JP3141121B2 - 液相エピタキシャル成長法 - Google Patents
液相エピタキシャル成長法Info
- Publication number
- JP3141121B2 JP3141121B2 JP04109342A JP10934292A JP3141121B2 JP 3141121 B2 JP3141121 B2 JP 3141121B2 JP 04109342 A JP04109342 A JP 04109342A JP 10934292 A JP10934292 A JP 10934292A JP 3141121 B2 JP3141121 B2 JP 3141121B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- melt
- mol
- single crystal
- thin film
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、単結晶薄膜の液相エピ
タキシャル成長法に関し、特には光学特性及び膜厚均一
性に優れた単結晶薄膜の液相エピタキシャル成長法に関
する。
タキシャル成長法に関し、特には光学特性及び膜厚均一
性に優れた単結晶薄膜の液相エピタキシャル成長法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光ＩＣ技術の発達に伴い、高い光
学特性を有する導波路を得るべく、各種光学薄膜の研究
がなされている。光学薄膜は、スパッタ法、拡散法、化
学輸送法などの方法で製造されているが、特に液相エピ
タキシャル成長法にて製造することが、高い結晶性を有
する薄膜が得られることから有利とされている。
学特性を有する導波路を得るべく、各種光学薄膜の研究
がなされている。光学薄膜は、スパッタ法、拡散法、化
学輸送法などの方法で製造されているが、特に液相エピ
タキシャル成長法にて製造することが、高い結晶性を有
する薄膜が得られることから有利とされている。
【０００３】液相エピタキシャル成長法では、薄膜とし
て析出させたい成分をフラックスの中に溶融させ、フラ
ックスを過冷却状態とし、このフラックスに基板を接触
させて、光学薄膜を析出成長させる。従来の液相エピタ
キシャル成長法は例えばニオブ酸リチウム単結晶薄膜の
場合特開平04-12026号公報に開示されるごとく、育成時
の基板回転数は100rpmとされ、膜厚均一性及び光学特性
に及ぼす基板回転数の影響については、特には検討され
ていなかった。 さらに従来の液相エピタキシャル成長
法は例えば、実験物理学講座13「試料の作成と加工」
（共立出版発行）のp364に記載されているように炉内温
度は均一とし育成時の基板回転数は50〜200rpmとするの
が通常とされていた。
て析出させたい成分をフラックスの中に溶融させ、フラ
ックスを過冷却状態とし、このフラックスに基板を接触
させて、光学薄膜を析出成長させる。従来の液相エピタ
キシャル成長法は例えばニオブ酸リチウム単結晶薄膜の
場合特開平04-12026号公報に開示されるごとく、育成時
の基板回転数は100rpmとされ、膜厚均一性及び光学特性
に及ぼす基板回転数の影響については、特には検討され
ていなかった。 さらに従来の液相エピタキシャル成長
法は例えば、実験物理学講座13「試料の作成と加工」
（共立出版発行）のp364に記載されているように炉内温
度は均一とし育成時の基板回転数は50〜200rpmとするの
が通常とされていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする問題点】上述の如く従来の液
相エピタキシャル成長法による単結晶薄膜の育成におい
ては、例えばニオブ酸リチウム単結晶薄膜の場合、育成
時の基板回転数が100rpmと高いため、基板の中央付近と
周辺部分で生じる線速度の差によって基板近傍の溶融体
は基板中心から周囲方向に引き込まれ、その作用により
溶融体内に強制対流が発生する。従って基板中央付近は
成長速度が比較的小さく、周辺部分においては成長速度
が大きくなり、結果として面内において膜厚が不均一と
なるという現象が生じていた。本発明の目的は、面内に
おいて膜厚が均一で、かつ光学特性に優れた単結晶薄膜
を得ることが可能である液相エピタキシャル成長法に関
する。
相エピタキシャル成長法による単結晶薄膜の育成におい
ては、例えばニオブ酸リチウム単結晶薄膜の場合、育成
時の基板回転数が100rpmと高いため、基板の中央付近と
周辺部分で生じる線速度の差によって基板近傍の溶融体
は基板中心から周囲方向に引き込まれ、その作用により
溶融体内に強制対流が発生する。従って基板中央付近は
成長速度が比較的小さく、周辺部分においては成長速度
が大きくなり、結果として面内において膜厚が不均一と
なるという現象が生じていた。本発明の目的は、面内に
おいて膜厚が均一で、かつ光学特性に優れた単結晶薄膜
を得ることが可能である液相エピタキシャル成長法に関
する。
【０００５】
【問題点を解決するための手段】上記目的を達成するた
めに本発明によれば、育成時の基板回転数を10〜40rpm
で調節し、前述の強制対流を溶融体内で発生させた自然
対流とで相殺させる。
めに本発明によれば、育成時の基板回転数を10〜40rpm
で調節し、前述の強制対流を溶融体内で発生させた自然
対流とで相殺させる。
【０００６】この場合、溶融体の粘性に関与する組成は
第１図に示すＡ（Li2O＝ 54.8 モル％，V2O5＝ 43.0 モ
ル％，Nb2O5 ＝2.2 モル％ ) 、Ｂ（Li2O＝ 46.1 モル
％，V2O5＝ 52.5 モル％，Nb2O5 ＝1.4 モル％），Ｃ
（Li2O＝ 9.9モル％，V2O5＝ 80.8 モル％，Nb2O5 ＝9.
3 モル％），Ｄ（Li2O＝ 36.5 モル％，V2O5＝ 6.2モル
％，Nb2O5=57.3モル％）の領域とする。さらに前記自然
対流の推進力に起因する溶融体上部と下部の温度差は、
50〜90℃とする。ここで上部温度とは溶融体表層付近の
設定温度、下部温度とはるつぼ底部設定温度をさす。
第１図に示すＡ（Li2O＝ 54.8 モル％，V2O5＝ 43.0 モ
ル％，Nb2O5 ＝2.2 モル％ ) 、Ｂ（Li2O＝ 46.1 モル
％，V2O5＝ 52.5 モル％，Nb2O5 ＝1.4 モル％），Ｃ
（Li2O＝ 9.9モル％，V2O5＝ 80.8 モル％，Nb2O5 ＝9.
