JPH06208198A - 写真材料 - Google Patents
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- JPH06208198A JPH06208198A JP5307116A JP30711693A JPH06208198A JP H06208198 A JPH06208198 A JP H06208198A JP 5307116 A JP5307116 A JP 5307116A JP 30711693 A JP30711693 A JP 30711693A JP H06208198 A JPH06208198 A JP H06208198A
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- C08G61/12—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G61/122—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G—PHYSICS
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- G03C1/00—Photosensitive materials
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ポリチオフェンの静電防止層が透明な磁気層
の下または上に配置されていることを特徴とする、その
上表面に少なくとも１つの感光性層および背面に透明な
磁気層を有する透明なフィルム支持体からなる写真材
料。 【効果】 本発明の写真材料は、透明性およびすぐれた
機械的性質および静電防止性を有する。
の下または上に配置されていることを特徴とする、その
上表面に少なくとも１つの感光性層および背面に透明な
磁気層を有する透明なフィルム支持体からなる写真材
料。 【効果】 本発明の写真材料は、透明性およびすぐれた
機械的性質および静電防止性を有する。
Description
【０００１】透明な磁気裏引きを有する写真材料は米国
特許第３，７８２，９４７号、同第４，２７９，９４５
号、同第４，３０２，５２３号および同第４，９９０，
２７９号、ＷＯ９１／１１７５０号およびヨーロツパ特
許（ＥＰ）第４６６，１３０号、同第４６７，３００号
および同第４６７，５３５号に記載されている。
特許第３，７８２，９４７号、同第４，２７９，９４５
号、同第４，３０２，５２３号および同第４，９９０，
２７９号、ＷＯ９１／１１７５０号およびヨーロツパ特
許（ＥＰ）第４６６，１３０号、同第４６７，３００号
および同第４６７，５３５号に記載されている。
【０００２】これらの透明な磁気層により、フィルムの
ユーザーやフィルムを処理する者はデータを記録しそし
て呼び出すことができる。同時に、この層の透明性によ
り、ネガフィルムおよびポジフィルムおよび複写を品質
の損失なしにこれらのフィルムから製造することができ
る。
ユーザーやフィルムを処理する者はデータを記録しそし
て呼び出すことができる。同時に、この層の透明性によ
り、ネガフィルムおよびポジフィルムおよび複写を品質
の損失なしにこれらのフィルムから製造することができ
る。
【０００３】前述の透明な磁気層は磁気顔料としてγ−
Ｆｅ2Ｏ3（必要に応じてコバルトでドーピングされてい
るか、あるいは表面処理されている）を使用し、そして
この磁気顔料は、オーディオテープまたはビデオテープ
の製造から知られているように、結合剤を含まず、高沸
点の溶媒または結合剤溶液の中に分散されている。
Ｆｅ2Ｏ3（必要に応じてコバルトでドーピングされてい
るか、あるいは表面処理されている）を使用し、そして
この磁気顔料は、オーディオテープまたはビデオテープ
の製造から知られているように、結合剤を含まず、高沸
点の溶媒または結合剤溶液の中に分散されている。
【０００４】機械的性質を改良するために種々の添加剤
（例えば、すべり改良剤または硬膜剤）を含有すること
ができる磁気顔料の分散液は、その比較的高い粘度（約
５００〜１０００ｍＰａｓ）のために、通常、スロット
付き塗布装置からフィルム支持体に塗布される。支持体
はポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、スルホイソ
フタル酸で変性されたＰＥＴ（ＳＩＰ−ＰＥＴ）、ポリ
カーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（Ｃ
ＴＡ）またはセルロース混合エステルのフィルムである
ことができる。
（例えば、すべり改良剤または硬膜剤）を含有すること
ができる磁気顔料の分散液は、その比較的高い粘度（約
５００〜１０００ｍＰａｓ）のために、通常、スロット
付き塗布装置からフィルム支持体に塗布される。支持体
はポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、スルホイソ
フタル酸で変性されたＰＥＴ（ＳＩＰ−ＰＥＴ）、ポリ
カーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（Ｃ
ＴＡ）またはセルロース混合エステルのフィルムである
ことができる。
【０００５】有機溶媒の選択は、使用する支持体および
磁気層のための結合剤ならびに塗布機の塗布および乾燥
の条件に依存する。
磁気層のための結合剤ならびに塗布機の塗布および乾燥
の条件に依存する。
【０００６】概して、磁性裏引きはフィルム支持体に塗
布すべき最初の層であり、次いで初めて感光性写真層が
上表面に塗布される。必要に応じて、結合層、例えば、
８８重量％の塩化ビニリデン、１０重量％のメチルアク
リレートおよび２重量％のイタコン酸のコポリマーをフ
ィルム支持体の背面に塗布する。
布すべき最初の層であり、次いで初めて感光性写真層が
上表面に塗布される。必要に応じて、結合層、例えば、
８８重量％の塩化ビニリデン、１０重量％のメチルアク
リレートおよび２重量％のイタコン酸のコポリマーをフ
ィルム支持体の背面に塗布する。
【０００７】写真材料の製造における高い塗布速度およ
びプラスチックフィルムを巻き取りそして巻き戻すと
き、プラスチックフィルムが容易に静電的に帯電するよ
うになることが知られているために、静電的放電は塗布
処理の間に起こり、火花（巻き戻しの火花）を発生しや
すく、これらの火花は透明なフィルム支持体を通過しそ
して感光性層の中に早期の露光を引き起こす。
びプラスチックフィルムを巻き取りそして巻き戻すと
き、プラスチックフィルムが容易に静電的に帯電するよ
うになることが知られているために、静電的放電は塗布
処理の間に起こり、火花（巻き戻しの火花）を発生しや
すく、これらの火花は透明なフィルム支持体を通過しそ
して感光性層の中に早期の露光を引き起こす。
【０００８】したがって、このような火花を防止する静
電防止層をもつ磁性裏引きを提供することが望ましい。
同時に、このような静電防止層は、写真材料がほこりを
引き付ける傾向を防止するか、あるいは大きく減少する
ので、複写と磁気記録および読み取りの両者のために有
益である。
電防止層をもつ磁性裏引きを提供することが望ましい。
同時に、このような静電防止層は、写真材料がほこりを
引き付ける傾向を防止するか、あるいは大きく減少する
ので、複写と磁気記録および読み取りの両者のために有
益である。
【０００９】このような静電防止層を透明な磁気層の上
または下に塗布することができる。静電防止層を磁気層
の上に塗布する場合、また、通常の大気および熱帯の条
件下に滑りおよび粘着性に関する写真の要件を満足しな
くてはならない表面性質をもち、ならびに磁気ヘッドが
生成する機械的応力ために要求される機械的強さを有す
る被覆層を提供することが必要である。
または下に塗布することができる。静電防止層を磁気層
の上に塗布する場合、また、通常の大気および熱帯の条
件下に滑りおよび粘着性に関する写真の要件を満足しな
くてはならない表面性質をもち、ならびに磁気ヘッドが
生成する機械的応力ために要求される機械的強さを有す
る被覆層を提供することが必要である。
【００１０】静電防止層を透明な磁気層の下に塗布する
とき、磁気層はその厚さおよび組成のために絶縁層とし
て作用し、それゆえ静電防止層の有効性は表面の導電性
または表面抵抗の逆数を測定する通常の方法により決定
することができない。その場合において、加えた電圧の
消滅に要求される時間を測定することが必要である。こ
の目的で、磁気層および静電防止層を有するフィルムの
試料を２つの電極の間において交流の場の中に導入し、
そしてフィルムの存在または不存在下に周波数の差を測
定することによって、電荷の減衰時間を決定することが
でき、そしてこの結果に対して変換係数を適用すること
によって、表面抵抗（Ω／単位平方）として層の導電性
を決定することができる。
とき、磁気層はその厚さおよび組成のために絶縁層とし
て作用し、それゆえ静電防止層の有効性は表面の導電性
または表面抵抗の逆数を測定する通常の方法により決定
することができない。その場合において、加えた電圧の
消滅に要求される時間を測定することが必要である。こ
の目的で、磁気層および静電防止層を有するフィルムの
試料を２つの電極の間において交流の場の中に導入し、
そしてフィルムの存在または不存在下に周波数の差を測
定することによって、電荷の減衰時間を決定することが
でき、そしてこの結果に対して変換係数を適用すること
によって、表面抵抗（Ω／単位平方）として層の導電性
を決定することができる。
【００１１】無機または電子伝導性の静電防止剤を含有
する層はこの層の配置のために適当である。
する層はこの層の配置のために適当である。
【００１２】従来記載されそしてある程度までまた実際
に使用されている静電防止剤は、多少の例外を除外し
て、重大な欠点を有し、これらの欠点はここに記載する
透明な磁気層を静電防止的に装備するために適当な静電
防止剤の探求に導いた。
に使用されている静電防止剤は、多少の例外を除外し
て、重大な欠点を有し、これらの欠点はここに記載する
透明な磁気層を静電防止的に装備するために適当な静電
防止剤の探求に導いた。
【００１３】五酸化バナジウムはその毒性のために実際
