしながら、有機非線形光学結晶の結晶
成長において、これらの点は何ら考慮されていないのが
現状である。
成長において、これらの点は何ら考慮されていないのが
現状である。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、原料
となる有機非線形光学材料の非線形光学特性を有利に使
用できる結晶方位を持ち、なおかつ十分な大きさと結晶
外形を有する有機非線形光学結晶の製造方法を提供する
ことにある。
となる有機非線形光学材料の非線形光学特性を有利に使
用できる結晶方位を持ち、なおかつ十分な大きさと結晶
外形を有する有機非線形光学結晶の製造方法を提供する
ことにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は次の構成を有する。
め、本発明は次の構成を有する。
【0010】一般式:
【化4】 (ただしRは炭素数が2以下のアルキルまたはハロゲン
化アルキルである。)で表される4’−ニトロベンジリ
デン−3−アルカノイルアミノ−4−メトキシアニリ
ン、4’−ニトロベンジリデン−3−ハロゲノアルカノ
イルアミノ−4−メトキシアニリン、および、これらの
有する水素の少なくとも1部が重水素置換された化合物
から選ばれる有機非線形光学結晶材料の単結晶を溶融法
で製造する方法において、融液と同一の化合物からなる
種子結晶の結晶格子面のうち、(010)面を融液界面
に接触させて結晶成長させることを特徴とする有機非線
形光学結晶の製造方法。
化アルキルである。)で表される4’−ニトロベンジリ
デン−3−アルカノイルアミノ−4−メトキシアニリ
ン、4’−ニトロベンジリデン−3−ハロゲノアルカノ
イルアミノ−4−メトキシアニリン、および、これらの
有する水素の少なくとも1部が重水素置換された化合物
から選ばれる有機非線形光学結晶材料の単結晶を溶融法
で製造する方法において、融液と同一の化合物からなる
種子結晶の結晶格子面のうち、(010)面を融液界面
に接触させて結晶成長させることを特徴とする有機非線
形光学結晶の製造方法。
【0011】すなわち、これまでは異方性を考慮して有
機非線形光学結晶の溶融法による単結晶を育成した例は
なく、また結晶成長時の成長速度異方性は、材料により
大きく異なるため、特に、一般式:
機非線形光学結晶の溶融法による単結晶を育成した例は
なく、また結晶成長時の成長速度異方性は、材料により
大きく異なるため、特に、一般式:
【化5】 (ただしRは炭素数が2以下のアルキルまたはハロゲン
化アルキルである。)で示される有機非線形光学材料の
結晶の成長異方性を考慮した結晶育成は知られていなか
った。本発明者らは、溶融法により種子結晶を利用した
結晶成長を行う際、低分子有機非線形光学材料の非線形
光学特性を有利に活用するためには、結晶の異方性を考
慮に入れて結晶方位と結晶外形を制御する必要があるこ
とを見出したものである。
化アルキルである。)で示される有機非線形光学材料の
結晶の成長異方性を考慮した結晶育成は知られていなか
った。本発明者らは、溶融法により種子結晶を利用した
結晶成長を行う際、低分子有機非線形光学材料の非線形
光学特性を有利に活用するためには、結晶の異方性を考
慮に入れて結晶方位と結晶外形を制御する必要があるこ
とを見出したものである。
【0012】本発明で言う4’−ニトロベンジリデン−
3−アルカノイルアミノ−4−メトキシアニリン、4’
−ニトロベンジリデン−3−ハロゲノアルカノイルアミ
ノ−4−メトキシアニリン、および、これらの有する水
素の少なくとも一部が重水素置換された化合物とは、
4’−ニトロベンジリデン−3−アセトアミノ−4−メ
トキシアニリン(以下MNBAと略する)、4’−ニト
ロベンジリデン−3−エチルカルボニルアミノ−4−メ
トキシアニリン(以下MNBA−Etと略する)、4’
−ニトロベンジリデン−3−クロロアセトアミノ−4−