3 モル％），Ｄ（Li2O＝ 36.5 モル％，V2O5＝ 6.2モル
％，Nb2O5=57.3モル％）の領域とする。さらに前記自然
対流の推進力に起因する溶融体上部と下部の温度差は、
50〜90℃とする。ここで上部温度とは溶融体表層付近の
設定温度、下部温度とはるつぼ底部設定温度をさす。
【０００７】
【作用】本来、育成時基板に回転を与えない場合、溶融
体内では基板に熱を奪われるため、基板近傍では下向き
の自然対流が発生する。従って図２に示すような循環流
が起きる。溶融体内がこのような流れの場合、膜厚及び
光学特性の均一性に優れた単結晶薄膜を得ることはでき
ない。また逆に育成時の基板回転数が高い場合には、基
板の中央付近と周辺部分で生じる線速度の差によって基
板近傍の溶融体は基板中心から周囲方向に引き込まれ、
その作用により溶融体内に強制対流が発生する。このよ
うな場合にも、膜厚および光学特性の均一性に優れた単
結晶薄膜を得ることができない。
体内では基板に熱を奪われるため、基板近傍では下向き
の自然対流が発生する。従って図２に示すような循環流
が起きる。溶融体内がこのような流れの場合、膜厚及び
光学特性の均一性に優れた単結晶薄膜を得ることはでき
ない。また逆に育成時の基板回転数が高い場合には、基
板の中央付近と周辺部分で生じる線速度の差によって基
板近傍の溶融体は基板中心から周囲方向に引き込まれ、
その作用により溶融体内に強制対流が発生する。このよ
うな場合にも、膜厚および光学特性の均一性に優れた単
結晶薄膜を得ることができない。
【０００８】本発明によれば、育成時の基板回転数を10
〜40rpm と調節し、自然対流と強制対流を相殺させるこ
とにより、溶融体の流れを見かけ上静止させ、面内にお
いて膜厚が均一で、かつ光学特性に優れた単結晶薄膜を
得ることが可能となる。
〜40rpm と調節し、自然対流と強制対流を相殺させるこ
とにより、溶融体の流れを見かけ上静止させ、面内にお
いて膜厚が均一で、かつ光学特性に優れた単結晶薄膜を
得ることが可能となる。
【０００９】従来液相エピタキシャル成長法において
は、50〜200rpmの基板回転数で薄膜育成を行っていた
が、この方法では面内で膜厚均一部分を大きくとること
は不可能であったが、本発明の手法によれば面内で膜厚
は均一となり、かつ光学特性に優れた単結晶薄膜を得る
ことが可能となる。
は、50〜200rpmの基板回転数で薄膜育成を行っていた
が、この方法では面内で膜厚均一部分を大きくとること
は不可能であったが、本発明の手法によれば面内で膜厚
は均一となり、かつ光学特性に優れた単結晶薄膜を得る
ことが可能となる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説
明する。さらに実施例および比較例の結果の代表例を図
３にまとめる。
明する。さらに実施例および比較例の結果の代表例を図
３にまとめる。
【００１１】（実施例１）本発明の実施例としてニオブ
酸リチウム単結晶をエピタキシャル成長させた場合につ
いて述べる。
酸リチウム単結晶をエピタキシャル成長させた場合につ
いて述べる。
【００１２】Li2O 42.0 モル％、Nb2O5 5.8 モル％、
V2O5 52.0 モル％、さらにNa2Oを溶融体組成から析出可
能なLiNbO3の理論量に対して57.4モル％、 MgOを溶融体
組成から析出可能なLiNbO3の理論量に対して5 モル％と
なるように調製した混合物を白金ルツボに入れ、液相エ
ピタキシャル装置中で空気雰囲気下で、１１００℃まで
加熱し、ルツボの内容物を溶解した。
V2O5 52.0 モル％、さらにNa2Oを溶融体組成から析出可
能なLiNbO3の理論量に対して57.4モル％、 MgOを溶融体
組成から析出可能なLiNbO3の理論量に対して5 モル％と
なるように調製した混合物を白金ルツボに入れ、液相エ
ピタキシャル装置中で空気雰囲気下で、１１００℃まで
加熱し、ルツボの内容物を溶解した。
【００１３】さらに溶融体をプロペラを用い、１００ｒ
ｐｍの回転速度で６時間攪拌させた。２インチφ、厚さ
１ｍｍｔのタンタル酸リチウム単結晶の（０００１）面
を光学研磨した後、基板ホルダーに研磨面を下向きに取
り付けた。
ｐｍの回転速度で６時間攪拌させた。２インチφ、厚さ
１ｍｍｔのタンタル酸リチウム単結晶の（０００１）面
を光学研磨した後、基板ホルダーに研磨面を下向きに取
り付けた。
【００１４】溶融体を１時間当りに６０℃の冷却速度で
８５０℃まで徐冷した後、この基板を８５０℃で予備加
熱し、溶融体中に２０ｒｐｍで回転させながら８分間浸
漬した。ここで溶融体下部温度−上部温度は50℃とし
た。ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の成長速度は、１μｍ
／分であった。
８５０℃まで徐冷した後、この基板を８５０℃で予備加
熱し、溶融体中に２０ｒｐｍで回転させながら８分間浸
漬した。ここで溶融体下部温度−上部温度は50℃とし
た。ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の成長速度は、１μｍ
／分であった。
【００１５】溶融体から基板材料を引き上げ、回転数１
２００ｒｐｍで３分間溶融体上で溶融体を振り切った
後、１℃／分の速度で室温まで徐冷し、基板材料上に約
８μｍのニオブ酸リチウム単結晶薄膜を得た。
２００ｒｐｍで３分間溶融体上で溶融体を振り切った
後、１℃／分の速度で室温まで徐冷し、基板材料上に約
８μｍのニオブ酸リチウム単結晶薄膜を得た。
【００１６】面内膜厚分布は±０．４μｍであり、結晶
均質性は（００６）面のロッキングカーブを測定したと
ころ面内で５sec 程度のバラつきであった。光伝搬損失
はλ＝８３０ｎｍ，ＴＭで1.5 〜2.5 ｄＢ／ｃｍ，ＴＥ
で１．０ｄＢ／ｃｍであった。
均質性は（００６）面のロッキングカーブを測定したと
ころ面内で５sec 程度のバラつきであった。光伝搬損失
はλ＝８３０ｎｍ，ＴＭで1.5 〜2.5 ｄＢ／ｃｍ，ＴＥ
で１．０ｄＢ／ｃｍであった。
【００１７】（実施例２）Li2O 42.2 モル％、Nb2O5 5.
