JP3455686B2 - 半導体パッケージの製造方法 - Google Patents
半導体パッケージの製造方法Info
- Publication number
- JP3455686B2 JP3455686B2 JP31743098A JP31743098A JP3455686B2 JP 3455686 B2 JP3455686 B2 JP 3455686B2 JP 31743098 A JP31743098 A JP 31743098A JP 31743098 A JP31743098 A JP 31743098A JP 3455686 B2 JP3455686 B2 JP 3455686B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin circuit
- circuit board
- laminated
- resin
- protective tape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は樹脂回路基板を複数
枚積層して成る半導体パッケージの製造方法に関するも
のである。
枚積層して成る半導体パッケージの製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】図７は樹脂回路基板を複数枚積層して形
成した半導体パッケージの外形形状を示す。この半導体
パッケージは半導体素子を収納するための矩形の開口部
を設けた樹脂回路基板５を積層し、半導体素子を搭載す
るキャビティ６を形成したものである。積層する樹脂回
路基板５は下段の樹脂回路基板５の開口部の大きさを上
段の樹脂回路基板５に設ける開口部よりも小さく形成
し、キャビティ６の内壁面に形成される段差部の上面に
半導体素子と電気的に接続するボンディング部７が露出
するように設ける。
成した半導体パッケージの外形形状を示す。この半導体
パッケージは半導体素子を収納するための矩形の開口部
を設けた樹脂回路基板５を積層し、半導体素子を搭載す
るキャビティ６を形成したものである。積層する樹脂回
路基板５は下段の樹脂回路基板５の開口部の大きさを上
段の樹脂回路基板５に設ける開口部よりも小さく形成
し、キャビティ６の内壁面に形成される段差部の上面に
半導体素子と電気的に接続するボンディング部７が露出
するように設ける。
【０００３】図８は、半導体パッケージの断面図を示
す。５ａ、５ｂ、５ｃは開口部を形成した樹脂回路基板
で、プリプレグ（接着剤層）８を介して熱圧着により一
体化されている。９は樹脂回路基板５ａ、５ｂ、５ｃに
設けた内層の配線パターンと外部接続端子とを電気的に
接続するための接続部で、貫通孔の内壁面に銅めっきに
より導体部が形成されたスルーホールに形成されてい
る。積層した樹脂回路基板５ａ、５ｂ、５ｃによって形
成されたキャビティ６の内周縁に設けられたボンディン
グ部７は樹脂回路基板５ａ、５ｂに形成した配線パター
ンと電気的に接続し、キャビティ６の底面に搭載される
半導体素子とワイヤボンディング等によって電気的に接
続される。
す。５ａ、５ｂ、５ｃは開口部を形成した樹脂回路基板
で、プリプレグ（接着剤層）８を介して熱圧着により一
体化されている。９は樹脂回路基板５ａ、５ｂ、５ｃに
設けた内層の配線パターンと外部接続端子とを電気的に
接続するための接続部で、貫通孔の内壁面に銅めっきに
より導体部が形成されたスルーホールに形成されてい
る。積層した樹脂回路基板５ａ、５ｂ、５ｃによって形
成されたキャビティ６の内周縁に設けられたボンディン
グ部７は樹脂回路基板５ａ、５ｂに形成した配線パター
ンと電気的に接続し、キャビティ６の底面に搭載される
半導体素子とワイヤボンディング等によって電気的に接
続される。
【０００４】ところで、このように樹脂回路基板を積層
して形成する半導体パッケージの製造上の問題点とし
て、樹脂回路基板を熱圧着する際に樹脂回路基板を接着
するために層間に設けたプリプレグ８から樹脂成分が浸
み出してボンディング部７に付着してボンディング部７
のボンディング性を損なうこと、また、樹脂回路基板５
を熱圧着する際に各々の樹脂回路基板に設けた開口部の
周縁部では加圧時の圧力が直接的に加わらないため、開
口部の周縁部での接着が不十分になるという問題があっ
た。
して形成する半導体パッケージの製造上の問題点とし
て、樹脂回路基板を熱圧着する際に樹脂回路基板を接着
するために層間に設けたプリプレグ８から樹脂成分が浸
み出してボンディング部７に付着してボンディング部７
のボンディング性を損なうこと、また、樹脂回路基板５
を熱圧着する際に各々の樹脂回路基板に設けた開口部の
周縁部では加圧時の圧力が直接的に加わらないため、開
口部の周縁部での接着が不十分になるという問題があっ
た。
【０００５】そのため、図９に示すように、ボンディン
グ部７の表面にあらかじめ保護用の樹脂７ａを塗布して
おき、ボンディング部７にプリプレグ１２から流れ出し
た樹脂が付着しないようにする方法や、キャビティ６を
封止するようにパッケージの最外面を樹脂基板５ｄで閉
塞して加工する方法が行われている。キャビティ６を樹
脂基板５ｄで閉止するのは、エッチングにより樹脂基板
５ｄの外面に配線パターンを形成するといった際に、キ
ャビティ６の内側にエッチング液が侵入することを防止
するためである。また、樹脂回路基板の開口部の周縁部
での接着性を改善するため、キャビティ形成用の開口部
を設けずに樹脂回路基板を積層し、積層後にざぐり加工
等によってキャビティを形成するといった方法もある。
グ部７の表面にあらかじめ保護用の樹脂７ａを塗布して
おき、ボンディング部７にプリプレグ１２から流れ出し
た樹脂が付着しないようにする方法や、キャビティ６を
封止するようにパッケージの最外面を樹脂基板５ｄで閉
