JPH06194661A - 配向膜の配向処理方法 - Google Patents
配向膜の配向処理方法Info
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- JPH06194661A JPH06194661A JP34426292A JP34426292A JPH06194661A JP H06194661 A JPH06194661 A JP H06194661A JP 34426292 A JP34426292 A JP 34426292A JP 34426292 A JP34426292 A JP 34426292A JP H06194661 A JPH06194661 A JP H06194661A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】配向膜面をラビング傷を生じさせることなくラ
ビングし、しかも配向膜とラビング布との摩擦による静
電気の発生も抑制する。 【構成】配向膜８の膜面を、カゼインを材料としたラビ
ング布２２でラビングする。
ビングし、しかも配向膜とラビング布との摩擦による静
電気の発生も抑制する。 【構成】配向膜８の膜面を、カゼインを材料としたラビ
ング布２２でラビングする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶素子に用いる配向膜
の配向処理方法に関するものである。
の配向処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶素子は、透明電極と配向膜とを形成
した一対の透明基板間に液晶を封入して構成されてい
る。
した一対の透明基板間に液晶を封入して構成されてい
る。
【０００３】この液晶素子には、液晶分子を水平方向に
配向させたものと、液晶分子を垂直方向に配向させたも
のとがあり、液晶分子を水平方向に配向させた液晶素子
には、ＴＮ（ツイステッド・ネマティック）モード、Ｓ
ＴＮ（スーパー・ツイステッド・ネマティック）モー
ド、ＥＣＢ（電界制御型複屈折）モードのうちの水平配
向型のもの、強誘電性液晶または反強誘電性液晶を用い
たもの等がある。
配向させたものと、液晶分子を垂直方向に配向させたも
のとがあり、液晶分子を水平方向に配向させた液晶素子
には、ＴＮ（ツイステッド・ネマティック）モード、Ｓ
ＴＮ（スーパー・ツイステッド・ネマティック）モー
ド、ＥＣＢ（電界制御型複屈折）モードのうちの水平配
向型のもの、強誘電性液晶または反強誘電性液晶を用い
たもの等がある。
【０００４】これらの液晶素子の基板上に設けられる配
向膜は、一般に、ポリイミド等の高分子化合物からなる
配向材で形成されており、この配向膜には液晶分子を一
方向に配向させるための配向処理が施されている。
向膜は、一般に、ポリイミド等の高分子化合物からなる
配向材で形成されており、この配向膜には液晶分子を一
方向に配向させるための配向処理が施されている。
【０００５】この配向膜の配向処理は、配向膜面をラビ
ング布によって一方向にラビングすることによって行わ
れており、前記ラビング布としては、従来、合成繊維で
あるナイロンや、再生繊維であるレイヨンが用いられて
いる。
ング布によって一方向にラビングすることによって行わ
れており、前記ラビング布としては、従来、合成繊維で
あるナイロンや、再生繊維であるレイヨンが用いられて
いる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ナイロ
ンやレイヨンからなるラビング布で配向膜面をラビング
している従来の配向処理方法では、配向膜面にラビング
傷（こすり傷）ができて、液晶分子の配向不良が発生し
やすいという問題があった。
ンやレイヨンからなるラビング布で配向膜面をラビング
している従来の配向処理方法では、配向膜面にラビング
傷（こすり傷）ができて、液晶分子の配向不良が発生し
やすいという問題があった。
【０００７】しかも、上記従来の方法では、配向膜面の
ラビングに際して配向膜とラビング布との摩擦により強
い静電気が発生するため、配向膜の下に薄膜トランジス
タ等のアクティブ素子があると、このアクティブ素子が
静電気によって絶縁破壊してしまうという問題もあっ
た。
ラビングに際して配向膜とラビング布との摩擦により強
い静電気が発生するため、配向膜の下に薄膜トランジス
タ等のアクティブ素子があると、このアクティブ素子が
静電気によって絶縁破壊してしまうという問題もあっ
た。
【０００８】本発明の目的は、配向膜面にラビング傷を
生じさせることなく、しかも配向膜とラビング布との摩
擦による静電気の発生も抑制することができる、液晶素
子に用いる配向膜の配向処理方法を提供することにあ
る。
生じさせることなく、しかも配向膜とラビング布との摩
擦による静電気の発生も抑制することができる、液晶素
子に用いる配向膜の配向処理方法を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の配向処理方法
は、液晶素子の基板上に形成された配向膜の膜面を、カ
ゼインを材料としたラビング布でラビングすることを特
徴とするものである。
は、液晶素子の基板上に形成された配向膜の膜面を、カ
ゼインを材料としたラビング布でラビングすることを特
徴とするものである。
【００１０】
【作用】上記カゼインは、ラビング布の材料として従来
用いられているナイロンやレイヨンに比べてしなやかさ
に富み、また吸湿性ももっている。そして本発明では、
しなやかでかつ吸湿性のあるカゼインからなるラビング
布で配向膜面をラビングしているため、配向膜面にラビ
ング傷が生じることはないし、またラビング布が空気中
の水分を吸収して帯電し難くなるために、配向膜とラビ
ング布との摩擦による静電気の発生も抑制される。
用いられているナイロンやレイヨンに比べてしなやかさ
に富み、また吸湿性ももっている。そして本発明では、
しなやかでかつ吸湿性のあるカゼインからなるラビング
布で配向膜面をラビングしているため、配向膜面にラビ
ング傷が生じることはないし、またラビング布が空気中
の水分を吸収して帯電し難くなるために、配向膜とラビ
ング布との摩擦による静電気の発生も抑制される。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して説
明する。図１は配向処理方法を示す図、図２は液晶素子
の断面図である。まず、図２に示した液晶素子の構成を
説明する。なお、この液晶素子はＴＮモードのアクティ
ブマトリックス液晶素子である。
明する。図１は配向処理方法を示す図、図２は液晶素子
の断面図である。まず、図２に示した液晶素子の構成を
説明する。なお、この液晶素子はＴＮモードのアクティ
ブマトリックス液晶素子である。
【００１２】この液晶素子は、ガラス等からなる一対の
透明基板１，２を枠状のシール材１０を介して接合し、
この両基板１，２間の前記シール材１０で囲まれた領域
に液晶ＬＣを封入したもので、図において下側の基板
（以下、下基板という）１の液晶層との対向面には、多
数の透明画素電極３とこれら画素電極３にそれぞれ対応
するアクテイブ素子４とがマトリックス状に配列形成さ
れている。なお、アクテイブ素子４は例えば薄膜トラン
ジスタであり、そのゲート電極はアドレスラインに、ド
レイン電極はデータラインにつながっており、ソース電
極は画素電極に接続されている。また、図において上側
の基板（以下、上基板という）２の液晶層との対向面に
は、透明な対向電極５が形成されている。
透明基板１，２を枠状のシール材１０を介して接合し、
この両基板１，２間の前記シール材１０で囲まれた領域
に液晶ＬＣを封入したもので、図において下側の基板
（以下、下基板という）１の液晶層との対向面には、多
数の透明画素電極３とこれら画素電極３にそれぞれ対応
するアクテイブ素子４とがマトリックス状に配列形成さ
れている。なお、アクテイブ素子４は例えば薄膜トラン
ジスタであり、そのゲート電極はアドレスラインに、ド
レイン電極はデータラインにつながっており、ソース電
極は画素電極に接続されている。また、図において上側
の基板（以下、上基板という）２の液晶層との対向面に
は、透明な対向電極５が形成されている。
【００１３】そして、両基板１，２の電極形成面は、酸
化硅素等からなる透明な絶縁膜６，７で覆われており、
この絶縁膜６，７の上に、液晶分子を水平方向に配向さ
せるための配向膜８，９が形成されている。これら配向
膜８，９は例えばポリイミド膜であり、その膜面にはラ
ビングによる配向処理が施されている。
化硅素等からなる透明な絶縁膜６，７で覆われており、
この絶縁膜６，７の上に、液晶分子を水平方向に配向さ
せるための配向膜８，９が形成されている。これら配向
膜８，９は例えばポリイミド膜であり、その膜面にはラ
ビングによる配向処理が施されている。
【００１４】なお、上記配向膜８，９の配向処理方向
（ラビング方向）は互いにほぼ直交しており、液晶分子
は両基板１，２間においてほぼ９０°のツイスト角でツ
イスト配向されている。また、図２において、１１，１
２は両基板１，２の外面側に配置された一対の偏光板で
あり、これら偏光板１１，１２は、その透過軸を互いに
ほぼ直交させるか、あるいはほぼ平行にして配置されて
いる。
（ラビング方向）は互いにほぼ直交しており、液晶分子
は両基板１，２間においてほぼ９０°のツイスト角でツ
イスト配向されている。また、図２において、１１，１
２は両基板１，２の外面側に配置された一対の偏光板で
あり、これら偏光板１１，１２は、その透過軸を互いに
ほぼ直交させるか、あるいはほぼ平行にして配置されて
いる。
【００１５】次に、上記配向膜８，９の配向処理方法
を、下基板１上に形成した配向膜８の配向処理について
説明する。なお、この配向膜（ポリイミド膜）８は、ポ
リイミドの前駆体であるポリアミック酸誘導体化合物
（ポリアミック酸塩）を溶媒に溶解した溶液をスピンコ
ート法によって基板１上に塗布し、これを焼成によりイ
ミド化処理して形成されたもので、その膜厚は数オング
ストローム〜数千オングストロームである。
を、下基板１上に形成した配向膜８の配向処理について
説明する。なお、この配向膜（ポリイミド膜）８は、ポ
リイミドの前駆体であるポリアミック酸誘導体化合物
（ポリアミック酸塩）を溶媒に溶解した溶液をスピンコ
ート法によって基板１上に塗布し、これを焼成によりイ
ミド化処理して形成されたもので、その膜厚は数オング
ストローム〜数千オングストロームである。
【００１６】上記配向膜８の配向処理は、図１に示すよ
うに、ローラ本体２１の外周面にカゼインを材料とした
ラビング布２２を貼付けたラビングローラ２０によって
行なう。
うに、ローラ本体２１の外周面にカゼインを材料とした
ラビング布２２を貼付けたラビングローラ２０によって
行なう。
【００１７】上記ラビング布２２の材料として用いるカ
ゼインは、燐蛋白質の一種で、乳の主要蛋白質であり、
ラビング布の材料として従来用いられているナイロンや
レイヨンに比べてしなやかさに富み、また良好な吸湿性
ももっている。
ゼインは、燐蛋白質の一種で、乳の主要蛋白質であり、
ラビング布の材料として従来用いられているナイロンや
レイヨンに比べてしなやかさに富み、また良好な吸湿性
ももっている。
【００１８】なお、上記カゼインは、例えば牛乳に酸類
（酢酸、塩酸、硫酸、乳酸等）を加え、沈殿させて得ら
れる。このカゼインは、水や有機溶媒には溶けにくい
が、希アルカリには溶解する。
（酢酸、塩酸、硫酸、乳酸等）を加え、沈殿させて得ら
れる。このカゼインは、水や有機溶媒には溶けにくい
が、希アルカリには溶解する。
【００１９】また、上記ラビング布２２は、上記カゼイ
ンで作った糸を例えばパイル織法等により糸端を布表面
に突き出させて織り上げたものであり、このラビング布
２２は、布表面に細かい毛を立てたビロードの様な構造
をもっている。
ンで作った糸を例えばパイル織法等により糸端を布表面
に突き出させて織り上げたものであり、このラビング布
２２は、布表面に細かい毛を立てたビロードの様な構造
をもっている。
【００２０】そして、配向膜８の配向処理は、上記ラビ
ングローラ２０を配向膜８の膜面に所定の圧力で接触さ
せ、このラビングローラ２０をその移動方向に対して逆
方向に回転させながら、配向膜８上を一方向に移動させ
て擦する。なお、上記配向処理は、上基板２上に形成し
た配向膜９に対しても同様にして行なう。
ングローラ２０を配向膜８の膜面に所定の圧力で接触さ
せ、このラビングローラ２０をその移動方向に対して逆
方向に回転させながら、配向膜８上を一方向に移動させ
て擦する。なお、上記配向処理は、上基板２上に形成し
た配向膜９に対しても同様にして行なう。
【００２１】このように、上記配向処理方法は、配向膜
８，９の膜面を、カゼインを材料としたラビング布２２
でラビングするものであり、この配向処理方法では、し
なやかでかつ吸湿性のあるカゼインからなるラビング布
２２で配向膜面をラビングしているため、配向膜面にラ
ビング傷が生じることはないし、またラビング布２２が
空気中の水分を吸収して帯電し難くなるために、配向膜
８，９とラビング布２２との摩擦による静電気の発生も
抑制される。
８，９の膜面を、カゼインを材料としたラビング布２２
でラビングするものであり、この配向処理方法では、し
なやかでかつ吸湿性のあるカゼインからなるラビング布
２２で配向膜面をラビングしているため、配向膜面にラ
ビング傷が生じることはないし、またラビング布２２が
空気中の水分を吸収して帯電し難くなるために、配向膜
８，９とラビング布２２との摩擦による静電気の発生も
抑制される。
【００２２】すなわち、従来の配向処理方法では、ナイ
ロンやレイヨンをパイル織法等によってビロードの様に
織り上げたラビング布を用いているが、このナイロンや
レイヨンはしなやかさに欠けるため、配向膜面にラビン
グ傷を生じさせてしまう。そして、配向膜面にラビング
傷があると、配向膜による液晶分子の初期配向状態が乱
れて配向不良が発生する。また、電界を印加したとき、
印加電界に対応した透過光量が得られない。
ロンやレイヨンをパイル織法等によってビロードの様に
織り上げたラビング布を用いているが、このナイロンや
レイヨンはしなやかさに欠けるため、配向膜面にラビン
グ傷を生じさせてしまう。そして、配向膜面にラビング
傷があると、配向膜による液晶分子の初期配向状態が乱
れて配向不良が発生する。また、電界を印加したとき、
印加電界に対応した透過光量が得られない。
【００２３】これに対して、上記配向処理方法では、ラ
ビング布２２の材料であるカゼインがナイロンやレイヨ
ンに比べてしなやかさに富んでいるため、配向膜面にラ
ビング傷を生じさせることはなく、したがって、配向膜
８，９の配向処理を上記方法で行なえば、液晶分子が良
好な配向状態で均一に配向し、しかも電界を印加したと
きの液晶分子のチルト状態も一様で安定した応答性をも
つ液晶素子を製造することができる。また、上記配向処
理方法においてラビング布２２に用いているカゼイン
は、その吸湿性により空気中の水分を吸収して帯電し難
い状態となる。
ビング布２２の材料であるカゼインがナイロンやレイヨ
ンに比べてしなやかさに富んでいるため、配向膜面にラ
ビング傷を生じさせることはなく、したがって、配向膜
８，９の配向処理を上記方法で行なえば、液晶分子が良
好な配向状態で均一に配向し、しかも電界を印加したと
きの液晶分子のチルト状態も一様で安定した応答性をも
つ液晶素子を製造することができる。また、上記配向処
理方法においてラビング布２２に用いているカゼイン
は、その吸湿性により空気中の水分を吸収して帯電し難
い状態となる。
【００２４】このため、上記配向処理方法によれば、配