8 モル％、V2O5 52.0 モル％、さらにNa2Oを溶融体組成
から析出可能なLiNbO3の理論量に対して57.4モル％、 M
gOを溶融体組成から析出可能なLiNbO3の理論量に対して
5 モル％となるように調製した混合物を白金ルツボに入
れ、液相エピタキシャル装置中で空気雰囲気下で、１１
００℃まで加熱し、ルツボの内容物を溶解した。
8 モル％、V2O5 52.0 モル％、さらにNa2Oを溶融体組成
から析出可能なLiNbO3の理論量に対して57.4モル％、 M
gOを溶融体組成から析出可能なLiNbO3の理論量に対して
5 モル％となるように調製した混合物を白金ルツボに入
れ、液相エピタキシャル装置中で空気雰囲気下で、１１
００℃まで加熱し、ルツボの内容物を溶解した。
【００１８】さらに溶融体をプロペラを用い、１００ｒ
ｐｍの回転速度で６時間攪拌させた。 ２インチφ、厚
さ１ｍｍｔのタンタル酸リチウム単結晶の（０００１）
面を光学研磨した後、基板ホルダーに研磨面を下向きに
取り付けた。
ｐｍの回転速度で６時間攪拌させた。 ２インチφ、厚
さ１ｍｍｔのタンタル酸リチウム単結晶の（０００１）
面を光学研磨した後、基板ホルダーに研磨面を下向きに
取り付けた。
【００１９】溶融体を１時間当りに６０℃の冷却速度で
８５１℃まで徐冷した後、この基板を８５１℃で予備加
熱し、溶融体中に４０ｒｐｍで回転させながら８分間浸
漬した。ここで溶融体下部温度−上部温度は50℃とし
た。ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の成長速度は、１μｍ
／分であった。
８５１℃まで徐冷した後、この基板を８５１℃で予備加
熱し、溶融体中に４０ｒｐｍで回転させながら８分間浸
漬した。ここで溶融体下部温度−上部温度は50℃とし
た。ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の成長速度は、１μｍ
／分であった。
【００２０】溶融体から基板材料を引き上げ、回転数１
２００ｒｐｍで３分間溶融体上で溶融体を振り切った
後、１℃／分の速度で室温まで徐冷し、基板材料上に約
８μｍのニオブ酸リチウム単結晶薄膜を得た。
２００ｒｐｍで３分間溶融体上で溶融体を振り切った
後、１℃／分の速度で室温まで徐冷し、基板材料上に約
８μｍのニオブ酸リチウム単結晶薄膜を得た。
【００２１】面内膜厚分布は±０．７μｍであり、結晶
均質性は（００６）面のロッキングカーブを測定したと
ころ面内で５sec 程度のバラつきであった。光伝搬損失
はλ＝８３０ｎｍ，ＴＭで1.5 〜2.5 ｄＢ／ｃｍ，ＴＥ
で１．２ｄＢ／ｃｍであった。
均質性は（００６）面のロッキングカーブを測定したと
ころ面内で５sec 程度のバラつきであった。光伝搬損失
はλ＝８３０ｎｍ，ＴＭで1.5 〜2.5 ｄＢ／ｃｍ，ＴＥ
で１．２ｄＢ／ｃｍであった。
【００２２】（実施例３）Li2O 46.0 モル％、Nb2O5 2
7.0モル％、V2O5 27.0 モル％、さらにNa2Oを溶融体組
成から析出可能なLiNbO3の理論量に対して13.0モル％、
MgO を溶融体組成から析出可能なLiNbO3の理論量に対し
て5 モル％となるように調製した混合物を白金ルツボに
入れ、液相エピタキシャル装置中で空気雰囲気下で、１
２５０℃まで加熱し、ルツボの内容物を溶解した。
7.0モル％、V2O5 27.0 モル％、さらにNa2Oを溶融体組
成から析出可能なLiNbO3の理論量に対して13.0モル％、
MgO を溶融体組成から析出可能なLiNbO3の理論量に対し
て5 モル％となるように調製した混合物を白金ルツボに
入れ、液相エピタキシャル装置中で空気雰囲気下で、１
２５０℃まで加熱し、ルツボの内容物を溶解した。
【００２３】さらに溶融体をプロペラを用い、１００ｒ
ｐｍの回転速度で６時間攪拌させた。 ２インチφ、厚
さ１ｍｍｔのタンタル酸リチウム単結晶の（０００１）
面を光学研磨した後、基板ホルダーに研磨面を下向きに
取り付けた。
ｐｍの回転速度で６時間攪拌させた。 ２インチφ、厚
さ１ｍｍｔのタンタル酸リチウム単結晶の（０００１）
面を光学研磨した後、基板ホルダーに研磨面を下向きに
取り付けた。
【００２４】溶融体を１時間当りに６０℃の冷却速度で
１０９０℃まで徐冷した後、この基板を１０９０℃で予
備加熱し、溶融体中に２０ｒｐｍで回転させながら８分
間浸漬した。ここで溶融体下部温度−上部温度は85℃と
した。ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の成長速度は、１μ
ｍ／分であった。
１０９０℃まで徐冷した後、この基板を１０９０℃で予
備加熱し、溶融体中に２０ｒｐｍで回転させながら８分
間浸漬した。ここで溶融体下部温度−上部温度は85℃と
した。ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の成長速度は、１μ
ｍ／分であった。
【００２５】溶融体から基板材料を引き上げ、回転数１
２００ｒｐｍで３分間溶融体上で溶融体を振り切った
後、１℃／分の速度で室温まで徐冷し、基板材料上に約
８μｍのニオブ酸リチウム単結晶薄膜を得た。
２００ｒｐｍで３分間溶融体上で溶融体を振り切った
後、１℃／分の速度で室温まで徐冷し、基板材料上に約
８μｍのニオブ酸リチウム単結晶薄膜を得た。
【００２６】面内膜厚分布は±０．７μｍであり、結晶
均質性は（００６）面のロッキングカーブを測定したと
ころ面内で７sec 程度のバラつきであった。光伝搬損失
はλ＝８３０ｎｍ，ＴＭで１〜２ｄＢ／ｃｍ，ＴＥで
１．０ｄＢ／ｃｍであった。
均質性は（００６）面のロッキングカーブを測定したと
ころ面内で７sec 程度のバラつきであった。光伝搬損失
はλ＝８３０ｎｍ，ＴＭで１〜２ｄＢ／ｃｍ，ＴＥで
１．０ｄＢ／ｃｍであった。
【００２７】（実施例４）Li2O 46.0 モル％、Nb2O5 2
7.0モル％、V2O5 27.0 モル％、さらにNa2Oを溶融体組
成から析出可能なLiNbO3の理論量に対して13.0モル％、
MgOを溶融体組成から析出可能なLiNbO3の理論量に対し
て5 モル％となるように調製した混合物を白金ルツボに
