JPH06204252A - 薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
薄膜トランジスタの製造方法Info
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Abstract
面積当りのトラップを減らすと共に、生産性を向上させ
ることにある。 【構成】 まず、チューブ内の圧力を、肉厚の均一性を
保持することができる約1torr程度の圧力に設定し、Si
H 4 ガスを利用して510〜550℃の温度範囲で非晶
質シリコン薄膜2を堆積させる。次に、非晶質シリコン
薄膜2を堆積した同一チューブ内で、圧力を10-3Torr
に減圧し、温度は600〜650℃に上げ、4〜10時
間の間アニール工程を実施すると、非晶質シリコン薄膜
2内に少数の結晶核3が生成する。これにより、グレー
ンサイズが極大化されたポリシリコン薄膜4が形成でき
る。
Description
薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:以下 TFT と
いう) の製造方法に関し、特にTFT のチャンネル用ポリ
シリコン薄膜のグレーンサイズを大きく形成する方法に
関するものである。
に伴う高速動作、低い消耗電流の特性を満たすために、
PMOS形TFT の負荷セルに対する研究開発が急速になされ
ている。何故ならば、PMOS形TFT の負荷セルはSRAM素子
の特性の中で最も重要な、低いスタンバイ電流(stand-b
y current)維持及びデータ維持安定性に大きなメリット
を有するためである。
セルは、PMOSのチャンネルが単結晶シリコン薄膜によっ
て形成されるものではなくポリシリコン薄膜によって形
成されるため、グレーン バウンダリ ポテンシャル
バリア(Grain Boundary Potential Barrier)による低い
キャリア移動(Carrier Mobility)と、グレーン バウン
ダリにトラップされたキャリアの熱放射(Thermal Emiss
ion)、電気場放射(Electric Field Emission) による漏
洩電流等の問題を含んでおり、製造工程が複雑であると
いう問題があった。
シコン薄膜のグレーンバウンダリによる低いキャリアの
移動、及び漏洩電流の問題の解決のために、チャンネル
用ポリシリコン薄膜の単位面積当りの、グレーンバウン
ダリの長さを最小にする方法、即ち、グレーンサイズを
最大限大きく形成する工程が提起された。
シリコン薄膜をLP又はPECVD 方法で堆積させた後、不活
性気体のN 2 ガス雰囲気下において、600〜650℃
という比較的低い温度範囲で長時間多結晶化アニール工
程を行っており、これによって、グレーンサイズを極大
化したTFT のチャンネルを製造していた。
法では、反応用のチューブ内で非晶質シリコン薄膜を堆
積させた後、このチューブから一旦取り出し、他のチュ
ーブ内に移す際に、大気中に露出させなければならなか
った。このように、他のチューブの中に移動させた後
に、多結晶化アニール工程を実施しなければならず製造
工程が繁雑になり、生産性を低下させる欠点があった。
また、最終的に形成されるチャンネル用ポリシリコン薄
膜のグレーンサイズが0.3μm以下に形成されるた
め、TFT のチャンネル特性の中でIon/Ioff 電流比が
低いという問題を抱えている。
術の問題点を解決すべくなされたものであり、その目的
は、ポリシリコン薄膜のグレーンサイズを大きくし、TF
T のチャンネル用ポリシリコン薄膜の単位面積当りのト
ラップを減らすことができる、TFT の製造方法を提供す
ることにある。また、他の目的は、生産性を向上させる
TFT の製造方法を提供することにある。
に、本発明にかかる、チャンネル用のポリシリコン薄膜
を有するTFT の製造方法は、温度範囲を510〜550
℃とし、ポリシリコン薄膜の肉厚を均一に維持できるよ
うな約1torrの圧力で非晶質シリコン薄膜を堆積させる
工程と、同じ反応用のチューブ内の圧力を約10-3torr
に下げ、所定の温度及び所定の時間でアニール工程を行
い、グレーンサイズが極大化したチャンネル用のポリシ
リコン薄膜を形成する工程とを含むものである。なお、
このアニール工程は、温度を600〜650℃に上げ、
4〜10時間の間、行うことが望ましい。
説明する。
る、チャンネル用のポリシリコン薄膜を有するTFT を製
造する工程を順に示した断面図である。
利用し、510〜550℃の温度範囲において、非晶質
シリコン薄膜(2)を形成する(図1(a))。この
時、堆積圧力を非晶質シリコン薄膜(2)の肉厚の均一
性を保つことができる圧力、例えば1Torr 程度として堆
積速度を早くする。これにより、グレーンサイズに決定
的な影響を及ぼす結晶核が生成される可能性を最小限に
抑えることができる。
を、同じ反応用のチューブ内で、温度を600 〜650 ℃に
上昇させると共に、圧力を約10-3Torrに減圧し、4〜
10時間程度アニール工程を実施する。この過程で非晶
質シリコン薄膜(2)内に少数の結晶核(3)が生成さ
れる(図1(b))。
すように、結晶核(3)が成長して、グレーンサイズが
極大化したポリシリコン薄膜(4)が形成される。
ネル用のポリシリコン薄膜に比べ、本実施例によって形
成したチャンネル用のポリシリコン薄膜の方が、Ion/
Ioff 電流比が1.5倍に向上したことが、実験により
確認できた。
膜トランジスタの製造方法によれば、非晶質シリコン薄
膜を堆積させる工程と、低温の長時間のアニール工程と
を一つのチューブ内で行うため、生産性を向上させるこ
とができる。また、非晶質シリコン薄膜の堆積後、真空
状態でアニール工程を行うことによりポリシリコン薄膜
のグレーンサイズが極大化されるので、成長したポリシ
リコン薄膜をTFT のチャンネルポリシリコン薄膜に用い
た場合、TFT の特性を向上させることが可能となる。
た状態を示す断面図である。(b)は非晶質シリコン膜
内に少数の結晶核が生成された状態を示す断面図であ
る。(c)はグレーンサイズが極大化したポリシリコン
薄膜を示す断面図である。
d)、4…ポリシリコン薄膜。
Claims (2)
- 【請求項1】 チャンネル用のポリシリコン薄膜を有す
る薄膜トランジスタの製造方法において、 チューブ内の圧力を、下部の物質層の上部にほぼ肉厚の
均一性を保持することができる約1torrの圧力に設定す
ると共に、SiH 4 ガスを利用して510〜550℃の温
度範囲で非晶質シリコン薄膜を堆積させる工程と、 前記チューブ内の圧力を約10-3torrに減圧し、所定の
温度及び時間の間、アニール工程を行い、グレーンサイ
ズが極大化した前記ポリシリコン薄膜を形成する工程と
を含む薄膜トランジスタの製造方法。 - 【請求項2】 前記アニール工程は、600〜650℃
の温度で4〜10時間の間、行うことを特徴とする請求
項1記載の薄膜トランジスタの製造方法。
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