JPH06150683A - 画像録画再生装置 - Google Patents
画像録画再生装置Info
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- JPH06150683A JPH06150683A JP4294206A JP29420692A JPH06150683A JP H06150683 A JPH06150683 A JP H06150683A JP 4294206 A JP4294206 A JP 4294206A JP 29420692 A JP29420692 A JP 29420692A JP H06150683 A JPH06150683 A JP H06150683A
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- recording medium
- ferroelectric
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/16—Storage of analogue signals in digital stores using an arrangement comprising analogue/digital [A/D] converters, digital memories and digital/analogue [D/A] converters
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/22—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 強誘電体の分極反転を用いた固体メモリーを
記録媒体として用いることにより、小型・軽量で、振動
に強く、磁気または温度の影響を受けにくい記録を行う
ことができる撮像装置とする。 【構成】 キャパシタ３１として、強誘電体の膜厚０．
１μｍのＰｂＴｉ0.2Ｚｒ0.8 Ｏ3 組成のＰＺＴを用い
た。ＰＺＴ強誘電体薄膜は高周波マグネトロンスパッタ
リング法で形成した。ターゲットはＰｂＯを２０ｍｏｌ
％過剰に添加したＰｂＴｉ0.2 Ｚｒ0.8 Ｏ3 セラミクス
である。強誘電体薄膜作製時のプロセス温度は６１０
℃、薄膜成長速度は２５０オングストローム／分、スパ
ッタリングガスはアルゴンと酸素の９：１の混合ガスを
用い、ガス圧は１×１０-2Ｔｏｒｒである。３２はトラ
ンジスタ、３３はワードライン、３４はビットライン、
３５はコモンラインである。
記録媒体として用いることにより、小型・軽量で、振動
に強く、磁気または温度の影響を受けにくい記録を行う
ことができる撮像装置とする。 【構成】 キャパシタ３１として、強誘電体の膜厚０．
１μｍのＰｂＴｉ0.2Ｚｒ0.8 Ｏ3 組成のＰＺＴを用い
た。ＰＺＴ強誘電体薄膜は高周波マグネトロンスパッタ
リング法で形成した。ターゲットはＰｂＯを２０ｍｏｌ
％過剰に添加したＰｂＴｉ0.2 Ｚｒ0.8 Ｏ3 セラミクス
である。強誘電体薄膜作製時のプロセス温度は６１０
℃、薄膜成長速度は２５０オングストローム／分、スパ
ッタリングガスはアルゴンと酸素の９：１の混合ガスを
用い、ガス圧は１×１０-2Ｔｏｒｒである。３２はトラ
ンジスタ、３３はワードライン、３４はビットライン、
３５はコモンラインである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子スチルカメラ、ビデ
オカメラ、Ｘ線撮像装置等の静止画像、動画像を録画記
録する録画装置、およびそれらの画像再生装置に関す
る。
オカメラ、Ｘ線撮像装置等の静止画像、動画像を録画記
録する録画装置、およびそれらの画像再生装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子スチルカメラ、ビデオカメラ
等では画像の記録媒体として、フロッピーディスク、ビ
デオテープなどの磁気記録媒体、あるいは光ディスクを
用い、アナログ信号記録方式が用いられてきた。近年、
画像のデジタル記録が注目をされるようになり、ＤＶ
