JP3004055B2 - アクティブマトリクス液晶素子 - Google Patents

アクティブマトリクス液晶素子

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JP3004055B2
JP3004055B2 JP40636690A JP40636690A JP3004055B2 JP 3004055 B2 JP3004055 B2 JP 3004055B2 JP 40636690 A JP40636690 A JP 40636690A JP 40636690 A JP40636690 A JP 40636690A JP 3004055 B2 JP3004055 B2 JP 3004055B2
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博文 分元
将市 石原
圭介 津田
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Panasonic Corp
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はアクティブマトリクス液
晶素子に関する。
【0002】
【従来の技術】画素ごとに薄膜トランジスタ(TFT)
やダイオードなどのスイッチング素子を設けたアクティ
ブマトリクス液晶素子は、液晶テレビジョン受像機など
の種々のディスプレイに応用されており、最近ではOA
用ディスプレイやプロジェクションテレビジョン受像機
としても大いに期待を集めている。
【0003】アクティブマトリクス液晶素子は、特に表
示手段として用いる場合には、表示品位向上の流れの中
で高密度化、大画面化の方向に進んでいる。それにとも
なって、液晶を均一配向させるのが困難となってきてい
る。現在、アクティブマトリクス液晶素子において、一
般に上下基板間で液晶分子の配向方向を90°ねじったT
Nモードが用いられている。そして、液晶の均一配向処
理は、液晶配向膜として形成したポリイミド膜の表面を
柔らかい布で擦るラビングによってなされている。一般
にTNモードの液晶素子のラビング方向は視野角の関係
で、それぞれの基板の長辺に対しておおむね45°の方向
に向いている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】アクティブマトリクス
液晶素子のアクティブ素子を有する側の基板にはTFT
あるいはダイオードなどのアクティブ素子はもちろん、
これらを接続するための配線などにより、基板表面に凹
凸が存在する。画素の高密度化にともない凹凸のピッチ
が細かくなり、また大画面化にともなって画素数が増加
すると均一配向が困難になり、配向欠陥が発生しやすく
なる。これは、表面の凹凸により、基板全体を均一かつ
十分にラビング処理することが難しくなるからである。
【0005】TNモードのアクティブマトリクス液晶素
子を特に表示手段として用いる場合には広視野角を得る
ため基板の辺に対しておおねむ45°の方向に液晶分子を
配向させる必要がある。従来から一般的に用いられてい
るポリイミドなどの液晶分子の配向方向がラビング方向
からずれない配向膜では均一にラビングされない領域が
画素の角の部分に生じ、配向欠陥が目立ち、表示品位が
悪くなるという課題を有していた。
【0006】本発明はこのような課題を解決するもの
で、基板表面の凹凸による配向欠陥を最小にするための
液晶配向膜およびラビング方向との組み合せにより新規
なアクティブマトリクス液晶素子を提供することを目的
とするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明は、ラビング方向から液晶分子がずれて配向す
る性質を持つ液晶配向膜を設けたことを特徴とするアク
ティブマトリクス液晶素子である。
【0008】
【作用】本発明は上記した液晶配向膜およびラビング方
向との組み合わせにより、基板表面の凹凸による配向欠
陥を最小に抑えることができる。
【0009】
【実施例】以下、本発明の実施例のアクティブマトリク
ス液晶素子について、図面を参照しながら説明する。図
1は本発明の第1実施例におけるアクティブマトリクス
液晶素子の概略構成を示す平面図である。図において、
11はアレイ側基板(アクティブ素子を形成した基板)、
12ソースライン、13はゲートライン、14は対向側基板で
ある。本実施例ではアレイ側基板11はアクティブ素子と
してTFTを持ち、対角2.8 インチサイズで縦(ゲー
ト)479 ライン×横(ソース)720 ライン、画素数3448
80のマトリクス基板を用いた。なお、配線部の段差はソ
ースライン12が約7000A、ゲートライン13が約1000A
で、ライン幅は8μmある。対向側基板14はクロム(厚
み1000A)のブラックマトリクスを有する基板を用い
た。
【0010】図2は第1実施例で行なったラビング処理
の方向を示す平面図である。15はアレイ側基板11のラビ
ング方向、16は対向側基板14のラビング方向である。ア
レイ側基板11のアレイを形成した面に牛血清アルブミン
(BSA)の1.0 重量%の水溶液を500 回転/分×10秒
+2500回転/分×60秒でスピンコート法により塗布し
た。その後、110 ℃で1時間乾燥を行なった。この膜の
表面をレーヨンからなる布でアレイ側基板11のラビング
方向15にラビング処理を行ない、液晶配向膜を完成し
た。
【0011】次いで、対向側基板14にポリイミドを500
回転/分×5秒+3000回転/分×30秒でスピンコート法
により塗布した。80℃で5分予備乾燥後、250 ℃で1時
間硬化を行なった。この膜の表面をレーヨンからなる布
で対向側基板14のラビング方向16にラビング処理を行な
い、液晶配向膜を完成した。
【0012】2枚の基板11,14の液晶配向膜を形成した
面を対向させ、5.0 μmのギャップで貼り合わせた後、
ネマチック液晶−等方性液体転移温度が99℃のPCH系
混合液晶にカイラル剤として右ねじれの4’−(S−2
−メチルブチル)−4−シアノビフェニルを0.2 %添加
した液晶を注入した。
【0013】このパネルを110 ℃に加熱、3分間保持し
た後、室温まで−3℃/分の冷却速度で冷却した後の配
向状態を偏光顕微鏡下で観察したところ、配向欠陥のな
い良好な液晶素子が得られた。
【0014】次に第2実施例について説明する。図3は
第2実施例で行なったラビング処理の方向を示す平面図
である。図において、21はアレイ側基板、22はアレイ側
基板21のラビング方向、23は対向側基板、24は対向側基
板23のラビング方向である。
【0015】アレイ側基板21には第1実施例とまったく
同じ方法で液晶配向膜を形成した。次いで、対向側基板
23に牛血清アルブミン(BSA)の1.0 重量%の水溶液
を500 回転/分×10秒+2500回転/分×60秒でスピンコ
ート法により塗布した。その後、110 ℃で1時間乾燥を
行なった。この膜の表面をレーヨンからなる布で対向側
基板23のラビング方向24にラビング処理を行ない、液晶
配向膜を完成した。
【0016】2枚の基板21,23の液晶配向膜を形成した
面を対向させ、5.0 μmのギャップで貼り合わせた後、
ネマチック液晶−等方性液体転移温度が99℃のPCH系
混合液晶にカイラル剤として右ねじれの4’−(S−2
−メチルブチル)−4−シアノビフェニルを0.2 %添加
した液晶を注入した。
【0017】このパネルを110 ℃に加熱、3分間保持し
た後、室温まで−3℃/分の冷却速度で冷却した後の配
向状態を偏光顕微鏡下で観察したところ、配向欠陥のな
い良好な液晶素子が得られた。
【0018】次に比較例について説明する。図4は比較
例で行なったラビング処理の方向を示す平面図である。
図において、31はアレイ側基板、32はアレイ側基板31の
ラビング方向、33は対向側基板、34は対向側基板33のラ
ビング方向である。
【0019】アレイ側基板31のアレイを形成した面にポ
リイミドを500 回転/分×5秒+3000回転/分×30秒で
スピンコート法により塗布した。その後、80℃で5分予
備乾燥後、250 ℃で1時間硬化を行なった。この膜の表
面をレーヨンからなる布でアレイ側基板31のラビング方
向32にラビング処理を行ない、液晶配向膜を完成した。
【0020】次いで、対向側基板33にポリイミドを500
回転/分×5秒+3000回転/分×30秒でスピンコート法
により塗布した。80℃で5分予備乾燥後、250 ℃で1時
間硬化を行なった。この膜の表面をレーヨンからなる布
で対向側基板33のラビング方向34にラビング処理を行な
い、液晶配向膜を完成した。
【0021】2枚の基板31,33の液晶配向膜を形成した
面を対向させ、5.0 μmのギャップで貼り合わせた後、
ネマチック液晶−等方性液体転移温度が99℃のPCH系
混合液晶にカイラル剤として右ねじれの4’−(S−2
−メチルブチル)−4−シアノビフェニルを0.2 %添加
した液晶を注入した。
【0022】このパネルを110 ℃に加熱、3分間保持し
た後、室温まで−3℃/分の冷却速度で冷却した後の配
向状態を偏光顕微鏡下で観察したところ、大部分の画素
の内部に配向欠陥が発生し、良好な液晶素子が得られな
かった。
【0023】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ラビング
方向から液晶分子がずれて配向する液晶配向膜(実施例
における牛血清アルブミン)を使用することで、基板表
面の凹凸による配向欠陥のない良好なアクティブマトリ
クス液晶素子を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例のアクティブマトリクス液
晶素子の平面図である。
【図2】本発明の第1実施例におけるラビング処理方向
を示す平面図である。
【図3】本発明の第2実施例におけるラビング処理方向
を示す平面図である。
【図4】比較例におけるラビング処理方向を示す平面図
である。
【符号の説明】
11 アレイ側基板 12 ソースライン 13 ゲートライン 14 対向側基板 15 ラビング方向 16 ラビング方向 21 アレイ側基板 22 ラビング方向 23 対向側基板 24 ラビング方向
フロントページの続き (72)発明者 津田 圭介 大阪府門真市大字門真1006番地松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−159126(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/1337

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも片方の基板上にラビング処理
    方向から液晶分子がずれて配向する性質を有する液晶配
    向膜を設けたことを特徴とするアクティブマトリクス液
    晶素子。
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