JPH06204199A

JPH06204199A - 洗浄装置

Info

Publication number: JPH06204199A
Application number: JP4358224A
Authority: JP
Inventors: Kenji Yokomizo; 賢治横溝; Tomohaya Tajima; 智早田島; Eiichi Mukai; 栄一向井; Yoshiyuki Honda; 儀幸本田
Original assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Kyushu Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Kyushu Ltd
Priority date: 1992-12-26
Filing date: 1992-12-26
Publication date: 1994-07-22
Anticipated expiration: 2015-12-18
Also published as: KR940016548A; KR100306087B1; TW238401B; KR19990066686A; JP3118739B2; KR19990066687A

Abstract

(57)【要約】【目的】製造コストを低減することができると共に品
質管理が容易で、しかも被処理体の洗浄時間を短縮する
ことができる洗浄装置を提供する。【構成】本洗浄装置１０は、薬液処理槽４３と、この
薬液処理槽４３内に配設され且つ５０枚の半導体ウエハ
Ｗを保持するウエハ保持具４３Ｂと、このウエハ保持具
４３Ｂの下方に配設された多数の流通孔４３Ｃを有する
整流板４３Ｄとを備え、上記薬液処理槽４３の底面の供
給口から供給される処理液を整流板４３Ｄの多数の流通
孔４３Ｃを介して半導体ウエハＷ側へ分散供給するよう
に構成され、上記整流板４３Ｄの複数の流通孔４３Ｃ
は、上記複数の半導体ウエハＷに対して１枚置きにそれ
ぞれの真下に直線状の列として４列配列され、隣合う直
線列の流通孔４３Ｃがそれぞれ一つずつずれた位置に配
列されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、洗浄装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、洗浄装置は半導体装置の製造
工程において被処理体（例えば半導体ウエハ）表面のパ
ーティクル、有機汚染物、あるいは金属不純物などのコ
ンタミネーションを除去する目的で用いられている。特
にウェット洗浄装置はパーティクルを効果的に除去でき
ると共にバッチ処理ができるため重要な洗浄手段として
現在広く普及している。このような洗浄装置は、通常、
所定枚数の半導体ウエハをカセット単位でロードするロ
ード機構と、このロード機構によってロードされた半導
体ウエハを所定枚数ずつ搬送するウエハ搬送装置と、こ
のウエハ搬送装置によって搬送された複数の半導体ウエ
ハをそれぞれ一括して洗浄するように配列された複数種
の洗浄処理槽と、各洗浄処理槽によって洗浄された半導
体ウエハをアンロードするアンロード機構とを備えて構
成されている。

【０００３】ところで、上記洗浄処理槽は、通常、半導
体ウエハを略垂直に複数枚保持する、石英、ＰＥＥＫ等
の耐食性、耐発塵性材料からなるウエハ保持具と、この
ウエハ保持具のやや下方に配設され且つ多数の流通孔を
有する、石英等の耐食性、耐発塵性材料からなる整流板
とを備え、上記整流板を介して処理液を半導体ウエハ側
に分散供給して上記ウエハ保持具で保持された複数の半
導体ウエハを洗浄するように構成されている。また、一
般に上記流通孔は整流板全面に分散配置されたものが多
く用いられている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
洗浄装置の場合には、半導体ウエハの洗浄効率を高める
ように例えば整流板の流通孔を半導体ウエハ間の寸法に
合わせて設けているが、半導体ウエハの保持枚数が多く
なるほど整流板の流通孔の大きさが制限され、また、こ
のような整流板は殆どが上述のように加工性の乏しい石
英によって形成されているため、流通孔の数が多くなる
と流通孔が同士が接近して穴加工が難しくなって製造コ
ストが高くなるという課題があった。また、従来の洗浄
装置の場合には、上述のように略同一の流通孔が整流板
全面に分散し、しかも図１２に示すように半導体ウエハ
Ｗの存在しない領域、つまり処理槽１側面と半導体ウエ
ハＷとの隙間が半導体ウエハＷ間の隙間より格段に大き
いため、整流板２の流通孔から流入する処理液は圧力損
失の小さい前者の隙間で多量に流れる一方、圧力損失の
大きな半導体ウエハＷ間の隙間で少量しか流れず、半導
体ウエハＷの洗浄効率を低下させ、それだけ洗浄時間が
長くなるという課題があった。

