JPH06207805A - 変位測定装置 - Google Patents

変位測定装置

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JPH06207805A
JPH06207805A JP1937993A JP1937993A JPH06207805A JP H06207805 A JPH06207805 A JP H06207805A JP 1937993 A JP1937993 A JP 1937993A JP 1937993 A JP1937993 A JP 1937993A JP H06207805 A JPH06207805 A JP H06207805A
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聡 安達
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  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 データ合成失敗が発生する変位センサ移動速
度を実用上十分なレベルまで高くしたアブソリュート型
の変位測定装置を提供することを目的とする。 【構成】 ABSセンサ1、その出力信号を処理してそ
れぞれエッジに位相情報を持った粗,中,密スケールの
変位量検出用の方形波信号を得る復調回路3,4,5、
これら復調回路により得られた方形波信号から位相情報
を検出して、粗,中,密スケールの位相データを得る位
相検出回路6,7,8、各位相データをそれぞれ複数回
サンプリングして平均化する平均化回路9、密スケール
の位相データのサンプリングタイミングを基準としてこ
れに近接して中および粗スケールの位相データのサンプ
リングタイミングを決定するサンプリング制御回路1
4、および平均化回路9により得られた各位相データを
合成する合成回路10とを備えた。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ディジタルノギス等の
小型計測器に適用される変位測定装置に係り、特に変位
センサの固定要素に対する可動要素の絶対的な変位量を
測定することを可能としたいわゆるアブソリュート型の
変位測定装置に関する。
【0002】
【従来の技術】測定値を液晶表示装置等に表示するディ
ジタルノギス,ディジタルマイクロメータ,ハイトゲー
ジ等の小型計測器として、静電容量式の変位センサを利
用するものが有望である。静電容量式変位センサは、メ
インスケール等の固定要素と、これに対して相対移動す
るスライダ等の可動要素とにそれぞれ多数の電極が配設
され、固定要素に対する可動要素の移動に伴って電極パ
ターン間に生じる周期的な容量変化の信号を取り出すこ
とにより変位量検出を行うものである。
【0003】この様な変位センサのうちアブソリュート
型の変位センサは、電極パターンの形状によって、粗い
変位量検出のための粗スケール信号と細かい変位量検出
のための密スケール信号、更に必要なら中間の変位量検
出のための中スケール信号の各周期的方形波信号を出力
可能としている。そしてこれらの復調信号からそれぞれ
得られる位相データを合成して、可動要素の絶対的な変
位量(位置)の検出を可能としている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】この様なアブソリュー
ト型変位センサの各方形波信号の位相はエッジに担われ
ており、従ってエッジでしか位相データが得られない。
このため、粗密各位相データのサンプリングタイミング
には当然にずれが生じる。変位センサ移動中は、このサ
ンプリングタイミングのずれにより異なったセンサ位置
での情報をサンプリングすることになり、場合によって
は粗密各位相データの合成に失敗する可能性が出てく
る。この合成エラー発生の可能性は特に変位センサの移
動速度が大きくなる程、高くなり、合成エラーが発生す
ると変位センサ移動中のデータ表示がスムーズでなくな
る。
【0005】本発明は、この様な事情を考慮してなされ
たもので、データ合成失敗が発生する変位センサ移動速
度を実用上十分なレベルまで高くしたアブソリュート型
の変位測定装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる変位測定
装置は、固定要素に対する可動要素の相対位置関係に応
じた出力信号を出す変位センサと、この変位センサの出
力信号を処理して、それぞれエッジに位相情報を持った
少なくとも粗スケールおよび密スケールの変位量検出用
の周期的方形波信号を得る復調手段と、この復調手段に
より得られた周期的方形波信号のそれぞれから位相情報
を検出して、粗スケールおよび密スケールの位相データ
を得る位相検出手段と、前記粗スケールおよび密スケー