メトキシアニリン(以下MNBA−Clと略する)、
4’−ニトロベンジリデン−3−ブロモアセトアミノ−
4−メトキシアニリン(以下MNBA−Brと略す
る)、4’−ニトロベンジリデン−3−(β−クロロエ
チル)カルボニルアミノ−4−メトキシアニリン(以下
MNBA−ClEtと略する)など、アルカノイルアミ
ノ基あるいはハロゲノアルカノイルアミノ基を表す−N
HCORにおいて、Rが炭素数2以下のアルキル、ハロ
ゲン化アルキルのもの、およびそれらの少なくとも一部
が重水素置換されてなる化合物を指す(以下、これらの
物質を総称してベンジリデンアニリン系材料と呼ぶ)。
これらの化合物の結晶は、いずれも高い2次非線形光学
特性を有する(特開昭63−113429号公報)。ま
た、後述するように常圧もしくは加圧下の状態で、融液
状態からの昇華が小さいという特徴を持っており、溶融
法を用いた単結晶製造にとって好ましい特徴を有してい
る。
3−アルカノイルアミノ−4−メトキシアニリン、4’
−ニトロベンジリデン−3−ハロゲノアルカノイルアミ
ノ−4−メトキシアニリン、および、これらの有する水
素の少なくとも一部が重水素置換された化合物とは、
4’−ニトロベンジリデン−3−アセトアミノ−4−メ
トキシアニリン(以下MNBAと略する)、4’−ニト
ロベンジリデン−3−エチルカルボニルアミノ−4−メ
トキシアニリン(以下MNBA−Etと略する)、4’
−ニトロベンジリデン−3−クロロアセトアミノ−4−
メトキシアニリン(以下MNBA−Clと略する)、
4’−ニトロベンジリデン−3−ブロモアセトアミノ−
4−メトキシアニリン(以下MNBA−Brと略す
る)、4’−ニトロベンジリデン−3−(β−クロロエ
チル)カルボニルアミノ−4−メトキシアニリン(以下
MNBA−ClEtと略する)など、アルカノイルアミ
ノ基あるいはハロゲノアルカノイルアミノ基を表す−N
HCORにおいて、Rが炭素数2以下のアルキル、ハロ
ゲン化アルキルのもの、およびそれらの少なくとも一部
が重水素置換されてなる化合物を指す(以下、これらの
物質を総称してベンジリデンアニリン系材料と呼ぶ)。
これらの化合物の結晶は、いずれも高い2次非線形光学
特性を有する(特開昭63−113429号公報)。ま
た、後述するように常圧もしくは加圧下の状態で、融液
状態からの昇華が小さいという特徴を持っており、溶融
法を用いた単結晶製造にとって好ましい特徴を有してい
る。
【0013】また、本発明でいう溶融法とは、原料を融
解した後、その融液の温度を下げるなどの方法によって
再び固化させ、原料を単結晶化させる方法の総称であ
る。特に、原料融液中に、種子結晶を接触させた後、回
転させながら融液を固化させ単結晶を製造する溶融回転
法は簡便に大型単結晶を得るための方法として優れてい
る。さらに、種子結晶の回転に加え、引き上げることに
より融液を固化させ単結晶を製造する溶融引き上げ法
は、成長速度が速く、大型・低欠陥の結晶を得られると
いう点で、さらに優れた方法である。
解した後、その融液の温度を下げるなどの方法によって
再び固化させ、原料を単結晶化させる方法の総称であ
る。特に、原料融液中に、種子結晶を接触させた後、回
転させながら融液を固化させ単結晶を製造する溶融回転
法は簡便に大型単結晶を得るための方法として優れてい
る。さらに、種子結晶の回転に加え、引き上げることに
より融液を固化させ単結晶を製造する溶融引き上げ法
は、成長速度が速く、大型・低欠陥の結晶を得られると
いう点で、さらに優れた方法である。
【0014】また、本発明でいう種子結晶とは、溶融法
による結晶成長の際、単結晶の析出を開始させるために
融液と接触させる結晶のことを指す。種子結晶の構成原
料が融液の構成原料と同一である場合には、結晶化開始
時に、結晶の欠陥を発生しにくく、良質の単結晶を得る
ことができる。
による結晶成長の際、単結晶の析出を開始させるために