入れ、液相エピタキシャル装置中で空気雰囲気下で、１
２５０℃まで加熱し、ルツボの内容物を溶解した。
7.0モル％、V2O5 27.0 モル％、さらにNa2Oを溶融体組
成から析出可能なLiNbO3の理論量に対して13.0モル％、
MgOを溶融体組成から析出可能なLiNbO3の理論量に対し
て5 モル％となるように調製した混合物を白金ルツボに
入れ、液相エピタキシャル装置中で空気雰囲気下で、１
２５０℃まで加熱し、ルツボの内容物を溶解した。
【００２８】さらに溶融体をプロペラを用い、１００ｒ
ｐｍの回転速度で６時間攪拌させた。 ２インチφ、厚
さ１ｍｍｔのタンタル酸リチウム単結晶の（０００１）
面を光学研磨した後、基板ホルダーに研磨面を下向きに
取り付けた。
ｐｍの回転速度で６時間攪拌させた。 ２インチφ、厚
さ１ｍｍｔのタンタル酸リチウム単結晶の（０００１）
面を光学研磨した後、基板ホルダーに研磨面を下向きに
取り付けた。
【００２９】溶融体を１時間当りに６０℃の冷却速度で
１０９１℃まで徐冷した後、この基板を１０９１℃で予
備加熱し、溶融体中に４０ｒｐｍで回転させながら８分
間浸漬した。ここで溶融体下部温度−上部温度は85℃と
した。ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の成長速度は、１μ
ｍ／分であった。
１０９１℃まで徐冷した後、この基板を１０９１℃で予
備加熱し、溶融体中に４０ｒｐｍで回転させながら８分
間浸漬した。ここで溶融体下部温度−上部温度は85℃と
した。ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の成長速度は、１μ
ｍ／分であった。
【００３０】溶融体から基板材料を引き上げ、回転数１
２００ｒｐｍで３分間溶融体上で溶融体を振り切った
後、１℃／分の速度で室温まで徐冷し、基板材料上に約
８μｍのニオブ酸リチウム単結晶薄膜を得た。
２００ｒｐｍで３分間溶融体上で溶融体を振り切った
後、１℃／分の速度で室温まで徐冷し、基板材料上に約
８μｍのニオブ酸リチウム単結晶薄膜を得た。
【００３１】面内膜厚分布は±０．９μｍであり、結晶
均質性は（００６）面のロッキングカーブを測定したと
ころ面内で７sec 程度のバラつきであった。光伝搬損失
はλ＝８３０ｎｍ，ＴＭで１〜２ｄＢ／ｃｍ，ＴＥで
１．２ｄＢ／ｃｍであった。
均質性は（００６）面のロッキングカーブを測定したと
ころ面内で７sec 程度のバラつきであった。光伝搬損失
はλ＝８３０ｎｍ，ＴＭで１〜２ｄＢ／ｃｍ，ＴＥで
１．２ｄＢ／ｃｍであった。
【００３２】（実施例５）Li2O 43.2 モル％、Nb2O5 1
1.4モル％、V2O5 45.4 モル％、さらにNa2Oを溶融体組
成から析出可能なLiNbO3の理論量に対して37.5モル％、
MgOを溶融体組成から析出可能なLiNbO3の理論量に対し
て5 モル％となるように調製した混合物を白金ルツボに
入れ、液相エピタキシャル装置中で空気雰囲気下で、１
１００℃まで加熱し、ルツボの内容物を溶解した。
1.4モル％、V2O5 45.4 モル％、さらにNa2Oを溶融体組
成から析出可能なLiNbO3の理論量に対して37.5モル％、
MgOを溶融体組成から析出可能なLiNbO3の理論量に対し
て5 モル％となるように調製した混合物を白金ルツボに
入れ、液相エピタキシャル装置中で空気雰囲気下で、１
１００℃まで加熱し、ルツボの内容物を溶解した。
【００３３】さらに溶融体をプロペラを用い、１００ｒ
ｐｍの回転速度で６時間攪拌させた。 ２インチφ、厚
さ１ｍｍｔのタンタル酸リチウム単結晶の（０００１）
面を光学研磨した後、基板ホルダーに研磨面を下向きに
取り付けた。
ｐｍの回転速度で６時間攪拌させた。 ２インチφ、厚
さ１ｍｍｔのタンタル酸リチウム単結晶の（０００１）
面を光学研磨した後、基板ホルダーに研磨面を下向きに
取り付けた。
【００３４】溶融体を１時間当りに６０℃の冷却速度で
９４０℃まで徐冷した後、この基板を９４０℃で予備加
熱し、溶融体中に２０ｒｐｍで回転させながら８分間浸
漬した。ここで溶融体下部温度−上部温度は70℃とし
た。ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の成長速度は、１μｍ
／分であった。
９４０℃まで徐冷した後、この基板を９４０℃で予備加
熱し、溶融体中に２０ｒｐｍで回転させながら８分間浸
漬した。ここで溶融体下部温度−上部温度は70℃とし
た。ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の成長速度は、１μｍ
／分であった。
【００３５】溶融体から基板材料を引き上げ、回転数１
２００ｒｐｍで３分間溶融体上で溶融体を振り切った
後、１℃／分の速度で室温まで徐冷し、基板材料上に約
８μｍのニオブ酸リチウム単結晶薄膜を得た。
２００ｒｐｍで３分間溶融体上で溶融体を振り切った
後、１℃／分の速度で室温まで徐冷し、基板材料上に約
８μｍのニオブ酸リチウム単結晶薄膜を得た。
【００３６】面内膜厚分布は±０．４μｍであり、結晶
均質性は（００６）面のロッキングカーブを測定したと
ころ面内で４sec 程度のバラつきであった。光伝搬損失
はλ＝８３０ｎｍ，ＴＭで１〜２ｄＢ／ｃｍ，ＴＥで
０．８ｄＢ／ｃｍであった。
均質性は（００６）面のロッキングカーブを測定したと
ころ面内で４sec 程度のバラつきであった。光伝搬損失
はλ＝８３０ｎｍ，ＴＭで１〜２ｄＢ／ｃｍ，ＴＥで
０．８ｄＢ／ｃｍであった。
【００３７】（実施例６）Li2O 43.2 モル％、Nb2O5 1
1.4モル％、V2O5 45.4 モル％、さらにNa2Oを溶融体組
成から析出可能なLiNbO3の理論量に対して37.5モル％、
MgOを溶融体組成から析出可能なLiNbO3の理論量に対し
て5 モル％となるように調製した混合物を白金ルツボに
入れ、液相エピタキシャル装置中で空気雰囲気下で、１
１００℃まで加熱し、ルツボの内容物を溶解した。
1.4モル％、V2O5 45.4 モル％、さらにNa2Oを溶融体組
成から析出可能なLiNbO3の理論量に対して37.5モル％、
MgOを溶融体組成から析出可能なLiNbO3の理論量に対し
て5 モル％となるように調製した混合物を白金ルツボに
入れ、液相エピタキシャル装置中で空気雰囲気下で、１
１００℃まで加熱し、ルツボの内容物を溶解した。
【００３８】さらに溶融体をプロペラを用い、１００ｒ
ｐｍの回転速度で６時間攪拌させた。 ２インチφ、厚
さ１ｍｍｔのタンタル酸リチウム単結晶の（０００１）
面を光学研磨した後、基板ホルダーに研磨面を下向きに
取り付けた。
ｐｍの回転速度で６時間攪拌させた。 ２インチφ、厚
さ１ｍｍｔのタンタル酸リチウム単結晶の（０００１）
面を光学研磨した後、基板ホルダーに研磨面を下向きに
取り付けた。
【００３９】溶融体を１時間当りに６０℃の冷却速度で
９４１℃まで徐冷した後、この基板を９４１℃で予備加
熱し、溶融体中に４０ｒｐｍで回転させながら８分間浸
漬した。ここで溶融体下部温度−上部温度は70℃とし
た。ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の成長速度は、１μｍ
／分であった。
９４１℃まで徐冷した後、この基板を９４１℃で予備加
熱し、溶融体中に４０ｒｐｍで回転させながら８分間浸
漬した。ここで溶融体下部温度−上部温度は70℃とし
た。ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の成長速度は、１μｍ
／分であった。
【００４０】溶融体から基板材料を引き上げ、回転数１
２００ｒｐｍで３分間溶融体上で溶融体を振り切った
後、１℃／分の速度で室温まで徐冷し、基板材料上に約
８μｍのニオブ酸リチウム単結晶薄膜を得た。
２００ｒｐｍで３分間溶融体上で溶融体を振り切った
後、１℃／分の速度で室温まで徐冷し、基板材料上に約
８μｍのニオブ酸リチウム単結晶薄膜を得た。
【００４１】面内膜厚分布は±０．７μｍであり、結晶
均質性は（００６）面のロッキングカーブを測定したと
ころ面内で５sec 程度のバラつきであった。光伝搬損失
はλ＝８３０ｎｍ，ＴＭで1.5 〜2.5 ｄＢ／ｃｍ，ＴＥ
で０．８ｄＢ／ｃｍであった。
均質性は（００６）面のロッキングカーブを測定したと
ころ面内で５sec 程度のバラつきであった。光伝搬損失
はλ＝８３０ｎｍ，ＴＭで1.5 〜2.5 ｄＢ／ｃｍ，ＴＥ
で０．８ｄＢ／ｃｍであった。
【００４２】（比較例１）Li2O 43.2 モル％、Nb2O5 1
1.4モル％、V2O5 45.4 モル％、さらにNa2Oを溶融体組
成から析出可能なLiNbO3の理論量に対して37.5モル％、
MgOを溶融体組成から析出可能なLiNbO3の理論量に対し
て5 モル％となるように調製した混合物を白金ルツボに
入れ、液相エピタキシャル装置中で空気雰囲気下で、１
１００℃まで加熱し、ルツボの内容物を溶解した。
1.4モル％、V2O5 45.4 モル％、さらにNa2Oを溶融体組
成から析出可能なLiNbO3の理論量に対して37.5モル％、
MgOを溶融体組成から析出可能なLiNbO3の理論量に対し
て5 モル％となるように調製した混合物を白金ルツボに
入れ、液相エピタキシャル装置中で空気雰囲気下で、１
１００℃まで加熱し、ルツボの内容物を溶解した。
【００４３】さらに溶融体をプロペラを用い、１００ｒ
ｐｍの回転速度で６時間攪拌させた。 ２インチφ、厚
さ１ｍｍｔのタンタル酸リチウム単結晶の（０００１）
面を光学研磨した後、基板ホルダーに研磨面を下向きに
取り付けた。
ｐｍの回転速度で６時間攪拌させた。 ２インチφ、厚
さ１ｍｍｔのタンタル酸リチウム単結晶の（０００１）
面を光学研磨した後、基板ホルダーに研磨面を下向きに
取り付けた。
【００４４】溶融体を１時間当りに６０℃の冷却速度で
９３５℃まで徐冷した後、この基板を９３５℃で予備加
熱し、溶融体中に基板を回転させることなく８分間浸漬
した。ここで溶融体下部温度−上部温度は70℃とした。
ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の成長速度は、１μｍ／分
であった。
９３５℃まで徐冷した後、この基板を９３５℃で予備加
熱し、溶融体中に基板を回転させることなく８分間浸漬
した。ここで溶融体下部温度−上部温度は70℃とした。
ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の成長速度は、１μｍ／分
であった。
【００４５】溶融体から基板材料を引き上げ、回転数１
２００ｒｐｍで３分間溶融体上で溶融体を振り切った
後、１℃／分の速度で室温まで徐冷し、基板材料上に約
８μｍのニオブ酸リチウム単結晶薄膜を得たが膜厚分布
に規則性はみられなかった。。
２００ｒｐｍで３分間溶融体上で溶融体を振り切った
後、１℃／分の速度で室温まで徐冷し、基板材料上に約
８μｍのニオブ酸リチウム単結晶薄膜を得たが膜厚分布
に規則性はみられなかった。。
【００４６】膜厚のバラつきは±１．５μｍ程度，結晶
均質性は（００６）面のロッキングカーブを測定したと
ころ面内で７sec 程度のバラつきであった。光伝搬損失
はλ＝８３０ｎｍ，ＴＭで２〜３ｄＢ／ｃｍ，ＴＥで
０．９ｄＢ／ｃｍであった。
均質性は（００６）面のロッキングカーブを測定したと
ころ面内で７sec 程度のバラつきであった。光伝搬損失
はλ＝８３０ｎｍ，ＴＭで２〜３ｄＢ／ｃｍ，ＴＥで
０．９ｄＢ／ｃｍであった。
【００４７】（比較例２）Li2O 43.2 モル％、Nb2O5 1
1.4モル％、V2O5 45.4 モル％、さらにNa2Oを溶融体組
成から析出可能なLiNbO3の理論量に対して37.5モル％、
MgOを溶融体組成から析出可能なLiNbO3の理論量に対し
て5 モル％となるように調製した混合物を白金ルツボに
入れ、液相エピタキシャル装置中で空気雰囲気下で、１
１００℃まで加熱し、ルツボの内容物を溶解した。
1.4モル％、V2O5 45.4 モル％、さらにNa2Oを溶融体組
成から析出可能なLiNbO3の理論量に対して37.5モル％、
MgOを溶融体組成から析出可能なLiNbO3の理論量に対し
て5 モル％となるように調製した混合物を白金ルツボに
入れ、液相エピタキシャル装置中で空気雰囲気下で、１