【０００５】そこで、従来から、整流板における流通孔
の大きさに種々の工夫を凝らした洗浄槽が提案されてい
る。例えば、特開昭５８−６１６３２号公報では、給水
口から遠い位置に、洗浄液の流量が多くなるような流通
孔を設けた整流板を有する洗浄槽が提案されている。ま
た、特公昭６２−４２３７４号公報では、半導体ウエハ
の中心部と対応する第１部分では流通孔を大きくし、半
導体ウエハの端部と対応する第２部分では、第１部分よ
りも小さくし、半導体ウエハが存在しない部分と対応す
る第３部分では第２部分よりも更に小さくした洗浄槽が
提案されている。しかし、これらの各公報に記載された
流通孔は、洗浄槽内への処理液の供給口、半導体ウエハ
の下方及び半導体ウエハの存在しない領域で異なった大
きさの流通孔を加工しなくてはならず、整流板の製造管
理が煩雑であり、しかも多数の流通孔を加工しなくては
ならず、整流板の製造コストが高くなるという課題があ
った。

【０００６】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、整流板の製造コストを低減することができ
ると共にその製造管理が容易で、しかも被処理体の洗浄
時間を短縮することができる洗浄装置を提供することを
目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、洗浄装置
における整流板の流通孔と洗浄効率との関係について後
述のような試験を行なって種々検討した結果、流通孔を
特定の形態で整流板に分散配置することによって上記課
題を解決するに至った。

【０００８】即ち、本発明の請求項１に記載の洗浄装置
は、所定の処理液を貯留する処理槽と、この処理槽内に
配設され且つ複数の被処理体を保持する被処理体保持具
と、この被処理体保持具の下方に配設された多数の流通
孔を有する整流板とを備え、上記処理槽の底面の供給口
から供給される上記処理液を上記整流板の多数の流通孔
を介して上記被処理体側へ分散供給するように構成され
た洗浄装置において、上記整流板の複数の流通孔は、上
記複数の被処理体に対して１枚置きにそれぞれの真下に
直線状の列として複数列配列され、隣合う直線列の流通
孔がそれぞれ一つずつずれた位置に配列されて構成され
たものである。

【０００９】また、本発明の請求項２に記載の洗浄装置
は、所定の処理液を貯留する処理槽と、この処理槽内に
配設され且つ複数の被処理体を保持する被処理体保持具
と、この被処理体保持具の下方に配設された多数の流通
孔を有する整流板とを備え、上記処理槽の底面の供給口
から供給される上記処理液を上記整流板の多数の流通孔
を介して上記被処理体側へ分散供給するように構成され
た洗浄装置において、上記整流板の複数の流通孔は、上
記被処理体の下方に配列された第１流通孔と、上記被処
理体の外側に沿って配列された第１流通孔より小さい第
２流通孔とからなり、上記第１流通孔は、上記複数の被
処理体に対して１枚置きにそれぞれの真下に直線状の列
として複数列配列され、隣合う直線列の第１流通孔がそ
れぞれ一つずつずれた位置に配列されて構成されたもの
である。

【００１０】

【作用】本発明の請求項１に記載の発明によれば、処理
槽内で保持される複数の被処理体に対して１枚置きにそ
れぞれの真下に直線状に流通孔を配列して整流板を形成
したため、整流板での流通孔の数を少なくして各流通孔
を大きくすることができ、また隣合う直線列の流通孔を
それぞれ一つずつずれた位置に配列してあるため、各直
線列の流通孔によって被処理体間の全ての間隔の全領域
における処理液の流れを補完しあって各半導体ウエハ間
の隙間での処理液の流量が多くなって被処理体の洗浄効
率を上げることができる。

【００１１】また、本発明の請求項２に記載の発明によ
れば、整流板に被処理体の下方に位置する第１流通孔と
被処理体の外側に位置する第２流通孔を設け、第２流通
孔を第１流通孔より小さくしたため、被処理体の洗浄に
寄与しない領域での処理液の流量を減らすと共に処理液
の滞留をなくし、被処理体の洗浄に寄与する領域での処
理液の流量を増やして処理液の洗浄効率を高めることが
でき、更に、第１流通孔を複数の被処理体に対して１枚
置きにそれぞれの真下に直線状に配列したため、第１流
通孔の数を少なくして各第１流通孔を大きくすることが
でき、また隣合う直線列の第１流通孔がそれぞれ一つず
つずれた位置に配列してあるため、各直線列の第１流通
孔によって被処理体間の全ての間隔の全領域における処
理液の流れを補完しあって隙間での流量が多くなって被
処理体の洗浄効率を上げることができる。

【００１２】

【実施例】以下、図１〜図１０に示す実施例に基づいて
本発明を説明する。実施例１.本実施例の洗浄装置１０は、図１に示すよう
に、洗浄処理前の半導体ウエハＷをカセット単位で受け
取ってカセットＣを保管するインプットバッファ機構２
０と、このインプットバッファ機構２０からカセット単
位で半導体ウエハＷを受け取るローダ機構３０と、この
ローダ機構３０からウエハ搬送装置４１によって搬送さ
れて来る半導体ウエハＷを薬液処理、水洗処理等の洗浄
処理を行なう洗浄処理機構４０と、この洗浄処理機構４
０によって処理された半導体ウエハＷＷをアンロードす
るアンローダ機構５０と、このアンローダ機構５０から
カセット単位で半導体ウエハＷを受け取って保管するア
ウトプットバッファ機構６０とを備えて構成されてい
る。

【００１３】また、上記洗浄処理機構４０の上方には上
記ウエハ搬送装置４１によって半導体ウエハＷが取り出
された後の空のカセットＣを洗浄、乾燥処理するカセッ
ト洗浄・乾燥ライン７０が上記洗浄処理機構４０に沿っ
て配設されている。そして、このカセット洗浄・乾燥ラ
イン７０には昇降機構８０を介して空のカセットＣを上
記ローダ機構３０から持ち上げて供給するように構成さ
れている。また、アンローダ機構５０側にも同様の昇降
機構（図示せず）が配設され、この昇降機構を介して洗
浄、乾燥後のカセットＣをアンローダ機構５０へ供給す
るように構成されている。

【００１４】そして、上記インプットバッファ機構２０
は、外部から供給されたカセットＣを載置する載置部２
１と、この載置部２１のカセットＣをカセット搬送機構
２２によって移載し、すぐに処理できないカセットＣを
一時的に保管するカセット保管部２３とを備えて構成さ
れている。また、上記カセット搬送機構２２は、上記載
置部２１に載置されたカセットＣ内の半導体ウエハＷを
処理する際に、カセットＣを上記載置部２１から上記ロ
ーダ機構３０へ移載するように構成されている。そし
て、このローダ機構３０は半導体ウエハＷのオリエンテ
ーションフラットを例えば上側あるいは下側に揃える位
置合わせ機構（図示せず）を備えて構成されている。
尚、上記アウトプットバッファ機構６０も上記インプッ
トバッファ機構２０と同様に構成されている。

【００１５】また、上記洗浄処理機構４０は、例えば、
上記ウエハ搬送装置４１と、このウエハ搬送装置４１の
ウエハチャック４１Ａを洗浄、乾燥するチャック洗浄・
乾燥処理槽４２と、このチャック洗浄・乾燥処理槽４２
の下流側に順次配設され且つ半導体ウエハＷ表面の有機
汚染物、金属不純物あるいはパーティクル等の不要物質
を洗浄により除去する薬液処理槽４３、薬液処理後の半
導体ウエハＷを水洗する二つの水洗処理槽４４、４４、
上記薬液処理槽４３とは別の薬液処理を行なう薬液処理
槽４５、二つの水洗処理槽４６、４６と、ウエハチャッ
ク４１Ａを洗浄、乾燥するチャック洗浄・乾燥処理槽４
７と、不純物質が除去された半導体ウエハＷを例えばイ
ソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等で蒸気乾燥する乾燥
処理槽４８とを備えて構成されている。そして、上記薬
液処理槽４３、４５及び水洗処理槽４４、４６は、それ
ぞれの処理液がオーバーフローし、そのオーバーフロー
した処理液を排出し、あるいは循環させて蓄積された不
純物を除去して循環使用するように構成されている。ま
た、各処理槽は後述の外槽内に配置されている。そし
て、各外槽には各処理槽を覆う開閉制御された開閉扉が
取り付けられ、処理時に各処理槽から処理液が蒸散しな
いように構成されている。

【００１６】そして、上記ウエハ搬送装置４１は、図１
に示すように、各薬液処理槽４３、４５による影響のな
いように３台配設されている。これらの各ウエハ搬送装
置４１は、例えば５０枚の半導体ウエハＷを一括して把
持する左右一対のウエハチャック４１Ａと、このウエハ
チャック４１Ａを昇降させると共に前後方向で進退動さ
せる駆動機構（図示せず）と、上記処理槽４２ないし４
８に沿って配設された搬送ベース４１Ｂとを備え、上記
搬送ベース４１Ｂに沿って往復移動するように構成され
ている。

【００１７】また、上記各処理槽、例えば上記薬液処理
槽４３は、図２に示すように、高温に加熱されたアンモ
ニア水等の処理液を貯留する矩形状の処理槽本体４３Ａ
と、この処理槽本体４３Ａ内に配設されて半導体ウエハ
Ｗを例えば５０枚垂直に保持するウエハ保持具４３Ｂ
と、このウエハ保持具４３Ｂのやや下方に配設され且つ
多数の流通孔４３Ｃを有する整流板４３Ｄと、この整流
板４３Ｄの下方から処理液を供給する供給配管４３Ｅと
を備えて構成されている。また、上記供給配管４３Ｅは
上記処理槽本体４３Ａの底面の２箇所の供給口４３Ｆ、
４３Ｆから処理液を供給するように構成され、更に、各
供給口４３Ｆ、４３Ｆのやや上方には邪魔板４３Ｇ、４
３Ｇが配設され、これらの邪魔板４３Ｇ、４３Ｇによっ
て上記整流板４３Ｄの全面に向けて処理液を分散するよ
うに構成されている。

【００１８】そして、上記整流板４３Ｄの流通孔４３Ｃ
は、図２及び図３にウエハ保持具を省略して示すよう
に、上記ウエハ保持具４３Ｂに保持された半導体ウエハ
Ｗの下方にのみに形成されている。しかも、上記各流通
孔４３Ｃは、図３、図４に示すように、例えば５０枚の
半導体ウエハＷに対して１枚置きにそれぞれの半導体ウ
エハＷの真下で上記処理槽本体４３Ａの長手方向に直線
状に４列配列されている。しかも、互いに隣合う列はそ
れぞの流通孔４３Ｃがそれぞれ一つずつずれた位置に配
列されている。また、各流通孔４３Ｃは、図５に示すよ
うに例えば半導体ウエハＷが６インチで５０枚の場合、
その大きさが半導体ウエハＷの厚さより大きさな直径、
例えば直径５.６ｍｍで、その数が全体で例えば１３０
個形成されている。そして、上記整流板４３Ｄは、各流
通孔４３Ｃから供給される処理液を半導体ウエハＷでそ
の両面に分流して半導体ウエハＷ間の隙間を流すように
構成されている。また、その他の処理槽の整流板も上記
薬液処理槽４３と同様に構成されている。

【００１９】また、図２に示すように上記処理槽本体４
３Ａの上端部外周にはオーバーフロー槽４３Ｈが取り付
けられ、上記処理槽本体４３Ａからオーバーフローした
処理液を受けるように構成されている。このオーバーフ
ローした処理液は上述のようにそのまま排出するか、あ
るいは循環使用するように構成されている。また、上記
薬液処理槽４３のオーバーフロー槽４３Ｈには図６に示
すようにカバー４３Ｉが配設され、このカバー４３Ｉに
よって処理液の蒸発を抑制すると共に処理液からの放熱
を抑制し純水等の水処理液の補充を軽減すると共にエネ
ルギー損失を抑制するように構成されている。また、上
記カバー４３Ｉは、例えば、石英等の耐食性の無機系材
料、ポリテトラフルオロエチレン等のフッ素系樹脂、ポ
リプロピレン系樹脂等の有機系の材料によって形成され
ている。更に、図６に示すように上記処理槽本体４３Ａ
を収納する外槽１００の左右上端には両開き式のオート
カバー１０１、１０１がロータリアクチュエータ１０
２、１０２を介して開閉制御自在に取り付けられ、前述
のように処理時に薬液処理槽４３から処理液が蒸散しな
いように構成されている。

【００２０】更に、上記洗浄装置１０は、図１では図示
しないが全体が図７、図８に示す隔壁９０によって周囲
から隔離されている。そして、この隔壁９０の要所には
同図に示すように窓９１が形成されている。この窓９１
の敷居９２には引き戸９３が開閉自在に配設されてい
る。また、上記敷居９２には引き戸９３が摺動してもパ
ーティクルを発生し難く、滑り特性に優れたポリテトラ
フルオロエチレン等のフッ素系樹脂からなるテープ９４
が貼着され、クリーンルームでの発塵を防止するように
構成されている。上記テープ９４は、上記敷居９２以外
の引き戸９２が摺動する部分に貼着することによってパ
ーティクルの発生を更に防止することができる。また、
上記テープ９４は、上記敷居９２及び／または上記引き
戸９３に貼着するようにすれば良い。尚、上記隔壁９０
はポリ塩化ビニール樹脂等の樹脂によって形成され、ま
た、上記引き戸９３は透明性に優れた塩化ビニール系樹
脂、アクリル系樹脂等の樹脂によって形成されている。

【００２１】次に、本実施例の洗浄装置１０の動作につ
いて説明する。まず、２５枚単位でカセットＣに収納さ
れた半導体ウエハＷをインプットバッファ機構２０の載
置部２１へ供給すると、カセット搬送機構２２が駆動し
て供給されたカセットＣを２個単位でローダ機構３０へ
移載する。そして、その後に供給されたカセットＣにつ
いてはカセット搬送機構２２によって保管部２３へ移載
し、保管部２３でその後のカセットＣの半導体ウエハＷ
を一時的に保管する。

【００２２】上記ローダ機構３０に２個のカセットＣが
供給されると、ローダ機構３０が駆動して２個のカセッ
トＣ内の半導体ウエハＷのオリエンテーションフラット
を一方向に揃えて５０枚の半導体ウエハＷを位置決めす
る一方、ウエハ搬送装置４１が駆動してウエハチャック
４１Ａをチャック洗浄・乾燥処理槽４２内に移動させて
ウエハチャック４１Ａを洗浄、乾燥してロード機構３０
の半導体ウエハＷを受け取る態勢に入る。その後、ロー
ダ機構３０が駆動して２個のカセットＣから半導体ウエ
ハＷを一括して持ち上げながら各カセットＣの半導体ウ
エハＷを近づけると、ウエハ搬送装置４１が駆動してウ
エハチャック４１Ａで５０枚の半導体ウエハＷを把持す
る。半導体ウエハＷを把持したウエハチャック４１Ａ
は、ウエハ搬送装置４１の駆動によって搬送ベース４１
Ｂに沿って薬液処理槽４３へ移動した後、その位置でウ
エハチャック４１Ａを下降させて薬液処理槽４３内のウ
エハ保持具（図示せず）へ５０枚の半導体ウエハＷを引
き渡して処理液に浸漬する。

【００２３】この薬液処理槽４３では供給配管４３Ｅか
ら処理液を供給しているため、供給された処理液は２箇
所の供給口４３Ｆ、４３Ｆの邪魔板４３Ｇ、４３Ｇによ
って整流板４３Ｄの全面に分散され、整流板４３Ｄの各
流通孔４３Ｃから略均等に半導体ウエハＷ側へ流入す
る。この際、各流通孔４３Ｃが半導体ウエハＷの真下で
１枚置きに配置されているため、例えば図５に示すよう
に左端にある半導体ウエハＷではその真下の流通孔４３
Ｃから半導体ウエハＷの両面に沿って処理液が流れると
共に、右端にある半導体ウエハＷでは同様にその真下の
流通孔４３Ｃから半導体ウエハＷの両面に沿って処理液
が流れ、中央にある半導体ウエハＷではその両面に沿っ
て隣合う流通孔４３Ｃから分流した処理液が流れる。そ
の結果、全ての半導体ウエハＷそれぞれの間の狭い隙間
に処理液が流れて半導体ウエハＷを確実に洗浄すること
ができる。

【００２４】更に、上記流通孔４３Ｃの直線列は、上述
のように上記整流板４３Ｄの幅方向に４列形成されてい
るため、それぞれの流通孔４３Ｃの列でも同様にして半
導体ウエハＷ間の隙間で処理液の流れを作るため、各半
導体ウエハＷの全幅における処理液の確実な流れを形成
することができる。しかしながら、半導体ウエハＷが存
在しない領域に相当する整流板４３Ｄには流通孔がない
ため、これらの領域では半導体ウエハＷの周端面で案内
された処理液のみが流れ、その領域での処理液の流量が
制限されて半導体ウエハＷ間の隙間での流れが主体にな
って全半導体ウエハＷを確実且つ効率良く処理すること
ができる。

【００２５】上記薬液処理槽４３での半導体ウエハＷの
処理が終了すると、上述の場合とは逆の動作によってウ
エハ搬送装置４１のウエハチャック４１Ａがウエハ保持
具４３Ｂから半導体ウエハＷを一括して受け取り、次の
水洗処理槽４４のウエハ保持具へ移載して上述と同様の
動作によって水洗処理を行ない、更に次の水洗処理槽４
４で同様の水洗処理を行なって最初の洗浄処理を完了す
る。その後、中間のウエハ搬送装置４１のウエハチャッ
ク４１Ａにより薬液処理槽４５、水洗処理槽４６、４６
で上述と同様の動作により洗浄処理を行なう。そして、
最下流のウエハ搬送装置４１により水洗処理槽４６から
半導体ウエハＷを受け取ってこれらに乾燥処理槽４８に
おいてＩＰＡによる蒸気乾燥を行なってローダ機構３０
と同様に構成されたアンローダ機構５０で待機する２個
のカセットＣに乾燥後の半導体ウエハＷを収納する。こ
の時、アンローダ機構５０で待機するカセットＣはカセ
ット洗浄・乾燥ライン７０を通過する間に洗浄、乾燥さ
れてパーティクル等が除去された清浄な状態になってい
る。洗浄処理後の半導体ウエハＷは、アウトプットバッ
ファ機構６０を介して次工程へカセット単位で排出され
る。

【００２６】以上説明したように本実施例によれば、整
流板４３Ｄの流通孔４３Ｃの数が少なく、しかも一種類
の流通孔４３Ｃを設けるだけで良いため、整流板４３Ｄ
の製造時に流通孔４３Ｃの加工管理が行ない易く、しら
も低コストで整流板４３Ｄを製造することができ、洗浄
装置１０の製造コスト低減に寄与することができる。ま
た、本実施例によれば、処理槽で保持された半導体ウエ
ハＷに対して１枚置きにそれぞれの真下に半導体ウエハ
Ｗの厚さより大きな寸法の流通孔４３Ｃを設けたため、
各半導体ウエハＷ間の隙間でそれぞれの全面に処理液が
円滑に流れて半導体ウエハＷの洗浄効率を高めることが
できる。

【００２７】実施例２.本実施例の洗浄装置１０は、実
施例１における各処理槽とは整流板４３Ｄを異にする以
外は実施例１に準じて構成されている。そこで、本実施
例における整流板４３Ｄを図９を参照しながら説明す
る。本実施例における整流板４３Ｄは、同図に示すよう
に、その複数の流通孔４３Ｃが薬液処理槽４３内におい
てウエハ保持具で保持された各半導体ウエハＷの下方に
それぞれ配列された、例えば直径が５.６ｍｍの第１流
通孔４３Ｃと、各半導体ウエハＷの外側（半導体ウエハ
Ｗの存在しない領域）に沿って配列された第１流通孔４
３Ｃより小さい、例えば直径が３.４ｍｍの第２流通孔
４３Ｊとで構成されている。そして、各第１流通孔４３
Ｃは、実施例１の場合と同様、５０枚の半導体ウエハＷ
に対して１枚置きにそれぞれの半導体ウエハＷの真下で
上記処理槽本体４３Ａの長手方向に直線状に４列配列さ
れている。しかも、隣合う直線列はそれぞれの第１流通
孔４３Ｃが一つずつずれた位置に配列されている。ま
た、第１流通孔４３Ｃは、実施例１と同様例えば半導体
ウエハＷが６インチで５０枚の場合には、１３０個形成
され、第２流通孔４３Ｊは半導体ウエハＷの存在しない
左右両側の領域に沿って９個ずつ１列に形成されてい
る。

【００２８】従って本実施例によれば、半導体ウエハＷ
の存在しない領域にも半導体ウエハＷの下方の第１流通
孔４３Ｃよりも小さな第２流通孔４３Ｊを設けたため、
図１０に示すように処理液の主たる流れは第１流通孔４
３Ｃによって半導体ウエハＷ間の隙間で形成されて半導
体ウエハＷを効率的に洗浄処理すると共に、半導体ウエ
ハＷが存在しない領域では第２流通孔４３Ｊによって小
流量の処理液の流れが形成され、この領域での処理液の
滞留を防止して処理液の円滑な置換を促進することがで
きる。また、本実施例によれば、実施例１と同様に整流
板４３Ｄの流通孔４３Ｃ、４３Ｊの数が従来に比べて少
なく、しかも二種類の流通孔で済ますことができるた
め、実施例１と同様に洗浄装置１０の製造コストの低減
に寄与することができる。

【００２９】次に、整流板の流通孔の数及び大きさと、
６インチの半導体ウエハが５０枚保持された処理槽での
処理液による洗浄効果との関係について下記の条件で試
験を行なった。そして、本試験では塩酸を添加した純水
を初期の処理液として用い、この処理液に純水を供給す
ることによって純水の比抵抗値に近い、１５ＭΩ・ｃｍ
の比抵抗値まで回復するのに要する時間の長短によって
処理液による洗浄効率を評価した。［試験条件］１.処理槽；幅３２０ｍｍ、幅２３８ｍｍ、深さ２０２
ｍｍ２.純水の供給口での比抵抗値；１７.３ＭΩ・ｃｍ３.純水の供給速度；下記表１及び表２参照４.処理液；純水に約１８％の塩酸１ｃｃを添加した溶
液５.純水の供給速度；下記表１及び表２参照６.整流板の第１流通孔及び第２流通孔の数及び直径；
下記表１及び表２参照７.比抵抗値の測定条件測定位置：半導体ウエハの上端近傍測定間隔：塩酸添加後６０秒から、以降２０秒毎に７８
０秒までの間

【００３０】そこで、本試験ではまず、図１１に示すよ
うに、半導体ウエハＷの下方に４列配列された第１流通
孔４３Ｃと、半導体ウエハＷの両外側に沿ってそれぞれ
１列ずつ配列された第２流通孔４３Ｊとを有する整流板
４３Ｄを１２種類作製した。そして、１２種類の整流板
４３Ｄは、それぞれの第１流通孔４３Ｃ、第２流通孔４
３Ｊの大きさ及び数を異にするものである。そして、各
整流板４３Ｄを用いた場合の処理槽内での処理液の比抵
抗値を間欠的に測定し、それぞれの結果を試験例１〜１
２として下記表１に示した。下記表１に示す結果によれ
ば、第１流通孔４３Ｃ及び第２流通孔４３Ｊが共に直径
が５.６ｍｍで、両者合わせた数が１４８個の整流板４
３Ｄを用いた試験例１２の場合が全試験例の中で最も短
時間で比抵抗値が１５ＭΩ・ｃｍに達すること、つまり
最も洗浄効率に優れていることが判った。この試験例１
２で用いた整流板４３Ｄの流通孔は、１４８個のうち１
３０個が第１流通孔４３Ｃ、１８個が第２流通孔４３Ｊ
であることが判った。

【００３１】次いで、上記試験結果に基づいて、流通孔
の数を１４８個に設定すると共に第１流通孔４３Ｃの大
きさを５.６ｍｍで１３０個に設定し、１８個の第２流
通孔４３Ｊの直径のみを下記表２に示すように変化させ
て３種類の整流板４３Ｄを作製し、それぞれを用いた場
合の処理液の比抵抗値を間欠的に測定し、それぞれの結
果を下記表２に示した。下記表２に示す結果によれば、
直径３.４ｍの第２流通孔４３Ｊを有する整流板４３Ｄ
を用いた試験例１４の場合が全試験例の中で最も短時間
で比抵抗値が１５ＭΩ・ｃｍに達すること、つまり最も
洗浄効率に優れていることが判った。また、純水の使用
量を試験例１２と試験例１４とで検討した結果、試験例
１４の整流板、つまり実施例２で用いた整流板の方が試
験例１２のものよりも純水の使用量が少ないことが判っ
た。これらの結果から、上述した実施例２の洗浄装置１
０が洗浄効率に優れていることが判った。

【００３２】

【表１】

【００３３】

【表２】但し、この表では第２流通孔のみが大きさが変化するた
め、第２流通孔の直径及び数のみで整流板を示してい
る。

【００３４】尚、上記各実施例では、流通孔及び第１流
通孔４３Ｃの大きさが５.６ｍｍ、第２流通孔４３Ｊの
大きさが３.４ｍｍの整流板４３Ｄについて説明した
が、第１流通孔は半導体ウエハＷの厚さより大きな直径
を有する整流板であれば、上記各実施例に準じた効果を
奏することができる。また、上記各実施例では半導体ウ
エハＷを洗浄する場合についてのみ説明したが、本発明
は上記各実施例に何等制限されるものではなく、その他
プリント基板、ＬＣＤ基板の洗浄処理等についても本発
明を同様に適用することができる。

【００３５】

【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項１に
記載の発明によれば、処理槽に用いられる整流板の複数
の流通孔を、処理槽内で保持された複数の被処理体に対
して１枚置きにそれぞれの真下に直線状の列として複数
列配列し、しかも隣合う直線列の流通孔がそれぞれ一つ
ずつずれた位置に配列するようにしたため、整流板の製
造コストを低減することができると共にその製造管理が
容易で、しかも被処理体の洗浄時間を短縮することがで
きる洗浄装置を提供することができる。

【００３６】また、本発明の請求項２に記載の発明によ
れば、処理槽に用いられる整流板の複数の流通孔を処理
槽内で保持された被処理体の下方に配列された第１流通
孔と、被処理体の外側に沿って配列された複数の第１流
通孔より小さく且つ同一の大きさの複数の第２流通孔と
から構成し、第１流通孔を処理槽内で保持された複数の
被処理体に対して１枚置きにそれぞれの真下に直線状の
列として複数列配列し、しかも隣合う直線列の流通孔が
それぞれ一つずつずれた位置に配列するようにしたた
め、整流板の製造コストを低減することができると共に
その製造管理が容易で、しかも第２流通孔により処理液
の滞留を抑制して被処理体の洗浄時間を更に短縮するこ
とができる洗浄装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の洗浄装置の一実施例を示す全体斜視図
である。

【図２】図１に示す洗浄装置の洗浄槽を取り出して示す
長手方向の断面図である。

【図３】図２に示す洗浄槽の整流板と半導体ウエハとの
関係を示す斜視図である。

【図４】図３に示す洗浄槽の整流板の流通孔と半導体ウ
エハとの関係を示す部分平面図である。

【図５】図３に示す洗浄槽内での処理液の流れを説明す
る説明図である。

【図６】図１に示す洗浄装置の洗浄槽の処理槽本体、外
槽及びオートカバーの関係を示す断面図である。

【図７】図１に示す洗浄装置を周囲から区画する隔壁に
形成された窓の部分を示す斜視図である。

【図８】図７に示す窓の縦方向の断面を示す断面図であ
る。

【図９】本発明の洗浄装置の他の実施例の洗浄槽を取り
出して示す斜視図である。

【図１０】図９に示す洗浄槽内での処理液の流れを説明
する説明図である。

【図１１】洗浄槽の洗浄性能を調べるために試作された
整流板を示す平面図である。

【図１２】従来の洗浄装置の洗浄槽を示す図で、その内
部での処理液の流れを説明する説明図である。

【符号の説明】

１０洗浄装置４３薬液処理槽４３Ａ処理槽本体４３Ｂウエハ保持具（被処理体保持具）４３Ｃ流通孔、第１流通孔４３Ｄ整流板４３Ｉ第２流通孔Ｗ半導体ウエハ（被処理体）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者向井栄一佐賀県鳥栖市西新町1375番地41 東京エレクトロン佐賀株式会社内 (72)発明者本田儀幸佐賀県鳥栖市西新町1375番地41 東京エレクトロン佐賀株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】所定の処理液を貯留する処理槽と、この
処理槽内に配設され且つ複数の被処理体を保持する被処
理体保持具と、この被処理体保持具の下方に配設された
多数の流通孔を有する整流板とを備え、上記処理槽の底
面の供給口から供給される上記処理液を上記整流板の多
数の流通孔を介して上記被処理体側へ分散供給するよう
に構成された洗浄装置において、上記整流板の複数の流
通孔は、上記複数の被処理体に対して１枚置きにそれぞ
れの真下に直線状の列として複数列配列され、隣合う直
線列の流通孔がそれぞれ一つずつずれた位置に配列され
たことを特徴とする洗浄装置。
【請求項２】所定の処理液を貯留する処理槽と、この
処理槽内に配設され且つ複数の被処理体を保持する被処
理体保持具と、この被処理体保持具の下方に配設された
多数の流通孔を有する整流板とを備え、上記処理槽の底
面の供給口から供給される上記処理液を上記整流板の多
数の流通孔を介して上記被処理体側へ分散供給するよう
に構成された洗浄装置において、上記整流板の複数の流
通孔は、上記被処理体の下方に配列された第１流通孔
と、上記被処理体の外側に沿って配列された複数の第１
流通孔より小さく且つ同一の大きさの複数の第２流通孔
とからなり、上記第１流通孔は、上記複数の被処理体に
対して１枚置きにそれぞれの真下に直線状の列として複
数列配列され、隣合う直線列の第１流通孔がそれぞれ一
つずつずれた位置に配列されたことを特徴とする洗浄装
置。