ルの各位相データをそれぞれ複数回サンプリングして平
均化する平均化手段と、前記粗スケールまたは密スケー
ルの位相データの一方のサンプリングタイミングを基準
としてこれに近接して他方のサンプリングタイミングを
決定するサンプリング制御手段と、前記平均化手段によ
り得られた粗スケールおよび密スケールの位相データを
合成して、前記固定要素に対する前記可動要素の絶対変
位量を求める合成手段とを備えたことを特徴としてい
る。
【0007】
【作用】本発明によれば、粗,密スケールの各位相デー
タを取込むタイミングのずれが小さくなるようにサンプ
リング制御を行って、各位相データのサンプリングタイ
ミングを近付けるという処理を行っている。これによ
り、変位センサが比較的高速で移動している場合にもデ
ータ合成の失敗という事態が防止される。
【0008】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明する。図1は、本発明の一実施例に係る変位測定装
置のシステム構成であり、図2は図1におけるアブソリ
ュート型静電容量式変位センサ(以下、ABSセンサと
いう)1の構成である。
【0009】ABSセンサ1は、図2に示すように、固
定要素であるメインスケール22とこれに対し僅かの間
隙を介して対向配置された可動要素であるスライダ21
とを有する。スライダ21は、メインスケール22に対
して、測定軸x方向に移動可能なものとなっている。ス
ライダ21には、送信電極23が所定ピッチPt0で配設
されている。送信電極23は、メインスケール22にピ
ッチPr で配設された第1受信電極24a及び第2受信
電極24bと容量結合されている。受信電極24a,2
4bは、その配列方向に沿って隣接するピッチPt1,P
t2の第1伝達電極25a,第2伝達電極25bに1対1
で夫々接続されている。伝達電極25a,25bは、夫
々スライダ21側に設けられた第1検出電極26a,2
6b及び第2検出電極27a,27bと容量結合されて
いる。
【0010】送信電極23は、7つおきに共通接続され
て一群が8電極の複数の電極群を構成している。これら
の電極群には、計測モードではそれぞれ位相が45°ず
つずれた8相の周期信号a,b,…,hが駆動信号Sd
として供給されるようになっている。これらの駆動信号
Sdは、より具体的には、高周波パルスでチョップされ
た信号となっており、図1の送信波形発生回路2から生
成出力される。
【0011】送信電極23に駆動信号Sdが供給される
ことにより生ずる電場パターンのピッチWt は、送信電
極23のピッチPt0の8倍であり、このピッチWt は、
受信電極24a,24bのピッチPr のN倍に設定され
ている。ここでNは、1,3,5等の奇数であることが
好ましく、この実施例では3に設定されている。したが
って、8つの連続する送信電極23に対しては常に3乃
至4つの受信電極24a,24bが容量結合されること
になる。受信電極24a,24bは、三角形状又は正弦
波状の電極片を相互に挟み合う形で配設してなるもので
ある。各受信電極24a,24bで受信される信号の位
相は、送信電極23と受信電極24a,24bとの容量
結合面積によって決定されるが、これはスライダ21と
メインスケール22との相対位置によって変化する。
【0012】受信電極24a,24bと伝達電極25
a,25bとが同一ピッチで形成されていれば、検出電
極26a,26b,27a,27bは、単にメインスケ
ール22のx方向位置がピッチPr だけ変化する毎に繰
り返される周期信号を検出することになるが、この実施
例のABSセンサ1では、粗い変位量(粗スケール)、
中間の変位量(中スケール)及び細かい変位量(密スケ
ール)の3つのレベルの変位量を検出するため、伝達電
極25a,25bが、実際には受信電極24a,24b
に対してピッチを変えて夫々D1 ,D2 だけ偏位させて
いる。偏位量D1,D2 は、夫々基準位置x0 からの測
定方向の距離xの関数で、下記数1のように表すことが
できる。
【0013】
【数1】D1(x) =(Pr −Pt1)x/Pr D2(x) =(Pr −Pt2)x/Pr
【0014】伝達電極25a,25bをこのように受信
電極24a,24bに対して偏位させ、検出電極26
a,26b,27a,27bをピッチWr1(=3Pt
1),Wr2(=3Pt2)の波形パターンとすることによ
り、検出電極26,27からは、偏位量D1(x) ,D2
(x) に応じた大きな周期に検出電極25a,25b単
位の小さな周期が重畳された検出信号B1 ,B2 ,C1
,C2 を得ることができる。信号B1 ,B2 は大きな
周期が逆相、小さな周期が同相である。従って両信号の
差から大きな周期の信号が、また両信号の和から小さな
周期の信号が得られる。検出信号C1 ,C2 についても