の使用に推奨されない。そのうえ、それは層の性質の改
良に必須な結合剤の添加に耐えるすることができない。
ポリアニリンは高い固有の色のために排除しなくてはな
らない。
の使用に推奨されない。そのうえ、それは層の性質の改
良に必須な結合剤の添加に耐えるすることができない。
ポリアニリンは高い固有の色のために排除しなくてはな
らない。
【００１４】ドーピングしたＳｎＯ２はこの物質の粉砕
のとき伴う問題のためにかなりの技術的手段によりはじ
めて使用することができそして、沈降を防止するため
に、高度に粘性の結合剤を塗布溶液に添加することが必
要である。したがって、それは比較的高価な塗布系を必
要とする。
のとき伴う問題のためにかなりの技術的手段によりはじ
めて使用することができそして、沈降を防止するため
に、高度に粘性の結合剤を塗布溶液に添加することが必
要である。したがって、それは比較的高価な塗布系を必
要とする。
【００１５】ポリスチレンスルホン酸は、静電防止層の
ために非常に頻繁に使用されており、水に容易に溶解
し、したがってその静電防止層が永久的ではないという
重大な欠点を有する。
ために非常に頻繁に使用されており、水に容易に溶解
し、したがってその静電防止層が永久的ではないという
重大な欠点を有する。
【００１６】本発明の目的は、背面に透明な磁気層を有
する写真材料のための前述の欠点をもたない静電防止層
を提供することである。
する写真材料のための前述の欠点をもたない静電防止層
を提供することである。
【００１７】今回、この問題はポリチオフェン、とくに
ポリエチレンジオキシチオフェンを使用して解決するこ
とができることが発見された。
ポリエチレンジオキシチオフェンを使用して解決するこ
とができることが発見された。
【００１８】ポリチオフェンは次の利点の組み合わせを
有する：ほとんど固有の色をもたない電子伝導性、処理
後の導電性の永久性および大気の相対湿度からの導電性
の独立性。
有する：ほとんど固有の色をもたない電子伝導性、処理
後の導電性の永久性および大気の相対湿度からの導電性
の独立性。
【００１９】透明なフィルム支持体をもつ写真材料は、
普通のフィルム、例えば、黒白ネガフィルム、黒白反転
フィルム、カラーネガフィルムおよびカラー反転フィル
ムならびに特別のフィルム、例えば、マイクロラジオグ
ファフィ、Ｘ線診断、赤外線写真などのフィルムである
ことができる。
普通のフィルム、例えば、黒白ネガフィルム、黒白反転
フィルム、カラーネガフィルムおよびカラー反転フィル
ムならびに特別のフィルム、例えば、マイクロラジオグ
ファフィ、Ｘ線診断、赤外線写真などのフィルムである
ことができる。
【００２０】フィルム支持体は、例えば、酢酸セルロー
ス、とくにセルローストリアセテート、ポリカーボネー
ト、とくにポリエステルのシートであることができる。
とくに適当なポリエステル支持体は、９０〜９８モル％
のポリエチレンテレフタレートおよび２〜１０モル％の
ポリエチレンスルホイソフタレートおよび必要に応じて
他の普通に使用されるポリエステルを含有するコポリエ
ステルの支持体である。
ス、とくにセルローストリアセテート、ポリカーボネー
ト、とくにポリエステルのシートであることができる。
とくに適当なポリエステル支持体は、９０〜９８モル％
のポリエチレンテレフタレートおよび２〜１０モル％の
ポリエチレンスルホイソフタレートおよび必要に応じて
他の普通に使用されるポリエステルを含有するコポリエ
ステルの支持体である。
【００２１】適当なポリチオフェンは、とくにポリマー
のカルボン酸またはポリマーのスルホン酸のアニオンを
含有するものである。それらは、とくに、欧州特許出願
公開（ＥＰ−Ａ）第４４０，９５７号に従いポリマーの
カルボン酸またはポリマーのスルホン酸の存在下にチオ
フェンを酸化的に重合することによって製造される。好
ましい実施態様において、磁気顔料を３０〜１００ｍｇ
／ｍ2の量で使用し、そしてポリチオフェン（アニオン
を含まない）を１〜２０ｍｇ／ｍ2の量で使用する。
のカルボン酸またはポリマーのスルホン酸のアニオンを
含有するものである。それらは、とくに、欧州特許出願
公開（ＥＰ−Ａ）第４４０，９５７号に従いポリマーの
カルボン酸またはポリマーのスルホン酸の存在下にチオ
フェンを酸化的に重合することによって製造される。好
ましい実施態様において、磁気顔料を３０〜１００ｍｇ
／ｍ2の量で使用し、そしてポリチオフェン（アニオン
を含まない）を１〜２０ｍｇ／ｍ2の量で使用する。
【００２２】磁気層はとくに０．５〜２μｍの乾燥層厚
さを有し、そして静電防止層は０．０５〜０．２μｍの
乾燥層厚さを有する。
さを有し、そして静電防止層は０．０５〜０．２μｍの
乾燥層厚さを有する。
【００２３】静電防止層は好ましくは磁気層の下に塗布
される。
される。
【００２４】
【実施例】実施例１〜５ １．ポリエチレンジオキシチオフェンの製造 １．１ 遊離ＰＳＳ酸の製造 １リットルのポリスチレンスルホン酸のナトリウム塩
（分子量約４０，０００）の７．５重量％の溶液を、３
リットルのＨ+型の強酸のイオン交換体を含有するガラ