塞して加工する方法が行われている。キャビティ６を樹
脂基板５ｄで閉止するのは、エッチングにより樹脂基板
５ｄの外面に配線パターンを形成するといった際に、キ
ャビティ６の内側にエッチング液が侵入することを防止
するためである。また、樹脂回路基板の開口部の周縁部
での接着性を改善するため、キャビティ形成用の開口部
を設けずに樹脂回路基板を積層し、積層後にざぐり加工
等によってキャビティを形成するといった方法もある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、樹脂回
路基板でキャビティ６を閉塞するようにして加工する場
合や、樹脂回路基板に開口部を設けずに後工程でキャビ
ティを加工するといった場合には、積層後に樹脂回路基
板をざぐり加工するといった工程が必要となり、製造工
程が煩雑になるという問題がある。また、ボンディング
部７を保護用の樹脂７ａで被覆した場合には、積層後に
保護用の樹脂７ａを除去しなければならない。
路基板でキャビティ６を閉塞するようにして加工する場
合や、樹脂回路基板に開口部を設けずに後工程でキャビ
ティを加工するといった場合には、積層後に樹脂回路基
板をざぐり加工するといった工程が必要となり、製造工
程が煩雑になるという問題がある。また、ボンディング
部７を保護用の樹脂７ａで被覆した場合には、積層後に
保護用の樹脂７ａを除去しなければならない。
【０００７】本発明はこのような半導体パッケージの製
造工程における問題点を解消すべくなされたものであ
り、その目的とするところは、樹脂回路基板のボンディ
ング部にプリプレグから流れ出した樹脂が付着したりす
ることを防止し、かつ樹脂回路基板を圧着する際に、開
口部を閉塞した状態で開口部の周縁部についても確実に
加圧力を作用させて確実な接着を可能にする半導体パッ
ケージの製造方法を提供するにある。
造工程における問題点を解消すべくなされたものであ
り、その目的とするところは、樹脂回路基板のボンディ
ング部にプリプレグから流れ出した樹脂が付着したりす
ることを防止し、かつ樹脂回路基板を圧着する際に、開
口部を閉塞した状態で開口部の周縁部についても確実に
加圧力を作用させて確実な接着を可能にする半導体パッ
ケージの製造方法を提供するにある。
【０００８】上記の目的を達成するため、本発明は次の
構成を備える。すなわち、半導体素子を収納する開口部
を設けた複数の樹脂回路基板を、キャビティの底部側か
ら開口側に開口寸法が大きくなる順に接着剤を介して一
体に積層することにより、キャビティの内壁面を段差形
状に形成するとともに各段の樹脂回路基板の開口部の周
縁に配線パターンのボンディング部を露出させる半導体
パッケージの製造方法において、前記複数の樹脂回路基
板を積層する際に、樹脂回路基板の前記ボンディング部
を設けた面側に開口部を塞ぐように保護テープを貼着し
て、該保護テープによって前記ボンディング部を被覆す
るとともに当該樹脂回路基板のボンディング部を設けた
側に積層される次段の樹脂回路基板に設けられた開口部
を埋め、その後、該積層された複数の樹脂回路基板を圧
着することにより一体化させた後、前記保護テープを除
去することを特徴とする。また、樹脂回路基板を積層し
て一体化した積層体に厚さ方向の貫通孔を設け、貫通孔
の内壁面に樹脂回路基板に設けた配線パターンと電気的
に接続する導体部を形成した後、前記保護テープを除去
することを特徴とする。また、前記保護テープとして、
次段に積層される樹脂回路基板の厚さと樹脂回路基板を
接着する接着剤層の厚さとを合わせた厚さと同一の厚さ
に形成したものを使用し、樹脂回路基板を積層して一体
化した積層体の外面の全面に挟圧力を作用させ、各段間
の保護テープを相互に押接して樹脂回路基板を一体化す
ることを特徴とする。また、前記保護テープとして所要
の加熱温度で剥離性を有する熱ピールテープを使用し、
前記樹脂回路基板を一体に積層して積層体を形成した
後、積層体を加熱することにより前記保護テープを除去
することを特徴とする。
構成を備える。すなわち、半導体素子を収納する開口部
を設けた複数の樹脂回路基板を、キャビティの底部側か
ら開口側に開口寸法が大きくなる順に接着剤を介して一
体に積層することにより、キャビティの内壁面を段差形
状に形成するとともに各段の樹脂回路基板の開口部の周
縁に配線パターンのボンディング部を露出させる半導体
パッケージの製造方法において、前記複数の樹脂回路基
板を積層する際に、樹脂回路基板の前記ボンディング部
を設けた面側に開口部を塞ぐように保護テープを貼着し
て、該保護テープによって前記ボンディング部を被覆す
るとともに当該樹脂回路基板のボンディング部を設けた
側に積層される次段の樹脂回路基板に設けられた開口部
を埋め、その後、該積層された複数の樹脂回路基板を圧
着することにより一体化させた後、前記保護テープを除
去することを特徴とする。また、樹脂回路基板を積層し
て一体化した積層体に厚さ方向の貫通孔を設け、貫通孔
の内壁面に樹脂回路基板に設けた配線パターンと電気的
に接続する導体部を形成した後、前記保護テープを除去
することを特徴とする。また、前記保護テープとして、
次段に積層される樹脂回路基板の厚さと樹脂回路基板を
接着する接着剤層の厚さとを合わせた厚さと同一の厚さ
に形成したものを使用し、樹脂回路基板を積層して一体
化した積層体の外面の全面に挟圧力を作用させ、各段間
の保護テープを相互に押接して樹脂回路基板を一体化す
ることを特徴とする。また、前記保護テープとして所要
の加熱温度で剥離性を有する熱ピールテープを使用し、
前記樹脂回路基板を一体に積層して積層体を形成した
後、積層体を加熱することにより前記保護テープを除去
することを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態に