同様である。ここで、検出信号B1 ,B2 の大きな周期
が小さな周期の数十倍、検出信号C1 ,C2 の大きな周
期が検出信号B1 ,B2 の大きな周期の数十倍になるよ
うに電極パターンを設定することにより、下記数2の演
算で各レベルの変位を得ることができる。
【0015】
【数2】 C1 −C2 (粗スケール) B1 −B2 (中スケール) (B1 +B2 )−(C1 +C2 ) (密スケール)
【0016】これらの演算出力信号C1 −C2 ,B1 −
B2 ,(B1 +B2 )−(C1 +C2 )は、それぞれ粗
スケール復調回路3,中スケール復調回路4,密スケー
ル復調回路5、および粗位相検出回路6,中位相検出回
路7,密位相検出回路8で処理される。復調は具体的に
は送信波形のチョップ周波数でのサンプリング、ミキシ
ング、低域ろ波、二値化等の処理を経て、エッジに位相
情報を担った周期的方形波信号CMPを生成することに
より行われる。位相検出回路6,7,8からは、送信波
形発生回路2から出力される0°の駆動信号Sdを参照
信号として、各入力信号の位相がディジタル値で出力さ
れる。
【0017】これらの位相検出回路6,7,8から出力
されるディジタル値の各位相データは、複数回のサンプ
リングと平均化処理が行われる。これは、表示ちらつき
の低減や、復調回路3,4,5内の演算増幅器,比較器
等のオフセット相殺のためである。平均化回路9が各位
相検出回路6,7,8からの複数回サンプリングにより
得られる位相データを平均化する部分であり、各位相デ
ータのサンプリングのタイミングを最適化するために、
微分回路13およびサンプリング制御回路14が設けら
れている。これら平均化回路9,微分回路13およびサ
ンプリング制御回路14の部分の詳細は後述する。
【0018】平均化回路9から得られる各位相データ
は、合成回路10で重み付けられて合成される。合成回
路10には、EEPROM等からなるオフセット記憶部
(図示せず)に記憶されたオフセット値も供給されてお
り、合成値のオフセット量が調整できるようになってい
る。合成回路10の出力は、演算・表示回路11におい
て、例えば電極配列ピッチが実寸法値に変換され、得ら
れた実寸法値は表示用デコーダを介してLCD表示器1
2に表示されるようになっている。
【0019】システムコントローラ15は、合成回路1
0,演算・表示回路11に対するイネーブル信号ENB
1 、他の回路に対するイネーブル信号ENB2 、その他
各種リセット信号,クロック信号を発生してシステム全
体の動作を制御している。
【0020】平均化回路9は、粗,中,密スケールの各
位相データをそれぞれ、複数回サンプリングして加算・
平均化する演算部92,94,96およびレジスタ9
1,93,95を有する。粗,中,密の各スケール用方
形波信号CMPF,CMPM,CMPCのうち、表示デ
ータの最下位桁に直接反映して表示ちらつきの最も大き
な原因となるのは、密スケール用方形波信号CMPFで
ある。そのためこの実施例では、密スケール復調回路5
の出力方形波信号CMPFについては4回サンプリング
して平均化し、粗スケールおよび中スケールの復調回路
3,4の各出力方形波信号CMPC,CMPMについて
は、2回のサンプリングを行って平均化する。この際、
密スケール方形波信号CMPFのサンプリングタイミン
グを基準として、これに最も近い位置に中スケールおよ
び粗スケールの方形波信号CMPM,CMPCのサンプ
リングタイミングが決定されるようにしている。
【0021】以上のサンプリング制御を行うのが、微分
回路13およびサンプリング制御回路14の部分であ
る。微分回路13は、粗,中,密スケールの各復調回路
3,4,5から得られる各方形波信号CMPC,CMP
M,CMPFのエッジでパルスを出力する回路である。
具体的にこの微分回路13は、方形波信号CMPC,C
MPM,CMPFの各立上がりエッジ微分パルスCR
P,MRP,FRP、両エッジ微分パルスCEP,ME
P,FEP、方形波信号CMPC,CMPMの各立下が
りエッジ微分パルスCFP,MFPを発生する。この微
分回路13の入出力関係を図4に示す。
【0022】サンプリング制御回路14は、これらの微
分回路13の出力パルスを受けて、平均化回路9内の各
レジスタ91,93,95にそれぞれ、転送用クロック
CCK,MCK,FCKおよびリセットパルスCRES
B,MRESB,FRESBを発生する。その具体的な
回路例は、図3の通りである。この制御回路14は、大
きく分けて、粗スケール用サンプリング制御回路部14
C ,中スケール用サンプリング制御回路部14M 、およ
び密スケール用サンプリング制御回路部14Fにより構
成されている。
【0023】密スケール用のサンプリング制御回路部1
4F は、イネーブル信号ENABLEと、密スケール用
方形波信号CMPFから得られた立上がりエッジ微分パ
