JP2967372B2 - 液相エピタキシャル成長法にて使用される基板ホルダー - Google Patents
液相エピタキシャル成長法にて使用される基板ホルダーInfo
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- JP2967372B2 JP2967372B2 JP24667891A JP24667891A JP2967372B2 JP 2967372 B2 JP2967372 B2 JP 2967372B2 JP 24667891 A JP24667891 A JP 24667891A JP 24667891 A JP24667891 A JP 24667891A JP 2967372 B2 JP2967372 B2 JP 2967372B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に光学薄膜を液
相エピタキシャル成長法にて使用する場合に使用する基
板ホルダーに関し、特にフラックスの振り切り性と溶融
体の攪拌特性に優れた基板ホルダーに関する。
相エピタキシャル成長法にて使用する場合に使用する基
板ホルダーに関し、特にフラックスの振り切り性と溶融
体の攪拌特性に優れた基板ホルダーに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光ＩＣ技術の発達に伴い、高光特
性を有する導波路を得るべく、各種光学薄膜の研究がな
されている。光学薄膜は、スパッタ法、拡散法、化学輸
送法などの方法で製造されているが、特に液相エピタキ
シャル成長法（以下ＬＰＥ法）にて製造することが、高
結晶性の薄膜が得られることから有利とされている。Ｌ
ＰＥ法では、薄膜として析出させたい成分をフラックス
の中に溶融させ、フラックスを過冷却状態とし、このフ
ラックスに基板を接触させて、光学薄膜を析出成長させ
る。基板は、通常基板ホルダーに保持されており、基板
ホルダーを回転させながら、フラックスに基板を接触さ
せＬＰＥ成長を行なう。このような基板ホルダーとして
は、ＩＢＭテクニカルレポート vol ．17 No．８ Ja
nuary ，1975に記載されているような形状が提案されて
いる。 即ち、図１に示すように、３本の基板保持用ア
ームを有してなり、それぞれの基板保持用アームには基
板をはめこむ溝が形成されてなる基板ホルダーである。
ところで、薄膜育成直後のウェハにフラックスが付着し
たまま冷却させた場合、フラックスから結晶が析出し、
膜厚が不均一になったり、薄膜の結晶性が劣化したり、
あるいは、残留融液跡等の欠陥が発生するなどの問題が
生じるため、結晶成長後、基板を溶融体から引き上げ、
基板を高速で回転させ、フラックスを振り切る方法が行
なわれている。
性を有する導波路を得るべく、各種光学薄膜の研究がな
されている。光学薄膜は、スパッタ法、拡散法、化学輸
送法などの方法で製造されているが、特に液相エピタキ
シャル成長法（以下ＬＰＥ法）にて製造することが、高
結晶性の薄膜が得られることから有利とされている。Ｌ
ＰＥ法では、薄膜として析出させたい成分をフラックス
の中に溶融させ、フラックスを過冷却状態とし、このフ
ラックスに基板を接触させて、光学薄膜を析出成長させ
る。基板は、通常基板ホルダーに保持されており、基板
ホルダーを回転させながら、フラックスに基板を接触さ
せＬＰＥ成長を行なう。このような基板ホルダーとして
は、ＩＢＭテクニカルレポート vol ．17 No．８ Ja
nuary ，1975に記載されているような形状が提案されて
いる。 即ち、図１に示すように、３本の基板保持用ア
ームを有してなり、それぞれの基板保持用アームには基
板をはめこむ溝が形成されてなる基板ホルダーである。
