JPH06164176A - 電子部品搭載用基板及びその製造方法 - Google Patents
電子部品搭載用基板及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH06164176A JPH06164176A JP33091192A JP33091192A JPH06164176A JP H06164176 A JPH06164176 A JP H06164176A JP 33091192 A JP33091192 A JP 33091192A JP 33091192 A JP33091192 A JP 33091192A JP H06164176 A JPH06164176 A JP H06164176A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electronic component
- heat sink
- component mounting
- plating film
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49109—Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ヒートシンクと電子部品との密着性に優れた
電子部品搭載用基板及びその製造方法を提供すること。 【構成】 絶縁基板９と，電子部品搭載用の開口部９１
に接合されて電子部品搭載部９０を有するヒートシンク
１とを有する。ヒートシンク１は，電子部品搭載部９０
においてはニッケルメッキ膜１２を露出させている。こ
のニッケルメッキ膜１２の上にＡｇペースト２を介して
電子部品３を接合する。ヒートシンク１を製造するに当
たっては，例えば，ヒートシンク本体１３の表面全体に
ニッケルメッキ膜１２を施し，電子部品搭載部９０をマ
スキングテープにより被覆し，次いで金メッキ膜１１を
施し，マスキングテープを除去する。
電子部品搭載用基板及びその製造方法を提供すること。 【構成】 絶縁基板９と，電子部品搭載用の開口部９１
に接合されて電子部品搭載部９０を有するヒートシンク
１とを有する。ヒートシンク１は，電子部品搭載部９０
においてはニッケルメッキ膜１２を露出させている。こ
のニッケルメッキ膜１２の上にＡｇペースト２を介して
電子部品３を接合する。ヒートシンク１を製造するに当
たっては，例えば，ヒートシンク本体１３の表面全体に
ニッケルメッキ膜１２を施し，電子部品搭載部９０をマ
スキングテープにより被覆し，次いで金メッキ膜１１を
施し，マスキングテープを除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，ヒートシンクと電子部
品との密着性に優れた電子部品搭載用基板及びその製造
方法に関する。
品との密着性に優れた電子部品搭載用基板及びその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来技術】従来，電子部品搭載用基板としては，図１
１に示すごとく，絶縁基板９と，該絶縁基板９に穿設さ
れた開口部９１と，該開口部９１の一端を塞ぐヒートシ
ンク１とからなるものがある。開口部９１の一端には，
ヒートシンク１よりも若干大きい形状の段部９２が形成
されている。
１に示すごとく，絶縁基板９と，該絶縁基板９に穿設さ
れた開口部９１と，該開口部９１の一端を塞ぐヒートシ
ンク１とからなるものがある。開口部９１の一端には，
ヒートシンク１よりも若干大きい形状の段部９２が形成
されている。
【０００３】ヒートシンク１の表側面には電子部品搭載
部９０を有する。また，ヒートシンク１は，その表側面
周縁部１０１において接着剤７により上記段部９２内に
接着固定されている。絶縁基板９の内部には内層パター
ン５９が形成されている。上記ヒートシンク１は，ヒー
トシンク本体１３と，該ヒートシンク本体１３の周囲を
被覆しているニッケルメッキ膜１２，金メッキ膜１１と
からなる。ヒートシンク本体１３は銅板を用いている。
部９０を有する。また，ヒートシンク１は，その表側面
周縁部１０１において接着剤７により上記段部９２内に
接着固定されている。絶縁基板９の内部には内層パター
ン５９が形成されている。上記ヒートシンク１は，ヒー
トシンク本体１３と，該ヒートシンク本体１３の周囲を
被覆しているニッケルメッキ膜１２，金メッキ膜１１と
からなる。ヒートシンク本体１３は銅板を用いている。
【０００４】金メッキ膜１１は，ヒートシンク本体１３