ルスFRPおよび両エッジ微分パルスFEPに基づい
て、密スケール位相データについて4回サンプリングを
行うためのレジスタ用クロックFCKとレジスタリセッ
ト信号FRESBを発生する。中スケール用のサンプリ
ング制御回路部14M は、イネーブル信号ENABLE
と、中スケール用方形波信号CMPMから得られた立上
がりエッジ微分パルスMRP,立ち下がり微分パルスM
FPおよび両エッジ微分パルスMEPに基づいて、中ス
ケール位相データについて2回サンプリングを行うため
のレジスタ用クロックMCKとレジスタリセット信号M
RESBを発生する。粗スケール用のサンプリング制御
回路部14C は、イネーブル信号ENABLEと、粗ス
ケール用方形波信号CMPCから得られた立上がりエッ
ジ微分パルスCRP,立ち下がり微分パルスCFPおよ
び両エッジ微分パルスCEPに基づいて、粗スケール位
相データについて2回サンプリングを行うためのレジス
タ用クロックCCKとレジスタリセット信号CRESB
を発生する。
【0024】基準となる密スケール位相データサンプリ
ングの動作を、図5を用いて説明する。図5に示すよう
に、イネーブル信号ENABLEが“1”になった後、
最初の立上がり微分パルスFRPにより、レジスタ95
をリセットするリセット信号FRESBが出力され、そ
の後両エッジ微分パルスFEPに同期してその4個目ま
でレジスタ用クロックFCKが発生される。そしてクロ
ックFCKの各立上がりで、密スケール位相検出回路8
からの位相データとレジスタ95の内容が演算部96で
加算され、4回加算後の平均化データが得られる。両エ
ッジ微分パルスFEPの4パルス目の立下がりで、フリ
ップフロップF/F1 の出力ノードAが“0”となり、
それ以降、リセット信号FRESBおよびクロック信号
FCKは出力されない。
【0025】両エッジ微分パルスFEPの3パルス目の
立下がりで、フリップフロップRS−F/F1 の出力ノ
ードBが“1”となる。このRS−F/F1 の出力ノー
ドBが、中スケール用のサンプリング制御回路部14M
、および粗スケール用のサンプリング制御回路部14C
に、中スケールおよび粗スケールの位相データのサン
プリングタイミングの基準信号として入力される。
【0026】次に、中スケール位相データサンプリング
動作を説明すれば、イネーブル信号ENABLEが
“1”になった後、立上がりエッジ微分パルスMRPに
同期してレジスタリセット信号MRESBが出力され、
両エッジ微分パルスMEPに同期してレジスタ用クロッ
クMCKが出力される。中スケール用のレジスタ93に
は、クロックMCKの立上がりで位相検出回路7からの
位相データとレジスタ93の内容が加算された結果が書
き込まれる。次に立上がりエッジ微分パルスMRPが入
ると、レジスタリセット信号MRESBが出力されてレ
ジスタ93はクリアされる。
【0027】ここで、密スケール用サンプリング制御回
路部14F のRS−F/F1 の出力ノードBが“1”に
なった後、立ち下がりエッジ微分パルスMFPが来る
か、または両エッジ微分パルスMEPが来た後でかつ立
上がりエッジ微分パルスMRPが来る前にノードBが
“1”になると、それ以降、レジスタリセット信号MR
ESBおよびクロック信号MCKは出力されない。粗ス
ケール位相データのサンプリング動作も、中スケール位
相データサンプリング動作と同様である。
【0028】以上のサンプリング動作はディジタル的に
処理されるが、これを各位相データCMPF,CMP
M,CMPCの信号入力時に当てはめて表せば、図6の
ようになる。密スケールの方形波信号CMPFについて
は、イネーブル信号ENABLEが“1”になった後の
最初の立上がりエッジから、連続する4個のエッジF
1,F2 ,F3 ,F4 で位相データがサンプリングさ
れ、これが平均化される。
【0029】中スケールの方形波信号CMPMについて
は、最初の二つのエッジM1 ,M2の時点では、密スケ
ール用サンプリング制御回路部14F のRS−F/F1
の出力ノードBが“1”になっておらず、次のエッジM
3 の時点でレジスタ93の内容がリセットされる。そし
て、二つのエッジM3 ,M4 の位相データがサンプリン
グされると、密スケールの方形波信号CMPFのエッジ
F3でノードBが“1”になり、それ以降サンプリング
は行われない。従って中スケール位相データの平均値
は、(M3 +M4 )/2となる。粗スケールの位相デー
タもほぼ同様であり、エッジF3 後のエッジC4 の時点
でサンプリングが終了し、二つのエッジC3 ,C4 の位
相データの平均値(C3+C4 )/2として求まる。
【0030】従って、密スケール位相データの平均値サ
ンプリング点t1 と、中スケール位相データの平均値サ
ンプリング点t2 、粗スケール位相データの平均値サン
プリング点t3 とのずれTFM,TFCは小さく抑えられて