スのカラムを通して流し、そして遊離酸を集める。この
イオン交換体を引き続いて約３リットルの脱イオン水で
すすぐ。このＰＳＳ溶液の固体含量は約２．５重量％、
合計の体積は約４リットルのである。
（分子量約４０，０００）の７．５重量％の溶液を、３
リットルのＨ+型の強酸のイオン交換体を含有するガラ
スのカラムを通して流し、そして遊離酸を集める。この
イオン交換体を引き続いて約３リットルの脱イオン水で
すすぐ。このＰＳＳ溶液の固体含量は約２．５重量％、
合計の体積は約４リットルのである。
【００２５】１．２ ポリエチレンジオキシチオフェン
の製造 （ＰＥＤＴ／ＰＳＳ溶液）６０ｇの過硫酸カリウムおよ
び０．５ｇのＦｅ（ＳＯ4）3を４リットルの２．５重量
％の前述したように調製したＰＳＳ溶液の中に導入し、
そしてこの混合物を溶解するまで撹拌する。次いで２
８．０ｇの３，４−エチレンジオキシチオフェンを撹拌
しながら添加し、そして脱イオン水で５ｋｇにする。次
いで反応混合物を２０〜２５℃において２４時間撹拌す
る。この溶液を５リットルの水で希釈し、そして５００
ｇの水で加湿した強酸のイオン交換体（Ｈ−型）および
５００ｇの水で加湿した弱塩基性のイオン交換体（ＯＨ
−型）を添加し、そしてこの混合物を室温において８時
間撹拌する。次いでイオン交換体を粗いナイロンのフィ
ルタークロスを通して濾過する。この溶液の固体含量：
１．２重量％。
の製造 （ＰＥＤＴ／ＰＳＳ溶液）６０ｇの過硫酸カリウムおよ
び０．５ｇのＦｅ（ＳＯ4）3を４リットルの２．５重量
％の前述したように調製したＰＳＳ溶液の中に導入し、
そしてこの混合物を溶解するまで撹拌する。次いで２
８．０ｇの３，４−エチレンジオキシチオフェンを撹拌
しながら添加し、そして脱イオン水で５ｋｇにする。次
いで反応混合物を２０〜２５℃において２４時間撹拌す
る。この溶液を５リットルの水で希釈し、そして５００
ｇの水で加湿した強酸のイオン交換体（Ｈ−型）および
５００ｇの水で加湿した弱塩基性のイオン交換体（ＯＨ
−型）を添加し、そしてこの混合物を室温において８時
間撹拌する。次いでイオン交換体を粗いナイロンのフィ
ルタークロスを通して濾過する。この溶液の固体含量：
１．２重量％。
【００２６】Ｋ+およびＳＯ4 2-含量を分析的に検査す
る。Ｋ+含量は＜４５０ｐｐｍ、ＳＯ4 2-含量は０．１ｇ
／ｌ以下そしてＦｅ含量は４ｐｐｍ以下であるべきであ
る。
る。Ｋ+含量は＜４５０ｐｐｍ、ＳＯ4 2-含量は０．１ｇ
／ｌ以下そしてＦｅ含量は４ｐｐｍ以下であるべきであ
る。
【００２７】２．静電防止層の塗布に使用する溶液の調
製 ２．１ 静電防止溶液（ＡＳｔ−１） ８．３ｍｌのＰＥＤＴ／ＰＳＳ溶液 １６．７ｍｌの水 １０ｍｌのメタノール ６５ｍｌのアセトン ２．２ 静電防止溶液（ＡＳｔ−２） ８．３ｍｌのＰＥＤＴ／ＰＳＳ溶液 １．７ｍｌの水 ２５ｍｌのメタノール ６５ｍｌのアセトン ２．３ 静電防止溶液（ＡＳｔ−３） ８．３ｍｌのＰＥＤＴ／ＰＳＳ溶液 ９１．７ｍｌの水 ２．４ 静電防止溶液（ＡＳｔ−４） 溶液Ａ：３３ｍｌのＰＳＳ−Ｎａ溶液（Ｈ2Ｏ中の１３
重量％；分子量約４０，０００） ２ｍｌの水 ６５ｍｌのメタノール 溶液Ｂ：３００ｍｌのメタノール ６００ｍｌのアセトン 溶液Ａを溶液Ｂの中に撹拌しながら導入する。
製 ２．１ 静電防止溶液（ＡＳｔ−１） ８．３ｍｌのＰＥＤＴ／ＰＳＳ溶液 １６．７ｍｌの水 １０ｍｌのメタノール ６５ｍｌのアセトン ２．２ 静電防止溶液（ＡＳｔ−２） ８．３ｍｌのＰＥＤＴ／ＰＳＳ溶液 １．７ｍｌの水 ２５ｍｌのメタノール ６５ｍｌのアセトン ２．３ 静電防止溶液（ＡＳｔ−３） ８．３ｍｌのＰＥＤＴ／ＰＳＳ溶液 ９１．７ｍｌの水 ２．４ 静電防止溶液（ＡＳｔ−４） 溶液Ａ：３３ｍｌのＰＳＳ−Ｎａ溶液（Ｈ2Ｏ中の１３
重量％；分子量約４０，０００） ２ｍｌの水 ６５ｍｌのメタノール 溶液Ｂ：３００ｍｌのメタノール ６００ｍｌのアセトン 溶液Ａを溶液Ｂの中に撹拌しながら導入する。
【００２８】 ３．被覆層のための溶液（ＤＳ）の調製 ３．１ ＤＳ−１ ＤＳ−２ セルロースジアセテート（ｍｌ） ２ ２ （アセトン中の１０重量％） メタノール（ｍｌ） ３３ ５３ アセトン（ｍｌ） ６３ ４３ 水（ｍｌ） １．７ １．９ ポリエチレン分散液（ｍｌ） ０．３ １．０ （Ｈ2Ｏ中の５重量％） ４．磁気層の溶液の調製 ４．１ 粉砕分散液１（ＭＤ−１） ２５０ｇのコバルト処理γ−Ｆｅ2Ｏ3、平均粒子直径
０．１５〜０．３μｍ、長さ／幅の比５：１〜６：１を
もつ針状結晶 １２．５ｇのリン酸エステルの湿潤剤および ４８７３５ｇのトリクレシルホスフェート を容器の中で撹拌しながら混合し、その間温度を水で冷
却することによって約２０℃に維持する。
０．１５〜０．３μｍ、長さ／幅の比５：１〜６：１を
もつ針状結晶 １２．５ｇのリン酸エステルの湿潤剤および ４８７３５ｇのトリクレシルホスフェート を容器の中で撹拌しながら混合し、その間温度を水で冷
却することによって約２０℃に維持する。
【００２９】７５ｍｌのガラス球（直径１ｍｍおよび２
ｍｍ）をこの混合物に添加し、そしてこの混合物を直径
が容器の直径の約２／３である有孔粉砕ディスクで撹拌