の腐食防止のために設けてある。ニッケルメッキ膜１２
は，電子部品３との密着性を向上させるのために設けて
ある。上記電子部品搭載用基板９９は，電子部品搭載部
９０に，Ａｇペースト２により電子部品３が接着固定さ
れる。Ａｇペースト２は，熱伝導性がよく，耐熱性にも
優れているため電子部品３の接着剤として用いられる。
電子部品３は，ワイヤー５７により内層パターン５９の
一端と電気的に接続される。その後，開口部９１内は封
止樹脂により封止される。尚，図１１における符号５８
はリードピンである。
の腐食防止のために設けてある。ニッケルメッキ膜１２
は，電子部品３との密着性を向上させるのために設けて
ある。上記電子部品搭載用基板９９は，電子部品搭載部
９０に，Ａｇペースト２により電子部品３が接着固定さ
れる。Ａｇペースト２は，熱伝導性がよく，耐熱性にも
優れているため電子部品３の接着剤として用いられる。
電子部品３は，ワイヤー５７により内層パターン５９の
一端と電気的に接続される。その後，開口部９１内は封
止樹脂により封止される。尚，図１１における符号５８
はリードピンである。
【０００５】
【解決しようとする課題】しかしながら，上記電子部品
搭載用基板９９を過酷な温度条件の下で用いる場合に
は，電子部品３が剥離するおそれがある。即ち，過酷な
テスト条件で温度サイクル（─６５〜１５０℃）等の加
速試験を行った場合，電子部品３を接合している上記Ａ
ｇペースト２と，ヒートシンク１の金メッキ膜１１との
密着性が悪くなる。更には，電子部品３がヒートシンク
１から剥離し，ワイヤー５７が切れてオープン不良とな
る可能性があった。本発明はかかる問題点に鑑み，電子
部品とヒートシンクとの密着性に優れた電子部品搭載用
基板及びその製造方法を提供しようとするものである。
搭載用基板９９を過酷な温度条件の下で用いる場合に
は，電子部品３が剥離するおそれがある。即ち，過酷な
テスト条件で温度サイクル（─６５〜１５０℃）等の加
速試験を行った場合，電子部品３を接合している上記Ａ
ｇペースト２と，ヒートシンク１の金メッキ膜１１との
密着性が悪くなる。更には，電子部品３がヒートシンク
１から剥離し，ワイヤー５７が切れてオープン不良とな
る可能性があった。本発明はかかる問題点に鑑み，電子
部品とヒートシンクとの密着性に優れた電子部品搭載用
基板及びその製造方法を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題の解決手段】本発明は，絶縁基板と，該絶縁基板
に穿設された電子部品搭載用の開口部と，該開口部の一
端を塞ぎ，その表側面に電子部品搭載部を有するヒート
シンクとを有する電子部品搭載用基板であって，上記ヒ
ートシンクは，電子部品搭載部においてはニッケルメッ
キ膜を露出させていることを特徴とする電子部品搭載用
基板にある。
に穿設された電子部品搭載用の開口部と，該開口部の一
端を塞ぎ，その表側面に電子部品搭載部を有するヒート
シンクとを有する電子部品搭載用基板であって，上記ヒ
ートシンクは，電子部品搭載部においてはニッケルメッ
キ膜を露出させていることを特徴とする電子部品搭載用
基板にある。
【０００７】本発明において最も注目すべきことは，ヒ
ートシンクの電子部品搭載部にニッケルメッキ膜を露出
させたことである。ここに，電子部品搭載部とは，ヒー
トシンクの表側面における電子部品を搭載する部分をい
う。電子部品は，Ａｇペーストにより上記電子部品搭載
部に接着される。ヒートシンクは，ヒートシンク本体
と，該ヒートシンク本体を被覆しているニッケルメッキ
膜とよりなる。
ートシンクの電子部品搭載部にニッケルメッキ膜を露出
させたことである。ここに，電子部品搭載部とは，ヒー
トシンクの表側面における電子部品を搭載する部分をい
う。電子部品は，Ａｇペーストにより上記電子部品搭載
部に接着される。ヒートシンクは，ヒートシンク本体
と，該ヒートシンク本体を被覆しているニッケルメッキ
膜とよりなる。
【０００８】上記ヒートシンク本体には，銅板，及び銅
タングステン等の銅合金等が用いられる。ヒートシンク
における電子部品搭載部以外の部分は，金メッキ膜によ
り被覆されていることが好ましい。これによりヒートシ
ンク本体の腐食を防止することができる。
タングステン等の銅合金等が用いられる。ヒートシンク
における電子部品搭載部以外の部分は，金メッキ膜によ
り被覆されていることが好ましい。これによりヒートシ
ンク本体の腐食を防止することができる。
【０００９】また，上記電子部品搭載用基板を製造する
方法としては，電子部品搭載部にニッケルメッキ膜を露
出させたヒートシンクを作製し，該ヒートシンクを絶縁
基板の電子部品搭載用の開口部に接合して，電子部品搭
載用基板を製造する方法であって，上記ヒートシンク
は，ヒートシンク本体の表面にニッケルメッキ膜を施
し，次いで電子部品搭載部をマスキングテープにより被
覆し，次いで金メッキ膜を施し，その後上記マスキング
テープを除去することにより作製することを特徴とする
電子部品搭載用基板の製造方法がある。
方法としては，電子部品搭載部にニッケルメッキ膜を露
出させたヒートシンクを作製し，該ヒートシンクを絶縁
基板の電子部品搭載用の開口部に接合して，電子部品搭
載用基板を製造する方法であって，上記ヒートシンク
は，ヒートシンク本体の表面にニッケルメッキ膜を施
し，次いで電子部品搭載部をマスキングテープにより被
覆し，次いで金メッキ膜を施し，その後上記マスキング
テープを除去することにより作製することを特徴とする
電子部品搭載用基板の製造方法がある。
【００１０】また，電子部品搭載用基板の他の製造方法
としては，電子部品搭載部にニッケルメッキ膜を露出さ
せたヒートシンクを作製し，該ヒートシンクを絶縁基板
の電子部品搭載用の開口部に接合して，電子部品搭載用
基板を製造する方法であって，上記ヒートシンクは，ヒ
ートシンク本体の表面にニッケルメッキ膜を施し，次い
で金メッキ膜を施し，次いで電子部品搭載部以外の部分
をマスキングテープにより被覆し，次いで上記マスキン
グテープが被覆されていない部分における金メッキ膜を
除去し，その後上記マスキングテープを除去することに
より作製することを特徴とする電子部品搭載用基板の製
造方法がある。
としては，電子部品搭載部にニッケルメッキ膜を露出さ
せたヒートシンクを作製し，該ヒートシンクを絶縁基板
の電子部品搭載用の開口部に接合して，電子部品搭載用
基板を製造する方法であって，上記ヒートシンクは，ヒ
ートシンク本体の表面にニッケルメッキ膜を施し，次い
で金メッキ膜を施し，次いで電子部品搭載部以外の部分
をマスキングテープにより被覆し，次いで上記マスキン
グテープが被覆されていない部分における金メッキ膜を
除去し，その後上記マスキングテープを除去することに
より作製することを特徴とする電子部品搭載用基板の製
造方法がある。
【００１１】
【作用及び効果】本発明においては，ヒートシンクの電
子部品搭載部にニッケルメッキ膜を露出させている。そ
のため，電子部品を接合するＡｇペーストは，ヒートシ
ンクのニッケルメッキ膜と直接接触することになる。上
記ニッケルメッキ膜は容易に金属酸化膜を形成する。該
金属酸化膜はＡｇペーストとの密着性がよい。従って，
電子部品は，Ａｇペースト及びニッケルメッキ膜を介し
てヒートシンクの電子部品搭載部に強固に接着され，前
記温度サイクルに対しても剥離等の損傷を生ずることは
ない。
子部品搭載部にニッケルメッキ膜を露出させている。そ
のため，電子部品を接合するＡｇペーストは，ヒートシ
ンクのニッケルメッキ膜と直接接触することになる。上
記ニッケルメッキ膜は容易に金属酸化膜を形成する。該
金属酸化膜はＡｇペーストとの密着性がよい。従って，
電子部品は，Ａｇペースト及びニッケルメッキ膜を介し
てヒートシンクの電子部品搭載部に強固に接着され，前
記温度サイクルに対しても剥離等の損傷を生ずることは
ない。
【００１２】また，上記のいずれの方法においても，ニ
ッケルメッキ膜の表面に金メッキ膜を施したヒートシン
クにおいて，電子部品搭載部にニッケルメッキ膜を容易
に露出させることができ，また上記の優れた電子部品搭
載用基板を製造することができる。したがって，本発明
によれば，電子部品とヒートシンクとの密着性に優れた
電子部品搭載用基板及びその製造方法を提供することが
できる。
ッケルメッキ膜の表面に金メッキ膜を施したヒートシン
クにおいて，電子部品搭載部にニッケルメッキ膜を容易
に露出させることができ，また上記の優れた電子部品搭
載用基板を製造することができる。したがって，本発明
によれば，電子部品とヒートシンクとの密着性に優れた
電子部品搭載用基板及びその製造方法を提供することが
できる。
【００１３】
【実施例】実施例１ 本発明にかかる実施例について，図１〜図４を用いて説
明する。本例の電子部品搭載用基板９９は，図１に示す
ごとく，絶縁基板９と，該絶縁基板９に穿設された電子
部品搭載用の開口部９１と，該開口部９１の一端を塞
ぎ，その表側面に電子部品搭載部９０を有するヒートシ
ンク１とを有する。上記ヒートシンク１は，電子部品搭
載部９０においてはニッケルメッキ膜１２を露出させて
いる。
明する。本例の電子部品搭載用基板９９は，図１に示す
ごとく，絶縁基板９と，該絶縁基板９に穿設された電子
部品搭載用の開口部９１と，該開口部９１の一端を塞
ぎ，その表側面に電子部品搭載部９０を有するヒートシ
ンク１とを有する。上記ヒートシンク１は，電子部品搭
載部９０においてはニッケルメッキ膜１２を露出させて
いる。
【００１４】ヒートシンク１は，ヒートシンク本体１３
と，該ヒートシンク本体１３を被覆しているニッケルメ
ッキ膜１２と，更にその表面を被覆している金メッキ膜
１１とよりなる。上記ヒートシンク本体１３は，銅板で
ある。ヒートシンク１における電子部品搭載部９０以外
の部分は，図２，図３に示すごとく，金メッキ膜１１に
より被覆されている。これによりヒートシンク本体１３
の腐食を防止することができる。
と，該ヒートシンク本体１３を被覆しているニッケルメ
ッキ膜１２と，更にその表面を被覆している金メッキ膜
１１とよりなる。上記ヒートシンク本体１３は，銅板で
ある。ヒートシンク１における電子部品搭載部９０以外
の部分は，図２，図３に示すごとく，金メッキ膜１１に
より被覆されている。これによりヒートシンク本体１３
の腐食を防止することができる。
【００１５】開口部９１の一端には，ヒートシンク１よ
りも若干大きい形状の段部９２が形成されている。上記
ヒートシンク１は，その表側面周縁部１０１において接
着剤７により上記段部９２内に接着固定されている。上
記電子部品搭載部９０には，Ａｇペースト２により電子
部品３が接着固定される。その他の構造は，従来例と同
様である。
りも若干大きい形状の段部９２が形成されている。上記
ヒートシンク１は，その表側面周縁部１０１において接
着剤７により上記段部９２内に接着固定されている。上
記電子部品搭載部９０には，Ａｇペースト２により電子
部品３が接着固定される。その他の構造は，従来例と同
様である。
【００１６】次に，上記ヒートシンク１の製造方法につ
いて，図４を用いて説明する。まず，図４（ａ）に示す
ごとく，ヒートシンク本体１３としての銅板を準備す
る。次いで，図４（ｂ）に示すごとく，ヒートシンク本
体１３の表面全体にニッケルメッキ膜１２を施す。次い
で，図４（ｃ）に示すごとく，電子部品搭載部９０とな
るベき部分のみをマスキングテープ８により被覆する。
次いで，図４（ｄ）に示すごとく，上記ヒートシンク１
の表面に金メッキ膜１１を施し，その後上記マスキング
テープ８を除去する。
いて，図４を用いて説明する。まず，図４（ａ）に示す
ごとく，ヒートシンク本体１３としての銅板を準備す
る。次いで，図４（ｂ）に示すごとく，ヒートシンク本
体１３の表面全体にニッケルメッキ膜１２を施す。次い
で，図４（ｃ）に示すごとく，電子部品搭載部９０とな
るベき部分のみをマスキングテープ８により被覆する。
次いで，図４（ｄ）に示すごとく，上記ヒートシンク１
の表面に金メッキ膜１１を施し，その後上記マスキング
テープ８を除去する。
【００１７】次に本例の作用効果について説明する。本
例においてヒートシンク１は，電子部品搭載部９０にお
いて，ニッケルメッキ膜１２が露出している。そのた
め，電子部品３を接着しているＡｇペースト２は，ヒー
トシンク１のニッケルメッキ膜１２と直接接触すること
になる。Ａｇペースト２とニッケルメッキ膜１２とは，
前記のごとく，密着性がよい。
例においてヒートシンク１は，電子部品搭載部９０にお
いて，ニッケルメッキ膜１２が露出している。そのた
め，電子部品３を接着しているＡｇペースト２は，ヒー
トシンク１のニッケルメッキ膜１２と直接接触すること
になる。Ａｇペースト２とニッケルメッキ膜１２とは，
前記のごとく，密着性がよい。
【００１８】従って，電子部品３は，ヒートシンク１の
電子部品搭載部９０に強固に接着される。前記温度サイ
クルにおいても剥離を生ずることがない。また，ヒート
シンク１における電子部品搭載部９０以外の部分は，金
メッキ膜１１により被覆されている。そのため，ヒート
シンク本体１３の腐食を防止することができる。また，
上記の製造方法によれば，ニッケルメッキ膜１２の表面
に金メッキ膜１１を施したヒートシンク１において，電
子部品搭載部９０にニッケルメッキ膜１２を容易に露出
させることができる。
電子部品搭載部９０に強固に接着される。前記温度サイ
クルにおいても剥離を生ずることがない。また，ヒート
シンク１における電子部品搭載部９０以外の部分は，金
メッキ膜１１により被覆されている。そのため，ヒート
シンク本体１３の腐食を防止することができる。また，
上記の製造方法によれば，ニッケルメッキ膜１２の表面
に金メッキ膜１１を施したヒートシンク１において，電
子部品搭載部９０にニッケルメッキ膜１２を容易に露出
させることができる。
【００１９】実施例２ 本例においては，実施例１に示したヒートシンクを以下
のようにして製造した。まず，図５（ａ）に示すごと
く，ヒートシンク本体１３の表面全体に，ニッケルメッ
キ膜１２，金メッキ膜１１を順次施す。次いで，図５
（ｂ）に示すごとく，電子部品搭載部９０以外の部分を
マスキングテープ８により被覆する。
のようにして製造した。まず，図５（ａ）に示すごと
く，ヒートシンク本体１３の表面全体に，ニッケルメッ
キ膜１２，金メッキ膜１１を順次施す。次いで，図５
（ｂ）に示すごとく，電子部品搭載部９０以外の部分を
マスキングテープ８により被覆する。
【００２０】次いで，図５（ｃ）に示すごとく，上記金
メッキ膜１１における上記マスキングテープ８に被覆さ
れていない部分を，エッチングにより除去し，ニッケル
膜１２を露出させる。その後上記マスキングテープ８を
除去する。その他は，実施例１と同様である。本例にお
いても，実施例１と同様の効果を得ることができる。
メッキ膜１１における上記マスキングテープ８に被覆さ
れていない部分を，エッチングにより除去し，ニッケル
膜１２を露出させる。その後上記マスキングテープ８を
除去する。その他は，実施例１と同様である。本例にお
いても，実施例１と同様の効果を得ることができる。
【００２１】実施例３ 本例の電子部品搭載用基板は，図６〜図８に示すごと
く，ヒートシンク１の表側面全体，即ち電子部品搭載用
基板９０側の全表面においてニッケルメッキ膜１２が露
出している。また，開口部９１は，図６に示すごとく，
実施例１のように段部を形成していない。ヒートシンク
１は，その表側面周縁部１０１において，接着剤７によ
り，電子部品搭載用基板９における開口部９１の裏側面
周縁部９１１に接着固定されている。その他は，実施例
１と同様である。本例においても，実施例１と同様の効
果を得ることができる。
く，ヒートシンク１の表側面全体，即ち電子部品搭載用
基板９０側の全表面においてニッケルメッキ膜１２が露
出している。また，開口部９１は，図６に示すごとく，
実施例１のように段部を形成していない。ヒートシンク
１は，その表側面周縁部１０１において，接着剤７によ
り，電子部品搭載用基板９における開口部９１の裏側面
周縁部９１１に接着固定されている。その他は，実施例
１と同様である。本例においても，実施例１と同様の効
果を得ることができる。
【００２２】実施例４ 本例の電子部品搭載用基板においては，図９，図１０に
示すごとく，ヒートシンク１は，その表側面及び側面１
０２においてニッケルメッキ膜１２が露出しており，そ
の裏側面のみが金メッキ膜１１により被覆されている。
また，ヒートシンク１の側面１０２は，半田６により開
口部９１の裏面周縁部９１１に接着補強されている。ま
た，ヒートシンク１の側面１０２は，半田６により接合
するためにニッケルメッキ膜１２が露出している。ま
た，開口部９１の表側面周縁部９０１には樹脂封止枠４
が形成されている。
示すごとく，ヒートシンク１は，その表側面及び側面１
０２においてニッケルメッキ膜１２が露出しており，そ
の裏側面のみが金メッキ膜１１により被覆されている。
また，ヒートシンク１の側面１０２は，半田６により開
口部９１の裏面周縁部９１１に接着補強されている。ま
た，ヒートシンク１の側面１０２は，半田６により接合
するためにニッケルメッキ膜１２が露出している。ま
た，開口部９１の表側面周縁部９０１には樹脂封止枠４
が形成されている。
【００２３】その他は，実施例３と同様である。本例に
おいては，ヒートシンク１は，半田６により補強接着さ
れているので，絶縁基板９に対して強固に接着してい
る。また，本例においても，実施例３と同様の効果を得
ることができる。
おいては，ヒートシンク１は，半田６により補強接着さ
れているので，絶縁基板９に対して強固に接着してい
る。また，本例においても，実施例３と同様の効果を得
ることができる。
【図１】実施例１の電子部品搭載用基板の断面図。
【図２】実施例１のヒートシンクの断面図。
【図３】実施例１のヒートシンクの平面図。
【図４】実施例１のヒートシンクの製造方法を示す製造
工程説明図。
工程説明図。
【図５】実施例２のヒートシンクの製造方法を示す製造
工程説明図。
工程説明図。
【図６】実施例３の電子部品搭載用基板の断面図。
【図７】実施例３のヒートシンクの断面図。
【図８】実施例３のヒートシンクの平面図。
【図９】実施例４の電子部品搭載用基板の断面図。
【図１０】実施例４のヒートシンクの断面図。
【図１１】従来例の電子部品搭載用基板の断面図。
１．．．ヒートシンク， １１．．．金メッキ膜， １２．．．ニッケルメッキ膜， １３．．．ヒートシンク本体， ２．．．Ａｇペースト， ３．．．電子部品， ７．．．接着剤， ８．．．マスキングテープ， ９．．．絶縁基板， ９０．．．電子部品搭載部， ９１．．．開口部， ９２．．．段部， ９９．．．電子部品搭載用基板，
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 1/18 Ｑ 9154−4Ｅ
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁基板と，該絶縁基板に穿設された電
子部品搭載用の開口部と，該開口部の一端を塞ぎ，その
表側面に電子部品搭載部を有するヒートシンクとを有す
る電子部品搭載用基板であって， 上記ヒートシンクは，電子部品搭載部においてはニッケ
ルメッキ膜を露出させていることを特徴とする電子部品
搭載用基板。 - 【請求項２】 電子部品搭載部にニッケルメッキ膜を露
出させたヒートシンクを作製し，該ヒートシンクを絶縁
基板の電子部品搭載用の開口部に接合して，電子部品搭
載用基板を製造する方法であって， 上記ヒートシンクは，ヒートシンク本体の表面にニッケ
ルメッキ膜を施し，次いで電子部品搭載部をマスキング
テープにより被覆し，次いで金メッキ膜を施し，その後
上記マスキングテープを除去することにより作製するこ
とを特徴とする電子部品搭載用基板の製造方法。 - 【請求項３】 電子部品搭載部にニッケルメッキ膜を露
出させたヒートシンクを作製し，該ヒートシンクを絶縁
基板の電子部品搭載用の開口部に接合して，電子部品搭
載用基板を製造する方法であって， 上記ヒートシンクは，ヒートシンク本体の表面にニッケ
ルメッキ膜を施し，次いで金メッキ膜を施し，次いで電
子部品搭載部以外の部分をマスキングテープにより被覆
し，次いで上記マスキングテープが被覆されていない部
分における金メッキ膜を除去し，その後上記マスキング
テープを除去することにより作製することを特徴とする
電子部品搭載用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33091192A JP3304447B2 (ja) | 1992-11-17 | 1992-11-17 | 電子部品搭載用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33091192A JP3304447B2 (ja) | 1992-11-17 | 1992-11-17 | 電子部品搭載用基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06164176A true JPH06164176A (ja) | 1994-06-10 |
| JP3304447B2 JP3304447B2 (ja) | 2002-07-22 |
Family
ID=18237863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33091192A Expired - Lifetime JP3304447B2 (ja) | 1992-11-17 | 1992-11-17 | 電子部品搭載用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3304447B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08298302A (ja) * | 1995-02-27 | 1996-11-12 | Seiko Epson Corp | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-11-17 JP JP33091192A patent/JP3304447B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08298302A (ja) * | 1995-02-27 | 1996-11-12 | Seiko Epson Corp | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3304447B2 (ja) | 2002-07-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2552822B2 (ja) | 半導体パッケージおよびその製造方法 | |
| JPH1012773A (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2569400B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPH11251505A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH06164176A (ja) | 電子部品搭載用基板及びその製造方法 | |
| JP2937111B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| KR100591235B1 (ko) | 반도체 장치 | |
| JP2634341B2 (ja) | 圧力センサ用リードフレームおよびその製造方法 | |
| JP2632762B2 (ja) | 半導体素子搭載用基板の製造方法 | |
| JPH053280A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3455686B2 (ja) | 半導体パッケージの製造方法 | |
| JPH09306945A (ja) | 半導体装置用パッケージおよび半導体装置 | |
| JP3147189B2 (ja) | リードフレームおよびその製造方法 | |
| JPS61198656A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2002026170A (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2570968B2 (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPH05129514A (ja) | リードフレームおよびその製造方法 | |
| JPH1092964A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3356341B2 (ja) | Ｔａｂテープ及びその製造方法並びに半導体装置 | |
| JP2552943B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2782374B2 (ja) | 電子部品搭載装置及びその製造方法 | |
| JPH05144882A (ja) | 半導体装置用フイルムキヤリア | |
| JPH06168986A (ja) | Ｔａｂテープ及びその製造方法 | |
| JP2001015561A (ja) | 放熱板兼補強板付きｔａｂテープ及び半導体装置 | |
| JPH11251484A (ja) | チップサイズ型半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080510 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090510 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100510 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110510 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110510 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120510 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120510 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 11 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130510 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 11 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130510 |