いる。ちなみに、以上のようなサンプリング制御を行わ
ない場合のサンプリングタイミングを図6と比較して図
7に示す。これは、密スケール位相データは、イネーブ
ル信号ENABLEが“1”になった後の最初の立上が
りエッジから4個のエッジF1 〜F4 の平均をとり、中
スケール位相データについては、やはり最初の立ち上が
りエッジから2個のエッジM1 ,M2 の平均、粗スケー
ル位相データについても最初の立上がりエッジから2個
のエッジC1 ,C2 の平均をとった場合である。この場
合、平均サンプリングタイミングのずれTFM,TFCは、
図6と比較して明らかに大きくなっている。
【0031】以上のようにこの実施例によれば、各位相
データのサンプリングタイミングが近接しているため、
変位センサが比較的高速で移動している場合でも合成が
失敗するという事態が防止されることになる。
【0032】なお実施例では、サンプリングタイミング
制御の基準として密スケールデータを用いて、そのデー
タサンプリング回数を4回としたが、これは、前述のよ
うに密スケールデータが表示ちらつきに最も大きく影響
するためである。但しデータ合成の失敗を防止するとい
う意味では、必ずしも密スケールデータをサンプリング
の基準にすることは必要ではなく、他の位相データを基
準としてもよい。また実施例では、粗,中,密の3スケ
ールを用意した変位センサを用いたが、本発明はこれに
限られるわけではなく、少なくとも粗,密の二つのスケ
ールを用意した変位センサを用いた場合に有効である。
また実施例における図3のサンプリング回路は一例であ
り、マイクロプロセッサ等により図3の回路と同じルー
ルでサンプリングを行ってもよい。
【0033】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、デ
ータサンプリングの調整によって、合成エラーが発生し
にくく、従って変位センサが比較的高速で移動中にもス
ムーズなデータ表示を可能としたアブソリュート型の変
位測定装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例に係る変位測定装置の構成
を示す図である。
【図2】 図1におけるABSセンサの構成を示す図で
ある。
【図3】 図1のサンプリング制御回路の構成を示す図
である。
【図4】 図1の微分回路の出力信号を示す図である。
【図5】 図3のサンプリング制御回路の動作波形を示
す図である。
【図6】 実施例のデータサンプリングのタイミングを
示す図である。
【図7】 比較例のデータサンプリングのタイミングを
示す図である。
【符号の説明】
1…ABSセンサ、2…送信波形発生回路、3…粗スケ
ール復調回路、4…中スケール復調回路、5…密スケー
ル復調回路、6…粗位相検出回路、7…中位相検出回
路、8…密位相検出回路、9…平均化回路、91,9
3,95…レジスタ、92,94,96…演算部、10
…合成回路、11…演算・表示回路、12…表示器、1
3…微分回路、14…サンプリング制御回路、15…コ
ントローラ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 固定要素に対する可動要素の相対位置関
    係に応じた出力信号を出す変位センサと、 この変位センサの出力信号を処理して、それぞれエッジ
    に位相情報を持った少なくとも粗スケールおよび密スケ
    ールの変位量検出用の周期的方形波信号を得る復調手段
    と、 この復調手段により得られた周期的方形波信号のそれぞ
    れから位相情報を検出して、粗スケールおよび密スケー
    ルの位相データを得る位相検出手段と、 前記粗スケールおよび密スケールの各位相データをそれ
    ぞれ複数回サンプリングして平均化する平均化手段と、 前記粗スケールまたは密スケールの位相データの一方の
    サンプリングタイミングを基準としてこれに近接して他
    方のサンプリングタイミングを決定するサンプリング制
    御手段と、 前記平均化手段により得られた粗スケールおよび密スケ
    ールの位相データを合成して、前記固定要素に対する前
    記可動要素の絶対変位量を求める合成手段と、を備えた
    ことを特徴とする変位測定装置。
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Cited By (5)

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JPH10227629A (ja) * 1997-02-17 1998-08-25 Mitsutoyo Corp エンコーダ付きベルト
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