JPH06139770A - シリアルアクセスメモリ - Google Patents

シリアルアクセスメモリ

Info

Publication number
JPH06139770A
JPH06139770A JP4287529A JP28752992A JPH06139770A JP H06139770 A JPH06139770 A JP H06139770A JP 4287529 A JP4287529 A JP 4287529A JP 28752992 A JP28752992 A JP 28752992A JP H06139770 A JPH06139770 A JP H06139770A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
address
serial
output
read data
serial output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP4287529A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3096362B2 (ja
Inventor
敦 ▲高▼杉
Atsushi Takasugi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP04287529A priority Critical patent/JP3096362B2/ja
Priority to KR1019930018702A priority patent/KR100315738B1/ko
Priority to DE69331457T priority patent/DE69331457T2/de
Priority to US08/141,664 priority patent/US6310596B1/en
Priority to EP93117304A priority patent/EP0595251B1/en
Publication of JPH06139770A publication Critical patent/JPH06139770A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3096362B2 publication Critical patent/JP3096362B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3622Control of matrices with row and column drivers using a passive matrix
    • G09G3/3644Control of matrices with row and column drivers using a passive matrix with the matrix divided into sections
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G5/00Control arrangements or circuits for visual indicators common to cathode-ray tube indicators and other visual indicators
    • G09G5/36Control arrangements or circuits for visual indicators common to cathode-ray tube indicators and other visual indicators characterised by the display of a graphic pattern, e.g. using an all-points-addressable [APA] memory
    • G09G5/39Control of the bit-mapped memory
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1015Read-write modes for single port memories, i.e. having either a random port or a serial port
    • G11C7/103Read-write modes for single port memories, i.e. having either a random port or a serial port using serially addressed read-write data registers
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1051Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
    • G11C7/1069I/O lines read out arrangements
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/10Decoders
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/18Address timing or clocking circuits; Address control signal generation or management, e.g. for row address strobe [RAS] or column address strobe [CAS] signals
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2360/00Aspects of the architecture of display systems
    • G09G2360/12Frame memory handling
    • G09G2360/126The frame memory having additional data ports, not inclusive of standard details of the output serial port of a VRAM
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611Control of matrices with row and column drivers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 シリアルアクセスメモリを用いてSTN型L
CDをドライブする場合、外部素子を不要にし、メモリ
マップを簡単にして低コスト化を図る。 【構成】 ランダムアクセス時には、XアドレスXAD
DAaによってメモリセルアレイ1Aがアクセスされ、
次にそのXADDAaに続くXアドレスXADDBaに
よりメモリセルアレイ1Bがアクセスされる。シリアル
アクセス時には、MSBコントロール手段40Bによ
り、XADDBaのMSBが無効にされ、XADDAa
と同一になる。そのため、Xアドレス手段2Aと2Bは
同一のアドレスをデコードし、1Aと1Bの同一の行が
選択される。シリアルアドレス手段8A,8Bは共通の
シリアルアドレスSYADDをデコードし、1Aと1B
における位置的に同じワードラインのメモリセルデータ
をデータレジスタ7A,7Bへ転送させる。データレジ
スタ7A,7Bに転送されたリードデータは、リードデ
ータバス9A,9B及びシリアル出力手段10A,10
Bを介してOUTA,から出力される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、画像処理における画像
メモリ等として用いられ、入力ポートと出力ポートを有
し、その出力ポートよりシリアルにデータの出力を行う
マルチポートメモリ等のシリアルアクセスメモリに関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】従来、シリアルアクセスメモリの一つで
ある画像処理用のマルチポートメモリは、現在では25
6Kビットあるいは1Mビットのものが広くパーソナル
コンピュータやワードプロセッサ等に使用されており、
その機能やピン配置等が国際的に統一化が行われてい
る。画像処理等に用いられるシリアルアクセスメモリ
は、システムの高度化にともない、高速の描画速度が必
要となってきている。そのため、シリアルアクセスメモ
リの基本構造としては、汎用のダイナミック・ランダム
・アクセス・メモリ(以下、DRAMという)にシリア
ルアクセスメモリ部分を接続し、そのDRAM部分に書
込みを行い、ある1行分を一度に読出してシリアルアク
セスメモリ部分へ転送し、シリアルに読出す構成となっ
ているものが一般的である。その一構成例を図2及び図
3に示す。
【0003】図2は、従来のシリアルアクセスメモリの
概略の構成ブロック図である。このシリアルアクセスメ
モリは、複数のメモリセルが配列されたメモリセルアレ
イ1を備え、そのメモリセルアレイ1にXアドレス手段
2が接続されている。Xアドレス手段2は、Xアドレス
XADDをデコードしてメモリセルアレイ1の任意の行
を選択する機能を有している。又、入力端子INから書
込みデータ(ライトデータ)を入力してライトデータバ
ス4へ送る入力手段3と、Yアドレス手段5とが、設け
られている。Yアドレス手段5は、YアドレスYADD
をデコードしてメモリセルアレイ1の任意の列を選択
し、その列に対してライトデータバス4上のデータを書
込む機能を有している。これらのメモリセルアレイ1、
Xアドレス手段2、入力手段3、ライトデータバス4、
及びYアドレス手段5によってDRAM部が構成されて
いる。メモリセルアレイ1には、その1行分の記憶デー
タをデータ転送信号DTaによって転送するリード転送