ついて詳細に説明する。図１は基板１０にプリプレグ８
を介して３枚の樹脂回路基板１０ａ、１０ｂ、１０ｃを
積層してパッケージを形成する方法を示す。図では、一
つのパッケージを構成する部位を示すが、実際には図５
に示すように大判の樹脂回路基板を使用して一度に多数
個のパッケージを形成する。なお、プリプレグ８は樹脂
回路基板を圧着して一体化する接着剤として用いるもの
で、接着する樹脂回路基板と同様に開口部が形成された
シート状に形成されている。樹脂回路基板を接着する接
着剤としてはプリプレグに限らず、液状の接着剤をコー
ティングするといった方法によることも可能である。
ついて詳細に説明する。図１は基板１０にプリプレグ８
を介して３枚の樹脂回路基板１０ａ、１０ｂ、１０ｃを
積層してパッケージを形成する方法を示す。図では、一
つのパッケージを構成する部位を示すが、実際には図５
に示すように大判の樹脂回路基板を使用して一度に多数
個のパッケージを形成する。なお、プリプレグ８は樹脂
回路基板を圧着して一体化する接着剤として用いるもの
で、接着する樹脂回路基板と同様に開口部が形成された
シート状に形成されている。樹脂回路基板を接着する接
着剤としてはプリプレグに限らず、液状の接着剤をコー
ティングするといった方法によることも可能である。
【００１０】基板１０は半導体素子を搭載するキャビテ
ィ６の底部を構成するもので、絶縁基板（樹脂基板）を
基材として、キャビティ６が形成される面側に半導体素
子１２を接合するダイパッド１２が形成されている。ダ
イパッド１２は絶縁基板の表面に被着して設けた銅箔を
所定パターンにエッチングして形成することができる。
なお、ダイパッド１２を形成した面と反対面に銅箔をエ
ッチングして所要の配線パターンを形成することももち
ろん可能である。
ィ６の底部を構成するもので、絶縁基板（樹脂基板）を
基材として、キャビティ６が形成される面側に半導体素
子１２を接合するダイパッド１２が形成されている。ダ
イパッド１２は絶縁基板の表面に被着して設けた銅箔を
所定パターンにエッチングして形成することができる。
なお、ダイパッド１２を形成した面と反対面に銅箔をエ
ッチングして所要の配線パターンを形成することももち
ろん可能である。
【００１１】樹脂回路基板１０ａ、１０ｂはキャビティ
６を構成するための開口部１４ａ、１４ｂを設けるとと
もに、表面に配線パターン１６ａ、１６ｂを設けたもの
である。配線パターン１６ａ、１６ｂのうち、開口部１
４ａ、１４ｂの周縁部に配設される部位は半導体素子と
電気的に接続されるボンディング部７となっている。こ
れらの配線パターン１６ａ、１６ｂも、樹脂回路基板１
０ａ、１０ｂの表面に被着して設けた銅箔を所定パター
ンにエッチングして形成することができる。
６を構成するための開口部１４ａ、１４ｂを設けるとと
もに、表面に配線パターン１６ａ、１６ｂを設けたもの
である。配線パターン１６ａ、１６ｂのうち、開口部１
４ａ、１４ｂの周縁部に配設される部位は半導体素子と
電気的に接続されるボンディング部７となっている。こ
れらの配線パターン１６ａ、１６ｂも、樹脂回路基板１
０ａ、１０ｂの表面に被着して設けた銅箔を所定パター
ンにエッチングして形成することができる。
【００１２】１０ｃは半導体パッケージの最外層に設け
る樹脂基板であり、上記樹脂回路基板１０ａ、１０ｂと
同様に、キャビティ６を形成するための開口部１４ｃを
設けている。樹脂基板１０ｃについては表面にあらかじ
め配線パターンを形成した状態で積層してもよいし、樹
脂回路基板を積層した後に配線パターンを形成してもよ
い。本実施形態の樹脂基板１０ｃは表面に単に銅箔１８
が被着されたものである。本明細書では、基板の表面に
配線パターンが形成された状態と単に銅箔１８が被着さ
れた状態を含めて樹脂基板１０ｃを樹脂回路基板１０ｃ
ということにする。
る樹脂基板であり、上記樹脂回路基板１０ａ、１０ｂと
同様に、キャビティ６を形成するための開口部１４ｃを
設けている。樹脂基板１０ｃについては表面にあらかじ
め配線パターンを形成した状態で積層してもよいし、樹
脂回路基板を積層した後に配線パターンを形成してもよ
い。本実施形態の樹脂基板１０ｃは表面に単に銅箔１８
が被着されたものである。本明細書では、基板の表面に
配線パターンが形成された状態と単に銅箔１８が被着さ
れた状態を含めて樹脂基板１０ｃを樹脂回路基板１０ｃ
ということにする。
【００１３】これらの基板１０、樹脂回路基板１０ａ、
１０ｂ、１０ｃは相互に位置合わせし、プリプレグ８を
層間に挟んで熱圧着により一体化するが、本実施形態で
特徴的な構成は、樹脂回路基板１０ａ、１０ｂ、１０ｃ
を積層する際に、開口部１４ｂ、１４ｃの孔寸法に合わ
せて形成した保護テープ２０ａ、２０ｂを、樹脂回路基
板１０ａ、１０ｂ、１０ｃを積層した際の開口部１４
ｂ、１４ｃの位置に合わせて、あらかじめ樹脂回路基板
１０ａ、１０ｂに貼着してから積層することにある。
１０ｂ、１０ｃは相互に位置合わせし、プリプレグ８を
層間に挟んで熱圧着により一体化するが、本実施形態で
特徴的な構成は、樹脂回路基板１０ａ、１０ｂ、１０ｃ
を積層する際に、開口部１４ｂ、１４ｃの孔寸法に合わ
せて形成した保護テープ２０ａ、２０ｂを、樹脂回路基
板１０ａ、１０ｂ、１０ｃを積層した際の開口部１４
ｂ、１４ｃの位置に合わせて、あらかじめ樹脂回路基板
１０ａ、１０ｂに貼着してから積層することにある。
【００１４】樹脂回路基板１０ａ、１０ｂ、１０ｃに設
けた開口部１４ａ、１４ｂ、１４ｃの孔寸法は、樹脂回
路基板１０ａ、１０ｂ、１０ｃを積層した際に配線パタ
ーン１６ａ、１６ｂに設けたボンディング部７がキャビ
ティ内に露出するように設定される。１層目の樹脂回路
基板１０ａに貼着する保護テープ２０ａは外形寸法を２
層目の樹脂回路基板１０ｂに設けた開口部１４ｂの内の
り寸法に一致させて形成するとともに、その厚さを２層
目の樹脂回路基板１０ｂの厚さと接着時のプリプレグ８
の厚さを合わせた厚さに一致するように設け、２層目の
樹脂回路基板１０ｂに貼着する保護テープ２０ｂは外形
寸法を３層目の樹脂回路基板１０ｃに設けた開口部１４
ｃの内のり寸法に一致させるとともに、その厚さを３層
目の樹脂回路基板１０ｂの厚さと接着時のプリプレグ８
の厚さを合わせた厚さに一致するように設ける。
けた開口部１４ａ、１４ｂ、１４ｃの孔寸法は、樹脂回
路基板１０ａ、１０ｂ、１０ｃを積層した際に配線パタ
ーン１６ａ、１６ｂに設けたボンディング部７がキャビ
ティ内に露出するように設定される。１層目の樹脂回路
基板１０ａに貼着する保護テープ２０ａは外形寸法を２
層目の樹脂回路基板１０ｂに設けた開口部１４ｂの内の
り寸法に一致させて形成するとともに、その厚さを２層
目の樹脂回路基板１０ｂの厚さと接着時のプリプレグ８
の厚さを合わせた厚さに一致するように設け、２層目の
樹脂回路基板１０ｂに貼着する保護テープ２０ｂは外形
寸法を３層目の樹脂回路基板１０ｃに設けた開口部１４
ｃの内のり寸法に一致させるとともに、その厚さを３層
目の樹脂回路基板１０ｂの厚さと接着時のプリプレグ８
の厚さを合わせた厚さに一致するように設ける。
【００１５】１層目と２層目の樹脂回路基板１０ａ、１
０ｂに貼着する保護テープ２０ａ、２０ｂは基板１０に
樹脂回路基板１０ａ、１０ｂ、１０ｃを積層する際に、
１層目と２層目の開口部１４ａ、１４ｂの周縁で露出す
るボンディング部７を遮蔽するとともに、２層目と３層
目の樹脂回路基板１０ｂ、１０ｃに設けられた開口部１
４ｂ、１４ｃを遮蔽し、かつ開口部１４ｂ、１４ｃ内を
テープによって閉塞することを目的としている。保護テ
ープ２０ａ、２０ｂの外形形状と厚さを開口部１４ｂ、
１４ｃの孔寸法及び基板の厚さとプリプレグの厚さを基
準として設定しているのはこのためである。
０ｂに貼着する保護テープ２０ａ、２０ｂは基板１０に
樹脂回路基板１０ａ、１０ｂ、１０ｃを積層する際に、
１層目と２層目の開口部１４ａ、１４ｂの周縁で露出す
るボンディング部７を遮蔽するとともに、２層目と３層
目の樹脂回路基板１０ｂ、１０ｃに設けられた開口部１
４ｂ、１４ｃを遮蔽し、かつ開口部１４ｂ、１４ｃ内を
テープによって閉塞することを目的としている。保護テ
ープ２０ａ、２０ｂの外形形状と厚さを開口部１４ｂ、
１４ｃの孔寸法及び基板の厚さとプリプレグの厚さを基
準として設定しているのはこのためである。
【００１６】図５、６は１層目の樹脂回路基板１０ａの
平面図と樹脂回路基板１０ａに保護テープ２０ａを貼着
した状態の平面図を示す。前述したように、実際の製造
工程では大判の樹脂回路基板１０ａを使用する。図５、
６は大判の樹脂回路基板１０ａに保護テープ２０ａを貼
る方法を示している。大判の樹脂回路基板１０ａには多
数個の開口部１４ａが形成され、各々の開口部１４ａの
周縁に配線パターン１６ａが形成されている。保護テー
プ２０ａはこれらの開口部１４ａの位置に合わせて貼着
する。保護テープ２０ａは開口部１４ａの周縁のボンデ
ィング部７を被覆して開口部１４ａを塞ぐように貼着さ
れる。
平面図と樹脂回路基板１０ａに保護テープ２０ａを貼着
した状態の平面図を示す。前述したように、実際の製造
工程では大判の樹脂回路基板１０ａを使用する。図５、
６は大判の樹脂回路基板１０ａに保護テープ２０ａを貼
る方法を示している。大判の樹脂回路基板１０ａには多
数個の開口部１４ａが形成され、各々の開口部１４ａの
周縁に配線パターン１６ａが形成されている。保護テー
プ２０ａはこれらの開口部１４ａの位置に合わせて貼着
する。保護テープ２０ａは開口部１４ａの周縁のボンデ
ィング部７を被覆して開口部１４ａを塞ぐように貼着さ
れる。
【００１７】保護テープ２０ａを貼着する方法として
は、所定の個片形状に形成した保護テープ２０ａをエア
吸着して各々の開口部１４ａの位置に合わせて貼着する
方法、樹脂回路基板１０ａに設けられた開口部１４ａと
同一の配列で個片形状に形成した保護テープ２０ａを支
持したキャリアテープを用意し、キャリアテープと樹脂
回路基板１０ａとを位置合わせして、キャリアテープか
ら樹脂回路基板１０ａに保護テープ２０ａを貼着する方
法、樹脂回路基板１０ａの全面に保護テープとなる感光
性テープを貼着し、保護テープ２０ａとして樹脂回路基
板１０ａ上に残す部位を除いて感光性テープをエッチン
グして除去するといった方法が可能である。
は、所定の個片形状に形成した保護テープ２０ａをエア
吸着して各々の開口部１４ａの位置に合わせて貼着する
方法、樹脂回路基板１０ａに設けられた開口部１４ａと
同一の配列で個片形状に形成した保護テープ２０ａを支
持したキャリアテープを用意し、キャリアテープと樹脂
回路基板１０ａとを位置合わせして、キャリアテープか
ら樹脂回路基板１０ａに保護テープ２０ａを貼着する方
法、樹脂回路基板１０ａの全面に保護テープとなる感光
性テープを貼着し、保護テープ２０ａとして樹脂回路基
板１０ａ上に残す部位を除いて感光性テープをエッチン
グして除去するといった方法が可能である。
【００１８】なお、この保護テープ２０ａは後工程で、
樹脂回路基板１０ａから剥離して除去するから、貼着
後、簡単に剥離除去できるテープ、たとえば加熱によっ
て簡単に剥離する熱ピールテープなどが好適に使用でき
る。また、保護テープ２０は熱圧着等の後工程での処理
で問題とならない材質のものを選択する。保護テープ２
０の材料としてはポリイミド系テープ、シリコーン系テ
ープ等が好適である。図５、６は１層目の樹脂回路基板
１０ａに保護テープ２０ａを貼着する方法を示したが、
２層目の樹脂回路基板１０ｂに保護テープ２０ｂを貼着
する場合もまったく同様にして行うことができる。ま
た、３層以上の樹脂回路基板に対して保護テープを貼着
する場合も、同様に行えばよい。
樹脂回路基板１０ａから剥離して除去するから、貼着
後、簡単に剥離除去できるテープ、たとえば加熱によっ
て簡単に剥離する熱ピールテープなどが好適に使用でき
る。また、保護テープ２０は熱圧着等の後工程での処理
で問題とならない材質のものを選択する。保護テープ２
０の材料としてはポリイミド系テープ、シリコーン系テ
ープ等が好適である。図５、６は１層目の樹脂回路基板
１０ａに保護テープ２０ａを貼着する方法を示したが、
２層目の樹脂回路基板１０ｂに保護テープ２０ｂを貼着
する場合もまったく同様にして行うことができる。ま
た、３層以上の樹脂回路基板に対して保護テープを貼着
する場合も、同様に行えばよい。
【００１９】図２は、上記のようにして保護テープ２０
ａ、２０ｂを貼着した樹脂回路基板１０ａ、１０ｂと３
層目の樹脂回路基板１０ｃを位置合わせして積層した状
態を示す。１層目の樹脂回路基板１０ａに貼着した保護
テープ２０ａが２層目の樹脂回路基板１０ｂの開口部１
４ｂをちょうど充填するかたちに、２層目の樹脂回路基
板１０ｂに貼着した保護テープ２０ｂが３層目の樹脂回
路基板１０ｃの開口部１４ｃをちょうど充填する形態と
なる。このように、保護テープ２０ａ、２０ｂを介して
樹脂回路基板１０ａ、１０ｂ、１０ｃを積層すると、こ
れらの基板１０、樹脂回路基板１０ａ、１０ｂ、１０ｃ
を熱圧着する際に、樹脂回路基板１０ａ、１０ｂの開口
部１４ａ、１４ｂの内周縁部にも保護テープ２０ａ、２
０ｂを介して確実に加圧力が作用し、確実に圧着するこ
とが可能になる。
ａ、２０ｂを貼着した樹脂回路基板１０ａ、１０ｂと３
層目の樹脂回路基板１０ｃを位置合わせして積層した状
態を示す。１層目の樹脂回路基板１０ａに貼着した保護
テープ２０ａが２層目の樹脂回路基板１０ｂの開口部１
４ｂをちょうど充填するかたちに、２層目の樹脂回路基
板１０ｂに貼着した保護テープ２０ｂが３層目の樹脂回
路基板１０ｃの開口部１４ｃをちょうど充填する形態と
なる。このように、保護テープ２０ａ、２０ｂを介して
樹脂回路基板１０ａ、１０ｂ、１０ｃを積層すると、こ
れらの基板１０、樹脂回路基板１０ａ、１０ｂ、１０ｃ
を熱圧着する際に、樹脂回路基板１０ａ、１０ｂの開口
部１４ａ、１４ｂの内周縁部にも保護テープ２０ａ、２
０ｂを介して確実に加圧力が作用し、確実に圧着するこ
とが可能になる。
【００２０】また、プリプレグ８を介して熱圧着する際
にプリプレグ８から樹脂が流れ出すことがあり得るが、
保護テープ２０ａ、２０ｂは１層目と２層目の樹脂回路
基板１０ａ、１０ｂのボンディング部７を被覆している
から、プリプレグ８から樹脂が流れ出してボンディング
部７の表面に付着することを確実に防止することができ
る。すなわち、保護テープ２０ａ、２０ｂは基板１０と
樹脂回路基板１０ａ、１０ｂ、１０ｃの全体を確実に加
圧して一体化させ、ボンディング部７に異物が付着する
ことを防止する作用を有するものである。
にプリプレグ８から樹脂が流れ出すことがあり得るが、
保護テープ２０ａ、２０ｂは１層目と２層目の樹脂回路
基板１０ａ、１０ｂのボンディング部７を被覆している
から、プリプレグ８から樹脂が流れ出してボンディング
部７の表面に付着することを確実に防止することができ
る。すなわち、保護テープ２０ａ、２０ｂは基板１０と
樹脂回路基板１０ａ、１０ｂ、１０ｃの全体を確実に加
圧して一体化させ、ボンディング部７に異物が付着する
ことを防止する作用を有するものである。
【００２１】基板１０と樹脂回路基板１０ａ、１０ｂ、
１０ｃを接着して一体化した積層体を形成した後、外部
接続端子と内層の配線パターンとを電気的に接続する接
続部（スルーホール）２２を形成し、また樹脂回路基板
１０ｃの外面に配線パターン２４を形成する。図３は樹
脂回路基板の積層体に接続部２２と配線パターン２４を
形成した状態を示す。接続部２２は樹脂回路基板の積層
体にドリル加工により貫通孔を設け、無電解銅めっき及
び電解銅めっき等を施して貫通孔の内面に導体部を形成
することにより内層の配線パターンと電気的に接続する
ように形成することができる。
１０ｃを接着して一体化した積層体を形成した後、外部
接続端子と内層の配線パターンとを電気的に接続する接
続部（スルーホール）２２を形成し、また樹脂回路基板
１０ｃの外面に配線パターン２４を形成する。図３は樹
脂回路基板の積層体に接続部２２と配線パターン２４を
形成した状態を示す。接続部２２は樹脂回路基板の積層
体にドリル加工により貫通孔を設け、無電解銅めっき及
び電解銅めっき等を施して貫通孔の内面に導体部を形成
することにより内層の配線パターンと電気的に接続する
ように形成することができる。
【００２２】配線パターン２４は樹脂回路基板１０ｃの
外面に設けられた銅箔および銅めっきによって形成され
ためっき層から成る導体層をエッチングして得られる。
導体層のエッチングは表面にレジストを塗布し、露光、
現像してレジストパターンを形成した後、レジストパタ
ーンをマスクとして導体層をエッチングする方法によっ
て行う。配線パターン２４を形成した後、基板の外部接
続端子を接合する部位を除いた表面をソルダーレジスト
等の保護膜によって被覆する。保護膜によって被覆され
ていないボンディング部や外部接続端子を接合する部位
等の配線パターン２４が露出する部位には、ニッケルめ
っき及び金めっきが施される。配線パターン２４は外部
接続端子として貫通孔に接続ピンを嵌入する形式にも、
はんだボール等の表面実装型の外部接続端子を接合する
形式にも形成できる。
外面に設けられた銅箔および銅めっきによって形成され
ためっき層から成る導体層をエッチングして得られる。
導体層のエッチングは表面にレジストを塗布し、露光、
現像してレジストパターンを形成した後、レジストパタ
ーンをマスクとして導体層をエッチングする方法によっ
て行う。配線パターン２４を形成した後、基板の外部接
続端子を接合する部位を除いた表面をソルダーレジスト
等の保護膜によって被覆する。保護膜によって被覆され
ていないボンディング部や外部接続端子を接合する部位
等の配線パターン２４が露出する部位には、ニッケルめ
っき及び金めっきが施される。配線パターン２４は外部
接続端子として貫通孔に接続ピンを嵌入する形式にも、
はんだボール等の表面実装型の外部接続端子を接合する
形式にも形成できる。
【００２３】本実施形態では、保護テープ２０ａ、２０
ｂによって樹脂回路基板を積層して形成されるキャビテ
ィ内を閉塞したことにより、樹脂回路基板の積層体にド
リル加工を施したり、積層体の外面の導体層をエッチン
グしたりする処理工程の際に、キャビティ内に異物やエ
ッチング液が侵入することを防止し、これらの処理によ
ってボンディング部７等に悪影響を及ぼさずに作業する
ことができるという利点がある。
ｂによって樹脂回路基板を積層して形成されるキャビテ
ィ内を閉塞したことにより、樹脂回路基板の積層体にド
リル加工を施したり、積層体の外面の導体層をエッチン
グしたりする処理工程の際に、キャビティ内に異物やエ
ッチング液が侵入することを防止し、これらの処理によ
ってボンディング部７等に悪影響を及ぼさずに作業する
ことができるという利点がある。
【００２４】接続部２２、配線パターン２４を形成した
後、保護テープ２０ａ、２０ｂを除去し、大判の樹脂回
路基板を個片に分割して半導体パッケージが得られる。
図４はこうして得られた半導体パッケージの断面図を示
す。保護テープ２０ａ、２０ｂとして熱ピールテープの
ように所定の加熱温度により簡単に剥離除去でき、基板
側に粘着剤などが付着しない材質のものを使用すること
によってボンディング部７の表面、キャビティ６の内面
を清浄な状態で提供することができる。
後、保護テープ２０ａ、２０ｂを除去し、大判の樹脂回
路基板を個片に分割して半導体パッケージが得られる。
図４はこうして得られた半導体パッケージの断面図を示
す。保護テープ２０ａ、２０ｂとして熱ピールテープの
ように所定の加熱温度により簡単に剥離除去でき、基板
側に粘着剤などが付着しない材質のものを使用すること
によってボンディング部７の表面、キャビティ６の内面
を清浄な状態で提供することができる。
【００２５】本実施形態の半導体パッケージの製造方法
のように、樹脂回路基板に保護テープを貼着してキャビ
ティを閉塞した状態で加工する方法によれば、最後に保
護テープを除去するだけでパッケージとすることがで
き、簡単に除去できる保護テープを使用することによっ
て、ざぐり加工といった煩雑な加工をする必要がなく、
きわめて容易に作業することが可能になる。また、前述
したように、保護テープを使用することによって、ボン
ディング部に異物が付着したりエッチング液がキャビテ
ィ内に侵入したりすることを防止でき、樹脂回路基板を
積層する際には開口部の周縁部についても確実に接着す
ることが可能になる。
のように、樹脂回路基板に保護テープを貼着してキャビ
ティを閉塞した状態で加工する方法によれば、最後に保
護テープを除去するだけでパッケージとすることがで
き、簡単に除去できる保護テープを使用することによっ
て、ざぐり加工といった煩雑な加工をする必要がなく、
きわめて容易に作業することが可能になる。また、前述
したように、保護テープを使用することによって、ボン
ディング部に異物が付着したりエッチング液がキャビテ
ィ内に侵入したりすることを防止でき、樹脂回路基板を
積層する際には開口部の周縁部についても確実に接着す
ることが可能になる。
【００２６】上記実施形態では、基板１０に３枚の樹脂
回路基板１０ａ、１０ｂ、１０ｃを積層して半導体パッ
ケージとしたが、積層する樹脂回路基板の枚数等が限定
されるものではなく、樹脂回路基板を４枚以上積層する
場合でも、キャビティを閉塞するように保護テープを貼
着した樹脂回路基板を積層することによって、同様に製
造することができる。また、上記実施形態では基板１０
として開口部を設けていないものを使用したが、開口部
を設けた基板１０を使用する場合は、当該基板１０に１
層目の樹脂回路基板１０ａの開口部１４ａを封止する保
護テープを貼着して積層すればよい。また、基板１０は
必ずしも必要なく、１層目の樹脂回路基板１０ａの底面
に金属板（ヒートシンク）を接合して半導体素子の搭載
部とすることもできる。この場合も、上述した製造方法
がそのまま適用できる。
回路基板１０ａ、１０ｂ、１０ｃを積層して半導体パッ
ケージとしたが、積層する樹脂回路基板の枚数等が限定
されるものではなく、樹脂回路基板を４枚以上積層する
場合でも、キャビティを閉塞するように保護テープを貼
着した樹脂回路基板を積層することによって、同様に製
造することができる。また、上記実施形態では基板１０
として開口部を設けていないものを使用したが、開口部
を設けた基板１０を使用する場合は、当該基板１０に１
層目の樹脂回路基板１０ａの開口部１４ａを封止する保
護テープを貼着して積層すればよい。また、基板１０は
必ずしも必要なく、１層目の樹脂回路基板１０ａの底面
に金属板（ヒートシンク）を接合して半導体素子の搭載
部とすることもできる。この場合も、上述した製造方法
がそのまま適用できる。
【００２７】上記実施形態では樹脂回路基板１０ａ、１
０ｂ、１０ｃを圧着して一体化した積層体に所要の加工
を施した後の最終工程で保護テープ２０ａ、２０ｂを除
去するようにしたが、他の方法として、２層目までの樹
脂回路基板１０ａ、１０ｂを圧着した段階で保護テープ
２０ａ、２０ｂを除去し、次に、従来方法と同様に開口
部を有しない樹脂回路基板１０ｃを積層してキャビティ
の開口部を塞ぎ、配線パターン１４等を形成した後、樹
脂回路基板１０ｃを加工してキャビティを開口させるよ
うにすることも可能である。この方法の場合も、保護テ
ープ２０ａ、２０ｂを使用して樹脂回路基板１０ａ、１
０ｂを積層したことにより、ボンディング部７に異物を
付着させることなく、また樹脂回路基板１０ａ、１０ｂ
を確実に積層するという効果が得られる。
０ｂ、１０ｃを圧着して一体化した積層体に所要の加工
を施した後の最終工程で保護テープ２０ａ、２０ｂを除
去するようにしたが、他の方法として、２層目までの樹
脂回路基板１０ａ、１０ｂを圧着した段階で保護テープ
２０ａ、２０ｂを除去し、次に、従来方法と同様に開口
部を有しない樹脂回路基板１０ｃを積層してキャビティ
の開口部を塞ぎ、配線パターン１４等を形成した後、樹
脂回路基板１０ｃを加工してキャビティを開口させるよ
うにすることも可能である。この方法の場合も、保護テ
ープ２０ａ、２０ｂを使用して樹脂回路基板１０ａ、１
０ｂを積層したことにより、ボンディング部７に異物を
付着させることなく、また樹脂回路基板１０ａ、１０ｂ
を確実に積層するという効果が得られる。
【００２８】
【発明の効果】本発明に係る半導体パッケージの製造方
法によれば、上述したように、樹脂回路基板を積層して
熱圧着する際に、キャビティ内面に異物が付着すること
を防止し、また、樹脂回路基板全体を確実に圧着するこ
とを可能にして、高品質の半導体パッケージを得ること
ができる。また、ざぐり加工といった煩雑な加工を行う
ことなく、簡易な製造工程によって半導体パッケージを
得ることができる。
法によれば、上述したように、樹脂回路基板を積層して
熱圧着する際に、キャビティ内面に異物が付着すること
を防止し、また、樹脂回路基板全体を確実に圧着するこ
とを可能にして、高品質の半導体パッケージを得ること
ができる。また、ざぐり加工といった煩雑な加工を行う
ことなく、簡易な製造工程によって半導体パッケージを
得ることができる。
【図１】本発明に係る半導体パッケージの製造方法を示
す説明図である。
す説明図である。
【図２】保護テープを貼着した樹脂回路基板を積層した
状態の断面図である。
状態の断面図である。
【図３】樹脂回路基板の積層体に接続部と表面の配線パ
ターンを設けた状態の断面図である。
ターンを設けた状態の断面図である。
【図４】保護テープを除去して得た半導体パッケージの
断面図である。
断面図である。
【図５】大判の樹脂回路基板の例を示す平面図である。
【図６】樹脂回路基板に保護テープを貼着した状態の平
面図である。
面図である。
【図７】半導体パッケージの斜視図である。
【図８】半導体パッケージの断面図である。
【図９】半導体パッケージの従来の製造方法を示す断面
図である。
図である。
６ キャビティ
７ ボンディング部
８ プリプレグ
１０ 基板
１０ａ、１０ｂ、１０ｃ 樹脂回路基板
１２ ダイパッド
１４ａ、１４ｂ、１４ｃ 開口部
１６ａ、１６ｂ 配線パターン
１８ 銅箔
２０ａ、２０ｂ 保護テープ
２２ 接続部
２４ 配線パターン
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 23/12
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体素子を収納する開口部を設けた複
数の樹脂回路基板を、キャビティの底部側から開口側に
開口寸法が大きくなる順に接着剤を介して一体に積層す
ることにより、キャビティの内壁面を段差形状に形成す
るとともに各段の樹脂回路基板の開口部の周縁に配線パ
ターンのボンディング部を露出させる半導体パッケージ
の製造方法において、前記複数の樹脂回路基板を積層する際に、 樹脂回路基板
の前記ボンディング部を設けた面側に開口部を塞ぐよう
に保護テープを貼着して、該保護テープによって前記ボ
ンディング部を被覆するとともに当該樹脂回路基板のボ
ンディング部を設けた側に積層される次段の樹脂回路基
板に設けられた開口部を埋め、 その後、該積層された複数の樹脂回路基板を圧着するこ
とにより一体化させた後、 前記保護テープを除去するこ
とを特徴とする半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項２】 樹脂回路基板を積層して一体化した積層
体に厚さ方向の貫通孔を設け、貫通孔の内壁面に樹脂回
路基板に設けた配線パターンと電気的に接続する導体部
を形成した後、前記保護テープを除去することを特徴と
する請求項１記載の半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項３】 前記保護テープとして、次段に積層され
る樹脂回路基板の厚さと樹脂回路基板を接着する接着剤
層の厚さとを合わせた厚さと同一の厚さに形成したもの
を使用し、樹脂回路基板を積層して一体化した積層体の
外面の全面に挟圧力を作用させ、各段間の保護テープを
相互に押接して樹脂回路基板を一体化することを特徴と
する請求項１または２記載の半導体パッケージの製造方
法。 - 【請求項４】 前記保護テープとして所要の加熱温度で
剥離性を有する熱ピールテープを使用し、前記樹脂回路
基板を一体に積層して積層体を形成した後、積層体を加
熱することにより前記保護テープを除去することを特徴
とする請求項１、２または３記載の半導体パッケージの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31743098A JP3455686B2 (ja) | 1998-11-09 | 1998-11-09 | 半導体パッケージの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31743098A JP3455686B2 (ja) | 1998-11-09 | 1998-11-09 | 半導体パッケージの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000150696A JP2000150696A (ja) | 2000-05-30 |
| JP3455686B2 true JP3455686B2 (ja) | 2003-10-14 |
Family
ID=18088142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31743098A Expired - Fee Related JP3455686B2 (ja) | 1998-11-09 | 1998-11-09 | 半導体パッケージの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3455686B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100405621B1 (ko) * | 2001-09-06 | 2003-11-14 | 엘지이노텍 주식회사 | 집적다층기판 |
| JP4925905B2 (ja) * | 2007-04-26 | 2012-05-09 | 京セラ株式会社 | 電子部品内蔵基板 |
| JP4940124B2 (ja) * | 2007-12-27 | 2012-05-30 | 京セラＳｌｃテクノロジー株式会社 | 配線基板の製造方法 |
| EP3582259B1 (en) | 2018-06-11 | 2021-11-03 | AT & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft | Stepped component assembly accommodated within a stepped cavity in component carrier |
-
1998
- 1998-11-09 JP JP31743098A patent/JP3455686B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000150696A (ja) | 2000-05-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7049178B2 (en) | Method for fabricating semiconductor package and semiconductor package | |
| KR100437437B1 (ko) | 반도체 패키지의 제조법 및 반도체 패키지 | |
| US5635671A (en) | Mold runner removal from a substrate-based packaged electronic device | |
| US6124637A (en) | Carrier strip and molded flex circuit ball grid array and method of making | |
| JP3400877B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| KR100838440B1 (ko) | 전자 장치용 기판과 그 제조 방법, 및 전자 장치와 그 제조방법 | |
| KR100285116B1 (ko) | 반도체패키지의제조방법 | |
| US6081426A (en) | Semiconductor package having a heat slug | |
| US5905634A (en) | Semiconductor package having a heat slug | |
| US5804422A (en) | Process for producing a semiconductor package | |
| JP3455686B2 (ja) | 半導体パッケージの製造方法 | |
| JPH07302859A (ja) | 半導体チップ搭載用多層配線基板の製造方法及び半導体チップ搭載装置の製造方法 | |
| KR100230657B1 (ko) | 반도체패키지의 제조방법 | |
| JPH06177315A (ja) | 多層リードフレーム | |
| KR100230658B1 (ko) | 반도체패키지의 제조방법 | |
| JPH0936155A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3293202B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3382516B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
| JP3050253B2 (ja) | 多層電子部品搭載用基板の製造方法 | |
| JP2002343818A (ja) | Ｂｇａ型配線基板及びその製造方法並びに半導体装置の製造方法 | |
| JP3391996B2 (ja) | 半導体パッケージの製造方法 | |
| JPH09246416A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3304447B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
| JP2001291800A (ja) | 電子部品用パッケージ | |
| CN113327900A (zh) | 基于铜箔载板的高散热板级扇出封装结构及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |