JPH06219817A - Bi系酸化物超電導体の製造方法 - Google Patents
Bi系酸化物超電導体の製造方法Info
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- JPH06219817A JPH06219817A JP5012510A JP1251093A JPH06219817A JP H06219817 A JPH06219817 A JP H06219817A JP 5012510 A JP5012510 A JP 5012510A JP 1251093 A JP1251093 A JP 1251093A JP H06219817 A JPH06219817 A JP H06219817A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 不純物相の生成を抑制し、かつ微細化するこ
とにより特性の優れたBi系の酸化物超電導体を製造す
る。 【構成】 共沈法により(Bi+Pb):Sr:Ca:
Cu=2:2:2:3組成の粉末を作製し、この原料粉
末に粒径0.1〜3μmのPt粉末を0.1〜5wt%
添加してペレット状に成型した後、大気中で840℃で
100時間の熱処理を施す。この超電導体は、不純物相
が微細化されるとともにHigh Tc相の分率が高
く、15000A/cm2 の臨界電流密度(at 77
K、0T)を有する。
とにより特性の優れたBi系の酸化物超電導体を製造す
る。 【構成】 共沈法により(Bi+Pb):Sr:Ca:
Cu=2:2:2:3組成の粉末を作製し、この原料粉
末に粒径0.1〜3μmのPt粉末を0.1〜5wt%
添加してペレット状に成型した後、大気中で840℃で
100時間の熱処理を施す。この超電導体は、不純物相
が微細化されるとともにHigh Tc相の分率が高
く、15000A/cm2 の臨界電流密度(at 77
K、0T)を有する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は超電導体の製造方法に係
り、特に超電導特性の優れたBi系酸化物超電導体の製
造方法の改良に関する。
り、特に超電導特性の優れたBi系酸化物超電導体の製
造方法の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】Bi系(Bi−Sr−Ca−Cu−O
系:Biの一部をPbに置換したものも含む)の酸化物
超電導体は、その臨界温度(Tc)が高く、Y系(Y−
Ba−Cu−O系)の酸化物超電導体に比較して安定性
および加工性に優れるため、液体窒素温度での実用材料
としての応用を目指して研究が進められている。
系:Biの一部をPbに置換したものも含む)の酸化物
超電導体は、その臨界温度(Tc)が高く、Y系(Y−
Ba−Cu−O系)の酸化物超電導体に比較して安定性
および加工性に優れるため、液体窒素温度での実用材料
としての応用を目指して研究が進められている。
【0003】このBi系の超電導体には、その組成によ
り3種のTcを有する相が存在するが、特に110K級
のTcを示すHigh Tc相と呼ばれる(2223)
相は、(Bi+Pb):Sr:Ca:Cu=2:2:
2:3のモル比を有し、機械的な圧縮加工等により組織
の配向性が向上することから長尺の線材の製造方法に適
していることが知られている。
り3種のTcを有する相が存在するが、特に110K級
のTcを示すHigh Tc相と呼ばれる(2223)
相は、(Bi+Pb):Sr:Ca:Cu=2:2:
2:3のモル比を有し、機械的な圧縮加工等により組織
の配向性が向上することから長尺の線材の製造方法に適
していることが知られている。
【0004】長尺の線材を製造する方法の一つとして、
金属シース法が知られており、この方法は、原料粉末を
金属管中に充填し、これに線引加工や圧延加工等の減面
加工を施した後、焼結することにより内部の原料粉末を
超電導体に成長させて超電導線を製造するもので、金属
管で被覆されているために非常に加工が容易である上、
板状組織を有するBi系の超電導体は、上記の減面加工
により結晶面が同方向に揃い結晶の配向性が向上するた
め、高い臨界電流密度(Jc)を有する線材が得られ
る。
金属シース法が知られており、この方法は、原料粉末を
金属管中に充填し、これに線引加工や圧延加工等の減面
加工を施した後、焼結することにより内部の原料粉末を
超電導体に成長させて超電導線を製造するもので、金属
管で被覆されているために非常に加工が容易である上、
板状組織を有するBi系の超電導体は、上記の減面加工
により結晶面が同方向に揃い結晶の配向性が向上するた
め、高い臨界電流密度(Jc)を有する線材が得られ
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記のHigh Tc
相は、80K級のTcを示すLow Tc相と呼ばれる
(2212)相(Bi:Sr:Ca:Cu=2:2:
1:2のモル比を有する)にCa、Cuイオンが拡散す
ることにより成長する。そのため、High Tc相を
得るための原料の形態は(Low Tc相+不足する元
素)となっている。
相は、80K級のTcを示すLow Tc相と呼ばれる
