JPH0656575A - 液相エピタキシャル成長法 - Google Patents
液相エピタキシャル成長法Info
- Publication number
- JPH0656575A JPH0656575A JP23134092A JP23134092A JPH0656575A JP H0656575 A JPH0656575 A JP H0656575A JP 23134092 A JP23134092 A JP 23134092A JP 23134092 A JP23134092 A JP 23134092A JP H0656575 A JPH0656575 A JP H0656575A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- crystal film
- liquid phase
- epitaxial growth
- phase epitaxial
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】下地基板の中心付近に不純物が付着するのを防
止し、良質な単結晶膜を得ることができる液相エピタキ
シャル成長法を提供すること。 【構成】下地基板を単結晶原料が溶解されている坩堝内
に浸漬し、一定位置で所定時間回転させることにより、
下地基板の表面に単結晶膜を育成する。単結晶膜の育成
中、下地基板を一方向にのみ回転させ、かつその回転速
度を時間とともに変化させる。
止し、良質な単結晶膜を得ることができる液相エピタキ
シャル成長法を提供すること。 【構成】下地基板を単結晶原料が溶解されている坩堝内
に浸漬し、一定位置で所定時間回転させることにより、
下地基板の表面に単結晶膜を育成する。単結晶膜の育成
中、下地基板を一方向にのみ回転させ、かつその回転速
度を時間とともに変化させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は下地基板の表面に単結晶
膜を育成する液相エピタキシャル成長法に関するもので
ある。
膜を育成する液相エピタキシャル成長法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来、遅延線フィルター，発振器，非線
形デバイスなどの静磁波（ＭＳＷ）デバイス、およびフ
ァラデー回転効果を利用した光アイソレータ，サーキュ
レータまたはスイッチなどの磁気光学素子等に磁性ガー
ネット単結晶が広く用いられている。この磁性ガーネッ
ト単結晶の主な製造方法として、液相エピタキシャル成
長法（ＬＰＥ法）が知られている。
形デバイスなどの静磁波（ＭＳＷ）デバイス、およびフ
ァラデー回転効果を利用した光アイソレータ，サーキュ
レータまたはスイッチなどの磁気光学素子等に磁性ガー
ネット単結晶が広く用いられている。この磁性ガーネッ
ト単結晶の主な製造方法として、液相エピタキシャル成
長法（ＬＰＥ法）が知られている。
【０００３】この液相エピタキシャル成長法は、縦型加
熱炉内に所定条件に保持された白金製坩堝に、ガーネッ
トを構成する元素の酸化物と溶剤とを充填し、約１２０
０℃で均質化を行い溶液化する。この溶液を液相線（Li
quidus) と固相線 (Solidus)の間の温度、即ち約９００
℃前後の一定温度に保持してガーネットを過飽和状態に
した後、この溶液中に下地基板であるＧｄ3 Ｇａ5 Ｏ12
（ＧＧＧ）基板を浸漬し、一定位置で反転させながら所
定時間成長を行うことにより、下地基板の表面に磁性ガ
ーネット単結晶膜を育成する。最後に、溶液の上方で下
地基板を高速度で回転させることによって、磁性ガーネ
ット単結晶膜上に付着している溶液を振り切るというも
のである。上記下地基板は、支持棒の下端部に取り付け
られた基板保持具によって水平状態に保持されている。
熱炉内に所定条件に保持された白金製坩堝に、ガーネッ
トを構成する元素の酸化物と溶剤とを充填し、約１２０
０℃で均質化を行い溶液化する。この溶液を液相線（Li
quidus) と固相線 (Solidus)の間の温度、即ち約９００
℃前後の一定温度に保持してガーネットを過飽和状態に
した後、この溶液中に下地基板であるＧｄ3 Ｇａ5 Ｏ12
（ＧＧＧ）基板を浸漬し、一定位置で反転させながら所
定時間成長を行うことにより、下地基板の表面に磁性ガ