Ｃ、ＤＶＣＣなどのメディアが提案され、開発が加速さ
れているが、記録媒体はアナログ記録の場合と同様磁気
記録媒体を用いたテープ、あるいは光ディスクである。
近年高密度の固体メモリが開発され、画像をデジタル信
号で記録する試みもなされるようになったが、それら固
体メモリは揮発性のメモリであり、記録保持用の補助電
源が必要である。
等では画像の記録媒体として、フロッピーディスク、ビ
デオテープなどの磁気記録媒体、あるいは光ディスクを
用い、アナログ信号記録方式が用いられてきた。近年、
画像のデジタル記録が注目をされるようになり、ＤＶ
Ｃ、ＤＶＣＣなどのメディアが提案され、開発が加速さ
れているが、記録媒体はアナログ記録の場合と同様磁気
記録媒体を用いたテープ、あるいは光ディスクである。
近年高密度の固体メモリが開発され、画像をデジタル信
号で記録する試みもなされるようになったが、それら固
体メモリは揮発性のメモリであり、記録保持用の補助電
源が必要である。
【０００３】一方、画像メモリを想定し強誘電体をメモ
リ媒体に用いるメモリの提案はすでになされているが
（特願平２−２４８１８０号）、それは強誘電体薄膜を
光ディスクの記録媒体として用いており、不揮発性固体
メモリへの画像記録に関する従来技術はいまだ提案され
るにいたってはいない。
リ媒体に用いるメモリの提案はすでになされているが
（特願平２−２４８１８０号）、それは強誘電体薄膜を
光ディスクの記録媒体として用いており、不揮発性固体
メモリへの画像記録に関する従来技術はいまだ提案され
るにいたってはいない。
【０００４】一方、強誘電体は誘電率がＳｉＯ2 より一
桁以上大きく大記憶容量固体メモリに応用する研究開発
が近年盛んに行われている。強誘電体の高誘電率に着目
した画像・音声ファイルメモリが提案されている（例え
ば、日経マイクロデバイス１９８９年５月号 ５４−５
５ページ、Ｂｅｒｎａｒｄ Ｃ．Ｃｏｌｅ、Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎｉｃｓ、Ａｕｇｕｓｔ、１９８９ ８８−８９ペ
ージ））。
桁以上大きく大記憶容量固体メモリに応用する研究開発
が近年盛んに行われている。強誘電体の高誘電率に着目
した画像・音声ファイルメモリが提案されている（例え
ば、日経マイクロデバイス１９８９年５月号 ５４−５
５ページ、Ｂｅｒｎａｒｄ Ｃ．Ｃｏｌｅ、Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎｉｃｓ、Ａｕｇｕｓｔ、１９８９ ８８−８９ペ
ージ））。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】フロッピーディスク、
ビデオテープ、光ディスク等の記録媒体を用いた装置で
は、いずれも書き込み・読みだしヘッドに対し記録媒体
を駆動系で相対的に移動させ、順次記録の書き込み、読
みだしを行っている。そこで、記録媒体を駆動するため
の駆動系が必要であり、装置全体の重量・体積増加の原
因となっている。また、正確な記録媒体の駆動を保証す
るための特別な電気回路が必要であったり、大きな加速
度が加わる状況では記録内容が乱されるといった欠点が
ある。また、フロッピーディスク、ビデオテープは磁気
による記録なので、誤って磁石を近ずけるなどで、記録
内容が壊される、また、磁気記録媒体を塗布してある樹
脂材料の関係で高温に弱い。
ビデオテープ、光ディスク等の記録媒体を用いた装置で
は、いずれも書き込み・読みだしヘッドに対し記録媒体
を駆動系で相対的に移動させ、順次記録の書き込み、読
みだしを行っている。そこで、記録媒体を駆動するため
の駆動系が必要であり、装置全体の重量・体積増加の原
因となっている。また、正確な記録媒体の駆動を保証す
るための特別な電気回路が必要であったり、大きな加速
度が加わる状況では記録内容が乱されるといった欠点が
ある。また、フロッピーディスク、ビデオテープは磁気
による記録なので、誤って磁石を近ずけるなどで、記録
内容が壊される、また、磁気記録媒体を塗布してある樹
脂材料の関係で高温に弱い。
【０００６】更に、記録の書き込み読みだし速度は駆動