融液と接触させる結晶のことを指す。種子結晶の構成原
料が融液の構成原料と同一である場合には、結晶化開始
時に、結晶の欠陥を発生しにくく、良質の単結晶を得る
ことができる。
【0015】また、本発明でいう結晶格子面とは、一般
に面指数あるいはミラー指数と呼ばれる互いに素な3つ
の整数の組(hkl)で表される結晶格子面のことを指
す。これについての説明は、X線回折に関する文献(た
とえば、X線回折技術 高良和武、菊田惺志著、東京大
学出版会、1981、p23〜p39)に解説がなされ
ている。
に面指数あるいはミラー指数と呼ばれる互いに素な3つ
の整数の組(hkl)で表される結晶格子面のことを指
す。これについての説明は、X線回折に関する文献(た
とえば、X線回折技術 高良和武、菊田惺志著、東京大
学出版会、1981、p23〜p39)に解説がなされ
ている。
【0016】また、本発明でいう(010)面とは、上
記定義により定めた結晶格子面である。
記定義により定めた結晶格子面である。
【0017】また、本発明で言う(010)面を融液界
面に接触させて結晶成長させるとは、種子結晶の(01
0)面が融液と接触しておればどのような方法でも良
い。例えば、完全に種子結晶が融液中に入っていてもよ
く、また種子結晶そのものの表面ないし一部が、融液と
接触することによって融解したとしてもよい。むしろ、
種子結晶の表面を融解することにより、種子表面の酸化
成分や加工時に損傷を受けた部分などを取り除くことが
できて、成長結晶の結晶性などの品質にとって好都合と
なることが多いからである。
面に接触させて結晶成長させるとは、種子結晶の(01
0)面が融液と接触しておればどのような方法でも良
い。例えば、完全に種子結晶が融液中に入っていてもよ
く、また種子結晶そのものの表面ないし一部が、融液と
接触することによって融解したとしてもよい。むしろ、
種子結晶の表面を融解することにより、種子表面の酸化
成分や加工時に損傷を受けた部分などを取り除くことが
できて、成長結晶の結晶性などの品質にとって好都合と
なることが多いからである。
【0018】本発明は、有機非線形光学材料の溶融法に
よる結晶製造において、種子となる結晶の結晶格子面を
特定することにより、結晶格子面と結晶外形および結晶
品質が、工業上好ましい関係を持つように制御できるこ
とができることを示したものである。(010)面は、
本発明の製造方法において使用される原料から得られる
単結晶の中で最も大きな非線形光学定数をもつ成分を面
内にもつ。したがって、この面の面積が大きく、しかも
大量にウエハを製造できる外形をもつ結晶を得ることは
工業的に重要である。
よる結晶製造において、種子となる結晶の結晶格子面を
特定することにより、結晶格子面と結晶外形および結晶
品質が、工業上好ましい関係を持つように制御できるこ
とができることを示したものである。(010)面は、
本発明の製造方法において使用される原料から得られる
単結晶の中で最も大きな非線形光学定数をもつ成分を面
内にもつ。したがって、この面の面積が大きく、しかも
大量にウエハを製造できる外形をもつ結晶を得ることは
工業的に重要である。
【0019】本発明の製造方法に於いて使用される原料
ベンジリデンアニリン系材料は、カラムクロマトグラフ
ィー法、再結晶法および昇華法の組合わせにより精製さ
れたものを使用することが好ましい。該精製方法によ
り、加熱溶融時においてみられる熱分解、熱重合などに
よる原料の劣化および着色の原因となる不純物を取り除
くことができるからである。
ベンジリデンアニリン系材料は、カラムクロマトグラフ
ィー法、再結晶法および昇華法の組合わせにより精製さ
れたものを使用することが好ましい。該精製方法によ
り、加熱溶融時においてみられる熱分解、熱重合などに
よる原料の劣化および着色の原因となる不純物を取り除
くことができるからである。