向膜８，９とラビング布２２との摩擦による静電気の発
生はほとんどないか、あるいは極く弱い静電気が発生す
る程度であり、したがって、アクティブ素子４を形成し
ている下基板１上の配向膜８の配向処理に際しても、前
記アクティブ素子４に静電気による絶縁破壊を生じさせ
てしまうことはない。
向膜８，９とラビング布２２との摩擦による静電気の発
生はほとんどないか、あるいは極く弱い静電気が発生す
る程度であり、したがって、アクティブ素子４を形成し
ている下基板１上の配向膜８の配向処理に際しても、前
記アクティブ素子４に静電気による絶縁破壊を生じさせ
てしまうことはない。
【００２５】なお、上記実施例で用いたラビング布２２
は、カゼインの糸だけを織り上げたものであるが、この
ラビング布２２は、ナイロンやレイヨンまたはその他の
高強度繊維からなる織布を裏布とし、その上にカゼイン
糸の織布を重ねたものとしてもよい。
は、カゼインの糸だけを織り上げたものであるが、この
ラビング布２２は、ナイロンやレイヨンまたはその他の
高強度繊維からなる織布を裏布とし、その上にカゼイン
糸の織布を重ねたものとしてもよい。
【００２６】また、上記実施例では、配向膜８，９をポ
リイミド膜としたが、上記配向処理方法は、ポリイミド
膜に限らず、他の高分子化合物や蛋白質からなる配向膜
の配向処理にも適用することができる。
リイミド膜としたが、上記配向処理方法は、ポリイミド
膜に限らず、他の高分子化合物や蛋白質からなる配向膜
の配向処理にも適用することができる。
【００２７】
【発明の効果】本発明の配向処理方法によれば、しなや
かでかつ吸湿性のあるカゼインからなるラビング布で配
向膜面をラビングしているため、配向膜面にラビング傷
が生じることはないし、またラビング布が空気中の水分
を吸収するために、配向膜とラビング布との摩擦による
静電気の発生も抑制される。
かでかつ吸湿性のあるカゼインからなるラビング布で配
向膜面をラビングしているため、配向膜面にラビング傷
が生じることはないし、またラビング布が空気中の水分
を吸収するために、配向膜とラビング布との摩擦による
静電気の発生も抑制される。
【図１】本発明の一実施例による配向処理方法を示す
図。
図。
【図２】液晶素子の断面図。
１，２…基板 ３…画素電極 ４…アクティブ素子 ５…対向電極 ６，７…絶縁膜 ８，９…配向膜 １０…シール材 ＬＣ…液晶 １１，１２…偏光板 ２０…ラビングローラ ２１…ローラ本体 ２２…カゼインからなるラビング布
Claims (1)
- 【請求項１】液晶素子の基板上に形成された配向膜の配
向処理方法であって、前記配向膜の膜面を、カゼインを
材料としたラビング布でラビングすることを特徴とする
配向膜の配向処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34426292A JPH06194661A (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | 配向膜の配向処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34426292A JPH06194661A (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | 配向膜の配向処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06194661A true JPH06194661A (ja) | 1994-07-15 |
Family
ID=18367883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34426292A Pending JPH06194661A (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | 配向膜の配向処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06194661A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0487750B1 (en) * | 1990-06-18 | 1997-01-15 | KANEKO, Tadashi | Method for making aggregate for construction material from infectious medical wastes |
-
1992
- 1992-12-24 JP JP34426292A patent/JPH06194661A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0487750B1 (en) * | 1990-06-18 | 1997-01-15 | KANEKO, Tadashi | Method for making aggregate for construction material from infectious medical wastes |
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