系の速度に依存し、あまり高速の応答は期待できない。
また、磁気テープ、フロッピーディスクなどは、樹脂フ
ィルム上に磁性材料が塗布してあるため、低温では樹脂
フイルムが硬化し、正確な動作を期待できない。また、
強誘電体の高誘電率を用いたメモリでは電源を切ると記
憶内容が消去されるという大きな問題がある。
系の速度に依存し、あまり高速の応答は期待できない。
また、磁気テープ、フロッピーディスクなどは、樹脂フ
ィルム上に磁性材料が塗布してあるため、低温では樹脂
フイルムが硬化し、正確な動作を期待できない。また、
強誘電体の高誘電率を用いたメモリでは電源を切ると記
憶内容が消去されるという大きな問題がある。
【０００７】本発明は、前記従来の問題を解決するた
め、小型・軽量で、振動に強く、磁気、あるいは温度の
影響を受けにくい記録を行うことができる撮像装置を提
供することを目的とする。
め、小型・軽量で、振動に強く、磁気、あるいは温度の
影響を受けにくい記録を行うことができる撮像装置を提
供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の画像録画装置は、被写体の像を光電変換素
子上に結像させるレンズ群と、結像された像を電気信号
に変換する光電変換素子と画像信号を記録する記録媒体
とを少なくともそなえた撮像装置において、前記記録媒
体が強誘電体の分極反転を用いた固体メモリーであるこ
とを特徴とする。
め、本発明の画像録画装置は、被写体の像を光電変換素
子上に結像させるレンズ群と、結像された像を電気信号
に変換する光電変換素子と画像信号を記録する記録媒体
とを少なくともそなえた撮像装置において、前記記録媒
体が強誘電体の分極反転を用いた固体メモリーであるこ
とを特徴とする。
【０００９】前記構成においては、画像信号が、静止画
像の画像信号または動画像の画像信号であることが好ま
しい。次に本発明の画像録画装置は、電気信号に変換さ
れた画像信号を記憶している記録媒体から記録媒体上の
記録を読みだして画像に変換する装置において、前記記
録媒体が強誘電体の分極反転を用いた固体メモリーであ
ることを特徴とする。
像の画像信号または動画像の画像信号であることが好ま
しい。次に本発明の画像録画装置は、電気信号に変換さ
れた画像信号を記憶している記録媒体から記録媒体上の
記録を読みだして画像に変換する装置において、前記記
録媒体が強誘電体の分極反転を用いた固体メモリーであ
ることを特徴とする。
【００１０】
【作用】前記した本発明の構成によれば、記録媒体とし
て強誘電体の分極反転を用いた固体メモリーを用いるこ
とにより、小型・軽量で、振動に強く、磁気、あるいは
温度の影響を受けにくい記録を行うことができる撮像装
置とすることができる。すなわち、強誘電体は自発分極
を有し、外部電場により自発分極の無機を反転させる事
ができる物質で、具体的には電場を印加することで自発
分極の方向が反転するため電場に対して履歴曲線が得ら
れる。また、分極の上向きを"1" 、下向きを"0" に対応
させることでメモリーとして用いることができる。この
固体メモリでは電気的に番地を指定して記録の読み書き
を行うことができ、モータ等の駆動系は不要であり、大
きな加速度が加わるような条件下でも安定した動作が可
能で、さらに装置の小型軽量化を図ることができる。強
誘電分極は電場を印加しない限り変化をしないので、電
源を切っても記録内容は保持される。また、非常に高速
（数10ns）の応答も可能である。また、磁場中でも記録
内容に影響を受けない。
て強誘電体の分極反転を用いた固体メモリーを用いるこ
とにより、小型・軽量で、振動に強く、磁気、あるいは
温度の影響を受けにくい記録を行うことができる撮像装
置とすることができる。すなわち、強誘電体は自発分極
を有し、外部電場により自発分極の無機を反転させる事
ができる物質で、具体的には電場を印加することで自発
分極の方向が反転するため電場に対して履歴曲線が得ら
れる。また、分極の上向きを"1" 、下向きを"0" に対応
させることでメモリーとして用いることができる。この
固体メモリでは電気的に番地を指定して記録の読み書き
を行うことができ、モータ等の駆動系は不要であり、大
きな加速度が加わるような条件下でも安定した動作が可
能で、さらに装置の小型軽量化を図ることができる。強
誘電分極は電場を印加しない限り変化をしないので、電
源を切っても記録内容は保持される。また、非常に高速
（数10ns）の応答も可能である。また、磁場中でも記録
内容に影響を受けない。
【００１１】
【実施例】以下実施例を用いて本発明をさらに具体的に
説明する。強誘電体は自発分極を有し、外部電場により
自発分極の無機を反転させる事ができる物質で、具体的
には図２に示すように電場を印加することで自発分極の
方向が反転するため電場に対して履歴曲線が得られる。
図２に示すように分極の上向きを"1" 、下向きを"0" に
対応させることでメモリーとして用いることができる。
説明する。強誘電体は自発分極を有し、外部電場により
自発分極の無機を反転させる事ができる物質で、具体的
には図２に示すように電場を印加することで自発分極の
方向が反転するため電場に対して履歴曲線が得られる。
図２に示すように分極の上向きを"1" 、下向きを"0" に
対応させることでメモリーとして用いることができる。
【００１２】強誘電体としては一般に、ＢａＴｉＯ3 、
ＰｂＴｉＯ3 、Ｐｂ（ＴｉＺｒ）3などのペロブスカイ
ト構造をもつ酸化物、トリグリシンサルフェートといっ
た有機結晶、ポリフッ化ビニリデンといった有機材料な
どを用いることができる。強誘電体を用いたキャパシタ
を図３に示すような回路構成でスイッチング用のトラン
ジスタと組み合わせることで、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭの様
な固体メモリを構成する事ができる。
ＰｂＴｉＯ3 、Ｐｂ（ＴｉＺｒ）3などのペロブスカイ
ト構造をもつ酸化物、トリグリシンサルフェートといっ
た有機結晶、ポリフッ化ビニリデンといった有機材料な
どを用いることができる。強誘電体を用いたキャパシタ
を図３に示すような回路構成でスイッチング用のトラン
ジスタと組み合わせることで、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭの様
な固体メモリを構成する事ができる。
【００１３】図１は本発明の一実施例である撮像装置の
ブロック図である。録画する場合、レンズ系により撮像
素子１上に結像し、撮像素子からの信号をＡ／Ｄ変換器
２によりデジタル信号に変換し、強誘電体を用いた固体
メモリ（以下ＦＲＡＭと略す）を用いた記録媒体３に書
き込む。再生する場合は、記録媒体からのデジタル信号
をＤ／Ａ変換器４でアナログ信号に変換し、通常の処理
回路にてディスプレイ５に表示する。
ブロック図である。録画する場合、レンズ系により撮像
素子１上に結像し、撮像素子からの信号をＡ／Ｄ変換器
２によりデジタル信号に変換し、強誘電体を用いた固体
メモリ（以下ＦＲＡＭと略す）を用いた記録媒体３に書
き込む。再生する場合は、記録媒体からのデジタル信号
をＤ／Ａ変換器４でアナログ信号に変換し、通常の処理
回路にてディスプレイ５に表示する。
【００１４】次に本実施例に用いたＦＲＡＭを説明す
る。メモリの基本回路構成を図３に示す。回路構成は基
本的にＤＲＡＭと同じ構成である。すなわち、３１は強
誘電キャパシタ、３２はトランジスタ、３３はワードラ
イン、３４はビットライン、３５はコモンラインであ
る。キャパシタ３１は通常のＤＲＡＭではＳｉＯ2 、Ｓ
ｉＮx が用いられるが、ＦＲＡＭの場合はＰＺＴ、Ｂａ
ＴｉＯ3 、トリグリシンサルフェートといった強誘電体
材料の薄膜が用いられる。本実施例では、強誘電体とし
て膜厚０．１μｍのＰｂＴｉ0.2 Ｚｒ0.8 Ｏ3 組成のＰ
ＺＴを用いた。ＰＺＴ強誘電体薄膜は高周波マグネトロ
ンスパッタリング法で形成した。ターゲットはＰｂＯを
２０ｍｏｌ％過剰に添加したＰｂＴｉ0.2 Ｚｒ0.8 Ｏ3
セラミクスである。強誘電体薄膜作製時のプロセス温度
は６１０℃、薄膜成長速度は２５０オングストローム／
分、スパッタリングガスはアルゴンと酸素の９：１の混
合ガスを用い、ガス圧は１×１０-2Ｔｏｒｒである。プ
ロセスは強誘電体薄膜形成以外はすべて１６Ｍｂｉｔメ
モリ用の通常の半導体プロセスを用いた。
る。メモリの基本回路構成を図３に示す。回路構成は基
本的にＤＲＡＭと同じ構成である。すなわち、３１は強
誘電キャパシタ、３２はトランジスタ、３３はワードラ
イン、３４はビットライン、３５はコモンラインであ
る。キャパシタ３１は通常のＤＲＡＭではＳｉＯ2 、Ｓ
ｉＮx が用いられるが、ＦＲＡＭの場合はＰＺＴ、Ｂａ
ＴｉＯ3 、トリグリシンサルフェートといった強誘電体
材料の薄膜が用いられる。本実施例では、強誘電体とし
て膜厚０．１μｍのＰｂＴｉ0.2 Ｚｒ0.8 Ｏ3 組成のＰ
ＺＴを用いた。ＰＺＴ強誘電体薄膜は高周波マグネトロ
ンスパッタリング法で形成した。ターゲットはＰｂＯを
２０ｍｏｌ％過剰に添加したＰｂＴｉ0.2 Ｚｒ0.8 Ｏ3
セラミクスである。強誘電体薄膜作製時のプロセス温度
は６１０℃、薄膜成長速度は２５０オングストローム／
分、スパッタリングガスはアルゴンと酸素の９：１の混
合ガスを用い、ガス圧は１×１０-2Ｔｏｒｒである。プ
ロセスは強誘電体薄膜形成以外はすべて１６Ｍｂｉｔメ
モリ用の通常の半導体プロセスを用いた。
【００１５】このように作製したＦＲＡＭを記録媒体３
に用いて１０秒間の録画を行った。比較のために、従来
例としてビデオカメラ（松下電器製NV-MSC1 ）をもちい
て、通常の磁気テープを用いた録画も行った。再生画像
は通常のモニタＴＶを用いて観察した。両カメラを加振
台にのせ振動を加えながら記録再生を繰り返した。従来
の磁気テープを用いたカメラでは加速度３．５Ｇの振動
で正確な画像の録画再生ができなくなったが、ＦＲＡＭ
を用いたものでは１０Ｇでも正確に動作することが確認
できた。
に用いて１０秒間の録画を行った。比較のために、従来
例としてビデオカメラ（松下電器製NV-MSC1 ）をもちい
て、通常の磁気テープを用いた録画も行った。再生画像
は通常のモニタＴＶを用いて観察した。両カメラを加振
台にのせ振動を加えながら記録再生を繰り返した。従来
の磁気テープを用いたカメラでは加速度３．５Ｇの振動
で正確な画像の録画再生ができなくなったが、ＦＲＡＭ
を用いたものでは１０Ｇでも正確に動作することが確認
できた。
【００１６】画像記録後記録媒体に５０００ガウスの磁
場を１０分間印加したところ、磁気テープに記録したも
のでは記録は消去されていたが、ＦＲＡＭに記録した画
像は全く影響を受けていなかった。
場を１０分間印加したところ、磁気テープに記録したも
のでは記録は消去されていたが、ＦＲＡＭに記録した画
像は全く影響を受けていなかった。
【００１７】画像記録後記録媒体を１２０℃に６時間保
持したのち、画像の再生を行ったところ、磁気テープで
はベースフィルムの変形により正常な画像が再生されな
かったが、ＦＲＡＭに記録した画像は全く影響を受けて
いなかった。
持したのち、画像の再生を行ったところ、磁気テープで
はベースフィルムの変形により正常な画像が再生されな
かったが、ＦＲＡＭに記録した画像は全く影響を受けて
いなかった。
【００１８】両撮像装置を−５０℃の室内で動作させた
ところ、従来装置では磁気テープが硬化し、割れてしま
い画像の記録はできなかったが、本発明の撮像装置では
何等支障なく動作した。
ところ、従来装置では磁気テープが硬化し、割れてしま
い画像の記録はできなかったが、本発明の撮像装置では
何等支障なく動作した。
【００１９】また、本実施例では信号処理系などのＩＣ
化を行っていないため従来のビデオカメラと同じ体積を
有しているが、信号処理回路のＩＣ化は容易であり、こ
れにより従来例にくらべ、小型・軽量のビデオカメラが
提供されることは容易に理解できる。
化を行っていないため従来のビデオカメラと同じ体積を
有しているが、信号処理回路のＩＣ化は容易であり、こ
れにより従来例にくらべ、小型・軽量のビデオカメラが
提供されることは容易に理解できる。
【００２０】本実施例ではおもに動画記録について説明
したが、静止画像についても全く同様の結果が得られ
た。
したが、静止画像についても全く同様の結果が得られ
た。
【００２１】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、記
録媒体として強誘電体の分極反転を用いた固体メモリー
を用いることにより、小型・軽量で、振動に強く、磁
気、あるいは温度の影響を受けにくい記録を行うことが
できる撮像装置とすることができる。また、本発明によ
り記録された記録は、磁気、あるいは温度の影響を受け
ない高性能の撮像装置を得ることができる。
録媒体として強誘電体の分極反転を用いた固体メモリー
を用いることにより、小型・軽量で、振動に強く、磁
気、あるいは温度の影響を受けにくい記録を行うことが
できる撮像装置とすることができる。また、本発明によ
り記録された記録は、磁気、あるいは温度の影響を受け
ない高性能の撮像装置を得ることができる。
【図１】本発明の一実施例で作製された録音再生装置の
ブロック図。
ブロック図。
【図２】本発明の一実施例の強誘電体の分極−電圧特性
図。
図。
【図３】本発明の一実施例の強誘電体メモリセルの等価
回路構成。
回路構成。
１ 撮像素子 ２ Ａ／Ｄ変換器 ３ 記録媒体 ４ Ｄ／Ａ変換器 ５ ディスプレイ ３１ 強誘電キャパシタ ３２ トランジスタ ３３ ワードライン ３４ ビットライン ３５ コモンライン
Claims (3)
- 【請求項１】 被写体の像を光電変換素子上に結像させ
るレンズ群と、結像された像を電気信号に変換する光電
変換素子と画像信号を記録する記録媒体とを少なくとも
そなえた撮像装置において、前記記録媒体が強誘電体の
分極反転を用いた固体メモリーであることを特徴とする
画像録画装置。 - 【請求項２】 画像信号が、静止画像の画像信号または
動画像の画像信号である請求項１に記載の画像録画再生
装置。 - 【請求項３】 電気信号に変換された画像信号を記憶し
ている記録媒体から記録媒体上の記録を読みだして画像
に変換する装置において、前記記録媒体が強誘電体の分
極反転を用いた固体メモリーであることを特徴とする画
像再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4294206A JPH06150683A (ja) | 1992-11-02 | 1992-11-02 | 画像録画再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4294206A JPH06150683A (ja) | 1992-11-02 | 1992-11-02 | 画像録画再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06150683A true JPH06150683A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=17804699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4294206A Pending JPH06150683A (ja) | 1992-11-02 | 1992-11-02 | 画像録画再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06150683A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1001429A1 (en) * | 1998-11-11 | 2000-05-17 | Fujitsu Limited | Ferroelectric memory device |
-
1992
- 1992-11-02 JP JP4294206A patent/JPH06150683A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1001429A1 (en) * | 1998-11-11 | 2000-05-17 | Fujitsu Limited | Ferroelectric memory device |
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