【0020】カラムクロマトグラフィーによる精製にお
いては中性もしくは塩基性アルミナカラムを用いること
が好ましい。ベンジリデンアニリン系化合物、例えばM
NBA−Etは、酸性物質と反応し分解しやすいからで
ある。
いては中性もしくは塩基性アルミナカラムを用いること
が好ましい。ベンジリデンアニリン系化合物、例えばM
NBA−Etは、酸性物質と反応し分解しやすいからで
ある。
【0021】昇華精製においては、10-1Pascal
以下の真空下で行うことが望ましい。ベンジリデンアニ
リン系材料が大気中での加熱溶融により熱分解などによ
り着色するのを防ぐことができるのに加え、減圧状態で
行うことにより昇華速度が大きくなり精製の効率を上げ
ることができるからである。昇華速度を速くするため、
ベンジリデンアニリン系材料を融点以上に加熱して精製
を行ってもよい。この場合、厳密に昇華精製ではなく、
真空蒸留と呼ぶべきであるが、同一装置、同一手順で実
行可能であることから、真空蒸留も本発明でいう昇華精
製に含まれる。
以下の真空下で行うことが望ましい。ベンジリデンアニ
リン系材料が大気中での加熱溶融により熱分解などによ
り着色するのを防ぐことができるのに加え、減圧状態で
行うことにより昇華速度が大きくなり精製の効率を上げ
ることができるからである。昇華速度を速くするため、
ベンジリデンアニリン系材料を融点以上に加熱して精製
を行ってもよい。この場合、厳密に昇華精製ではなく、
真空蒸留と呼ぶべきであるが、同一装置、同一手順で実
行可能であることから、真空蒸留も本発明でいう昇華精
製に含まれる。
【0022】本発明の有機非線形光学結晶の製造に用い
られる溶融法による結晶製造装置の一例を図1に示す。
られる溶融法による結晶製造装置の一例を図1に示す。
【0023】溶融結晶製造装置は、チャンバ兼坩堝4、
種子結晶保持軸1及び坩堝中の原料を加熱するための熱
媒5から構成される。熱媒5は、シリコンオイルなどを
用いることができる。また、この熱媒5の温度保持を行
う容器6は、オイルバスなどを用いることができる。原
料3は、チャンバ兼坩堝4に充填される。また、排気弁
7を通じて排気口9からチャンバ兼坩堝4内は真空に脱
気することができる。チャンバ兼坩堝4内にはガス導入
弁8を通じてガス導入口10から不活性ガスを導入する
ことも可能である。原料3は、熱媒5を加熱することで
融解されて融液となる。また、種子結晶2は、所望の結
晶面を融液界面に接触するように種子結晶保持軸1にと
りつけられる。
種子結晶保持軸1及び坩堝中の原料を加熱するための熱
媒5から構成される。熱媒5は、シリコンオイルなどを
用いることができる。また、この熱媒5の温度保持を行
う容器6は、オイルバスなどを用いることができる。原
料3は、チャンバ兼坩堝4に充填される。また、排気弁
7を通じて排気口9からチャンバ兼坩堝4内は真空に脱
気することができる。チャンバ兼坩堝4内にはガス導入
弁8を通じてガス導入口10から不活性ガスを導入する
ことも可能である。原料3は、熱媒5を加熱することで
融解されて融液となる。また、種子結晶2は、所望の結
晶面を融液界面に接触するように種子結晶保持軸1にと
りつけられる。
【0024】本発明の製造方法においては、種子結晶保
持軸1が回転するような結晶成長方法、すなわち溶融回
転法を用いることが好ましい。すなわち、種子結晶2を
原料3に接触させ結晶育成を行う際、種子結晶2が回転
する構造をもつ製造方法がよい。回転を行わせること
で、製造装置の非対称性、すなわちチャンバ兼坩堝4の
原料3内の温度分布の変動や種子結晶2の形状の非対称
性などを簡便に打ち消すことが可能となり、結晶性、結
晶外形の制御の好都合であるからである。
持軸1が回転するような結晶成長方法、すなわち溶融回
転法を用いることが好ましい。すなわち、種子結晶2を
原料3に接触させ結晶育成を行う際、種子結晶2が回転
する構造をもつ製造方法がよい。回転を行わせること
で、製造装置の非対称性、すなわちチャンバ兼坩堝4の
原料3内の温度分布の変動や種子結晶2の形状の非対称
性などを簡便に打ち消すことが可能となり、結晶性、結
晶外形の制御の好都合であるからである。
【0025】さらに、溶融回転法に加えて、種子結晶保
持軸1を引上げながら結晶成長を行わせる方法すなわち
溶融引き上げ回転法であることがさらに望ましい。種子
結晶保持軸1を引上げることで、引上げ軸方向にも拡大
することが可能である上、結晶外形を制御しながら加工
に都合のよい結晶外形をえることが可能であるからであ
る。
持軸1を引上げながら結晶成長を行わせる方法すなわち
溶融引き上げ回転法であることがさらに望ましい。種子
結晶保持軸1を引上げることで、引上げ軸方向にも拡大
することが可能である上、結晶外形を制御しながら加工
に都合のよい結晶外形をえることが可能であるからであ
る。
【0026】溶融回転法により結晶成長を行う時、種子
結晶を毎分20回転以下で回転させながら成長させるこ
とが望ましい。前述したとおり、回転の効果により結晶
成長の制御性は高くなるが、回転速度が速すぎると種子
結晶2と原料3との結晶成長界面が不安定になり、欠陥
の多い結晶となってしまうからである。
結晶を毎分20回転以下で回転させながら成長させるこ
とが望ましい。前述したとおり、回転の効果により結晶
成長の制御性は高くなるが、回転速度が速すぎると種子
結晶2と原料3との結晶成長界面が不安定になり、欠陥
の多い結晶となってしまうからである。
【0027】成長容器内すなわちチャンバ兼坩堝4は、
一旦、真空脱気した後、不活性ガスで置換することが好
ましい。真空脱気により、大気中にある酸素、二酸化炭
素、水などの原料3の熱劣化の原因となる物質を除去す
ることが可能であり、それにより、結晶品質を高めるこ
とが可能であるからである。さらに、不活性ガスで置換
するのは、原料3が融解した際の昇華を低減させること
が可能であり、原料の減少や、予期せぬ場所での結晶発
生などを防止することができるからである。
一旦、真空脱気した後、不活性ガスで置換することが好
ましい。真空脱気により、大気中にある酸素、二酸化炭
素、水などの原料3の熱劣化の原因となる物質を除去す
ることが可能であり、それにより、結晶品質を高めるこ
とが可能であるからである。さらに、不活性ガスで置換
するのは、原料3が融解した際の昇華を低減させること
が可能であり、原料の減少や、予期せぬ場所での結晶発
生などを防止することができるからである。
【0028】不活性ガスは、原料3が加熱融解された
際、化学反応などによって熱劣化を起こさないようなガ
スであれば何でも良い。簡便に入手でき、好ましいもの
としては、ArあるいはN2 が上げられる。
際、化学反応などによって熱劣化を起こさないようなガ
スであれば何でも良い。簡便に入手でき、好ましいもの
としては、ArあるいはN2 が上げられる。
【0029】
【実施例】本発明について以下の実施例によりさらに詳
細に説明する。
細に説明する。
【0030】実施例1 本実施例で使用した原料はMNBA−Etである。MN
BA−Etをジクロロメタンに溶解し、中性アルミナカ
ラムを通した後、溶媒蒸発法により再結晶を行う手順を
2度繰り返した。再結晶法により得た粉末をガラス容器
に充填し、さらに1×10-1Pascal以下の減圧下
で175℃に加熱して行う昇華精製を3度繰り返して行
った。
BA−Etをジクロロメタンに溶解し、中性アルミナカ
ラムを通した後、溶媒蒸発法により再結晶を行う手順を
2度繰り返した。再結晶法により得た粉末をガラス容器
に充填し、さらに1×10-1Pascal以下の減圧下
で175℃に加熱して行う昇華精製を3度繰り返して行
った。
【0031】カラムクロマトグラフィーによる精製はメ
ルク社製の粒径70〜230メッシュの中性アルミナを
使用して作製した内径8cm高さ約20cmのカラムを
通すことにより行った。
ルク社製の粒径70〜230メッシュの中性アルミナを
使用して作製した内径8cm高さ約20cmのカラムを
通すことにより行った。
【0032】原料10gをガラス製の坩堝の中に充填し
た。熱媒にはシリコンオイルを使用した。成長容器内部
は、一旦、ロータリーポンプと油拡散ポンプにより真空
脱気した後、Arガスで置換した。真空脱気時の真空度
は3×10-4Pascal、Arガス置換後は容器中は
室温でほぼ大気圧であった。
た。熱媒にはシリコンオイルを使用した。成長容器内部
は、一旦、ロータリーポンプと油拡散ポンプにより真空
脱気した後、Arガスで置換した。真空脱気時の真空度
は3×10-4Pascal、Arガス置換後は容器中は
室温でほぼ大気圧であった。
【0033】種子結晶には、MNBA−Etをジクロロ
メタンに溶解した後、溶媒蒸発法により再結晶化させて
できた結晶のうち、目視により結晶性の高いものを選び
使用した。X線回折を利用して、この結晶の結晶面を確
認したところ、(010)面を広い面とする平板状の結
晶であることが分ったので、結晶をダイヤモンドブレー
ドを持つ切断機で切断し、さらにダイヤモンド粉末を含
む研磨液により研磨して種子結晶とした。
メタンに溶解した後、溶媒蒸発法により再結晶化させて
できた結晶のうち、目視により結晶性の高いものを選び
使用した。X線回折を利用して、この結晶の結晶面を確
認したところ、(010)面を広い面とする平板状の結
晶であることが分ったので、結晶をダイヤモンドブレー
ドを持つ切断機で切断し、さらにダイヤモンド粉末を含
む研磨液により研磨して種子結晶とした。
【0034】原料融解、成長時において坩堝の温度制御
には、温度精度±0.01℃で、温度プログラムを設定
可能なオイルバスを使用した。
には、温度精度±0.01℃で、温度プログラムを設定
可能なオイルバスを使用した。
【0035】オイルバスの温度を170℃に設定し、原
料を加熱融解した。原料が完全に融解した後、種子結晶
を(010)面が融液との界面となるように接触させ
た。その状態で、種子結晶を12回転/分で回転させ
た。
料を加熱融解した。原料が完全に融解した後、種子結晶
を(010)面が融液との界面となるように接触させ
た。その状態で、種子結晶を12回転/分で回転させ
た。
【0036】種子結晶を12回転/分で回転させたま
ま、オイルバスの温度を170℃に1時間保持した。そ
の後、0.5℃/時間の降温速度で169.5℃までオ
イルバス温度をさげ、さらに、1.0℃/時間の降温速
度で167℃までオイルバス温度を下げた。167℃ま
でオイルバス温度を下げた後、これより8時間、167
℃にオイルバス温度を保持した後、種子結晶を引き上
げ、融液から切り放した。
ま、オイルバスの温度を170℃に1時間保持した。そ
の後、0.5℃/時間の降温速度で169.5℃までオ
イルバス温度をさげ、さらに、1.0℃/時間の降温速
度で167℃までオイルバス温度を下げた。167℃ま
でオイルバス温度を下げた後、これより8時間、167
℃にオイルバス温度を保持した後、種子結晶を引き上
げ、融液から切り放した。
【0037】成長させた結晶は、目視による観察では透
明であった。結晶の大きさは、直径15mm、長さ10
mmの円筒状であった。
明であった。結晶の大きさは、直径15mm、長さ10
mmの円筒状であった。
【0038】この結晶をX線回折装置を用いて、結晶の
方位を確認したところ、ac面を断面とする結晶ができ
ていることが判明した。この結晶の2次非線形光学定数
をメーカーフリンジ法(Journal of App
lied PhysicsVol.41. 1667
(1970)参照)にて測定したところ、代表的な2次
非線形光学材料であるニオブ酸リチウムの2次非線形光
学定数d33と比較して、この結晶のd11成分は4倍以上
の大きさをもつことが分った。MNBA−Etは、結晶
状態で、2次非線形光学定数がd11成分が最大となる物
質である。このd11成分は、(010)面内に存在して
おり、出来上がった結晶を円盤状に切断することによ
り、同じ形状を持つMNBA−Et結晶ウエハを大量に
製造することが可能となった。
方位を確認したところ、ac面を断面とする結晶ができ
ていることが判明した。この結晶の2次非線形光学定数
をメーカーフリンジ法(Journal of App
lied PhysicsVol.41. 1667
(1970)参照)にて測定したところ、代表的な2次
非線形光学材料であるニオブ酸リチウムの2次非線形光
学定数d33と比較して、この結晶のd11成分は4倍以上
の大きさをもつことが分った。MNBA−Etは、結晶
状態で、2次非線形光学定数がd11成分が最大となる物
質である。このd11成分は、(010)面内に存在して
おり、出来上がった結晶を円盤状に切断することによ
り、同じ形状を持つMNBA−Et結晶ウエハを大量に
製造することが可能となった。
【0039】本実施例により、種子結晶の方位を考慮す
ることにより、広い結晶面に大きな非線形光学性能を示
す方位を持ちなおかつ同じ外形を持つウエハが同時に製
造できるという、素子製造に都合のよい単結晶を製造す
ることができることが確認された。
ることにより、広い結晶面に大きな非線形光学性能を示
す方位を持ちなおかつ同じ外形を持つウエハが同時に製
造できるという、素子製造に都合のよい単結晶を製造す
ることができることが確認された。
【0040】比較例1 実施例1と同じ方法で精製し、準備したMNBA−Et
を用いた単結晶成長を行った。ただし、種子結晶は(0
11)面が、MNBA−Et融液との界面となるように
して結晶成長を行った。成長手順は実施例1と同じであ
る。
を用いた単結晶成長を行った。ただし、種子結晶は(0
11)面が、MNBA−Et融液との界面となるように
して結晶成長を行った。成長手順は実施例1と同じであ
る。
【0041】その結果、結晶の大きさは、幅3mm、厚
さ2mm、長さ10mmの薄板状結晶を得た。X線回折
の結果、3mmの幅をもつ面は(010)面であること
が判明した。しかし、この薄板状結晶は、成長途上でく
びれやよじれが発生しており、有効な(010)面をも
つ結晶ウエハに加工することができず、実施例1のよう
な大きな(010)面をもつ結晶ウエハを得ることはで
きなかった。
さ2mm、長さ10mmの薄板状結晶を得た。X線回折
の結果、3mmの幅をもつ面は(010)面であること
が判明した。しかし、この薄板状結晶は、成長途上でく
びれやよじれが発生しており、有効な(010)面をも
つ結晶ウエハに加工することができず、実施例1のよう
な大きな(010)面をもつ結晶ウエハを得ることはで
きなかった。
【0042】
【発明の効果】本発明によれば、原料となる有機非線形
光学材料の非線形光学特性を有効に使用できる結晶方位
を持ち、なおかつ工業的に素子を作製する際必要である
同一形状かつ十分な大きさをもつ有機非線形光学結晶ウ
エハを同時に作製できる、有機非線形光学結晶の製造方
法を提供することができる。
光学材料の非線形光学特性を有効に使用できる結晶方位
を持ち、なおかつ工業的に素子を作製する際必要である
同一形状かつ十分な大きさをもつ有機非線形光学結晶ウ
エハを同時に作製できる、有機非線形光学結晶の製造方
法を提供することができる。
【図1】本発明の有機非線形光学結晶の製造に用いられ
る溶融法による結晶製造装置の一例を示す図である。
る溶融法による結晶製造装置の一例を示す図である。
1 種子結晶保持軸 2 種子結晶 3 原料 4 チャンバ兼坩堝 5 熱媒 6 容器 7 排気弁 8 ガス導入弁 9 排気口 10 ガス導入口
Claims (8)
- 【請求項1】一般式: 【化1】 (ただしRは炭素数が2以下のアルキルまたはハロゲン
化アルキルである。)で表される4’−ニトロベンジリ
デン−3−アルカノイルアミノ−4−メトキシアニリ
ン、4’−ニトロベンジリデン−3−ハロゲノアルカノ
イルアミノ−4−メトキシアニリン、および、これらの
有する水素の少なくとも1部が重水素置換された化合物
から選ばれる有機非線形光学結晶材料の単結晶を溶融法
で製造する方法において、融液と同一の化合物からなる
種子結晶の結晶格子面のうち、(010)面を融液界面
に接触させて結晶成長させることを特徴とする有機非線
形光学結晶の製造方法。 - 【請求項2】有機非線形光学材料が、4’−ニトロベン
ジリデン−3−エチルカルボニルアミノ−4−メトキシ
アニリンであることを特徴とする請求項1記載の有機非
線形光学結晶の製造方法。 - 【請求項3】原料化合物の精製がカラムクロマトグラフ
ィー法、再結晶法および昇華法の組合わせにより行われ
ていることを特徴とする請求項1記載の有機非線形光学
結晶の製造方法。 - 【請求項4】溶融法による製造法が、溶融回転法である
ことを特徴とする請求項1記載の有機非線形光学結晶の
製造方法。 - 【請求項5】溶融法による製造法が、溶融引き上げ回転
法であることを特徴とする請求項4記載の有機非線形光
学結晶の製造方法。 - 【請求項6】溶融回転法により結晶成長を行う際、種子
結晶を毎分20回転以下で回転させながら成長させるこ
とを特徴とする請求項4記載の有機非線形光学結晶の製
造方法。 - 【請求項7】成長容器内を真空脱気した後、不活性ガス
で置換することを特徴とする請求項4記載の有機非線形
光学結晶の製造方法。 - 【請求項8】不活性ガスが、ArまたはN2 であること
を特徴とする請求項7記載の有機非線形光学結晶の製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18589594A JPH0850312A (ja) | 1994-08-08 | 1994-08-08 | 有機非線形光学結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18589594A JPH0850312A (ja) | 1994-08-08 | 1994-08-08 | 有機非線形光学結晶の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0850312A true JPH0850312A (ja) | 1996-02-20 |
Family
ID=16178763
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18589594A Pending JPH0850312A (ja) | 1994-08-08 | 1994-08-08 | 有機非線形光学結晶の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0850312A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103351379A (zh) * | 2013-07-04 | 2013-10-16 | 华侨大学 | 二阶非线性激光材料n,n’-丙酰-(2-噻吩甲酰)肼晶体及其生长方法和应用 |
-
1994
- 1994-08-08 JP JP18589594A patent/JPH0850312A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103351379A (zh) * | 2013-07-04 | 2013-10-16 | 华侨大学 | 二阶非线性激光材料n,n’-丙酰-(2-噻吩甲酰)肼晶体及其生长方法和应用 |
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