１００℃まで加熱し、ルツボの内容物を溶解した。
【００４８】さらに溶融体をプロペラを用い、１００ｒ
ｐｍの回転速度で６時間攪拌させた。 ２インチφ、厚
さ１ｍｍｔのタンタル酸リチウム単結晶の（０００１）
面を光学研磨した後、基板ホルダーに研磨面を下向きに
取り付けた。
ｐｍの回転速度で６時間攪拌させた。 ２インチφ、厚
さ１ｍｍｔのタンタル酸リチウム単結晶の（０００１）
面を光学研磨した後、基板ホルダーに研磨面を下向きに
取り付けた。
【００４９】溶融体を１時間当りに６０℃の冷却速度で
９４５℃まで徐冷した後、この基板を９４５℃で予備加
熱し、溶融体中に５０ｒｐｍで回転させながら８分間浸
漬した。ここで溶融体下部温度−上部温度は70℃とし
た。ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の成長速度は、１μｍ
／分であった。
９４５℃まで徐冷した後、この基板を９４５℃で予備加
熱し、溶融体中に５０ｒｐｍで回転させながら８分間浸
漬した。ここで溶融体下部温度−上部温度は70℃とし
た。ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の成長速度は、１μｍ
／分であった。
【００５０】溶融体から基板材料を引き上げ、回転数１
２００ｒｐｍで３分間溶融体上で溶融体を振り切った
後、１℃／分の速度で室温まで徐冷し、基板材料上に約
８μｍのニオブ酸リチウム単結晶薄膜を得たが、膜厚は
周辺部分ほど大きい傾向がみられた。
２００ｒｐｍで３分間溶融体上で溶融体を振り切った
後、１℃／分の速度で室温まで徐冷し、基板材料上に約
８μｍのニオブ酸リチウム単結晶薄膜を得たが、膜厚は
周辺部分ほど大きい傾向がみられた。
【００５１】膜厚のバラつきは±２．３μｍ程度，結晶
均質性は（００６）面のロッキングカーブを測定したと
ころ面内で７sec 程度のバラつきであった。光伝搬損失
はλ＝８３０ｎｍ，ＴＭで２〜３ｄＢ／ｃｍ，ＴＥで
０．９ｄＢ／ｃｍであった。
均質性は（００６）面のロッキングカーブを測定したと
ころ面内で７sec 程度のバラつきであった。光伝搬損失
はλ＝８３０ｎｍ，ＴＭで２〜３ｄＢ／ｃｍ，ＴＥで
０．９ｄＢ／ｃｍであった。
【００５２】（実施例７）本発明の実施例として（Bi，
Y ）3 （Fe，Al）5O12単結晶薄膜をGa3Gd5O12 基板上に
液相エピタキシャル成長させた場合について述べる。
Y ）3 （Fe，Al）5O12単結晶薄膜をGa3Gd5O12 基板上に
液相エピタキシャル成長させた場合について述べる。
【００５３】Bi1Y2Fe4Al1O12＋PbO ＋Bi2O3 ＋B2O3 の
混合物を白金ルツボに入れ、液相エピタキシャル装置中
で空気雰囲気下で、９８０℃まで加熱し、ルツボの内容
物を溶解した。
混合物を白金ルツボに入れ、液相エピタキシャル装置中
で空気雰囲気下で、９８０℃まで加熱し、ルツボの内容
物を溶解した。
【００５４】さらに溶融体をプロペラを用い、１００ｒ
ｐｍの回転速度で６時間攪拌させた。 ２インチφ、厚
さ１ｍｍｔのGa3Gd5O12 単結晶の（１１１）面を光学研
磨した後、基板ホルダーに研磨面を下向きに取り付け
た。
ｐｍの回転速度で６時間攪拌させた。 ２インチφ、厚
さ１ｍｍｔのGa3Gd5O12 単結晶の（１１１）面を光学研
磨した後、基板ホルダーに研磨面を下向きに取り付け
た。
【００５５】溶融体を１時間当りに６０℃の冷却速度で
８１０℃まで徐冷した後、この基板を８１０℃で予備加
熱し、溶融体中に２０ｒｐｍで回転させながら８分間浸
漬した。ここで溶融体下部温度−上部温度は70℃とし
た。（Bi，Y ）3 （Fe，Al）5O12薄膜の成長速度は、１
μｍ／分であった。
８１０℃まで徐冷した後、この基板を８１０℃で予備加
熱し、溶融体中に２０ｒｐｍで回転させながら８分間浸
漬した。ここで溶融体下部温度−上部温度は70℃とし
た。（Bi，Y ）3 （Fe，Al）5O12薄膜の成長速度は、１
μｍ／分であった。
【００５６】溶融体から基板材料を引き上げ、回転数１
２００ｒｐｍで３分間溶融体上で溶融体を振り切った
後、１℃／分の速度で室温まで徐冷し、基板材料上に約
８μｍの(Bi,Y)3(Fe,Al)5O12単結晶薄膜を得た。
２００ｒｐｍで３分間溶融体上で溶融体を振り切った
後、１℃／分の速度で室温まで徐冷し、基板材料上に約
８μｍの(Bi,Y)3(Fe,Al)5O12単結晶薄膜を得た。
【００５７】面内膜厚分布は±０．４μｍであり、結晶
均質性は（４４４）面のロッキングカーブを測定したと
ころ面内で４sec 程度のバラつきであった。
均質性は（４４４）面のロッキングカーブを測定したと
ころ面内で４sec 程度のバラつきであった。
【００５８】( 実施例８)本発明の実施例として（Bi，Y
）3 （Fe，Ga）5O12単結晶薄膜をGa3Gd5O12 基板上に
液相エピタキシャル成長させた場合について述べる。
）3 （Fe，Ga）5O12単結晶薄膜をGa3Gd5O12 基板上に
液相エピタキシャル成長させた場合について述べる。
【００５９】Bi1Y2Fe4Ga1O12 ＋PbO ＋ Bi2O3 B2O3 の
混合物を白金ルツボに入れ、液相エピタキシャル装置中
で空気雰囲気下で、９８０℃まで加熱し、ルツボの内容
物を溶解した。
混合物を白金ルツボに入れ、液相エピタキシャル装置中
で空気雰囲気下で、９８０℃まで加熱し、ルツボの内容
物を溶解した。
【００６０】さらに溶融体をプロペラを用い、１００ｒ
ｐｍの回転速度で６時間攪拌させた。 ２インチφ、厚
さ１ｍｍｔのGa3Gd5O12 単結晶の（１１１）面を光学研
磨した後、基板ホルダーに研磨面を下向きに取り付け
た。
ｐｍの回転速度で６時間攪拌させた。 ２インチφ、厚
さ１ｍｍｔのGa3Gd5O12 単結晶の（１１１）面を光学研
磨した後、基板ホルダーに研磨面を下向きに取り付け
た。
【００６１】溶融体を１時間当りに６０℃の冷却速度で
８３０℃まで徐冷した後、この基板を８３０℃で予備加
熱し、溶融体中に２０ｒｐｍで回転させながら８分間浸
漬した。ここで溶融体下部温度−上部温度は85℃とし