する。撹拌速度は１８５０ｒｐｍである。凝集物をほと
んど含有しない非常にすぐれた磁性分散液が、６時間の
粉砕後に、得られる。引き続いて、ガラス球を粗いメッ
シュのフィルタークロスを通す濾過により磁性分散液か
ら分離する。
ｍｍ）をこの混合物に添加し、そしてこの混合物を直径
が容器の直径の約２／３である有孔粉砕ディスクで撹拌
する。撹拌速度は１８５０ｒｐｍである。凝集物をほと
んど含有しない非常にすぐれた磁性分散液が、６時間の
粉砕後に、得られる。引き続いて、ガラス球を粗いメッ
シュのフィルタークロスを通す濾過により磁性分散液か
ら分離する。
【００３０】４．２ 粉砕分散液２（ＭＤ−２） 結合剤を含有する粉砕分散液を、次のようにして、粉砕
分散液１と同様にして調製する。
分散液１と同様にして調製する。
【００３１】４０ｇのセルローストリアセテートを６４
６ｍｌの塩化メチレンおよび７２．５ｍｌのメタノール
中に溶解する。次いで、５．１ｇのトリフェニルホスフ
ェート１．６ｇのｉ−セチルステアレート、４．８ｇの
ラウリン酸および６．４ｇのリン酸エステルの湿潤剤を
この溶液に添加する。
６ｍｌの塩化メチレンおよび７２．５ｍｌのメタノール
中に溶解する。次いで、５．１ｇのトリフェニルホスフ
ェート１．６ｇのｉ−セチルステアレート、４．８ｇの
ラウリン酸および６．４ｇのリン酸エステルの湿潤剤を
この溶液に添加する。
【００３２】成分がよく混合されたとき、１６０ｇのＭ
Ｄ−１で記載した磁気顔料をゆっくり添加し、そして前
述したようにガラス球の存在下に１９００ｒｐｍで強く
冷却しながらこの混合物を撹拌する。この得られた分散
液は微粉砕の程度が多少低いが、事実上凝集物を含有し
ない。
Ｄ−１で記載した磁気顔料をゆっくり添加し、そして前
述したようにガラス球の存在下に１９００ｒｐｍで強く
冷却しながらこの混合物を撹拌する。この得られた分散
液は微粉砕の程度が多少低いが、事実上凝集物を含有し
ない。
【００３３】４．３ 粉砕分散液３（ＭＤ−３） １５０ｍｌの１１重量％のポリメチルメタクリレートの
溶液および１５０ｍｌの２−メトキシプロパノール中の
１２０ｇのＭＤ−１と同一の磁気顔料（コバルトをドー
ピングしたγ−Ｆｅ2Ｏ3）の混合物をパールミルの中で
３０００ｒｐｍで撹拌しながら４時間粉砕し、次いでガ
ラス球から分離する。
溶液および１５０ｍｌの２−メトキシプロパノール中の
１２０ｇのＭＤ−１と同一の磁気顔料（コバルトをドー
ピングしたγ−Ｆｅ2Ｏ3）の混合物をパールミルの中で
３０００ｒｐｍで撹拌しながら４時間粉砕し、次いでガ
ラス球から分離する。
【００３４】４．４ 磁気層の塗布溶液（ＭＳ−１） ７５ｇのセルローストリアセテートを、６２３ｍｌの塩
化メチレンおよび６９ｍｌのメタノールの中に撹拌しな
がら溶解し、次いで９．６ｇのトリフェニルホスフェー
ト、３．０ｇのｉ−セチルステアレート、２３２ｍｌの
アセトンおよび３．２１ｇのＭＤ−２、を添加する。
化メチレンおよび６９ｍｌのメタノールの中に撹拌しな
がら溶解し、次いで９．６ｇのトリフェニルホスフェー
ト、３．０ｇのｉ−セチルステアレート、２３２ｍｌの
アセトンおよび３．２１ｇのＭＤ−２、を添加する。
【００３５】この混合物を普通の実験室の溶解器の中で
１５分間激しく撹拌（約２０００ｒｐｍ）し、次いで洗
浄ローラーにより下塗りをしていないセルローストリア
セテート支持体に塗布することができる。湿式塗布：５
６μｍ、乾燥層厚さ：２．６μｍ、磁気顔料の塗布：６
０ｍｇ／ｍ2。
１５分間激しく撹拌（約２０００ｒｐｍ）し、次いで洗
浄ローラーにより下塗りをしていないセルローストリア
セテート支持体に塗布することができる。湿式塗布：５
６μｍ、乾燥層厚さ：２．６μｍ、磁気顔料の塗布：６
０ｍｇ／ｍ2。
【００３６】４．５ 塗布溶液ＭＳ−２ 塗布溶液ＭＳ−１におけるように調製した塗布溶液ＭＳ
−２は、次の組成を有する： ７５ｇのセルローストリアセテート ６２３ｍｌの塩化メチレン ６９ｍｌのメタノール ９．６ｇのトリフェニルホスフェート、 ３．０ｇのｉ−セチルステアレート、 ２３２ｍｌのアセトン ３．２１ｇのＭＤ−１ ４．６ 塗布溶液ＭＳ−３ ３．２１ｇのＭＳ−３を撹拌しながら４００ｍｌのアセ
トンおよび４００ｍｌのメトキシプロパノール中の３０
ｇのポリメチルメタクリレートの溶液（溶液の粘度：約
１０００ｍＰａｓ）に添加し、そしてこの混合物を２０
００ｒｐｍで１５分間撹拌し、次いでＰＶＤＣ結合層
（８８重量％の塩化ビニリデン、１０重量％メチルアク
リレート、２重量％のイタコン酸）およびＰＥＤＴ静電
防止層を有するＰＥＴ支持体に塗布することができる。
−２は、次の組成を有する： ７５ｇのセルローストリアセテート ６２３ｍｌの塩化メチレン ６９ｍｌのメタノール ９．６ｇのトリフェニルホスフェート、 ３．０ｇのｉ−セチルステアレート、 ２３２ｍｌのアセトン ３．２１ｇのＭＤ−１ ４．６ 塗布溶液ＭＳ−３ ３．２１ｇのＭＳ−３を撹拌しながら４００ｍｌのアセ
トンおよび４００ｍｌのメトキシプロパノール中の３０
ｇのポリメチルメタクリレートの溶液（溶液の粘度：約
１０００ｍＰａｓ）に添加し、そしてこの混合物を２０