ーネット単結晶膜を育成する。最後に、溶液の上方で下
地基板を高速度で回転させることによって、磁性ガーネ
ット単結晶膜上に付着している溶液を振り切るというも
のである。上記下地基板は、支持棒の下端部に取り付け
られた基板保持具によって水平状態に保持されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように単結晶膜の育成中、下地基板を溶液の中で反転さ
せると、下地基板の中心付近で溶液の流れの淀みが発生
し、単結晶膜に不純物が付着するという問題があった。
単結晶膜に不純物が付着すると、これを静磁波素子とし
て用いた時、特性にバラツキが生じることになる。そこ
で、本発明の目的は、下地基板の中心付近に不純物が付
着するのを防止し、良質な単結晶膜を得ることができる
液相エピタキシャル成長法を提供することにある。
ように単結晶膜の育成中、下地基板を溶液の中で反転さ
せると、下地基板の中心付近で溶液の流れの淀みが発生
し、単結晶膜に不純物が付着するという問題があった。
単結晶膜に不純物が付着すると、これを静磁波素子とし
て用いた時、特性にバラツキが生じることになる。そこ
で、本発明の目的は、下地基板の中心付近に不純物が付
着するのを防止し、良質な単結晶膜を得ることができる
液相エピタキシャル成長法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の液相エピタキシャル成長法は、単結晶膜の
育成中、下地基板を一方向にのみ回転させ、かつその回
転速度を時間とともに変化させることを特徴とする。
め、本発明の液相エピタキシャル成長法は、単結晶膜の
育成中、下地基板を一方向にのみ回転させ、かつその回
転速度を時間とともに変化させることを特徴とする。
【０００６】
【作用】下地基板を溶液に浸漬し、一定位置に保持しな
がら、下地基板を一方向に回転させる。この時、下地基
板を一定速度で回転させると、下地基板の中心部の角速
度が小さく、ここで溶液の流れの淀みが発生する可能性
があるので、回転速度を時間とともに変化させる。これ
により、下地基板の周囲に存在する溶液の流れに淀みが
発生せず、しかも回転速度変化に伴って新たな単結晶成
分が下地基板に近づくので、単結晶膜を効率よく育成で
きる。
がら、下地基板を一方向に回転させる。この時、下地基
板を一定速度で回転させると、下地基板の中心部の角速
度が小さく、ここで溶液の流れの淀みが発生する可能性
があるので、回転速度を時間とともに変化させる。これ
により、下地基板の周囲に存在する溶液の流れに淀みが
発生せず、しかも回転速度変化に伴って新たな単結晶成
分が下地基板に近づくので、単結晶膜を効率よく育成で
きる。
【０００７】下地基板の回転速度は、例えば５〜２００
ｒｐｍ程度の範囲で変化させるのが望ましい。回転速度
が低過ぎると不純物が付着しやすく、高過ぎると単結晶
膜が育成し難くなるからである。
ｒｐｍ程度の範囲で変化させるのが望ましい。回転速度
が低過ぎると不純物が付着しやすく、高過ぎると単結晶
膜が育成し難くなるからである。
【０００８】
【実施例】本発明にかかる液相エピタキシャル成長法の
一例を説明する。まず、ガーネット膜の原料であるＦｅ
2 Ｏ3 ，Ｙ2 Ｏ3 と溶剤であるＰｂＯ，Ｂ2 Ｏ3 とを混
合し、縦型電気炉内に保持された白金製坩堝に充填し、
約１２００℃で均質化し、溶液化した。この溶液を約９
００℃前後の一定温度に保持してガーネットを過飽和状
態にした。一方、Ｇｄ3 Ｇａ5 Ｏ12基板よりなる下地基
板を白金製または白金合金製の基板保持具に保持して上
記溶液中に浸漬し、一定位置に保持しながら一方向に回
転させた。そして、時間とともに回転速度を５〜２００
ｒｐｍに変化させながら磁性ガーネット単結晶膜を所定
時間等温育成した。単結晶膜の育成が終了した後、下地
基板を溶液から約５００ｒｐｍの高速度で回転させなが
ら引き上げ、単結晶膜上の付着溶液を遠心力により振り
切ることにより、単結晶膜を得た。
一例を説明する。まず、ガーネット膜の原料であるＦｅ
2 Ｏ3 ，Ｙ2 Ｏ3 と溶剤であるＰｂＯ，Ｂ2 Ｏ3 とを混
合し、縦型電気炉内に保持された白金製坩堝に充填し、
約１２００℃で均質化し、溶液化した。この溶液を約９
００℃前後の一定温度に保持してガーネットを過飽和状