(2212)相(Bi:Sr:Ca:Cu=2:2:
1:2のモル比を有する)にCa、Cuイオンが拡散す
ることにより成長する。そのため、High Tc相を
得るための原料の形態は(Low Tc相+不足する元
素)となっている。
【0006】これを所定の温度で熱処理することにより
High Tc相が得られるが、最終的にはHigh
Tc相にCa−Cu−O化合物が異相として残留する。
さらにこの異相は数μmオーダで数多く生成し、そのサ
イズをコントロールすることが困難であるためにJc等
の特性を向上させる際のネックとなっている。Jcを向
上させるためには、上記の異相の生成を抑制し、かつそ
のサイズを微細化する必要がある。
High Tc相が得られるが、最終的にはHigh
Tc相にCa−Cu−O化合物が異相として残留する。
さらにこの異相は数μmオーダで数多く生成し、そのサ
イズをコントロールすることが困難であるためにJc等
の特性を向上させる際のネックとなっている。Jcを向
上させるためには、上記の異相の生成を抑制し、かつそ
のサイズを微細化する必要がある。
【0007】本発明は上記の問題を解決するためになさ
れたもので、超電導体の前駆体となる(2223)相組
成の原料粉末にPt粉末を添加することにより、異相の
生成を抑制し、かつそのサイズを微細化してJcを向上
させることのできるBi系酸化物超電導体の製造方法を
提供することをその目的とする。
れたもので、超電導体の前駆体となる(2223)相組
成の原料粉末にPt粉末を添加することにより、異相の
生成を抑制し、かつそのサイズを微細化してJcを向上
させることのできるBi系酸化物超電導体の製造方法を
提供することをその目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のBi系酸化物超電導体の製造方法は、B
i、Pb、Sr、CaまたはCuからなる各金属元素
を、(Bi+Pb):Sr:Ca:Cu=2:2:2:
3の概略モル比で含む超電導前駆体からなる原料粉末を
成型した後、熱処理を施して酸化物超電導体を製造する
際に、原料粉末中にPtの粉末を添加するようにしたも
のである。
めに、本発明のBi系酸化物超電導体の製造方法は、B
i、Pb、Sr、CaまたはCuからなる各金属元素
を、(Bi+Pb):Sr:Ca:Cu=2:2:2:
3の概略モル比で含む超電導前駆体からなる原料粉末を
成型した後、熱処理を施して酸化物超電導体を製造する
際に、原料粉末中にPtの粉末を添加するようにしたも
のである。
【0009】本発明における原料粉末は、例えば出発原
料としてBi、Sr、Ca、Cuの各金属元素を含む酸
化物、炭酸塩、硝酸塩等の粉末を用いて作製した固相法
によるもの、あるいは共沈法、ゾルーゲル法等によるも
のが用いられ、均一な組成を有するものであればいずれ
の粉末も用いることができる。また、この原料粉末はL
ow Tc相を生成させるための仮焼結後、または仮焼
結前のいずれの状態でも用いることができる。
料としてBi、Sr、Ca、Cuの各金属元素を含む酸
化物、炭酸塩、硝酸塩等の粉末を用いて作製した固相法
によるもの、あるいは共沈法、ゾルーゲル法等によるも
のが用いられ、均一な組成を有するものであればいずれ
の粉末も用いることができる。また、この原料粉末はL
ow Tc相を生成させるための仮焼結後、または仮焼
結前のいずれの状態でも用いることができる。
【0010】原料粉末に添加されるPtの粉末は、粒径
0.1〜3μmで、かつ原料粉末中に0.1〜5wt%
添加されることが好ましい。この粒径が3μmを越える
と、CaPt化合物が偏析する傾向が増大する。また、
Ptの添加量が0.1wt%未満であると、Ca−Cu
−O化合物の析出を抑制する効果が小さく、一方5wt
%を越える添加量の場合には、PtがBi等と反応して
High Tc相の成長を阻害する。
0.1〜3μmで、かつ原料粉末中に0.1〜5wt%
添加されることが好ましい。この粒径が3μmを越える
と、CaPt化合物が偏析する傾向が増大する。また、
Ptの添加量が0.1wt%未満であると、Ca−Cu
−O化合物の析出を抑制する効果が小さく、一方5wt
%を越える添加量の場合には、PtがBi等と反応して
High Tc相の成長を阻害する。
【0011】Ptの粉末の粒径および添加量のより好ま
しい値は、1μmおよび3wt%である。
しい値は、1μmおよび3wt%である。
【0012】
【作用】本発明の方法においては、超電導体の前駆体と
なる原料粉末中にPtを添加することにより、熱処理時
にPtがCaと反応しCa−Cu−O化合物の生成が抑
制される。また、この際に生成するCa−Pt化合物の
サイズはサブμmオーダに微細化されるため、Jc等の
特性を向上させることができる。
なる原料粉末中にPtを添加することにより、熱処理時
にPtがCaと反応しCa−Cu−O化合物の生成が抑
制される。また、この際に生成するCa−Pt化合物の
サイズはサブμmオーダに微細化されるため、Jc等の
特性を向上させることができる。
【0013】
【実施例】以下本発明の実施例および比較例について説
明する。 実施例1〜4 共沈法によりBi1.80Pb0.25Sr2.00Ca2.10Cu3.
00OY 組成の粉末(平均粒径5μm)を作製し、この原
料粉末に所定の粒径を有するPt粉末を所定量添加し
た。これを混合した粉末をペレット状に成型した後、大
気中で840℃で100時間の熱処理を施した。
明する。 実施例1〜4 共沈法によりBi1.80Pb0.25Sr2.00Ca2.10Cu3.
00OY 組成の粉末(平均粒径5μm)を作製し、この原
料粉末に所定の粒径を有するPt粉末を所定量添加し
た。これを混合した粉末をペレット状に成型した後、大
気中で840℃で100時間の熱処理を施した。
【0014】このようにして得られた超電導体の臨界電
流密度(at 77K、0T)を、Pt粉末の添加量お
よび粒径、生成した不純物の種類およびサイズ、Hig
hTc相の分率とともに表1に示す。尚、表1中のHi
gh Tc相の分率は、XRD(X線回折)チャート上
でHigh Tc相のピーク強度をIH 、LowTc相
のピーク強度をIL とした時にIH ×100/(IH +
IL )として表した。
流密度(at 77K、0T)を、Pt粉末の添加量お
よび粒径、生成した不純物の種類およびサイズ、Hig
hTc相の分率とともに表1に示す。尚、表1中のHi
gh Tc相の分率は、XRD(X線回折)チャート上
でHigh Tc相のピーク強度をIH 、LowTc相
のピーク強度をIL とした時にIH ×100/(IH +
IL )として表した。
【0015】
【表1】
【0016】比較例 Pt粉末を添加せずに、以下実施例と同様にして超電導
体を製造し、その臨界電流密度を、生成した不純物の種
類およびサイズ、High Tc相の分率とともに表1
に示した。
体を製造し、その臨界電流密度を、生成した不純物の種
類およびサイズ、High Tc相の分率とともに表1
に示した。
【0017】
【発明の効果】以上述べたように本発明の方法によれ
ば、超電導体の前駆体となる(2223)相組成の原料
粉末にPt粉末を添加することにより、不純物相の生成
を抑制し、かつそのサイズを微細化することができるた
め、High Tc相の分率が高く特性の優れたBi系
の酸化物超電導体を容易に製造することができる。
ば、超電導体の前駆体となる(2223)相組成の原料
粉末にPt粉末を添加することにより、不純物相の生成
を抑制し、かつそのサイズを微細化することができるた
め、High Tc相の分率が高く特性の優れたBi系
の酸化物超電導体を容易に製造することができる。
Claims (2)
- 【請求項1】Bi、Pb、Sr、CaまたはCuからな
る各金属元素を、(Bi+Pb):Sr:Ca:Cu=
2:2:2:3の概略モル比で含む超電導前駆体からな
る原料粉末を成型した後、熱処理を施して酸化物超電導
体を製造する方法において、前記原料粉末中にPtの粉
末を添加することを特徴とするBi系酸化物超電導体の
製造方法。 - 【請求項2】Ptの粉末は、粒径0.1〜3μmで、か
つ原料粉末中に0.1〜5wt%添加されることを特徴
とする請求項1記載のBi系酸化物超電導体の製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5012510A JPH06219817A (ja) | 1993-01-28 | 1993-01-28 | Bi系酸化物超電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5012510A JPH06219817A (ja) | 1993-01-28 | 1993-01-28 | Bi系酸化物超電導体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06219817A true JPH06219817A (ja) | 1994-08-09 |
Family
ID=11807349
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5012510A Withdrawn JPH06219817A (ja) | 1993-01-28 | 1993-01-28 | Bi系酸化物超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06219817A (ja) |
-
1993
- 1993-01-28 JP JP5012510A patent/JPH06219817A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000404 |