００ｒｐｍで１５分間撹拌し、次いでＰＶＤＣ結合層
（８８重量％の塩化ビニリデン、１０重量％メチルアク
リレート、２重量％のイタコン酸）およびＰＥＤＴ静電
防止層を有するＰＥＴ支持体に塗布することができる。
【００３７】次いで、前述の塗布溶液を表１に示す背面
の塗布層の調製に使用する（層の順序は支持体から出発
する）。
の塗布層の調製に使用する（層の順序は支持体から出発
する）。
【００３８】
【表１】
【００３９】表１は本発明による利点を示す： １．透明な磁気層を水溶性イオン源のＰＳＳ静電防止層
に塗布する場合、この層の不十分な接着性（実施例２参
照）が中程度の導電性（これは減衰時間から計算するこ
とができる）と組み合わせて得られる。
に塗布する場合、この層の不十分な接着性（実施例２参
照）が中程度の導電性（これは減衰時間から計算するこ
とができる）と組み合わせて得られる。
【００４０】２．ＰＳＳ静電防止層を磁気層の上に塗布
する場合、表面の導電性は直接測定可能であるが、それ
は永久的でない、すなわち、それは現像後事実上ゼロで
ある（実施例４参照）。
する場合、表面の導電性は直接測定可能であるが、それ
は永久的でない、すなわち、それは現像後事実上ゼロで
ある（実施例４参照）。
【００４１】３．他方において、ＰＥＤＴ静電防止層を
本発明に従い磁気層の下に塗布する場合、それは磁気層
の結合剤の組成に無関係に支持体に対してすぐれた接着
性を有する（実施例１および５）。
本発明に従い磁気層の下に塗布する場合、それは磁気層
の結合剤の組成に無関係に支持体に対してすぐれた接着
性を有する（実施例１および５）。
【００４２】４．ＰＥＤＴ少なくとも２つのの静電防止
効果は層の位置に無関係に永久的である、すなわち、こ
の効果は層の処理により損失しない。
効果は層の位置に無関係に永久的である、すなわち、こ
の効果は層の処理により損失しない。
【００４３】５．磁気層の下のＰＥＤＴ静電防止層の配
置は、多少より高い磁気飽和および残留磁気という追加
の利点を提供する。
置は、多少より高い磁気飽和および残留磁気という追加
の利点を提供する。
【００４４】本発明の主な特徴および態様は、次の通り
である。
である。
【００４５】１、ポリチオフェンの静電防止層が透明な
磁気層の下または上に配置されていることを特徴とす
る、その上表面に少なくとも１つの感光性層および背面
に透明な磁気層を有する透明なフィルム支持体からなる
写真材料。
磁気層の下または上に配置されていることを特徴とす
る、その上表面に少なくとも１つの感光性層および背面
に透明な磁気層を有する透明なフィルム支持体からなる
写真材料。
【００４６】２、ポリチオフェンがポリエチレンジオキ
シチオフェンであることを特徴とする上記第１項記載の
写真材料。
シチオフェンであることを特徴とする上記第１項記載の
写真材料。
【００４７】３、ポリチオフェンがポリマーのカルボン
酸またはポリマーのスルホン酸のアニオンを含有するこ
とを特徴とする上記第１項記載の写真材料。
酸またはポリマーのスルホン酸のアニオンを含有するこ
とを特徴とする上記第１項記載の写真材料。
【００４８】４、磁気層が磁気顔料としてγ−Ｆｅ2Ｏ3
を含有することを特徴とする上記第１項記載の写真材
料。
を含有することを特徴とする上記第１項記載の写真材
料。
【００４９】５、γ−Ｆｅ2Ｏ3がコバルトでドーピング
または表面処理されていることを特徴とする上記第４項
記載の写真材料。
または表面処理されていることを特徴とする上記第４項
記載の写真材料。
【００５０】６、磁気層が磁気顔料を３０〜１００ｍｇ
／ｍ2の量で含有し、そして静電防止層がポリチオフェ
ン（アニオンを含まない）を１〜２０ｍｇ／ｍ2の量で
含有することを特徴とする上記第１項記載の写真材料。
／ｍ2の量で含有し、そして静電防止層がポリチオフェ
ン（アニオンを含まない）を１〜２０ｍｇ／ｍ2の量で
含有することを特徴とする上記第１項記載の写真材料。
【００５１】７、フィルム支持体が９０〜９８モル％の
ポリエチレンテレフタレート、２〜１０モル％のポリエ
チレンスルホイソフタレートおよび必要に応じて他のポ
リエステルから成ることを特徴とする上記第１項記載の
写真材料。
ポリエチレンテレフタレート、２〜１０モル％のポリエ
チレンスルホイソフタレートおよび必要に応じて他のポ
リエステルから成ることを特徴とする上記第１項記載の
写真材料。
【００５２】８、静電防止層が磁気層の下に配置されて
いることを特徴とする上記第１項記載の写真材料。
いることを特徴とする上記第１項記載の写真材料。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 フリードリヒ・ヨナス ドイツ連邦共和国デー52066アーヘン・ク ルーゲンオーフエン15 (72)発明者 プレム・ラルバニ ドイツ連邦共和国デー51375レーフエルク ーゼン・オプラデナーシユトラーセ43 (72)発明者 ハルトビヒ・アンドリース ベルギー・ビー−2640モルツエル・アプリ ルワランデ63 (72)発明者 ウイレム・ミユース ベルギー・ビー−3120トレメロ・バールセ バーン96
Claims (1)
- 【請求項１】 ポリチオフェンの静電防止層が透明な磁
気層の下または上に配置されていることを特徴とする、
その上表面に少なくとも１つの感光性層および背面に透
明な磁気層を有する透明なフィルム支持体からなる写真
材料。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4238628A DE4238628A1 (de) | 1992-11-16 | 1992-11-16 | Fotografisches Material |
| DE4238628.4 | 1992-11-16 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06208198A true JPH06208198A (ja) | 1994-07-26 |
Family
ID=6472993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5307116A Pending JPH06208198A (ja) | 1992-11-16 | 1993-11-15 | 写真材料 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06208198A (ja) |
| DE (1) | DE4238628A1 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000106278A (ja) * | 1997-09-02 | 2000-04-11 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ素子の製造方法及び有機ｅｌ素子 |
| JP2004031362A (ja) * | 1997-09-02 | 2004-01-29 | Seiko Epson Corp | 正孔注入輸送層用組成物、有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| JP2004031363A (ja) * | 1997-09-02 | 2004-01-29 | Seiko Epson Corp | 正孔注入輸送層用組成物、有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| JP2004031360A (ja) * | 1997-09-02 | 2004-01-29 | Seiko Epson Corp | 正孔注入輸送層用組成物、有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| JP2004031361A (ja) * | 1997-09-02 | 2004-01-29 | Seiko Epson Corp | 正孔注入輸送層用組成物、有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| JP2004055555A (ja) * | 1997-09-02 | 2004-02-19 | Seiko Epson Corp | 正孔注入輸送層用組成物、有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| JP2004111367A (ja) * | 1997-09-02 | 2004-04-08 | Seiko Epson Corp | 正孔注入輸送層用組成物、有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| JP2007077363A (ja) * | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 帯電防止塗料、帯電防止膜及び帯電防止フィルム、光学フィルタ、光情報記録媒体 |
| EP1918326A1 (en) | 2003-06-18 | 2008-05-07 | Shin-Etsu Polymer Co. Ltd. | Conductive composition |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5665498A (en) * | 1996-11-22 | 1997-09-09 | Eastman Kodak Company | Imaging element containing poly(3,4-ethylene dioxypyrrole/styrene sulfonate) |
| DE19722626A1 (de) * | 1997-05-30 | 1998-12-03 | Beiersdorf Ag | Verwendung eines Klebebands zum Schutz der Magnetstreifen von Magnetstreifenkarten, Magnetbändern oder anderen Datenträgern sowie der entsprechenden Lesevorrichtungen |
| EP1081546A1 (en) | 1999-08-30 | 2001-03-07 | Eastman Kodak Company | Coating composition containing electrically-conductive polymer and solvent mixture |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3782947A (en) * | 1972-01-28 | 1974-01-01 | Eastman Kodak Co | Photographic product with photographically transparent magnetic recording medium |
| DE59010247D1 (de) * | 1990-02-08 | 1996-05-02 | Bayer Ag | Neue Polythiophen-Dispersionen, ihre Herstellung und ihre Verwendung |
| FR2659254B1 (fr) * | 1990-03-09 | 1992-07-10 | Clecim Sa | Installation de planage de toles. |
| JP2515167B2 (ja) * | 1990-07-16 | 1996-07-10 | 富士写真フイルム株式会社 | ハロゲン化銀カラ―写真感光材料 |
-
1992
- 1992-11-16 DE DE4238628A patent/DE4238628A1/de not_active Ceased
-
1993
- 1993-11-15 JP JP5307116A patent/JPH06208198A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000106278A (ja) * | 1997-09-02 | 2000-04-11 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ素子の製造方法及び有機ｅｌ素子 |
| JP2004031362A (ja) * | 1997-09-02 | 2004-01-29 | Seiko Epson Corp | 正孔注入輸送層用組成物、有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| JP2004031363A (ja) * | 1997-09-02 | 2004-01-29 | Seiko Epson Corp | 正孔注入輸送層用組成物、有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| JP2004031360A (ja) * | 1997-09-02 | 2004-01-29 | Seiko Epson Corp | 正孔注入輸送層用組成物、有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| JP2004031361A (ja) * | 1997-09-02 | 2004-01-29 | Seiko Epson Corp | 正孔注入輸送層用組成物、有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| JP2004055555A (ja) * | 1997-09-02 | 2004-02-19 | Seiko Epson Corp | 正孔注入輸送層用組成物、有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| JP2004111367A (ja) * | 1997-09-02 | 2004-04-08 | Seiko Epson Corp | 正孔注入輸送層用組成物、有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| EP1918326A1 (en) | 2003-06-18 | 2008-05-07 | Shin-Etsu Polymer Co. Ltd. | Conductive composition |
| EP2014718A1 (en) | 2003-06-18 | 2009-01-14 | Shin-Etsu Polymer Co. Ltd. | Conductive composition, and their production method |
| JP2007077363A (ja) * | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 帯電防止塗料、帯電防止膜及び帯電防止フィルム、光学フィルタ、光情報記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4238628A1 (de) | 1994-07-28 |
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