態にした。一方、Ｇｄ3 Ｇａ5 Ｏ12基板よりなる下地基
板を白金製または白金合金製の基板保持具に保持して上
記溶液中に浸漬し、一定位置に保持しながら一方向に回
転させた。そして、時間とともに回転速度を５〜２００
ｒｐｍに変化させながら磁性ガーネット単結晶膜を所定
時間等温育成した。単結晶膜の育成が終了した後、下地
基板を溶液から約５００ｒｐｍの高速度で回転させなが
ら引き上げ、単結晶膜上の付着溶液を遠心力により振り
切ることにより、単結晶膜を得た。
【０００９】表１は従来方法と本発明方法とで形成され
たガーネット単結晶膜の不純物の付着量を比較したもの
である。表１から明らかなように、本発明では不純物の
付着量が格段に少なくなったことが分かる。
たガーネット単結晶膜の不純物の付着量を比較したもの
である。表１から明らかなように、本発明では不純物の
付着量が格段に少なくなったことが分かる。
【００１０】なお、上記実施例では磁性ガーネット単結
晶について説明したが、本発明はこれのみに限定される
ものではなく、例えば光学デバイス用単結晶であるニオ
ブ酸リチウムの液相エピタキシャル成長にも本発明を適
用することができる。
晶について説明したが、本発明はこれのみに限定される
ものではなく、例えば光学デバイス用単結晶であるニオ
ブ酸リチウムの液相エピタキシャル成長にも本発明を適
用することができる。
【００１１】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、下地基板の溶液中で反転させずに一方向にのみ
回転させ、かつ回転速度を時間とともに変化させるよう
にしたので、下地基板の中心付近で溶液の流れの淀みが
発生せず、単結晶膜に不純物が付着するのを防止でき、
これを静磁波素子として用いた時、特性にバラツキが生
じない。また、回転速度変化に伴って新たな単結晶成分
が下地基板に近づくので、単結晶膜を効率よく育成でき
るという特徴がある。
よれば、下地基板の溶液中で反転させずに一方向にのみ
回転させ、かつ回転速度を時間とともに変化させるよう
にしたので、下地基板の中心付近で溶液の流れの淀みが
発生せず、単結晶膜に不純物が付着するのを防止でき、
これを静磁波素子として用いた時、特性にバラツキが生
じない。また、回転速度変化に伴って新たな単結晶成分
が下地基板に近づくので、単結晶膜を効率よく育成でき
るという特徴がある。
Claims (1)
- 【請求項１】下地基板を単結晶原料が溶解されている坩
堝内に浸漬し、一定位置で所定時間回転させることによ
り、下地基板の表面に単結晶膜を育成する液相エピタキ
シャル成長法において、 単結晶膜の育成中、上記下地基板を一方向にのみ回転さ
せ、かつその回転速度を時間とともに変化させることを
特徴とする液相エピタキシャル成長法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23134092A JPH0656575A (ja) | 1992-08-05 | 1992-08-05 | 液相エピタキシャル成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23134092A JPH0656575A (ja) | 1992-08-05 | 1992-08-05 | 液相エピタキシャル成長法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0656575A true JPH0656575A (ja) | 1994-03-01 |
Family
ID=16922103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23134092A Pending JPH0656575A (ja) | 1992-08-05 | 1992-08-05 | 液相エピタキシャル成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0656575A (ja) |
-
1992
- 1992-08-05 JP JP23134092A patent/JPH0656575A/ja active Pending
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