ところで、薄膜育成直後のウェハにフラックスが付着し
たまま冷却させた場合、フラックスから結晶が析出し、
膜厚が不均一になったり、薄膜の結晶性が劣化したり、
あるいは、残留融液跡等の欠陥が発生するなどの問題が
生じるため、結晶成長後、基板を溶融体から引き上げ、
基板を高速で回転させ、フラックスを振り切る方法が行
なわれている。
【０００３】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、前述
した基板ホルダーを使用すると、基板を高速回転させる
際、遠心力により基板保持用アームが開いて、基板がホ
ルダーから外れ、フラックス中に落下してしまうという
問題が見られた。また、応用物理学会 第４４巻 第８
号 （１９７５）Ｐ９０２に記載の方法によれば、基板
を基板ホルダーに白金線でくくりつけ固定する方法が用
いられているが、基板を高速で回転させ、フラックスを
振り切っても、白金線でくくった部分にフラックスが残
留し、薄膜の膜厚さに不均一が生じてしまう。また、液
相エピタキシャル成長法では、結晶性のよい薄膜を得る
ためには、溶融体の組成が均一でなければならないが、
結晶成長とともに溶融体の組成が変化してしまう。これ
を防止すべく、溶融体中に攪拌などにより対流を生起せ
しむる手段がとられているが、攪拌などによる対流では
基板近傍の組成を均一にすることができないという問題
が見られた。
した基板ホルダーを使用すると、基板を高速回転させる
際、遠心力により基板保持用アームが開いて、基板がホ
ルダーから外れ、フラックス中に落下してしまうという
問題が見られた。また、応用物理学会 第４４巻 第８
号 （１９７５）Ｐ９０２に記載の方法によれば、基板
を基板ホルダーに白金線でくくりつけ固定する方法が用
いられているが、基板を高速で回転させ、フラックスを
振り切っても、白金線でくくった部分にフラックスが残
留し、薄膜の膜厚さに不均一が生じてしまう。また、液
相エピタキシャル成長法では、結晶性のよい薄膜を得る
ためには、溶融体の組成が均一でなければならないが、
結晶成長とともに溶融体の組成が変化してしまう。これ
を防止すべく、溶融体中に攪拌などにより対流を生起せ
しむる手段がとられているが、攪拌などによる対流では
基板近傍の組成を均一にすることができないという問題
が見られた。
【０００４】
【問題点を解決するための手段】本発明者等は、前述の
如き問題点を解決すべく種々研究した結果、基板ホルダ
ーの基板保持用アームの少なくとも内側部分に突起部を
設けることにより、この問題を解決できることを見出し
た。本発明は、少なくとも３本の基板保持用アームを有
してなり、それぞれの基板保持用アームには基板をはめ
こむ溝が形成されてなる液相エピタキシャル成長法にて
使用される基板ホルダーであって、前記基板保持用アー
ムの少なくとも内側には、突起部が設けられてなること
を特徴とする液相エピタキシャル成長法にて使用される
基板ホルダーである。前記突起部は、基板保持用アーム
の先端の少なくとも内側に形成されていることが望まし
い。
如き問題点を解決すべく種々研究した結果、基板ホルダ
ーの基板保持用アームの少なくとも内側部分に突起部を
設けることにより、この問題を解決できることを見出し
た。本発明は、少なくとも３本の基板保持用アームを有
してなり、それぞれの基板保持用アームには基板をはめ
こむ溝が形成されてなる液相エピタキシャル成長法にて
使用される基板ホルダーであって、前記基板保持用アー
ムの少なくとも内側には、突起部が設けられてなること
を特徴とする液相エピタキシャル成長法にて使用される
基板ホルダーである。前記突起部は、基板保持用アーム
の先端の少なくとも内側に形成されていることが望まし
い。
【０００５】