た。（Bi，Y ）3 （Fe，Ga）5O12薄膜の成長速度は、１
μｍ／分であった。
８３０℃まで徐冷した後、この基板を８３０℃で予備加
熱し、溶融体中に２０ｒｐｍで回転させながら８分間浸
漬した。ここで溶融体下部温度−上部温度は85℃とし
た。（Bi，Y ）3 （Fe，Ga）5O12薄膜の成長速度は、１
μｍ／分であった。
【００６２】溶融体から基板材料を引き上げ、回転数１
２００ｒｐｍで３分間溶融体上で溶融体を振り切った
後、１℃／分の速度で室温まで徐冷し、基板材料上に約
８μｍの（Bi，Y ）3 （Fe，Ga）5O12単結晶薄膜を得
た。
２００ｒｐｍで３分間溶融体上で溶融体を振り切った
後、１℃／分の速度で室温まで徐冷し、基板材料上に約
８μｍの（Bi，Y ）3 （Fe，Ga）5O12単結晶薄膜を得
た。
【００６３】面内膜厚分布は±０．６μｍであり、結晶
均質性は（４４４）面のロッキングカーブを測定したと
ころ面内で５sec 程度のバラつきであった。
均質性は（４４４）面のロッキングカーブを測定したと
ころ面内で５sec 程度のバラつきであった。
【００６４】（比較例３）Bi1Y2Fe4Ga1O12＋PbO ＋Bi2O
3 ＋B2O3の混合物を白金ルツボに入れ、液相エピタキシ
ャル装置中で空気雰囲気下で、９８０℃まで加熱し、ル
ツボの内容物を溶解した。
3 ＋B2O3の混合物を白金ルツボに入れ、液相エピタキシ
ャル装置中で空気雰囲気下で、９８０℃まで加熱し、ル
ツボの内容物を溶解した。
【００６５】さらに溶融体をプロペラを用い、１００ｒ
ｐｍの回転速度で６時間攪拌させた。 ２インチφ、厚
さ１ｍｍｔのGa3Gd5O12 単結晶の（１１１）面を光学研
磨した後、基板ホルダーに研磨面を下向きに取り付け
た。
ｐｍの回転速度で６時間攪拌させた。 ２インチφ、厚
さ１ｍｍｔのGa3Gd5O12 単結晶の（１１１）面を光学研
磨した後、基板ホルダーに研磨面を下向きに取り付け
た。
【００６６】溶融体を１時間当りに６０℃の冷却速度で
８２５℃まで徐冷した後、この基板を８２５℃で予備加
熱し、溶融体中に基板を回転させることなく８分間浸漬
した。ここで溶融体下部温度と上部温度は等温とした。
（Bi，Y ）3 （Fe，Ga）5O12薄膜の成長速度は、１μｍ
／分であった。
８２５℃まで徐冷した後、この基板を８２５℃で予備加
熱し、溶融体中に基板を回転させることなく８分間浸漬
した。ここで溶融体下部温度と上部温度は等温とした。
（Bi，Y ）3 （Fe，Ga）5O12薄膜の成長速度は、１μｍ
／分であった。
【００６７】溶融体から基板材料を引き上げ、回転数１
２００ｒｐｍで３分間溶融体上で溶融体を振り切った
後、１℃／分の速度で室温まで徐冷し、基板材料上に約
８μｍの（Bi，Y ）3 （Fe，Ga）5O12単結晶薄膜を得た
が膜厚分布に規則性はみられなかった。
２００ｒｐｍで３分間溶融体上で溶融体を振り切った
後、１℃／分の速度で室温まで徐冷し、基板材料上に約
８μｍの（Bi，Y ）3 （Fe，Ga）5O12単結晶薄膜を得た
が膜厚分布に規則性はみられなかった。
【００６８】膜厚のバラつきは±３．０μｍ程度，結晶
均質性は（４４４）面のロッキングカーブを測定したと
ころ面内で１５sec 程度のバラつきであった。
均質性は（４４４）面のロッキングカーブを測定したと
ころ面内で１５sec 程度のバラつきであった。
【００６９】
【発明の効果】以上述べたように、本発明方法によれ
ば、単結晶基板上に単結晶薄膜を液相エピタキシャル成
長法で成長させる場合、溶融体内に発生する自然対流と
育成時の基板回転により生ずる強制対流を相殺させるこ
とにより見かけ上溶融体が静態となるように設定し、膜
厚均一性及び光学特性に優れた薄膜を得ることが可能と
なる。
ば、単結晶基板上に単結晶薄膜を液相エピタキシャル成
長法で成長させる場合、溶融体内に発生する自然対流と
育成時の基板回転により生ずる強制対流を相殺させるこ
とにより見かけ上溶融体が静態となるように設定し、膜
厚均一性及び光学特性に優れた薄膜を得ることが可能と
なる。
【図１】図１はLi2O−Nb2O5 −V2O5 三成分の三角組成
図
図
【図２】図２は溶融体中で生ずる自然対流による流れ。
【図３】図３は本発明による、ニオブ酸リチウム単結晶
薄膜育成時基板回転数と得られた薄膜の膜厚均一性，結
晶均質性及び光伝搬損失の関係図。
薄膜育成時基板回転数と得られた薄膜の膜厚均一性，結
晶均質性及び光伝搬損失の関係図。
１ 白金るつぼ ２ 基板ホルダー ３ 基板 ４ 溶融体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00
Claims (5)
- 【請求項１】 単結晶基板上に単結晶薄膜を液相エピタ
キシャル成長させる際、育成時の基板回転により生ずる
強制対流を溶融体内に発生させた自然対流で相殺させる
ことにより見かけ上溶融体が静態となるように設定する
ことを特徴とする液相エピタキシャル成長法。 - 【請求項２】 前記育成時の基板回転数は10〜40rpm で
あることを特徴とする請求項１に記載の液相エピタキシ
ャル成長法。 - 【請求項３】 前記溶融体内の自然対流は、溶融体の下
部の温度を上部の温度に比べて50〜90℃高くして発生さ
せることを特徴とする請求項１に記載の液相エピタキシ
ャル成長法。 - 【請求項４】 前記単結晶薄膜はニオブ酸リチウムある
いはビスマス置換ガーネット単結晶薄膜であることを特
徴とする請求項１に記載の液相エピタキシャル成長法。 - 【請求項５】 前記は、ニオブ酸リチウム単結晶薄膜を
液相エピタキシャル成長させる場合の溶融体の組成は第
１図においてＡ（Li2O＝ 54.8 モル％，V2O5＝ 43.0 モ
ル％，Nb2O5 ＝2.2 モル％ ) 、Ｂ（Li2O＝ 46.1 モル
％，V2O5＝ 52.5 モル％，Nb2O5 ＝1.4 モル％），Ｃ
（Li2O＝ 9.9モル％，V2O5＝ 80.8 モル％，Nb2O5 ＝9.
3 モル％），Ｄ（Li2O＝ 36.5 モル％，V2O5＝ 6.2モル
％，Nb2O5=57.3モル％）の領域とすることを特徴とする
請求項１に記載の液相エピタキシャル成長法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04109342A JP3141121B2 (ja) | 1992-04-01 | 1992-04-01 | 液相エピタキシャル成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04109342A JP3141121B2 (ja) | 1992-04-01 | 1992-04-01 | 液相エピタキシャル成長法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05279178A JPH05279178A (ja) | 1993-10-26 |
| JP3141121B2 true JP3141121B2 (ja) | 2001-03-05 |
Family
ID=14507799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04109342A Expired - Fee Related JP3141121B2 (ja) | 1992-04-01 | 1992-04-01 | 液相エピタキシャル成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3141121B2 (ja) |
-
1992
- 1992-04-01 JP JP04109342A patent/JP3141121B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05279178A (ja) | 1993-10-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Nashimoto et al. | Epitaxial LiNbO3 thin films prepared by a sol-gel process | |
| EP0515682B1 (en) | Thin film of lithium niobate single crystal | |
| JP3141121B2 (ja) | 液相エピタキシャル成長法 | |
| JPH11255600A (ja) | ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶厚膜の製造法 | |
| JP3816591B2 (ja) | ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造方法 | |
| KR0143799B1 (ko) | 비정상 입성장을 이용한 티탄산 바륨 단결정 육성법 | |
| JPH09202697A (ja) | Ｂｉ置換型ガーネットの製造方法 | |
| Glass | Growth of thick single-crystal layers of yttrium iron garnet by liquid phase epitaxy | |
| JP2507910B2 (ja) | 酸化物単結晶の製造方法 | |
| JPS63195198A (ja) | ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の製造方法 | |
| JP2967372B2 (ja) | 液相エピタキシャル成長法にて使用される基板ホルダー | |
| JPH05155695A (ja) | ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の液相エピタキシャル成長法 | |
| JPS62216310A (ja) | 磁気光学結晶育成法 | |
| JP2973333B2 (ja) | 基板上に単結晶薄膜を形成する方法 | |
| JP3188541B2 (ja) | 液相エピタキシーによる単結晶薄膜の製造方法 | |
| JPH05117096A (ja) | ニオブ酸リチウム単結晶の薄膜の育成方法 | |
| SU1604871A1 (ru) | Способ получени феррогранатовых структур | |
| JP2584280Y2 (ja) | 単結晶薄膜製造装置における単結晶基板保持ホルダ | |
| JPH0360499A (ja) | ビスマス置換ガーネット結晶の育成方法 | |
| JP3191018B2 (ja) | ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の製造方法 | |
| JP2849221B2 (ja) | チャンネル型導波路を有する光デバイスとその製造方法 | |
| JPH05229897A (ja) | ニオブ酸リチウム単結晶薄膜とその製造方法 | |
| JPH06219891A (ja) | ニオブ酸リチウム単結晶膜の製造方法 | |
| JPH02279596A (ja) | 単結晶薄膜の育成方法 | |
| JPH06191996A (ja) | ニオブ酸リチウム単結晶の製造方法および光素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071222 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081222 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091222 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091222 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101222 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101222 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111222 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |