JPH0615429A - 真空ダイカスト法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高価につく分解や鋳造材料の除去を必要とす
るような動作不良の発生を防止すること。 【構成】 鋳造作業中に、真空ダイカスト装置を制御す
る改良法。ダイキャビティ自体や正及び真空の圧力管路
を含め、鋳造作業中にダイカスト装置の各異なる部分に
おける圧力レベルのテスト及びモニターを要求する。ま
た、鋳造作業中にダイキャビティに近接した真空弁を冷
却する工程と真空弁及び各管路を清浄化する工程とを含
む。さらに、いくつかの測定パラメータが許容可能でな
いとき、作業中のさまざまな時点で鋳造作業の中断を要
求する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、一般にダイカストの分
野に関し、特に真空ダイカスト法に関する。

【０００２】

【従来の技術】鋳造物が連続的に作られるダイカスト法
では、一般に溶融金属がプランジャ機構を有するショッ
トスリーブ装置内に装填され、プランジャ機構が溶融金
属を、鋳造すべき物体の所望形状を有するダイ（金型）
のキャビティ内へ押し出す。

【０００３】金属のダイカスト作業においては、内部で
鋳造物が形成されるダイキャビティから鋳造材料の注入
前に空気を抜いておくと、品質の向上した鋳造物が得ら
れることが一般に知られている。また、スリーブを通過
するプランジャの移動だけによって金属をダイキャビテ
ィ内へ注入すれば、表面の剥落や気泡の存在などの欠陥
発生が少なくなること、そしてチャンネルからダイキャ
ビティ内への金属の尚早な流入も、金属をキャビティ内
へ引っ張ろうとするキャビティ内の真空力に基づくもの
など他の影響によって生じないことが認められている。

【０００４】さらに、空気がプランジャの背後から通過
しないようにプランジャが有効に密封されていれば、プ
ランジャが実際に鋳造材料をダイキャビティ内へ押し出
すまでは、ダイキャビティ内の真空は鋳造材料をチャン
ネルからダイキャビティ内へ引っ張るように作用しな
い。

【０００５】ダイキャビティは、そのキャビティを真空
にすることによって排気され、これは一般に、ダイキャ
ビティを真空源に連通する弁を開くことによって行われ
ている。金属は、ダイキャビティへ達する前に、まずシ
ョットスリーブ装置からダイキャビティへと延びたラン
ナーつまりチャンネルを通過しなければならない。

【０００６】金属がチャンネルを通って押されている
間、ショットスリーブ装置は遅い速度で移動する一方、
金属がキャビティ自体内へ注入されるとき、金属の注入
は比較的速い速度で行われるのが好ましい。真空弁は、
一般に１回分（ワンショット）の溶融金属をキャビティ
内へ投入する直前に開かれ、その後金属がキャビティ自
体内へ注入される途中のある時点で閉じられる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】連続的な鋳造作業は、
最小の中断時間で円滑且つ効率的に行われるのがきわめ
て好ましい。多くの従来装置においては動作不良を生
じ、その結果、鋳造装置を分解して内部の表面や管路か
ら硬化した鋳造材料を取り除かなければならないことが
よくあり、これは非常に時間がかかりしかも高価につく
ことが多い。

【０００８】従って、本発明の主な目的は、上記のよう
な高価につく分解や鋳造材料の除去を必要とするような
動作不良の発生を防止可能な真空ダイカストの改良法を
提供することにある。

【０００９】本発明の別の目的は、プロセスの重要なパ
ラメータの状態に関する情報を受け取ると共に、重要な
パラメータが満たされないときは鋳造作業を中断する処
理手段によって制御される真空ダイカストの改良法を提
供することにある。

【００１０】本発明の関連した目的は、動作中いくつか
の工程のいずれにおいても鋳造作業を中断でき、その中
断がプロセスのより早い工程で行われる分、中断による
影響の重大性が小さくなる真空ダイカストの改良法を提
供することにある。

【００１１】本発明のさらに別の目的は、プロセスの予
防的特徴により、ダイカスト装置の故障間の平均時間を
長くすることにある。

【００１２】本発明のさらに詳しい目的は、ダイキャビ
ティ自体や正及び真空の圧力管路を含め、装置の各部分
における圧力レベルをテスト及びモニターする真空ダイ
カストの改良法を提供することにある。本改良法は、鋳
造作業中に真空弁を冷却する工程と真空弁及び各管路を
清浄化する工程とを含むと共に、いくつかの測定パラメ
ータが許容可能でないとき、作業を中断する能力を有す
る。

【００１３】上記以外の目的及び利点は、添付の図面を
参照した以下の詳細な説明から明かとなろう。

【００１４】

【課題を解決するための手段及び作用】広い概念で言え
ば、本発明は鋳造物を作製するため連続的に行われるダ
イカスト作業を実施するための改良法に係わる。すなわ
ち本発明の改良法では、鋳造作業中にダイカスト装置の
各異なる部分における圧力レベルのテスト及びモニター
を要求し、鋳造作業中にダイキャビティに近接した真空
弁を冷却する工程と真空弁及び各管路を清浄化する工程
とを含み、さらにいくつかの測定パラメータが許容可能
でないとき、作業中のさまざまな時点で鋳造作業の中断
を要求する。

【００１５】本方法は、鋳造材料をダイキャビティ内へ
注入する前に、真空を利用してダイキャビティを排気す
るダイカスト装置で用いるのに適する。本方法は金属の
鋳造にとりわけ適するが、他の材料の鋳造物を作製する
のにも使える。

【００１６】また、本方法は特に、本出願人が本願と同
日に提出した（以下、同日提出という）特許出願「真空
ダイカスト用密封ショットスリーブ装置」に開示された
装置で、プランジャ機構が実際に鋳造材料をダイキャビ
ティ内へ注入する前に真空が鋳造材料をチャンネルつま
りランナーからダイキャビティ内へ引っ張る結果、鋳造
材料がダイキャビティ自体内へ早すぎる時点で注入され
るのを防ぐのに有効なショットスリーブ装置で用いるの
に適する。

【００１７】さらに、本方法は特に、同日提出の特許出
願「ダイカスト用真空弁装置」に開示された装置で、本
願の図４に概略的に示されており、真空をダイキャビテ
ィへ効率的に連通すると共に、作動不良時真空弁を取り
外し清浄化する保守作業を容易化するように設計された
真空弁で用いるのに適する。

【００１８】真空弁の優れた動作は、前記同日提出の特
許出願「二重ソレノイド弁アクチュエータ」に開示され
た装置によって達成され、必要且つ所望の真空レベルが
前記した同日提出の特許出願「ダイカスト装置用真空弁
手段の設計方法およびダイカスト装置」に記載された教
示を用いて達成される。

【００１９】本発明の改良法は前述した同日提出の各特
許出願に開示された装置で実施するのに特に適するが、
ダイキャビティに近接した真空弁、各圧力源に隣接した
付設の弁を含む真空源と正の空気圧源、及び１回分の溶
融金属をダイキャビティ内に注入するためのプランジャ
手段など、本発明と同様及び類似の構成部品を有するの
その他の装置でも使用可能である。

【００２０】

【実施例】以下、図面、特にまず図１を参照して説明す
れば、本発明を実施した方法は、図１と図３に全体を１
２で表し、ここでは第１の弁とも称するダイ真空弁に電
気接続された処理手段（プロセッサ）１０を含む図示の
ような装置を用いて実施可能である。

【００２１】プロセッサ１０は、ここでは第２の弁とも
称する真空供給弁１４にも接続されている。同じくプロ
セッサ１０は、正圧空気供給弁１６に接続されると共
に、真空／圧力センサ１８から信号を受け取る。さらに
プロセッサ１０はプランジャ機構用の制御装置２０にも
接続され、処理工程中プランジャ制御装置２０の機能に
関する信号を送受信する。

【００２２】次に図３を参照すれば、図１に示した各構
成要素が、本発明の方法を実施可能なダイカスト装置の
他の構造部品に加えて示してある。真空弁１２は、ダイ
（金型）２４内に取り付けられた弁体２２を有してお
り、真空弁１２の弁座２６に弁部材２８が着座し、右方
へ移動することによって弁を開く。上記弁部材２８は、
ダイキャビティ２９とチャンネル（ランナー）３０を弁
１２の内部弁室３２から実質上隔絶している。

【００２３】弁部材２８は、前記同日提出の特許出願
「二重ソレノイド弁アクチュエータ」に包括的に記載さ
れた二重ソレノイド機構３４の動作によって開閉され
る。

【００２４】このソレノイド機構３４は、それぞれのコ
ア３４１ａおよび３４２ａの軸線が一致する態様で配設
された第１ソレノイド３４１および第２ソレノイド３４
２を備え、次のように作用する。

【００２５】すなわち、第１ソレノイド３４１が付勢さ
れてコア３４１ａが右行されると、バネ３４１ｂに抗し
て該コア３４１ａの先端がコア３４２ａの後端に当接し
て該コア３４２ａを右方に付勢する。この結果、コア３
４２ａの先端は、バネ２８ａに抗して弁部材２８を右方
に移動させるので、該弁部材２８が開かれる。

【００２６】この状態で、第２のソレノイド３４２が付
勢され、ついで、第１のソレノイド３４１が消勢され
る。ソレノイド３４２は、コア３４２ａの現位置（右行
位置、つまり弁開位置）を保持するの必要な力を発生
し、この結果、第１のソレノイド３４１が消勢された後
においても、弁部材２８は開状態を保持する。

【００２７】なお、第１のソレノイド３４１が消勢され
ると、バネ３４１ｂの反発力によってコア３４１ａが図
示した元位置まで戻される。また、第２のソレノイド３
４２が消勢されると、バネ２８ａの反発力で弁部材２８
およびコア３４２ｂが図示した元位置まで戻されて、該
弁部材２８が閉じられる。

【００２８】上記ソレノイド機構３４において、コア３
４２ａに保持力を与える第２のソレノイド３４２は、第
１のソレノイド３４１に比して小容量であり、そのコア
３４２ａの重量はコア３４１ａのそれに比して相当に小
さい（例えば、１／４）。したがって、第２のソレノイ
ド３４２を消勢された場合、弁部材２８は極めて速やか
に閉状態に移行されることになる。

【００２９】弁室３２は、真空管路３８へと延びてそこ
に連通したポート３６を有し、真空管路３８は装置の真
空源を成す真空ポンプ４０と連通した真空供給弁１４へ
と延びている。

【００３０】上記ポート３６内には、真空／圧力センサ
１８へと延びた管４２が配設されている。真空／圧力セ
ンサ１８は、トランスデューサであって、管４２内で測
定される圧力を表す電気信号を発生する。

【００３１】管４２は、管路４４を介して正圧空気源４
６に連通された正圧空気供給弁１６にも連通されてい
る。正圧空気供給弁１６が開かれると、正圧が所望に応
じ管４２を介して弁室３２に注入される。同じく管４２
を介して、真空／圧力センサ１８は弁室３２内の圧力を
有効に測定し、弁部材２８が図４に示した位置から右方
へ移動したとき、チャンネル３０及びダイキャビティ２
９自体内の圧力レベルを測定する。

【００３２】溶融金属あるいはその他の鋳造材料をダイ
キャビティ２９内へ注入する際は、プランジャ制御装置
２０（図１）が全体を４８で示したプランジャ機構を作
動せしめて、空間４８ａ内の溶融金属を移動させる。な
お、上記プランジャ機構４８としては、前記同時提出の
特許出願「真空ダイカスト用密封ショットスリーブ装
置」に包括的に説明且つ図示されているショットスリー
ブ装置のプランジャ機構を適用することが望ましい。

【００３３】プランジャ機構４８のプランジャは、溶融
金属がダイキャビティ２９自体の直前に達するまで、毎
秒ほぼ１５インチの比較的遅い速度で移動する。そし
て、上記直前位置に達すると、プランジャ制御装置２０
が油圧駆動されるのが好ましいプランジャの速度を高
め、この結果、プランジャは毎秒ほぼ７５−８０インチ
の速い速度で移動して、溶融金属をすばやくダイキャビ
ティ２９内へ注入する。

【００３４】プランジャの遅い速度での移動中、弁部材
２８が開かれダイキャビティ２９を真空源に連通してダ
イキャビティ２９内を排気する。弁部材２８は、プラン
ジャが高速で移動される前で且つ溶融状態の鋳造材料が
実際にダイキャビティ２９自体内へ注入される前に閉じ
られるのが好ましい。

【００３５】前記同時提出の特許出願「二重ソレノイド
弁アクチュエータ」に開示されているように、弁部材２
８は閉じる際きわめて迅速に、例えば、全開位置から閉
位置までほぼ１０−１５ミリ秒で移動する。これによ
り、溶融金属が弁へ達する前に弁が閉じられるため、弁
の汚れあるいは汚染の防止が保証され、その結果、弁部
材２８が内部弁室３２を有効に閉じられるように弁１２
を取り外し鋳造材料を除去する必要がなくなる。

【００３６】鋳造材料のダイキャビティ２９内への高速
注入を完了させるには、ほぼ３０−３５ミリ秒を必要と
するので、上記ほぼ１０−１５ミリ秒での閉弁は、弁１
２の汚れを防ぐのに充分な速さである。

【００３７】次に、本発明を実施する方法を説明する。
本方法は、ダイキャビティ２９内に存在する漏れ量を求
め、漏れ量が所定の値を越えていれば鋳造作業を中断す
ることから始まる一連の工程を含む。

【００３８】次いで、空気の噴出で第１弁１２の弁座２
６を清浄化した後、汚れ屑が付着しないようにしながら
弁座２６を冷却する。その後、第１弁１２と第２弁１４
との間の管路３８を加圧し、管路３８に漏れがあるかど
うかを求め、漏れがある場合その漏れ量が所定の値を越
えていたら、鋳造作業を中断する。

【００３９】その後、弁部材２８を弁座２６に着座した
状態、つまり、第１弁１２を閉じた状態で弁室３２を真
空とし、該弁室３２内の真空レベルを測定する。真空レ
ベルが所定の最小レベル、好ましくは水銀柱高さでほぼ
２８−２９インチに達してなければ、鋳造作業を中断す
る。

【００４０】その後、プランジャ機構４８を始動させる
と共に、ダイキャビティ２９に真空を付与する。つま
り、プロセッサ１０からプランジャ制御装置２０へ信号
を発生することによってプランジャ機構４８を始動さ
せ、プランジャを遅い速度で移動させる。また、両弁１
２と１４を開き、真空ポンプ４０からの真空をダイキャ
ビティ２９自体に導く。

【００４１】その後、鋳造材料がダイキャビティ２９へ
達する前に真空レベルを測定し、真空レベルが第２の所
定の最小レベル、すなわち水銀柱高さでほぼ２４−２７
インチに達してなければ、プロセッサ１０がプランジャ
制御装置２０に指令して鋳造作業を中断する。

【００４２】一方、ダイキャビティ２９内の真空レベル
が第２の所定の最小レベル以上に達していれば、プラン
ジャ制御装置２０は指令を受けてプランジャ移動の高速
モードを実施し、鋳造材料をダイキャビティ２９内へ注
入する。

【００４３】以上は、本方法を概略的に説明したもので
ある。本方法を達成するために行われる実際の工程は、
図２のフローチャートに示してあり、フローチャート中
の各命令はプロセッサ１０の一部であるメモリ手段にプ
ログラムされている。制御に関連して、プロセッサ１０
はプランジャ制御装置２０も具備しており、これは米国
ウィスコンシン州ミルウォーキー所在のアレンブラッド
レー社製のコントローラ型式ＳＬＣ０５／０２であるの
が好ましい。

【００４４】図２を参照すれば、鋳造作業の開始時に
は、第２弁１４がまず開かれ、管路３８が排気される。
次いで第２弁１４が閉じられ、真空／圧力センサ１８が
プロセッサ１０と協働して真空減衰時間を測定する。
尚、真空／圧力センサ１８は通常設計のものであるが、
大気圧以上及び以下つまり正圧及び負圧両方を測定可能
な型である。

【００４５】上記管路３８は、管路３６と連通してい
る。したがって、真空／圧力センサ１８は、管路４２を
介して弁室３２、ポート３６及び管路３８内の真空レベ
ルを有効に測定する。ここで、真空減衰の測定を行うた
めの第２弁１４の開閉は、第１弁１２を閉じた状態、す
なわち弁部材２８を弁座２６に着座した状態で行う。

【００４６】真空減衰時間は、まず、開始時点の圧力レ
ベルを示す信号を上記真空／圧力センサ１８が与えた
後、最初の測定からほぼ１秒後に行われる次の測定結果
と比較され、２つの値間の差が水銀柱高さでほぼ１／２
〜１インチより大きいと、第１弁１２が汚染されている
と見なされ、プロセスが中断されて、プロセス不良がオ
ペレータに通知される。

【００４７】次の工程で第１弁１２と第２弁１４の両方
を開くと、ダイキャビティからの排気に伴う空気の噴出
が生じ、この空気は弁座２６の汚れ屑を除去して該弁座
２６を清浄化する。この工程は、プロセッサ１０による
プランジャ制御装置の動作開始前に行われる。

【００４８】その後、第１弁１２を開いたまま、第２弁
１４を閉じて正圧空気供給弁１６を開く。これにより、
ほぼ３０p.s.i.のレベルであるのが好ましい圧縮空気が
正圧空気源４６から弁室３２内へ管路４４、正圧空気供
給弁１６及び管路４２を介してほぼ１〜２秒間吹き出さ
れる。

【００４９】この工程は、弁座２６及び弁部材２８を通
して圧縮空気を吹き出すため、これらの部品を汚れ屑の
ない清浄状態に保つと共に、弁部材２８を冷却する効果
を有する。３０p.s.i.レベルという正の空気圧は、７５
p.s.i.の範囲にわたって動作可能な真空／圧力センサ１
８に適合させると共に、バネ２８ａによって閉状態に保
たれた弁部材２８を有する第１弁１２を空気圧で強制的
に開いたままとしないように選ばれたものである。

【００５０】前記の圧縮空気吹出工程を行った後、第１
弁１２を閉じ、第２弁１４を閉じたままにしておくこと
で、管路３８がほぼ３０p.s.i.レベルに加圧される。そ
して前記の真空減衰時間と同様の方法で、圧力減衰時間
を測定する。ほぼ１秒の時間間隔で行われる連続した圧
力測定値間の差が水銀柱高さでほぼ１インチより大きい
と、プロセッサ１０が作業を中断し、オペレータに通知
する。

【００５１】鋳造材料をダイキャビティ内へ注入するた
めの準備として、第１弁１２を閉じ第２弁１４を開いた
状態で弁室３２の圧力レベルを測定する。水銀柱高さで
ほぼ２８−２９インチであるのが好ましい所望の真空レ
ベルに達してないと、プロセスが中断され、プロセス不
良がオペレータに通知される。

【００５２】真空レベルが所定のレベル以上であれば、
プランジャ制御装置２０が指令に基づいて動作を開始
し、そのショット室を有効に密封したとき、つまり、ラ
ンナー５０を介してダイキャビティ２９に連通するショ
ットスリーブへの空気の通過が不能になったとき、第１
弁１２が開かれる。

【００５３】この工程は、ダイキャビティ２９自体を排
気する効果を有し、プランジャが遅い速度の動作モード
で移動して鋳造材料をダイキャビティ２９へと至るラン
ナー５０内に注入する間、弁室３２の真空レベルが測定
され、その真空レベルが充分に高くないと、すなわち水
銀柱高さでほぼ２４−２７インチでないと、プロセスが
中断され、プロセス不良がオペレータに通知される。

【００５４】尚、ダイキャビティ２９は、作製された鋳
造物を取り出すため相互に分離可能でなければならない
ダイ構成部品によって形成されている。各ダイ構成部品
間の境界が型抜き時の分割線となるが、固有の性質上、
そこからある程度の漏れが生じる。

【００５５】こうして不可避的に生じる漏れは、時間の
経過につれ真空レベルを低下させるが、水銀柱高さでほ
ぼ２４−２７インチの範囲内のレベルにあれば、優れた
品質の鋳造品を形成するのに充分と一般に考えられてい
る。真空レベルが前記第２の所定レベル以上に達してい
れば、プランジャ制御装置２０は高速モードで動作し、
鋳造材料をダイキャビティ２９内に注入する。

【００５６】プランジャ制御装置２０がプランジャを高
速のショットモードで移動させるのとほぼ同時に第１弁
１２が閉じられる。第１弁１２は、その速い動作能力に
よって弁部材２８を弁座２６へ確実に着座させ、鋳造材
料が第１弁１２を汚すのを防止する。鋳造材料がダイキ
ャビティ２９内へ注入し終わると、プランジャ制御装置
２０が指令を発してプランジャをその後退位置に戻し、
次の鋳造作業の準備を整える。

【００５７】以上、本発明の各種実施例を図示して説明
したが、それ以外のさまざまな代替物、代用物及び等価
物も使用可能であり、本発明は特許請求の範囲の記載及
びそれと等価の内容によってのみ制限されることが理解
されるべきである。本発明の各種特徴は、特許請求の範
囲の各項に記載されている。

【００５８】

【発明の効果】以上から、上述した本発明による改良ダ
イカスト法は、従来の方法に比べて多くの顕著な利点と
望ましい特徴を与えることが理解されるべきである。ダ
イカスト作業を正確にモニターできる能力が信頼性をも
たらすと共に、従来の方法ではよく生じていた動作不良
を防止する。本方法では、ダイカスト作業の各重要な工
程で圧力レベルがモニターされ、作業中の複数時点で鋳
造作業を中断する能力を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の真空ダイカスト法を実施するのに使用
可能な装置の概略ブロック図。

【図２】処理手段によって実行される本発明の真空ダイ
カスト法の手順を例示したフローチャート。

【図３】本発明の真空ダイカスト法が適用されるダイカ
スト装置の一例を示した部分断面側面図。

【符号の説明】

１０ 処理手段（プロセッサ） １２ ダイ真空弁 １４ 真空供給弁 １６ 正圧（空気）弁手段 １８ 真空／圧力センサ ２０ プランジャ制御装置 ２６ 弁座 ２８ 弁部材 ２９ ダイキャビティ ３２ 弁室 ４０ 真空ポンプ ４６ 正圧空気源 ４８ プランジャ機構

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 フランク、ダブリュー、ケニク アメリカ合衆国、イリノイ州 60083、ワ ズワース、カントリーレーンドライブ 14625 (72)発明者 ラッセル、ジェー、バンレンズ アメリカ合衆国、ウィスコンシン州 53227、ミルウォーキー、サウスルートリ バーパークウェイ 2380

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 連続的な鋳造作業を実施して鋳造物を製
   造するためのダイカスト装置の動作を制御する方法であ
   って、前記ダイカスト装置が、 各鋳造物の製造時に１回分の流体状鋳造材料をダイキャ
   ビティ内へ注入するために設けられ、後退位置から伸張
   位置への移動が可変の速度で行われる種類のプランジャ
   手段と、 正圧源及び真空圧源と、 弁座、前記ダイキャビティに隣接した弁室、及び第１の
   弁手段が閉じられているとき弁座と係合して弁室を前記
   ダイキャビティから隔絶する弁部材を有し、前記ダイキ
   ャビティを前記真空圧源及び正圧源に連通させる第１の
   弁手段と、 管路を介して真空を前記第１の弁手段に伝達する選択的
   に開閉可能な第２の弁手段と、 前記正圧源を前記第１弁手段に連通させる選択的に開閉
   可能な正圧弁手段と、 前記第１の弁手段の弁室内の圧力を測定し、測定圧を示
   す電気信号を与える手段と、 前記プランジャ手段の移動を制御する制御装置と、 前記電気信号を受け取り、前記各弁手段及び前記制御装
   置の動作を制御する処理手段とを有する種類のものであ
   る場合において、 前記ダイキャビティの漏れ量を求め、該漏れ量が所定の
   レベルを越えていれば鋳造作業を中断する工程と、 空気の噴出によって前記第１弁手段の弁座を清浄化する
   工程と、 前記第１弁手段が屑で汚れないように清浄化しつつ、前
   記第１弁手段を冷却する工程と、 前記第１弁手段と前記第２弁手段との間の管路を加圧
   し、該管路の漏れ量を求め、該漏れ量が所定のレベルを
   越えていれば鋳造作業を中断する工程と、 前記第１弁手段が閉じている状態で前記第１弁手段の弁
   室に真空を与え、その真空レベルを測定し、該真空レベ
   ルが第１の所定の最小レベルに達していなければ鋳造作
   業を中断する工程と、 前記プランジャ手段を始動させ、前記ダイキャビティに
   真空を与える工程と、 前記流体状鋳造材料がダイキャビティへ達する前に、前
   記第１の弁手段が開いた状態で真空レベルを測定し、該
   真空レベルが第２の所定の最小レベルに達していなけれ
   ば鋳造作業を中断する工程と、 前記プランジャ手段の移動を完了させ、流体状鋳造材料
   をダイキャビティ内へ注入する工程とを含む真空ダイカ
   スト法。
2. 【請求項２】 前記ダイキャビティの漏れ量を求める工
   程が、前記第２弁手段を開き、第１の所定の時間にわた
   る測定圧力レベルの低下を測定することからなる請求項
   １に記載の真空ダイカスト法。
3. 【請求項３】 圧力レベルがほぼ１秒の前記第１の所定
   の時間にわたって測定される請求項２に記載の真空ダイ
   カスト法。
4. 【請求項４】 前記圧力低下の所定値が水銀柱高さでほ
   ぼ１インチを越えるとき、前記鋳造作業が中断される請
   求項３に記載の真空ダイカスト法。
5. 【請求項５】 空気の噴出によって前記第１弁手段の弁
   座を清浄化する前記工程が、前記第１弁手段および前記
   第２弁手段を開くことからなる請求項１に記載の真空ダ
   イカスト法。
6. 【請求項６】 前記第１弁手段が屑で汚れないように清
   浄化しつつ該第１弁手段を冷却する工程が、前記第１弁
   手段と前記正圧弁手段を開くことからなる請求項１に記
   載の真空ダイカスト法。
7. 【請求項７】 前記第１弁手段と第２弁手段との間の管
   路を加圧し、該管路の漏れ量を求め、該漏れ量が所定の
   レベルを越えていれば鋳造作業を中断する工程が、前記
   第１弁手段と前記第２弁手段を閉じ、前記正圧弁手段を
   開いて前記管路を加圧し、その後前記正圧弁手段を閉じ
   て、第２の所定の時間にわたる測定圧力レベルの低下を
   測定することからなる請求項１に記載の真空ダイカスト
   法。
8. 【請求項８】 圧力レベルがほぼ１秒の前記第２の所定
   の時間にわたって測定される請求項７に記載の真空ダイ
   カスト法。
9. 【請求項９】 前記管路内における圧力低下の所定値が
   水銀柱高さでほぼ１インチを越えるとき、前記鋳造作業
   が中断される請求項８に記載の真空ダイカスト法。
10. 【請求項１０】 前記圧力低下の所定値が水銀柱高さで
    ほぼ１インチを越えるとき、前記鋳造作業が中断される
    請求項３に記載の真空ダイカスト法。
11. 【請求項１１】 前記第２の所定の最小値が水銀柱高さ
    でほぼ２４−２７インチの範囲内である請求項１に記載
    の真空ダイカスト法。
12. 【請求項１２】 前記プランジャ手段が所定の距離移動
    するまで、前記処理手段が前記制御装置へ信号を発生し
    て前記プランジャ手段を第１の所定速度で移動させ、そ
    の後は残りの移動距離を第２の所定速度で移動させる請
    求項１に記載の真空ダイカスト法。
13. 【請求項１３】 前記第１の所定速度が毎秒ほぼ１５イ
    ンチである請求項１２に記載の真空ダイカスト法。
14. 【請求項１４】 前記第２の所定速度が毎秒ほぼ７５−
    ８０インチの範囲である請求項１２に記載の真空ダイカ
    スト法。