【作用】以下、本発明を詳細に説明する。本発明は、少
なくとも３本の基板保持用アームを有してなり、それぞ
れの基板保持用アームには基板をはめこむ溝が形成さ
れ、その基板保持用アームの内側には、突起部が設けら
れてなることが必要である。このような構成が必要な理
由は、基板を高速で回転させ、フラックスを振り切る
際、基板が基板保持用アームの溝から外れた場合でも、
基板ホルダーから外れて落下しないからである。また、
白金線でくくりつけた場合のように、フラックス残留が
なく、薄膜表面を鏡面とすることができるからである。
また、液相エピタキシャル成長では、基板を回転させな
がら行なうため、基板ホルダーの突起部の攪拌作用によ
り、対流が基板近傍で発生し、基板近傍での溶融体組成
の均一化を実現できるため、結晶性の良好な光学薄膜を
得ることができるからである。前記突起部は、基板保持
用アームの先端の少なくとも内側に形成されていること
が望ましい。この理由は、前記基板保持用アームの中程
に突起部を形成した場合、突起部および突起部から下の
基板保持用アームが溶融体を攪拌することになるため、
対流が大きく成りすぎ、薄膜の結晶性を低下させるから
である。
なくとも３本の基板保持用アームを有してなり、それぞ
れの基板保持用アームには基板をはめこむ溝が形成さ
れ、その基板保持用アームの内側には、突起部が設けら
れてなることが必要である。このような構成が必要な理
由は、基板を高速で回転させ、フラックスを振り切る
際、基板が基板保持用アームの溝から外れた場合でも、
基板ホルダーから外れて落下しないからである。また、
白金線でくくりつけた場合のように、フラックス残留が
なく、薄膜表面を鏡面とすることができるからである。
また、液相エピタキシャル成長では、基板を回転させな
がら行なうため、基板ホルダーの突起部の攪拌作用によ
り、対流が基板近傍で発生し、基板近傍での溶融体組成
の均一化を実現できるため、結晶性の良好な光学薄膜を
得ることができるからである。前記突起部は、基板保持
用アームの先端の少なくとも内側に形成されていること
が望ましい。この理由は、前記基板保持用アームの中程
に突起部を形成した場合、突起部および突起部から下の
基板保持用アームが溶融体を攪拌することになるため、
対流が大きく成りすぎ、薄膜の結晶性を低下させるから
である。
【０００６】本発明の一構成を図２に示す。基板保持用
アームに形成された溝に基板をはめ込む。内側の突起部
は溝から外れた基板を受け止め、また溶融体を攪拌し、
基板近傍での対流を発生させる機能を有する。
アームに形成された溝に基板をはめ込む。内側の突起部
は溝から外れた基板を受け止め、また溶融体を攪拌し、
基板近傍での対流を発生させる機能を有する。
【０００７】本発明の基板ホルダーは、白金、パラジウ
ム、イリジウム、ニッケル、ロジウムから選ばれる少な
くとも１種の材料および合金で構成されることが望まし
い。
ム、イリジウム、ニッケル、ロジウムから選ばれる少な
くとも１種の材料および合金で構成されることが望まし
い。
【０００８】本発明の基板ホルダーの寸法としては、２
インチ基板の場合、アーム長さ５０〜７０mm、アーム周
囲長８〜２０mm、回転外半径５２〜１００mm程度が望ま
しい。
インチ基板の場合、アーム長さ５０〜７０mm、アーム周
囲長８〜２０mm、回転外半径５２〜１００mm程度が望ま
しい。
【０００９】また、図３に示すように、基板の固定溝が
形成されている部分のアーム周囲長が小さい方がよい。
これは基板と溝の接触面積を減らすことができるからで
ある。
形成されている部分のアーム周囲長が小さい方がよい。
これは基板と溝の接触面積を減らすことができるからで
ある。
【００１０】また、図４に示すように内側の突起部分に
斜面が形成されいることが望ましい。これは溶融体に対
流を起こしやすくし、薄膜の結晶性を向上させるためで
ある。
斜面が形成されいることが望ましい。これは溶融体に対
流を起こしやすくし、薄膜の結晶性を向上させるためで
ある。
【００１１】本発明の基板ホルダーを使用したＬＰＥ成
長法について説明する。薄膜として析出させたい成分を
フラックスに溶融させ、このフラックスを過冷却状態に
する。基板ホルダーの溝に基板をはめ込み、基板ホルダ
ーをＬＰＥ育成装置の駆動部にとりつける。この基板を
フラックスに接触させ、回転させながら薄膜を基板上に
育成する。ＬＰＥ成長が終了した後、基板ホルダーを高
速で回転させ、フラックスを振り切る。基板ホルダーの
回転速度は、基板の大きさにより異なるが、２インチ基
板の場合、１２００ｒｐｍまで高速回転が可能である。
長法について説明する。薄膜として析出させたい成分を
フラックスに溶融させ、このフラックスを過冷却状態に
する。基板ホルダーの溝に基板をはめ込み、基板ホルダ
ーをＬＰＥ育成装置の駆動部にとりつける。この基板を
フラックスに接触させ、回転させながら薄膜を基板上に
育成する。ＬＰＥ成長が終了した後、基板ホルダーを高
速で回転させ、フラックスを振り切る。基板ホルダーの
回転速度は、基板の大きさにより異なるが、２インチ基
板の場合、１２００ｒｐｍまで高速回転が可能である。
【００１２】以下、本発明を実施例によりさらに詳細に
説明する。
説明する。
【００１３】実施例１ フラックスＬｉ0.7 Ｎａ0.3 ＶＯ3 ８０モル％、ＬｉＮ
ｂＯ3 ２０モル％の割合で調製した混合物を白金ルツボ
に入れエピタキシャル成長装置中で空気雰囲気で、１１
００℃まで加熱してルツボの内容物を溶解した。さらに
溶融体をプロペラを用い、１００ｒｐｍの回転速度で１
２時間撹拌させた。２インチφ、厚さ１ｍｍのタンタル
酸リチウム単結晶の（０００１）面を光学研磨した後、
図２に示すアーム長さ６０ｍｍ、アームの周囲長１２ｍ
ｍ、回転外半径５５ｍｍなる基板ホルダーの基板固定溝
に研磨面を下向きに取り付けた。溶融体を１時間当りに
６０℃の冷却速度で９１５℃まで徐冷した後、この基板
を９１５℃で予備加熱し、溶融体中に５０ｒｐｍで回転
させながら８分間浸漬した。ニオブ酸リチウムの成長速
度は、１μｍ／分であった。 溶融体から基板材料を引
き上げ、回転数１２００ｒｐｍで３分間溶融体上で溶融
体を振り切った後、１℃／分の速度で室温まで徐冷し、
基板材料上に約８μｍで面内で膜厚の均一なニオブ酸リ
チウム単結晶薄膜を得た。 薄膜の結晶性も良好であ
り、２結晶法ロッキングカーブにてピーク半価幅を測定
したところ１９ｓｅｃであった。
ｂＯ3 ２０モル％の割合で調製した混合物を白金ルツボ
に入れエピタキシャル成長装置中で空気雰囲気で、１１
００℃まで加熱してルツボの内容物を溶解した。さらに
溶融体をプロペラを用い、１００ｒｐｍの回転速度で１
２時間撹拌させた。２インチφ、厚さ１ｍｍのタンタル
酸リチウム単結晶の（０００１）面を光学研磨した後、
図２に示すアーム長さ６０ｍｍ、アームの周囲長１２ｍ
ｍ、回転外半径５５ｍｍなる基板ホルダーの基板固定溝
に研磨面を下向きに取り付けた。溶融体を１時間当りに
６０℃の冷却速度で９１５℃まで徐冷した後、この基板
を９１５℃で予備加熱し、溶融体中に５０ｒｐｍで回転
させながら８分間浸漬した。ニオブ酸リチウムの成長速
度は、１μｍ／分であった。 溶融体から基板材料を引
き上げ、回転数１２００ｒｐｍで３分間溶融体上で溶融
体を振り切った後、１℃／分の速度で室温まで徐冷し、
基板材料上に約８μｍで面内で膜厚の均一なニオブ酸リ
チウム単結晶薄膜を得た。 薄膜の結晶性も良好であ
り、２結晶法ロッキングカーブにてピーク半価幅を測定
したところ１９ｓｅｃであった。
【００１４】比較例１ フラックスＬｉ0.7 Ｎａ0.3 ＶＯ3 ８０モル％、ＬｉＮ
ｂＯ3 ２０モル％の割合で調製した混合物を白金ルツボ
に入れエピタキシャル成長装置中で空気雰囲気で、１１
００℃まで加熱してルツボの内容物を溶解した。さらに
溶融体をプロペラを用い、１００ｒｐｍの回転速度で１
２時間撹拌させた。２インチφ、厚さ１ｍｍ のタンタ
ル酸リチウム単結晶の（０００１）面を光学研磨した
後、ＩＢＭテクニカルレポート vol ．17 No．8 Jan
uary， 1975に記載されているような形状をした基板ホ
ルダーに研磨面を下向きに取り付けた。溶融体を１時間
当りに６０℃の冷却速度で９１５℃まで徐冷した後、こ
の基板を９１５℃で予備加熱し、溶融体中に５０ｒｐｍ
で回転させながら８分間浸漬した。ニオブ酸リチウムの
成長速度は、１μｍ／分であった。溶融体から基板材料
を引き上げ、回転数１２００ｒｐｍで３分間溶融体上で
溶融体を振り切ったところ、基板ホルダーは遠心力にて
変形し基板は溶融体中に落下した。
ｂＯ3 ２０モル％の割合で調製した混合物を白金ルツボ
に入れエピタキシャル成長装置中で空気雰囲気で、１１
００℃まで加熱してルツボの内容物を溶解した。さらに
溶融体をプロペラを用い、１００ｒｐｍの回転速度で１
２時間撹拌させた。２インチφ、厚さ１ｍｍ のタンタ
ル酸リチウム単結晶の（０００１）面を光学研磨した
後、ＩＢＭテクニカルレポート vol ．17 No．8 Jan
uary， 1975に記載されているような形状をした基板ホ
ルダーに研磨面を下向きに取り付けた。溶融体を１時間
当りに６０℃の冷却速度で９１５℃まで徐冷した後、こ
の基板を９１５℃で予備加熱し、溶融体中に５０ｒｐｍ
で回転させながら８分間浸漬した。ニオブ酸リチウムの
成長速度は、１μｍ／分であった。溶融体から基板材料
を引き上げ、回転数１２００ｒｐｍで３分間溶融体上で
溶融体を振り切ったところ、基板ホルダーは遠心力にて
変形し基板は溶融体中に落下した。
【００１５】比較例２ フラックスＬｉ0.7 Ｎａ0.3 ＶＯ3 ８０モル％、ＬｉＮ
ｂＯ3 ２０モル％の割合で調製した混合物を白金ルツボ
に入れエピタキシャル成長装置中で空気雰囲気で、１１
００℃まで加熱してルツボの内容物を溶解した。さらに
溶融体をプロペラを用い、１００ｒｐｍの回転速度で１
２時間撹拌させた。２インチφ、厚さ１ｍｍのタンタル
酸リチウム単結晶の（０００１）面を光学研磨した後、
図１に示すＩＢＭテクニカルレポート vol ．17 No．
8 January， 1975 に記載されているような形状をした
基板ホルダーに研磨面を下向きに取り付けた。 溶融体
を１時間当りに６０℃の冷却速度で９１５℃まで徐冷し
た後、この基板を９１５℃で予備加熱し、溶融体中に５
０ｒｐｍで回転させながら８分間浸漬した。ニオブ酸リ
チウムの成長速度は、１μｍ／分であった。 溶融体か
ら基板材料を引き上げ、基板ホルダーが遠心力で変形し
ない程度の回転数２００ｒｐｍで３分間溶融体上で溶融
体を振り切った後、１℃／分の速度で室温まで徐冷し、
基板材料上にニオブ酸リチウム単結晶薄膜を得た。 し
かしながら得られた薄膜は、振り切られずに残留したフ
ラックスから結晶が析出し、膜厚が不均一であり、残留
融液後の欠陥が発生した。薄膜の結晶性も劣り、２結晶
法ロッキングカーブにてピーク半価幅を測定したところ
７０ｓｅｃであった。
ｂＯ3 ２０モル％の割合で調製した混合物を白金ルツボ
に入れエピタキシャル成長装置中で空気雰囲気で、１１
００℃まで加熱してルツボの内容物を溶解した。さらに
溶融体をプロペラを用い、１００ｒｐｍの回転速度で１
２時間撹拌させた。２インチφ、厚さ１ｍｍのタンタル
酸リチウム単結晶の（０００１）面を光学研磨した後、
図１に示すＩＢＭテクニカルレポート vol ．17 No．
8 January， 1975 に記載されているような形状をした
基板ホルダーに研磨面を下向きに取り付けた。 溶融体
を１時間当りに６０℃の冷却速度で９１５℃まで徐冷し
た後、この基板を９１５℃で予備加熱し、溶融体中に５
０ｒｐｍで回転させながら８分間浸漬した。ニオブ酸リ
チウムの成長速度は、１μｍ／分であった。 溶融体か
ら基板材料を引き上げ、基板ホルダーが遠心力で変形し
ない程度の回転数２００ｒｐｍで３分間溶融体上で溶融
体を振り切った後、１℃／分の速度で室温まで徐冷し、
基板材料上にニオブ酸リチウム単結晶薄膜を得た。 し
かしながら得られた薄膜は、振り切られずに残留したフ
ラックスから結晶が析出し、膜厚が不均一であり、残留
融液後の欠陥が発生した。薄膜の結晶性も劣り、２結晶
法ロッキングカーブにてピーク半価幅を測定したところ
７０ｓｅｃであった。
【００１６】比較例３ フラックスＬｉ0.7 Ｎａ0.3 ＶＯ3 ８０モル％、ＬｉＮ
ｂＯ3 ２０モル％の割合で調製した混合物を白金ルツボ
に入れエピタキシャル成長装置中で空気雰囲気で、１１
００℃まで加熱してルツボの内容物を溶解した。さらに
溶融体をプロペラを用い、１００ｒｐｍの回転速度で１
２時間撹拌させた。２インチφ、厚さ１ｍｍ のタンタ
ル酸リチウム単結晶の（０００１）面を光学研磨した
後、図１に示すアーム長さ６０ｍｍ、アーム周囲長さ４
ｍｍ、回転外半径５１ｍｍなる基板ホルダーの基板固定
溝に研磨面を下向きに取り付けた。さらに遠心力で基板
ホルダーが変形して、基板が落下するのを防止するため
に、基板を基板ホルダーに白金線でくくりつけ固定し
た。溶融体を１時間当りに６０℃の冷却速度で９１５℃
まで徐冷した後、この基板を９１５℃で予備加熱し、溶
融体中に５０ｒｐｍで回転させながら８分間浸漬した。
ニオブ酸リチウムの成長速度は、１μｍ／分であった。
溶融体から基板材料を引き上げ、回転数１２００ｒｐ
ｍで３分間溶融体上で溶融体を振り切った後、１℃／分
の速度で室温まで徐冷し、基板材料上にニオブ酸リチウ
ム単結晶薄膜を得た。しかしながら基板を高速で回転さ
せ、フラックスを振り切っても、白金線でくくった部分
にフラックスが残留し、薄膜の膜厚に不均一が生じた。
ｂＯ3 ２０モル％の割合で調製した混合物を白金ルツボ
に入れエピタキシャル成長装置中で空気雰囲気で、１１
００℃まで加熱してルツボの内容物を溶解した。さらに
溶融体をプロペラを用い、１００ｒｐｍの回転速度で１
２時間撹拌させた。２インチφ、厚さ１ｍｍ のタンタ
ル酸リチウム単結晶の（０００１）面を光学研磨した
後、図１に示すアーム長さ６０ｍｍ、アーム周囲長さ４
ｍｍ、回転外半径５１ｍｍなる基板ホルダーの基板固定
溝に研磨面を下向きに取り付けた。さらに遠心力で基板
ホルダーが変形して、基板が落下するのを防止するため
に、基板を基板ホルダーに白金線でくくりつけ固定し
た。溶融体を１時間当りに６０℃の冷却速度で９１５℃
まで徐冷した後、この基板を９１５℃で予備加熱し、溶
融体中に５０ｒｐｍで回転させながら８分間浸漬した。
ニオブ酸リチウムの成長速度は、１μｍ／分であった。
溶融体から基板材料を引き上げ、回転数１２００ｒｐ
ｍで３分間溶融体上で溶融体を振り切った後、１℃／分
の速度で室温まで徐冷し、基板材料上にニオブ酸リチウ
ム単結晶薄膜を得た。しかしながら基板を高速で回転さ
せ、フラックスを振り切っても、白金線でくくった部分
にフラックスが残留し、薄膜の膜厚に不均一が生じた。
【００１７】
【表１】
【００１８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の基板ホルダ
ーは、基板上に液相エピタキシャル成長法にて光学薄膜
を形成する場合に、特にフラックスの振り切り性、およ
び溶融体の攪拌特性に優れているため、膜厚の均一性、
および結晶性の優れた光学薄膜を得ることができ、産業
上寄与する効果は極めて大きい。
ーは、基板上に液相エピタキシャル成長法にて光学薄膜
を形成する場合に、特にフラックスの振り切り性、およ
び溶融体の攪拌特性に優れているため、膜厚の均一性、
および結晶性の優れた光学薄膜を得ることができ、産業
上寄与する効果は極めて大きい。
【図１】図１は従来技術の基板ホルダー。
【図２】図２は本発明の基板ホルダー。
【図３】図３は本発明の基板ホルダーで基板の固定溝が
形成されている部分のアーム周囲長が小さい形態。
形成されている部分のアーム周囲長が小さい形態。
【図４】図４は本発明の基板ホルダーで、アームの先端
部の内側の突起部に斜面が形成されている形態。
部の内側の突起部に斜面が形成されている形態。
１ 回転シャフト取り付け部 ２ 基板保持用アーム ３ 基板固定溝 ４ 突起部 ５ 斜面
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくとも３本の基板保持用アームを有
してなり、それぞれの基板保持用アームには基板をはめ
こむ溝が形成されてなる液相エピタキシャル成長法にて
使用される基板ホルダーであって、 前記基板保持用アームの少なくとも内側には、突起部が
設けられてなることを特徴とする液相エピタキシャル成
長法にて使用される基板ホルダー。 - 【請求項２】 前記突起部は、基板保持用アームの先端
の少なくとも内側に設けられてなる請求項１に記載の液
相エピタキシャル成長法にて使用される基板ホルダー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24667891A JP2967372B2 (ja) | 1991-08-31 | 1991-08-31 | 液相エピタキシャル成長法にて使用される基板ホルダー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24667891A JP2967372B2 (ja) | 1991-08-31 | 1991-08-31 | 液相エピタキシャル成長法にて使用される基板ホルダー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0558773A JPH0558773A (ja) | 1993-03-09 |
| JP2967372B2 true JP2967372B2 (ja) | 1999-10-25 |
Family
ID=17151992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP24667891A Expired - Fee Related JP2967372B2 (ja) | 1991-08-31 | 1991-08-31 | 液相エピタキシャル成長法にて使用される基板ホルダー |
Country Status (1)
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| JP (1) | JP2967372B2 (ja) |
-
1991
- 1991-08-31 JP JP24667891A patent/JP2967372B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0558773A (ja) | 1993-03-09 |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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