手段6を介して、データレジスタ7が接続されている。
データレジスタ7は、リード転送手段6によって転送さ
れた1行分の読出しデータ(リードデータ)を格納する
機能を有し、それにはシリアルアドレス手段8が接続さ
れると共に、リードデータバス9を介してシリアル出力
手段10が接続されている。シリアルアドレス手段8
は、データレジスタ7に格納された1行分のリードデー
タをシリアルに選択して順次リードデータバス9へ出力
する機能を有している。このシリアルアドレス手段8
は、シリアルアドレスSYADDをデコードしてデータ
レジスタ7を選択する回路、あるいは同期クロックによ
ってシフト動作を行うシフトレジスタをシリアルアドレ
スポインタとして用いる回路で構成されている。シリア
ル出力手段10は、リードデータバス9上のリードデー
タを同期コントロールクロックに同期して出力端子OU
Tからシリアルデータの形で出力する機能を有してい
る。これらのリード転送手段6、データレジスタ7、シ
リアルアドレス手段8、リードデータバス9、及びシリ
アル出力手段10によってシリアルアクセスメモリ部が
構成される。なお、図2では、メモリ動作を簡単に示す
ためにその基本動作を示すための最低限の回路構成が示
されており、メモリコントロール信号発生回路等は省略
されている。
【0004】次に、このシリアルアクセスメモリのライ
ト動作及びリード動作を動作1,2,3,4に分けて説
明する。動作1では、XアドレスXADD及びYアドレ
スYADDがXアドレス手段2及びYアドレス手段5へ
それぞれ供給されると共に、ライトデータが入力端子I
Nへ供給され、そのライトデータが入力手段3によって
ライトデータバス4へ送られる。XアドレスXADDは
Xアドレス手段2でデコードされてメモリセルアレイ1
の任意の行が選択し、さらにYアドレスYADDがYア
ドレス手段5でデコードされて該メモリセルアレイ1の
任意の列が選択される。この選択された任意のメモリセ
ルに対し、ライトデータバス4よりライトデータが転送
され、DRAM部に対する書込みが行われる。
【0005】動作2では、DRAM部に対する通常のラ
イトサイクルとは別(DRAMアクセスとは別のサイク
ル)の転送サイクルにおいて、Xアドレス手段2によっ
てメモリセルアレイ1の任意の行が選択される。このと
き、Yアドレス手段5の動作はドントケアである。デー
タ転送信号DTaによってリード転送手段6が活性化さ
れ、メモリセルアレイ1の選択された1行分のリードデ
ータがデータレジスタ7へ一度に転送される。動作3で
は、シリアルアドレス手段8によってデータレジスタ7
内のリードデータがシリアルに選択され、その選択され
たリードデータがシリアルにリードデータバス9へ高速
に転送される。これらのシリアルアクセス動作は、外部
より供給される同期コントロールクロックによって制御
される。動作4では、シリアルにリードデータバス9へ
転送されたリードデータが、前記同期コントロールクロ
ックに同期してシリアル出力手段10によって出力端子
OUTから出力される。
【0006】図3は、図2の主要部分の構成例を示す回
路図である。メモリセルアレイ1は、複数のワードライ
ンWLai ,WLaj (i=1〜n,j=1〜n)と、
それと交差する複数の相補的なビットライン対BL
i ,BLai /とを備えている。ワードラインWLa
i とビットラインBLai との交差箇所には、単一のト
ランジスタと単一の容量からなるメモリセルQki (k
=1〜m,i=1〜n)がそれぞれ接続されている。さ
らに、ワードラインWLaj とビットラインBLai
との交差箇所には、単一のトランジスタと単一の容量か
らなるメモリセルQki /(k=1〜m,i=1〜n)
がそれぞれ接続されている。各ビットライン対BL
i ,BLai /には、センスアンプSAi (i=1〜
n)がそれぞれ接続されている。
【0007】Xアドレス手段2は、XアドレスXADD
をデコードしてワードラインWLai ,WLaj 中の1
本を選択する機能を有している。Yアドレス手段5は、
YアドレスYADDをデコードする複数の単位のYデコ
ーダYAi (i=1〜n)と、ライトデータバス4とビ
ットライン対BLai ,BLai /との間に接続され該
単位YデコーダYAi の出力yai (i=1〜n)によ
って任意の一対が選択される複数のトランジスタ対tr
i ,trai /(i=1〜n)とで、構成されてい
る。リード転送手段6は、ビットライン対BLai ,B
Lai /に接続されデータ転送信号DTaによってオ
ン,オフ動作する複数のトランジスタ対trci ,tr
i /(i=1〜n)で構成されている。データレジス
タ7は、トランジスタ対trci ,trci /に接続さ
れ、逆並列の2個のインバータからなる複数のフリップ
フロップFFi (i=1〜n)で構成されている。シリ
アルアドレス手段8は、シリアルアドレスSYADDを
デコードする複数の単位シリアルアドレス手段YB
i (i=1〜n)と、フリップフロップFFi とリード
データバス9間に接続され該単位シリアルアドレス手段
YBi の出力ybi (i=1〜n)によって任意の一対
が選択的にオン,オフ動作する複数のトランジスタ対t
rdi,trdi /(i=1〜n)とで、構成されてい
る。
【0008】図4は、図3に示すシリアルアクセスメモ
リの動作を示すタイミング図であり、この図を参照しつ
つ、時刻t1〜t5に従い動作(1)〜(4)を説明す
る。 (1) 時刻t1 ライトアクセスにおいて、XアドレスXADD及びYア
ドレスYADDがXアドレス手段2及びYアドレス手段
5に供給されると共に、ライトデータが入力端子INか
ら入力手段3に入力される。Yアドレス手段5内の単位
YデコーダYAi では、YアドレスYADDをデコード
し、任意の出力(例えば、yan-1 )を“H”にする。
同時に、Xアドレス手段2は、XアドレスXADDをデ
コードし、任意のワードライン(例えば、WLai )を
“H”にする。すると、このワードラインWLai に接
続されたメモリセルQki 内のトランジスタがオンす
る。単位Yデコーダ出力yan-1 が“H”になると、Y
アドレス手段5内のトランジスタ対tran-1 ,tra
n-1 /がオンし、入力手段3よりライトデータバス4へ
入力されたライトデータが、該トランジスタ対tra
n-1 ,tran-1 /を介してビットライン対BL
n-1 ,BLan-1 /へ送られる。これにより、ビット
ラインBLan-1 の電位レベルがメモリセルQkn-1
書込まれる。
【0009】(2) 時刻t2 例えば、時刻t2において転送動作が行われるとする。
転送サイクルでは、メモリセルアレイ1内でDRAMア
クセス動作が行われ、Xアドレス手段2によって任意の
行のワードライン(例えば、WLai )が選択され、ビ
ットライン対BLai ,BLai /が確定する。このと
き、通常、YアドレスYADDはディスエーブル状態と
なり、Yアドレス手段5の動作がドントケアとなって外
部からのメモリセルQki ,Qki /に対するアクセス
は行われない。時刻t2において、データ転送信号DT
aが“H”となり、リード転送手段6のトランジスタ対
trci ,trci /がオンし、ワードラインWLai
に接続された1行分のメモリセルQki の記憶データ
が、ビットライン対BLai ,BLai /を介してデー
タレジスタ7へ一度に転送され、そのデータレジスタ7
のフリップフロップFFi に格納される。
【0010】(3) 時刻t3 時刻t3において、シリアルアドレスSYADDが入力
され、任意の単位シリアルアドレス手段(例えば、YB
1 )の出力yb1 が“H”となる。これにより、トラン
ジスタ対trdi ,trdi /がオンし、フリップフロ
ップFFi に格納されたリードデータD1 がリードデー
タバス9へ転送され、シリアル出力手段10によって出
力端子OUTから出力される。
【0011】(4) 時刻t4,t5 時刻t4では、時刻t3と同様な動作により、次のシリ
アルアドレスSYADDが入力し、単位シリアルアドレ
ス手段YB2 の出力yb2 が“H”となり、フリップフ
ロップFF2 に格納されたリードデータD2 がリードデ
ータバス9及びシリアル出力手段10を介して出力端子
OUTから出力される。時刻t5においても、同様の動
作により、次のシリアルアドレスSYADDが入力し、
単位シリアルアドレス手段YB3 の出力yb3 が“H”
となり、フリップフロップFF3に格納されたリードデ
ータD3 がリードデータバス9及びシリアル出力手段1
0を介して出力端子OUTから出力される。以下同様の
動作により、シリアルアクセス動作が連続して行われ
る。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
シリアルアクセスメモリの素子構成では、例えば、価格
が安く、製造がしやすいために広くラップトップパーソ
ナルコンピュータや、ワードプロセッサ等のオフィスオ
ートメーション(OA)機器に用いられているSTN
(Super Twinted Nematic)型の結晶ディスプレイ(以
下、LCDという)をドライブ(駆動)するための画像
メモリとして使用する場合、そのLCDではディスプレ
イ画面を上下に2等分し、上下にそれぞれLCDドライ
バを設けてドライブしなければならないため、外部素子
が必要であること、メモリマップが複雑になってしまう
こと等の問題があった。以下その問題を図5を参照しつ
つ説明する。図5は、従来のシリアルアクセスメモリで
STN型LCDを制御(コントロール)する場合の液晶
画面駆動動作を示す図である。液晶画面30は、上下に
上面LCD31と下面LCD32とに2等分され、上下
に上面用LCDドライバ33と下面用LCDドライバ3
4とが設けられてドライブされるようになっている。上
面LCD31及び下面LCD32は、マトリクス状に簡
略化して描かれている。この上面LCD31及び下面L
CD32は、行方向に上下より上面用LCDドライバ3
3と下面用LCDドライバ34とで画面が描画される。
上面LCD31及び下面LCD32の画面を構成する画
素は、マトリクスを作る格子の交点にあたり、その行ラ
インと列ラインが選択されたときに対応する画素が輝点
となる。シリアルアクセスメモリ20のシリアル出力手
段10からのリードデータを液晶画面30に表示する場
合、メモリセルアレイ1内のメモリマップは、図5に示
すように、液晶画面30の上面用と下面用の画像情報が
交互に並ぶ。又、これを実際の上面用LCDドライバ3
3と下面用LCDドライバ34へ供給するためには、信
号選択のために外付けのマルチプレクサ35が必要とな
る。このように、従来のシリアルアクセスメモリ20を
用いてSTM型LCDをドライブしようとすると、メモ
リセルアレイ1内のメモリマップが複雑になり、その
上、マルチプレクサ35という外付け素子が必要にな
り、コスト高になるという問題があり、それらを解決す
ることが困難であった。本発明は、前記従来技術が持っ
ていた課題として、メモリマップが複雑になるばかり
か、外付け素子が必要であるため、コスト高になるとい
う点について解決したシリアルアクセスメモリを提供す
るものである。
【0013】
【課題を解決するための手段】第1の発明は、前記課題
を解決するために、入力ポートと出力ポートを有するマ
ルチポートメモリ等のシリアルアクセスメモリにおい
て、複数のワードラインと複数のビットライン対との交
差箇所に接続されたメモリセルがマトリクス状に配列さ
れた2分割構造の第1及び第2のメモリセルアレイと、
全体のXアドレスのうちの前半のXアドレスをデコード
して前記第1のメモリセルアレイのワードラインを選択
する第1のXアドレス手段と、前記全体のXアドレスの
うちの後半のXアドレスをデコードして前記第2のメモ
リセルアレイのワードラインを選択する第2のXアドレ
ス手段と、前記第1及び第2のメモリセルアレイに対す
る書込みデータをライトデータバスへ入力する共通の入
力手段と、共通のYアドレスをデコードして前記ライト
データバスと前記第1のメモリセルアレイのビットライ
ン対とを選択的に接続する第1のYアドレス手段と、前
記Yアドレスをデコードして前記ライトデータバスと前
記第2のメモリセルアレイのビットライン対とを選択的
に接続する第2のYアドレス手段と、前記第1,第2の
メモリセルアレイのビットライン対上の読出しデータを
それぞれ格納する第1,第2のデータレジスタとを、備
えている。さらに、共通のデータ転送信号に基づき、前
記第1のメモリセルアレイのビット線対上の読出しデー
タを前記第1のデータレジスタへ転送する第1のリード
転送手段と、前記データ転送信号に基づき、前記第2の
メモリセルアレイのビットライン対上の読出しデータを
前記第2のデータレジスタへ転送する第2のリード転送
手段と、前記第1のデータレジスタをシリアルに選択し
て順次第1のリードデータバスに接続する第1のシリア
ルアドレス手段と、前記第2のデータレジスタをシリア
ルに選択して順次第2のリードデータバスに接続する第
2のシリアルアドレス手段と、前記第1及び第2のリー
ドデータバス上の読出しデータをそれぞれシリアルに出
力する第1及び第2のシリアル出力手段と、前記データ
転送信号に基づき、前記前半のXアドレス及び後半のX
アドレスの最上位ビットを無効にするコントロール手段
とが、設けられている。
【0014】第2の発明は、第1の発明の第1及び第2
のシリアルアドレス手段を、共通のシリアルアドレス又
は互いに独立したシリアルアドレスに基づき、前記第
1,第2のデータレジスタをシリアルに選択する構成に
している。第3の発明は、第1の発明の第1,第2のメ
モリセルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手
段、第1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータ
レジスタ、第1,第2のリード転送手段、第1,第2の
シリアルアドレス手段、及び第1,第2のシリアル出力
手段と、Xアドレスバッファとを、備えている。Xアド
レスバッファは、第1の発明のデータ転送信号に基づ
き、前記後半のXアドレスが前記前半のXアドレスに等
しくなるように該後半のXアドレスを所定の値だけ減算
してそれらの前半のXアドレス及び後半のXアドレスを
前記第1及び第2のXアドレス手段にそれぞれ供給する
機能を有している。第4の発明は、第3の発明の第1及
び第2のシリアルアドレス手段を、共通のシリアルアド
レス又は互いに独立したシリアルレジスタに基づき、前
記第1,第2のデータレジスタをシリアルに選択する構
成にしている。第5の発明は、第1の発明の第1,第2
のメモリセルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入
力手段、第1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデ
ータレジスタ、第1,第2のリード転送手段、第1,第
2のシリアルアドレス手段、及び第1,第2のシリアル
出力手段と、アドレスバッファ手段とを、備えている。
アドレスバッファ手段は、外部から供給されるアドレス
を時分割して全体のXアドレスと共通のYアドレスを取
込み、その共通のYアドレスを前記第1及び第2のYア
ドレス手段に供給し、かつ前記データ転送信号に基づ
き、その全体のXアドレスのうちの後半のXアドレスが
前半のXアドレスに等しくなるように該後半のXアドレ
スを所定の値だけ減算してそれらの前半のXアドレス及
び後半のXアドレスを前記第1及び第2のXアドレス手
段にそれぞれ供給する機能を有している。
【0015】第6の発明は、第5の発明の第1及び第2
のシリアルアドレス手段を、共通のシリアルアドレス又
は互いに独立したシリアルアドレスに基づき、前記第
1,第2のデータレジスタをシリアルに選択する構成に
している。第7の発明は、第1の発明の第1,第2のメ
モリセルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手
段、第1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータ
レジスタ、第1,第2のリード転送手段、第1,第2の
シリアルアドレス手段、第1,第2のシリアル出力手
段、及びコントロール手段を備えている。さらに、シリ
アル出力順序制御用のアドレス信号に基づき、前記第1
のリードデータバス上の読出しデータをそのシリアル出
力順序を変換して前記第1のシリアル出力手段へ送る第
1の出力順序変換手段と、シリアル出力順序制御(コン
トロール)用のアドレス信号に基づき、前記第2のリー
ドデータバス上の読出しデータをそのシリアル出力順序
を変換して前記第2のシリアル出力手段へ送る第2の出
力順序変換手段とが、設けられている。第8の発明は、
第1の発明の第1,第2のメモリセルアレイ、第1,第
2のXアドレス手段、入力手段、第1,第2のYアドレ
ス手段、第1,第2のデータレジスタ、第1,第2のリ
ード転送手段、第1,第2のシリアルアドレス手段、第
1,第2のシリアル出力手段、及びコントロール手段を
備えている。さらに、アドレス順序入力用のイネーブル
信号によって入力したシリアル出力順序コントロール用
のアドレス信号からシリアル出力順序を決定し、その決
定結果に基づき、同期コントロールクロックに同期して
前記第1のリードデータバス上の読出しデータをそのシ
リアル出力順序を変換して前記第1のシリアル出力手段
へ送る第1の出力順序変換手段と、アドレス順序入力用
のイネーブル信号によって入力したアドレス信号からシ
リアル出力順序を決定し、その決定結果に基づき、前記
同期コントロールクロックに同期して前記第2のリード
データバス上の読出しデータをそのシリアル出力順序を
変換して前記第2のシリアル出力手段へ送る第2の出力
順序変換手段とが、設けられている。第9の発明は、第
1の発明の第1,第2のメモリセルアレイ、第1,第2
のXアドレス手段、入力手段、第1,第2のYアドレス
手段、第1,第2のデータレジスタ、第1,第2のリー
ド転送手段、第1,第2のシリアルアドレス手段、第
1,第2のシリアル出力手段、及びコントロール手段を
備えている。さらに、アドレス順序入力用のイネーブル
信号によって入力したシリアル出力順序決定アドレスに
基づき、同期コントロールクロックに同期して前記第1
のリードデータバス上の読出しデータをそのシリアル出
力順序を変換して前記第1のシリアル出力手段へ送る第
1の出力順序変換手段と、アドレス順序入力用のイネー
ブル信号によって入力したシリアル出力順序決定アドレ
スに基づき、前記同期コントロールクロックに同期して
前記第2のリードデータバス上の読出しデータをそのシ
リアル出力順序を変換して前記第2のシリアル出力手段
へ送る第2の出力順序変換手段とが、設けられている。
第10の発明は、第1の発明の第1,第2のメモリセル
アレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手段、第
1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータレジス
タ、第1,第2のリード転送手段、第1,第2のシリア
ルアドレス手段、第1,第2のシリアル出力手段、及び
コントロール手段を備えている。さらに、フューズを有
するトリミング回路で設定したシリアル出力順序決定ア
ドレスに基づき、同期コントロールクロックに同期して
前記第1のリードデータバス上の読出しデータをそのシ
リアル出力順序を変換して前記第1のシリアル出力手段
へ送る第1の出力順序変換手段と、フューズを有するト
リミング回路で設定したシリアル出力順序決定アドレス
に基づき、前記同期コントロールクロックに同期して前
記第2のリードデータバス上の読出しデータをそのシリ
アル出力順序を変換して前記第2のシリアル出力手段へ
送る第2の出力順序変換手段とが、設けられている。
【0016】第11の発明は、第7、第8、第9又は第
10の発明の第1及び第2のシリアルアドレス手段を、
共通のシリアルアドレス又は互いに独立したシリアルア
ドレスに基づき、前記第1,第2のデータシリアルをシ
リアルに選択する構成にしている。第12の発明は、第
1の発明の第1,第2のメモリセルアレイ、第1,第2
のXアドレス手段、入力手段、第1,第2のYアドレス
手段、第1,第2のデータレジスタ、第1,第2のリー
ド転送手段、第1,第2のシリアルアドレス手段、及び
第1,第2のシリアル出力手段を備えている。さらに、
第3の発明のXアドレスバッファと、第7の発明の第
1,第2の出力順序変換手段とが、設けられている。第
13の発明は、第1の発明の第1,第2のメモリセルア
レイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手段、第1,
第2のYアドレス手段、第1,第2のデータレジスタ、
第1,第2のリード転送手段、第1,第2のシリアルア
ドレス手段、及び第1,第2のシリアル出力手段を備え
ている。さらに、第3の発明のXアドレスバッファと、
第8の発明の第1,第2の出力順序変換手段とが、設け
られている。第14の発明は、第1の発明の第1,第2
のメモリセルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入
力手段、第1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデ
ータレジスタ、第1,第2のリード転送手段、第1,第
2のシリアルアドレス手段、及び第1,第2のシリアル
出力手段を備えている。さらに、第3の発明のXアドレ
スバッファと、第9の発明の第1,第2の出力順序変換
手段とが、設けられている。第15の発明は、第1の発
明の第1,第2のメモリセルアレイ、第1,第2のXア
ドレス手段、入力手段、第1,第2のYアドレス手段、
第1,第2のデータレジスタ、第1,第2のリード転送
手段、第1,第2のシリアルアドレス手段、及び第1,
第2のシリアル出力手段を備えている。さらに、第3の
発明のXアドレスバッファと、第10の発明の第1,第
2の出力順序変換手段とが、設けられている。
【0017】第16の発明は、第12、第13、第14
又は第15の発明の第1及び第2のシリアルアドレス手
段を、共通のシリアルアドレス又は互いに独立したシリ
アルアドレスに基づき、前記第1,第2のデータレジス
タをシリアルに選択する構成にしている。第17の発明
は、第1の発明の第1,第2のメモリセルアレイ、第
1,第2のXアドレス手段、入力手段、第1,第2のY
アドレス手段、第1,第2のデータレジスタ、第1,第
2のリード転送手段、第1,第2のシリアルアドレス手
段、及び第1,第2のシリアル出力手段を備えている。
さらに、第5の発明のアドレスバッファ手段と、第7の
発明の第1,第2の出力順序変換手段とが、設けられて
いる。第18の発明は、第1の発明の第1,第2のメモ
リセルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手
段、第1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータ
レジスタ、第1,第2のリード転送手段、第1,第2の
シリアルアドレス手段、及び第1,第2のシリアル出力
手段を備えている。さらに、第5の発明のアドレスバッ
ファ手段と、第8の発明の第1,第2の出力順序変換手
段とが、設けられている。第19の発明は、第1の発明
の第1,第2のメモリセルアレイ、第1,第2のXアド
レス手段、入力手段、第1,第2のYアドレス手段、第
1,第2のデータレジスタ、第1,第2のリード転送手
段、第1,第2のシリアルアドレス手段、及び第1,第
2のシリアル出力手段を備えている。さらに、第5の発
明のアドレスバッファ手段と、第9の発明の第1,第2
の出力順序変換手段とが、設けられている。
【0018】第20の発明は、第1の発明の第1,第2
のメモリセルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入
力手段、第1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデ
ータレジスタ、第1,第2のリード転送手段、第1,第
2のシリアルアドレス手段、及び第1,第2のシリアル
出力手段を備えている。さらに、第5の発明のアドレス
バッファ手段と、第10の発明の第1,第2の出力順序
変換手段とが、設けられている。第21の発明は、第1
7、第18、第19又は第20の発明の第1及び第2の
シリアルアドレス手段を、共通のシリアルアドレス又は
互いに独立したシリアルアドレスに基づき、前記第1,
第2のデータレジスタをシリアルに選択する構成にして
いる。第22の発明は、第1の発明の第1,第2のメモ
リセルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手
段、第1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータ
レジスタ、第1,第2のリード転送手段、第1,第2の
シリアルアドレス手段、及びコントロール手段を備えて
いる。さらに、出力方式変換信号のレベル制御によって
前記第1,第2のリードデータバスと2個の出力端子と
の切換え接続が可能な出力手段が設けられている。第2
3の発明は、第22の発明の第1及び第2のシリアルア
ドレス手段を、共通のシリアルアドレス又は互いに独立
したシリアルアドレスに基づき、前記第1,第2のデー
タレジスタをシリアルに選択する構成にしている。
【0019】第24の発明は、第1の発明の第1,第2
のメモリセルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入
力手段、第1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデ
ータレジスタ、第1,第2のリード転送手段、及び第
1,第2のシリアルアドレス手段を備えている。さら
に、第3の発明のXアドレスバッファと、第22の発明
の出力手段とが、設けられている。第25の発明は、第
24の発明の第1及び第2のシリアルアドレス手段を、
共通のシリアルアドレス又は互いに独立したシリアルア
ドレスに基づき、前記第1,第2のデータレジスタをシ
リアルに選択する構成にしている。第26の発明は、第
1の発明の第1,第2のメモリセルアレイ、第1,第2
のXアドレス手段、入力手段、第1,第2のYアドレス
手段、第1,第2のデータレジスタ、第1,第2のリー
ド転送手段、及び第1,第2のシリアルアドレス手段を
備えている。さらに、第5の発明のアドレスバッファ手
段と、第22の発明の出力手段とが、設けられている。
【0020】第27の発明は、第26の発明の第1及び
第2のシリアルアドレス手段を、共通のシリアルアドレ
ス又は互いに独立したシリアルアドレスに基づき、前記
第1,第2のデータレジスタをシリアルに選択する構成
にしている。第28の発明は、第1の発明の第1,第2
のメモリセルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入
力手段、第1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデ
ータレジスタ、第1,第2のリード転送手段、第1,第
2のシリアルアドレス手段、及びコントロール手段を備
えている。さらに、第7の発明の第1,第2の出力順序
変換手段と、第22の発明の出力手段とが、設けられて
いる。第29の発明は、第1の発明の第1,第2のメモ
リセルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手
段、第1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータ
レジスタ、第1,第2のリード転送手段、第1,第2の
シリアルアドレス手段、及びコントロール手段を備えて
いる。さらに、第8の発明の第1,第2の出力順序変換
手段と、第22の発明の出力手段とが、設けられてい
る。
【0021】第30の発明は、第1の発明の第1,第2
のメモリセルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入
力手段、第1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデ
ータレジスタ、第1,第2のリード転送手段、第1,第
2のシリアルアドレス手段、及びコントロール手段を備
えている。さらに、第9の発明の第1,第2の出力順序
変換手段と、第22の発明の出力手段とが、設けられて
いる。第31の発明は、第1の発明の第1,第2のメモ
リセルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手
段、第1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータ
レジスタ、第1,第2のリード転送手段、第1,第2の
シリアルアドレス手段、第1,第2のシリアル出力手
段、及びコントロール手段を備えている。さらに、第1
0の発明の第1,第2の出力順序変換手段と、第22の
発明の出力手段とが、設けられている。
【0022】第32の発明は、第28、第29、第30
又は第31の発明の第1及び第2のシリアルアドレス手
段を、共通のシリアルアドレス又は互いに独立したシリ
アルアドレスに基づき、前記第1,第2のデータレジス
タをシリアルに選択する構成にしている。第33の発明
は、第1の発明の第1,第2のメモリセルアレイ、第
1,第2のXアドレス手段、入力手段、第1,第2のY
アドレス手段、第1,第2のデータレジスタ、第1,第
2のリード転送手段、及び第1,第2のシリアルアドレ
ス手段を備えている。さらに、第3の発明のXアドレス
バッファと、第7の発明の第1,第2の出力順序変換手
段と、第22の発明の出力手段とが、設けられている。
【0023】第34の発明は、第1の発明の第1,第2
のメモリセルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入
力手段、第1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデ
ータレジスタ、第1,第2のリード転送手段、第1,第
2のシリアルアドレス手段、及びコントロール手段を備
えている。さらに、第8の発明の第1,第2の出力順序
変換手段と、第22の発明の出力手段とが、設けられて
いる。第35の発明は、第1の発明の第1,第2のメモ
リセルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手
段、第1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータ
レジスタ、第1,第2のリード転送手段、第1,第2の
シリアルアドレス手段、及びコントロール手段を備えて
いる。さらに、第9の発明の第1,第2の出力順序変換
手段と、第22の発明の出力手段とが、設けられてい
る。第36の発明は、第1の発明の第1,第2のメモリ
セルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手段、
第1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータレジ
スタ、第1,第2のリード転送手段、第1,第2のシリ
アルアドレス手段、及びコントロール手段を備えてい
る。さらに、第10の発明の第1,第2の出力順序変換
手段と、第22の発明の出力手段とが、設けられてい
る。第37の発明は、第33、第34、第35又は第3
6の発明の第1及び第2のシリアルアドレス手段を、共
通のシリアルアドレス又は互いに独立したシリアルアド
レスに基づき、前記第1,第2のデータレジスタをシリ
アルに選択する構成にしている。
【0024】第38の発明は、第1の発明の第1,第2
のメモリセルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入
力手段、第1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデ
ータレジスタ、第1,第2のリード転送手段、及び第
1,第2のシリアルアドレス手段を備えている。さら
に、第5の発明のアドレスバッファ手段と、第7の発明
の第1,第2の出力順序変換手段と、第22の発明の出
力手段とが、設けられている。第39の発明は、第1の
発明の第1,第2のメモリセルアレイ、第1,第2のX
アドレス手段、入力手段、第1,第2のYアドレス手
段、第1,第2のデータレジスタ、第1,第2のリード
転送手段、及び第1,第2のシリアルアドレス手段を備
えている。さらに、第5の発明のアドレスバッファ手段
と、第8の発明の第1,第2の出力順序変換手段と、第
22の発明の出力手段とが、設けられている。第40の
発明は、第1の発明の第1,第2のメモリセルアレイ、
第1,第2のXアドレス手段、入力手段、第1,第2の
Yアドレス手段、第1,第2のデータレジスタ、第1,
第2のリード転送手段、及び第1,第2のシリアルアド
レス手段を備えている。さらに、第5の発明のアドレス
バッファ手段と、第9の発明の第1,第2の出力順序変
換手段と、第22の発明の出力手段とが、設けられてい
る。第41の発明は、第1の発明の第1,第2のメモリ
セルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手段、
第1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータレジ
スタ、第1,第2のリード転送手段、及び第1,第2の
シリアルアドレス手段を備えている。さらに、第5の発
明のアドレスバッファ手段と、第10の発明の第1,第
2の出力順序変換手段と、第22の発明の出力手段と
が、設けられている。第42の発明は、第38、第3
9、第40又は第41の発明の第1及び第2のシリアル
アドレス手段を、共通のシリアルアドレス又は互いに独
立したシリアルアドレスに基づき、前記第1,第2のデ
ータレジスタをシリアルに選択する構成にしている。
【0025】
【作用】第1の発明によれば、以上のようにシリアルア
クセスメモリを構成したので、DRAMアクセス部分の
第1,第2のXアドレス手段を含めたメモリ構造が2分
割されており、全体のXアドレスのうちの前半のアドレ
スに対しては第1のXアドレス手段のデコード結果に従
い、後半のアドレスに対しては第2のXアドレス手段の
デコード結果に従い、2分割された各DRAM部分のア
クセスが行われる。シリアルアクセスの場合、第1及び
第2のメモリセルアレイからなるメモリセルプレーンか
ら、第1,第2のデータレジスタへのデータ転送時に、
第1と第2のXアドレス手段が同一の動作を行う。
【0026】第1及び第2のメモリセルアレイからなる
メモリセルプレーンに対するアクセス時、DRAMポー
トからは、アドレス的には1面のメモリセルプレーンに
見え(即ち、X座標が連続し、Y座標が同じ2面のメモ
リセルプレーンとなっている)、シリアルアクセス時に
は、分割された2面のメモリセルプレーンを、従来のシ
リアルアクセスメモリをあたかも2個使ってアクセスす
るように動作する。これにより、例えば本発明のシリア
ルアクセスメモリを用いてSTN型LCDをドライブす
る場合、従来のような外付けマルチプレクサといった外
部素子が省略でき、第1及び第2のメモリセルアレイに
おけるメモリマップの簡単化が図れる。
【0027】第2の発明によれば、共通のシリアルアド
レス又は互いに独立したシリアルアドレスを第1の発明
の第1及び第2のシリアルアドレス手段に入力してい
る。そのため、第1及び第2のシリアルアドレス手段
は、共通のシリアルアドレスをデコードして、同一のア
ドレスの第1,第2のデータレジスタ内のデータをシリ
アルに出力できる。これにより、ソフトウェアの負担の
軽減化が図れる。又、互いに独立したシリアルアドレス
を第1と第2のシリアルアドレス手段へ入力すると、該
第1と第2のシリアルアドレス手段は、それぞれ異なる
アドレスの第1,第2のデータレジスタ内のデータをそ
れぞれシリアルに出力できる。
【0028】第3の発明によれば、Xアドレスバッファ
は、第1,第2のメモリセルアレイから第1,第2のデ
ータレジスタへそれぞれデータが転送されるデータ転送
サイクル時に、第1のXアドレス手段に供給するXアド
レスと等しいXアドレスを第2のXアドレス手段へ与え
るために、アドレス変換を行う。第4の発明によれば、
共通のシリアルアドレス又は互いに独立したシリアルア
ドレスが第1,第2のシリアルアドレス手段に入力され
るので、第2の発明と同様の作用が行われる。第5の発
明によれば、アドレスバッファ手段は、外部から供給さ
れるアドレスを時分割で取込んで第1,第2のXアドレ
ス手段へ供給する。さらに、このアドレスバッファ手段
は、第1,第2のメモリセルアレイから第1,第2のデ
ータレジスタへそれぞれデータが転送されるデータ転送
サイクル時に、アドレスの変換を行い、第1のXアドレ
ス手段へ与えるXアドレスと同一のXアドレスを第2の
Xアドレス手段へ与える。第6の発明によれば、共通の
シリアルアドレス又は互いに独立したシリアルアドレス
が第1,第2のシリアルアドレス手段に入力されるの
で、第2の発明と同様の作用が行われる。第7の発明に
よれば、第1,第2の出力順序変換手段は、シリアル出
力順序コントロール用アドレス信号に基づき、第1,第
2のリードデータバス上のリードデータのシリアル出力
順序を変換して第1,第2のシリアル出力手段からそれ
ぞれ出力させる。第8の発明によれば、第1,第2の出
力順序変換手段は、アドレス順序入力用のイネーブル信
号に基づき、シリアル出力順序コントロール用のアドレ
ス信号を取込み、そのアドレス信号からシリアル出力順
序を決定してその決定結果に従い、第1,第2のリード
データバス上のリードデータのシリアル出力順序を変換
して第1,第2のシリアル出力手段から出力させる。
【0029】第9の発明によれば、第1,第2の出力順
序変換手段は、アドレス順序入力用のイネーブル信号に
基づき、シリアル出力順序決定アドレスを取込み、その
シリアル出力順序決定アドレスに従い、第1,第2のリ
ードデータバス上のリードデータのシリアル出力順序を
変換して第1,第2のシリアル出力手段から出力させ
る。第10の発明によれば、第1,第2の出力順序変換
手段は、フューズを有するトリミング回路で設定された
シリアル出力順序決定アドレスに従い、第1,第2のリ
ードデータバス上のリードデータのシリアル出力順序を
変換して第1,第2のシリアル出力手段から出力させ
る。第11の発明によれば、共通のシリアルアドレス又
は互いに独立したシリアルアドレスが第1,第2のシリ
アルアドレス手段に入力されるので、第2の発明と同様
の作用が行われる。第12の発明によれば、Xアドレス
バッファは第3の発明と同様なアドレス変換を行う。さ
らに、第1,第2の出力順序変換手段は、第7の発明の
第1,第2の出力順序変換手段と同様の動作を行う。第
13の発明によれば、Xアドレスバッファは第3の発明
と同様のアドレス変換を行う。さらに、第1,第2の出
力順序変換手段は、第8の発明と同様に、シリアル出力
の順序を変換して第1,第2のシリアル出力手段から出
力させる。第14の発明によれば、Xアドレスバッファ
は第3の発明と同様のアドレス変換を行う。さらに、第
1,第2の出力順序変換手段は、第9の発明と同様に、
シリアル出力の順序を変換して第1,第2の出力手段か
ら出力させる。
【0030】第15の発明によれば、Xアドレスバッフ
ァは第3の発明と同様のアドレス変換を行う。さらに、
第1,第2の出力順序変換手段は、第10の発明と同様
に、シリアル出力順序を変換して第1,第2のシリアル
出力手段から出力させる。第16の発明によれば、共通
のシリアルアドレス又は互いに独立したシリアルアドレ
スが第1,第2のシリアルアドレス手段に入力されるの
で、第2の発明と同様の作用が行われる。第17の発明
によれば、アドレスバッファ手段は第5の発明と同様
に、外部から供給されるアドレスを時分割で取込み、取
込んだYアドレスを第1,第2のYアドレス手段へ供給
すると共に、アドレスの変換を行って第1のXアドレス
手段に与えるXアドレスと同一のアドレスを第2のXア
ドレス手段に与える。さらに、第1,第2の出力順序変
換手段は第7の発明と同様に、リードデータのシリアル
出力順序を変換して第1,第2のシリアル出力手段から
出力させる。
【0031】第18の発明によれば、アドレスバッファ
手段は第5の発明と同様に、外部から供給されるアドレ
スを時分割で取込み、Yアドレスを第1,第2のYアド
レス手段へ供給すると共に、Xアドレスをそのアドレス
変換を行って第1,第2のXアドレス手段に与える。さ
らに、第1,第2の出力順序変換手段は第8の発明と同
様に、リードデータのシリアル出力順序を変換して第
1,第2のシリアル出力手段から出力させる。第19の
発明によれば、アドレスバッファ手段は第5の発明と同
様に、外部から供給されるアドレスを時分割で取込んで
XアドレスとYアドレスを内部回路へ供給する。さら
に、第1,第2の出力順序変換手段は第9の発明と同様
に、リードデータのシリアル出力順序を変換して第1,
第2のシリアル出力手段から出力させる。第20の発明
によれば、アドレスバッファ手段は第5の発明と同様
に、外部から供給されるアドレスを時分割で取込んでX
アドレスとYアドレスを内部回路へ供給する。さらに、
第1,第2の出力順序変換手段は第10の発明と同様
に、リードデータのシリアル出力順序を変換して第1,
第2のシリアル出力手段から出力させる。第21の発明
によれば、共通のシリアルアドレス又は互いに独立した
シリアルアドレスが第1,第2のシリアルアドレス手段
に入力されるので、第2の発明と同様の作用が行われ
る。
【0032】第22の発明によれば、出力手段は出力方
式変換信号のレベルコントロールにより、第1,第2の
リードデータバスのいずれか一方と2個の出力端子のう
ちのいずれか一方とを接続したり、あるいは第1,第2
のリードデータバスと2個の出力端子とをそれぞれ接続
する。これにより、1ポートあるいは2ポートで、リー
ドデータのシリアル出力が行われる。第23の発明によ
れば、共通のシリアルアドレス又は互いに独立したシリ
アルアドレスが第1,第2のシリアルアドレス手段に入
力されるので、第2の発明と同様の作用が行われる。第
24の発明によれば、Xアドレスバッファは第3の発明
と同様に、アドレス変換を行って同一のアドレスを第1
及び第2のXアドレス手段へ供給する。さらに、出力手
段は第22の発明と同様に、第1,第2のリードデータ
バスと2個の出力端子との切換え接続を行い、1ポート
あるいは2ポートでリードデータのシリアル出力を行わ
せる。第25の発明によれば、共通のシリアルアドレス
又は互いに独立したシリアルアドレスが第1,第2のシ
リアルアドレス手段に入力されるので、第2の発明と同
様の作用が行われる。第26の発明によれば、アドレス
バッファ手段は第5の発明と同様に、外部から供給され
るアドレスを時分割で取込み、XアドレスとYアドレス
を内部回路へ供給する。さらに、出力手段は第22の発
明と同様に、2個の出力端子に対して1ポートあるいは
2ポートのシリアル出力を行わせる。第27の発明によ
れば、共通のシリアルアドレス又は互いに独立したシリ
アルアドレスが第1,第2のシリアルアドレス手段に入
力されるので、第2の発明と同様の作用が行われる。第
28の発明によれば、第1,第2の出力順序変換手段は
第7の発明と同様に、リードデータのシリアル出力順序
を変換し、出力手段から1ポートあるいは2ポートで出
力させる。
【0033】第29の発明によれば、第1,第2の出力
順序変換手段は第8の発明と同様に、リードデータのシ
リアル出力順序を変換し、出力手段から1ポートあるい
は2ポートで出力させる。第30の発明によれば、第
1,第2の出力順序変換手段は第9の発明と同様に、リ
ードデータのシリアル出力順序を変換し、出力手段から
1ポートあるいは2ポートで出力させる。第31の発明
によれば、第1,第2の出力順序変換手段は第10の発
明と同様に、リードデータのシリアル出力順序を変換
し、出力手段から1ポートあるいは2ポートで出力させ
る。第32の発明によれば、共通のシリアルアドレス又
は独立したシリアルアドレスが第1,第2のシリアルア
ドレス手段に入力されるので、第2の発明と同様の作用
が行われる。
【0034】第33の発明によれば、Xアドレスバッフ
ァは第3の発明と同様に、アドレス変換を行って同一の
アドレスを第1及び第2のXアドレス手段へ供給する。
第1,第2の出力順序変換手段は第7の発明と同様に、
リードデータのシリアル出力順序を変換し、出力手段か
ら1ポートあるいは2ポートで出力させる。第34の発
明によれば、第1,第2の出力順序変換手段は第8の発
明と同様に、リードデータのシリアル出力順序を変換
し、出力手段から1ポートあるいは2ポートで出力させ
る。第35の発明によれば、第1,第2の出力順序変換
手段は第9の発明と同様に、リードデータのシリアル出
力順序を変換し、出力手段から1ポートあるいは2ポー
トで出力させる。
【0035】第36の発明によれば、第1,第2の出力
順序変換手段は第10の発明と同様に、リードデータの
シリアル出力順序を変換し、出力手段から1ポートある
いは2ポートで出力させる。第37の発明によれば、共
通のシリアルアドレス又は互いに独立したシリアルアド
レスが第1,第2のシリアルアドレス手段に入力される
ので、第2の発明と同様の作用が行われる。第38の発
明によれば、アドレスバッファ手段は第5の発明と同様
に、外部から供給されるアドレスを時分割で取込み、X
アドレスとYアドレスを内部回路へ供給する。さらに、
第1,第2の変換手段は第7の発明と同様に、リードデ
ータのシリアル出力順序を変換し、出力手段から1ポー
トあるいは2ポートで出力させる。第39の発明によれ
ば、アドレスバッファ手段は第5の発明と同様に、外部
から供給されるアドレスを時分割で取込み、Xアドレス
とYアドレスを内部回路へ供給する。さらに、第1,第
2の出力順序変換手段は第8の発明と同様に、リードデ
ータのシリアル出力順序を変換し、出力手段から1ポー
トあるいは2ポートで出力させる。第40の発明によれ
ば、アドレスバッファ手段は第5の発明と同様に、外部
から供給されるアドレスを時分割で取込み、Xアドレス
とYアドレスを内部回路へ供給する。さらに、第1,第
2の出力順序変換手段は第9の発明と同様に、リードデ
ータのシリアル出力順序を変換し、出力手段から1ポー
トあるいは2ポートで出力させる。第41の発明によれ
ば、アドレスバッファ手段は第5の発明と同様に、外部
から供給されるアドレスを時分割で取込み、Xアドレス
とYアドレスを内部回路へ供給する。さらに、第1,第
2の出力順序変換手段は第10の発明と同様に、リード
データのシリアル出力順序を変換し、出力手段から1ポ
ートあるいは2ポートで出力させる。第42の発明によ
れば、共通のシリアルアドレス又は互いに独立したシリ
アルアドレスが、第1,第2のシリアル出力手段に入力
されるので、第2の発明と同様の作用が行われる。
【0036】
【実施例】第1の実施例 図1は、本発明の第1の実施例を示すシリアルアクセス
メモリの概略の構成ブロック図、及び図6はその主要部
分の回路図であり、従来の図2及び図3中の要素と共通
の要素には共通の符号が付されている。なお、図1及び
図6では、従来と同様に説明の簡単化のため、基本動作
に関係しないメモリコントロール信号発生回路等が省略
されている。このシリアルアクセスメモリでは、基本的
には従来の図2の回路を2個並べて各素子間を従来とほ
ぼ同様に接続している。即ち、本実施例のシリアルアク
セスメモリでは、DRAMアクセス部分のXアドレス手
段を含めたメモリ構造を2分割し、その2分割したDR
AM部分にそれぞれ高速アクセス用のシリアルアクセス
手段が設けられており、以下その異なる点を説明する。
本実施例のシリアルアクセスメモリでは、2分割構造の
第1のA側メモリセルアレイ1Aと第2のB側メモリセ
ルアレイ1Bとを有し、その各メモリセルアレイ1A,
1Bには、それらの行と列を選択するための第1のA側
Xアドレス手段2A及び第2のB側Xアドレス手段2B
と第1のA側Yアドレス手段5A及び第2のB側Yアド
レス手段5Bとがそれぞれ接続されている。A側とB側
のXアドレス手段2A,2Bは、例えば、任意の整数乗
個の単位デコーダを有するXデコーダでそれぞれ構成さ
れている。通常は、A側Xアドレス手段2Aが、Xアド
レスXADDのうちの0〜N−1からなる前半のXアド
レスXADDAaのデコードを行ってA側メモリセルア
レイ1Aの行を選択し、B側Xアドレス手段2Bが、X
アドレスXADDのうちのN〜2N−1からなる後半の
XアドレスXADDBaのデコードを行ってB側メモリ
セルアレイ1Bの行を選択する構成になっている。
【0037】各メモリセルアレイ1A,1Bに対するラ
イトデータの入力を行う共通の入力手段3が設けられ、
その入力手段3に、第1のA側ライトデータバス4Aと
第2のB側ライトデータバス4Bが共通接続されてい
る。第1のA側Yアドレス手段5A及び第2のB側Yア
ドレス手段5Bは、共通のYアドレスYADDをデコー
ドして各メモリセルアレイ1A,1Bの列を選択する機
能を有している。各メモリセルアレイ1A,1Bのビッ
トライン対BLai ,BLai /(i=1〜n)には、
データ転送信号DTによりオン状態となる第1のA側リ
ード転送手段6Aと第2のB側リード転送手段6Bとを
介して、第1のA側データレジスタ7Aと第2のB側デ
ータレジスタ7Bとがそれぞれ接続されている。A側と
B側のデータレジスタ7A,7Bには、第1のA側シリ
アルアドレス手段8Aと第2のB側シリアルアドレス手
段8Bとがそれぞれ接続されると共に、第1のA側リー
ドデータバス9Aと第2のB側リードデータバス9Bと
を介して、第1のA側シリアル出力手段10Aと第2の
B側シリアル出力手段10Bとがそれぞれ接続されてい
る。A側シリアルアドレス手段8Aは、例えば共通のシ
リアルアドレスSYADDをデコードし、A側データレ
ジスタ7Aに格納されているリードデータをシリアルに
選択してA側リードデータバス9Aへ出力させる機能を
有している。同様に、B側シリアルアドレス手段8B
も、共通のシリアルアドレスSYADDをデコードし、
B側データレジスタ7Bに格納されているリードデータ
をシリアルに選択してB側リードデータバス9Bへ出力
させる機能を有している。A側シリアル出力手段10A
は、A側リードデータバス9A上のリードデータを同期
コントロールクロックに同期してシリアルに第1のA側
出力端子OUTAへ出力する機能を有している。同様
に、B側シリアル出力手段10Bも、B側リードデータ
バス9B上のリードデータを同期コントロールクロック
に同期してシリアルに第2のB側出力端子OUTBへ出
力する機能を有している。
【0038】本実施例では、新たに第1のA側最上位ビ
ット(以下、MSBという)コントロール手段40Aと
第2のB側MSBコントロール手段40Bとが設けら
れ、それらがA側とB側のXアドレス手段2A,2Bに
それぞれ接続されている。A側MSBコントロール手段
40Aは、XアドレスXADDAを入力し、メモリセル
アレイ1A,1Bからデータレジスタ9A,9Bへのデ
ータ転送時に発生するデータ転送信号DTにより、A側
Xアドレス手段2Aに与えるXアドレスXADDAaの
MSBを無効にする機能を有している。同様に、B側M
SBコントロール手段40Bも、データ転送信号DTに
より、B側Xアドレス手段2Bに与えるXアドレスXA
DDBのMSBを無効にする機能を有している。図7
は、図1に示すA側MSBコントロール手段40Aの概
略の回路図である。なお、図1に示すB側MSBコント
ロール手段40Bも、A側MSBコントロール手段40
Aと同一の回路構成である。
【0039】このA側MSBコントロール手段40A
は、外部から供給されるXアドレスXADDA中のMS
B(即ち、An-1 )を入力するトライステートインバー
タ41を有し、その出力側に、フローティング状態防止
用のPチャネル型MOSトランジスタ(以下、PMOS
という)42と信号反転用のインバータ43とが接続さ
れている。トライステートインバータ41は、データ転
送信号DTを反転するインバータ44の出力によって制
御される。このA側MSBコントロール手段40Aで
は、外部から供給されるXアドレスXADDAのうちの
MSBがトライステートインバータ41に入力され、デ
ータ転送信号DTが“H”のときにそれがインバータ4
4で反転されて該トライステートインバータ41の出力
がハイインピーダンス状態になる。このとき、インバー
タ44の出力“L”によってPMOS42がオンし、イ
ンバータ43の入力側が電源電位VCCとなり、それが
該インバータ43で反転されて反転MSBaが強制的に
“H”となり、内部のXアドレスXADDAaが出力さ
れる。一方、データ転送信号DTが“L”のときには、
それがインバータ44で反転されてトライステートイン
バータ41が通常の信号反転動作を行う。そのため、外
部入力のXアドレスXADDAのうちのMSBがトライ
ステートインバータ41で反転され、それがさらにイン
バータ43で反転されて該MSBと同相の信号が出力さ
れる。
【0040】図8は、図7に示すA側MSBコントロー
ル手段40Aの周辺の具体的な回路図である。なお、B
側MSBコントロール手段40Bの周辺回路も、同一の
回路構成である。A側Xアドレス手段2Aは、例えば、
n個のANDゲートからなるゲート回路2−1と、NA
NDゲートが基礎となって構成されたn個の単位Xデコ
ーダXD1 〜XDn からなるXデコーダ2−2とを備
え、内部のXアドレスXADDAaを構成する相補的な
アドレスB0 ,B0 /〜Bn-1 ,Bn-1 /のうち、いず
れか一方をゲート回路2−1で選択してXデコーダ2−
2に入力するようになっている。XアドレスXADDA
aのうち、相補的なアドレスBn-1 ,Bn-1 /が逆相M
SBaである。XアドレスXADDAaを供給するA側
MSBコントロール手段40Aは、外部入力のXアドレ
スXADDAを構成する相補的なアドレスA0 ,A0
〜An- 1 ,An-1 /のうち、MSBのAn-1 ,An-1
を除き、そのまま相補的なアドレスB0 ,B0 /〜B
n-2 ,Bn-2 /の形で出力する。MSBの相補的なアド
レスAn-1 ,An-1 /は、その正相アドレスAn-1 と逆
相アドレスAn-1 /とが逆転されてトライステートイン
バータ41−1,41−2に入力され、逆相MSBaの
相補的なアドレスBn-1 ,Bn-1 /が出力されるように
なっている。このA側MSBコントロール手段40Aで
は、相補的なアドレスAn-1 ,An- 1 /を変換して相補
的なアドレスBn-1 ,Bn-1 /の形で出力する。即ち、
データ転送信号DTが“L”のときには、それがインバ
ータ44で反転されてトライステートインバータ41−
1,41−2が通常の信号反転動作を行うので、相補的
なアドレスAn-1 ,An-1 /が交差結線によって反転さ
れ、さらにトライステートインバータ41−1,41−
2で反転されるので、該相補的なアドレスAn- 1 ,A
n-1 /がそのまま相補的なアドレスBn-1 ,Bn-1 /の
形で出力される。一方、データ転送信号DTが“H”の
ときには、それがインバータ44で反転されてトライス
テートインバータ41−1,41−2の出力側がハイイ
ンピーダンス状態となる。このとき、PMOS44−
1,44−2がオン状態となり、電源電位VCCによっ
て相補的なアドレスBn-1 ,Bn-1 /が共に“H”とな
る。そのため、A側Xアドレス手段2Aを構成するNA
NDゲートに対しては、相補的なアドレスBn-1 ,B
n-1 /の入力端子が接続していないのと同じ状態、つま
り相補的なアドレスAn-1 ,An-1 /が縮退しているの
と同じ状態になる。
【0041】図9(a),(b)は図1及び図6のラン
ダムアクセス動作を示す図、及び図10(a),(b)
は図1及び図6のシリアルアクセス動作を示す図であ
り、これらの図を参照しつつ、本実施例におけるシリア
ルアクセスメモリの動作を説明する。本実施例のシリア
ルアクセスメモリでは、基本的には図1に示すA側とB
側の2組のメモリ動作が従来の図2の回路動作とほぼ同
様であるが、従来のものと回路構成が多少異なっている
ので、その点において回路動作も異なっている。以下、
従来の回路動作と異なる点を主として説明する。
【0042】図1及び図6において、A側Xアドレス手
段2AがXアドレスXADDのうちの0〜N−1からな
る前半の内部XアドレスXADDAaのデコードを行
い、B側Xアドレス手段2BがXアドレスXADDのう
ちのN〜2N−1からなる後半の内部XアドレスXAD
DBaのデコードを行うように、前半のXアドレスXA
DDAと後半のXアドレスXADDBとを分けてA側と
B側のMSBコントロール手段40A,40Bへそれぞ
れ供給する。そして、DRAMメモリセルプレーンにア
クセスする場合、DRAMポートからはアドレス的には
1面のメモリセルプレーンにみえるような動作が行われ
る。即ち、図9(a)に示すように、DRAM部のラン
ダムアクセスの場合、0〜N−1のXアドレスXADD
Aのときには、A側メモリセルアレイ1Aがアクセスさ
れる。図9(b)に示すように、N〜2N−1のXアド
レスXADDBのときには、B側メモリセルアレイ1B
がアクセスされる。例えば、図6においてA側メモリセ
ルアレイ1Aにデータを書込む場合、XアドレスXAD
DA及びYアドレスYADDをA側MSBコントロール
手段40A及びYアドレス手段5Aにそれぞれ供給する
と共に、ライトデータを入力端子INに入力する。入力
されたXアドレスXADDAは、A側MSBコントロー
ル手段40Aを通してそのままXアドレスXADDAa
の形でA側Xアドレス手段2Aへ送られる。A側Xアド
レス手段2Aでは、XアドレスXADDAaをデコード
し、任意のワードライン、例えばWLai (i=1〜
n)を“H”にする。これにより、ワードラインWLa
i に接続されたメモリセルQki (i=1〜n)内のト
ランジスタがオン状態となる。又、Yアドレス手段5A
では、単位YデコーダYAi (i=1〜n)がYアドレ
スYADDをデコードし、任意のYデコーダ出力、例え
ばyan-1 を“H”にする。これにより、トランジスタ
対tran- 1 ,tran-1 /がオン状態となり、A側ラ
イトデータバス4Aとビットライン対BLan-1 ,BL
n-1 /とが接続され、入力端子INから入力されたラ
イトデータが入力手段3及びライトデータバス4Aを介
してビットライン対BLan- 1 ,BLan-1 /へ送られ
る。そして、ビットラインBLan-1 の電位レベルがメ
モリセルQkn-1 に書込まれる。又、MSBコントロー
ル手段40A,40Bは、メモリセルアレイ1A,1B
からデータレジスタ7A,7Bへのデータ転送時のみ、
素子サイクルが転送モードに入ることの確認信号である
共通のデータ転送信号DTに基づき、Xアドレス手段2
A,2Bに入力するXアドレスXADDAa,XADD
BaのMSBを無効にする。これにより、A側Xアドレ
ス手段2AとB側Xアドレス手段2Bとの回路動作が同
一になり、2分割されたメモリセルアレイ1A,1Bに
対して従来のシリアルアクセスメモリをあたかも2個使
ってアクセスするようになる。これらのシリアルアクセ
スのためのメモリセルアレイ1A,1Bからデータレジ
スタ7A,7Bへのデータ転送時のXアドレス手段2
A,2Bの動作が図10(a),(b)に示されてい
る。
【0043】即ち、B側Xアドレス手段2Bに入力され
るXアドレスXADDBのMSBを、データ転送信号D
Tで動作するB側MSBコントロール手段40Bによっ
て無効にし、XアドレスXADDA=XADDAaと同
一のXアドレスXADDBaとして該Xアドレス手段2
Bに入力されるので、該Xアドレス手段2Aと2Bの回
路動作が同一になる。そのため、A側とB側のメモリセ
ルアレイ1A,1Bにおいて同一の行が選択され、図1
0(b)に示すように、位置的に同じワードラインWL
i に接続されたメモリセルQki ,QKi /の記憶デ
ータをデータレジスタ7A,7Bへ転送することができ
る。
【0044】例えば、転送サイクルにおいて、Xアドレ
スXADDのうちの前半のXアドレスXADDAがA側
MSBコントロール手段40Aに供給されると、該Xア
ドレスXADDAがA側MSBコントロール手段40A
を通してそのままXアドレスXADDAaの形でA側X
アドレス手段2Aへ送られる。A側Xアドレス手段2A
では、A側メモリセルアレイ1Aの任意の行のワードラ
イン、例えばWLai(i=1〜n)を選択する。する
と、ワードラインWLai に接続されたメモリセルQk
i (i=1〜n)の記憶データがビットライン対BLa
i ,BLai /へ出力され、センスアンプSAi で増幅
される。次に、XアドレスXADDのうちの後半のXア
ドレスXADDBがB側MSBコントロール手段40B
に供給されると共に、共通のデータ転送信号DTが
“H”になると、該B側MSBコントロール手段40B
によってXアドレスXADDBのMSBが無効にされ、
XアドレスXADDAaと同一のアドレスXADDBa
がB側Xアドレス手段2Bにより、A側ワードラインW
Lai と同一のB側メモリセルアレイ1B内のワードラ
インWLai が選択され、そのワードラインWLai
接続されたメモリセルQki の記憶データがビットライ
ン対BLai ,BLai /へ出力され、センスアンプS
i で増幅される。このとき、共通のデータ転送信号D
Tが“H”でA側及びB側のリード転送手段6A,6B
がオン状態のため、A側及びB側のビットライン対BL
i ,BLai /上のリードデータがA側及びB側のデ
ータレジスタ7A,7Bへそれぞれ転送されてそこに格
納される。
【0045】その後、共通のシリアルアドレスSYAD
DがA側及びB側のシリアルアドレス手段8A,8Bに
供給されると、その共通のシリアルアドレスSYADD
がA側及びB側のシリアルアドレス手段8A,8Bでそ
れぞれデコードされ、その出力ybi が順次“H”にな
ってA側及びB側のトランジスタ対trdi ,trdi
/(i=1〜n)が順次オンし、A側及びB側のデータ
レジスタ7A,7Bに格納されていたリードデータがA
側及びB側のリードデータバス9A,9Bへ転送され、
A側及びB側のシリアル出力手段10A,10Bの出力
端子OUTA,OUTBからシリアルに出力される。本
実施例の利点を図11を参照しつつ説明する。なお、図
11は、図1のシリアルアクセスメモリ50を用いた液
晶画面30の駆動動作を示す図であり、従来の図5中の
要素と共通の要素には共通の符号が付されている。本実
施例のシリアルアクセスメモリ50を用いて液晶画面3
0をコントロールする場合、2分割されたDRAM部の
メモリセルプレーンにそれぞれ書込まれた1プレーンと
してのライトデータを半分にし、素子サイクルがデータ
転送モードに入ることの確認用のデータ転送信号DTに
より、B側Xアドレス手段2Bに入力するXアドレスX
ADDBのMSBを無効にする。これにより、A側とB
側のXアドレス手段2A,2Bの回路動作を同一にし、
それぞれ同時に高速のシリアルアクセスが行える。その
ため、液晶画面30を上下に2分割した上面LCD31
と下面LCD32を駆動する上下の上面用LCDドライ
バ33と下面用LCDドライバ34に対し、出力端子O
UTA,OUTBから直接、同時に画像データを供給す
ることが可能となる。従って、従来の外付けマルチプレ
クサ35といった余分な外付け回路が不要となる。しか
も、DRAM部に関しては、メモリセルプレーンが2分
割されていることに関係なく、ランダムアクセスできる
ため、メモリセルプレーン内のメモリマップも画像イメ
ージのものとなり、メモリマップが簡単になってソフト
ウェアの負担が軽くなり、低コスト化が可能となる。な
お、本実施例において図1及び図6のA側及びB側のシ
リアルアドレス手段8A,8Bは、例えば、共通の同期
クロックが入力するシフトレジスタからなるアドレスポ
インタで構成しても、前記と同様の作用、効果が得られ
る。
【0046】第2の実施例 本発明の第2の実施例では、図1に示すシリアルアクセ
スメモリにおいて、A側シリアルアドレス手段8A及び
B側シリアルアドレス手段8Bに対して共通のシリアル
アドレスSYADDを入力する代わりに、独立したシリ
アルアドレスSYADDA,SYADDBを用い、一方
のシリアルアドレスSYADDAをA側シリアルアドレ
ス手段8Aに、他方のシリアルアドレスSYADDBを
B側シリアルアドレス手段8Bに、それぞれ入力するよ
うにしている。このような構成では、第1の実施例と異
なり、シリアルアドレスSYADDAとSYADDBが
共通でなく、独立しているため、それぞれ異なるアドレ
スのデータレジスタ7A,7B内のデータをシリアル出
力できる。その他の動作は、第1の実施例と同様であ
る。本実施例では、第1の実施例とほぼ同様の利点を有
する他に、次のような利点を有している。シリアルアド
レス手段8A,8Bに入力するシリアルアドレスSYA
DDA,SYADDBが共通でないため、それぞれ互い
に異なったアドレスのデータレジスタ7A,7B内のデ
ータを選択できるため、いずれか一方のデータレジスタ
7A又は7B、あるいはシリアルアドレス手段8A又は
8Bに欠陥があったときにも、独立に救済できる利点が
ある。又、シリアルアドレスSYADDA,SYADD
Bが共通でないため、互いに非同期に、シリアルアクセ
スすることもできる。
【0047】第3の実施例 図12は、本発明の第3の実施例を示すシリアルアクセ
スメモリの概略の構成ブロック図であり、第1の実施例
を示す図1中の要素と共通の要素には共通の符号が付さ
れている。このシリアルアクセスメモリは、基本的には
第1の実施例と同じであるが、図1のMSBコントロー
ル手段40A,40Bに代えて、それと同様な機能を有
するXアドレスバッファ60が設けられている点が異な
っている。Xアドレスバッファ60は、外部入力のアド
レスADDとデータ転送サイクルに入ることを示すデー
タ転送信号DTとが入力され、アドレス変換を行ってA
側Xアドレス手段2Aに与える内部のXアドレスXAD
DAを発生すると共に、B側Xアドレス手段2Bに与え
る内部のXアドレスXADDBを発生する機能を有して
いる。このシリアルアクセスメモリでは、基本的には第
1の実施例とほぼ同様の動作を行う。異なる点は、図1
のMSBコントロール手段40A,40Bとほぼ同様の
機能を有するXアドレスバッファ60により、メモリセ
ルアレイ1A,1Bからデータレジスタ7A,7Bへデ
ータが転送されるデータ転送サイクル時に、B側Xアド
レス手段2Bへ与えるXアドレスXADDBを、A側X
アドレス手段2Aへ与えるXアドレスXADDAと等し
くなるように、ある一定の値だけ減算するようになって
いる。
【0048】本実施例では、基本的には第1の実施例と
ほぼ同様の利点を有するが、次のような点で異なってい
る。第1の実施例では、Xアドレス手段2A,2Bに入
力するデコード用のXアドレスXADDAa,XADD
BaがA0 〜An-1 ,An 〜A2n-1で、nは2の整数乗
でなければならなかった。これに対して本実施例では、
Xアドレスバッファ60により、メモリセルアレイ1
A,1Bからデータレジスタ7A,7Bへデータが転送
されるデータ転送サイクル時に、B側Xアドレス手段2
Bに入力するXアドレスXADDBが、A側Xアドレス
手段2Aに入力するXアドレスXADDAに等しくなる
ように、ある一定の値だけ減算される。そのため、必ず
しも、A側及びB側のXアドレス手段2A,2Bに供給
するデコード用のXアドレスXADDA,XADDBが
0 〜An-1 ,An 〜A2n-1で、nは2の整数乗でなく
ても良く、それによって汎用性が向上する。
【0049】なお、第1の実施例と同様に、共通のシリ
アルアドレスSYADDが入力するA側及びB側のシリ
アルアドレス手段8A,8Bは、共通の同期クロックで
動作するシフトレジスタからなるアドレスポインタで構
成しても、前記と同様の作用、効果が得られる。
【0050】第4の実施例 本発明の第4の実施例は、基本的には第3の実施例を示
す図12と同様であるが、A側及びB側のシリアルアド
レス手段8A,8Bに、独立したシリアルアドレスSY
ADDAとSYADDBをそれぞれ入力する構成にした
点が異なっている。このシリアルアクセスメモリでは、
第3の実施例とほぼ同様の動作を行うが、A側及びB側
のシリアルアドレス手段8A,8Bに入力するシリアル
アドレスSYADDAとSYADDBが独立しているの
で、それぞれ異なるアドレスのA側とB側のデータレジ
スタ7A,7B内のデータをシリアル出力できる。即
ち、互いに異なったアドレスのデータレジスタ7A,7
B内のデータを選択できるため、いずれか一方のデータ
レジスタ7A又は7B、あるいはシリアルアドレス手段
8A又は8Bに欠陥があったときには、独立に救済でき
る利点がある。又、シリアルアドレスSYADDAとS
YADDBが共通でないため、A側及びB側のシリアル
アドレス手段8A,8Bによって互いに非同期に、シリ
アルアクセスすることができる。
【0051】第5の実施例 図13は、本発明の第5の実施例を示すシリアルアクセ
スメモリの概略の構成ブロック図であり、第3の実施例
を示す図12中の要素と共通の要素には共通の符号が付
されている。本実施例のシリアルアクセスメモリは、基
本的には第3の実施例と同じであるが、Xアドレスバッ
ファ60に代えて、その機能を含むアドレスバッファ手
段61を設けた点が異なっている。アドレスバッファ手
段61は、外部入力のアドレスADD、データ転送信号
DT、ロウアドレスストローブ信号RAS/、及びコラ
ムアドレスストローブ信号CAS/を入力し、図12の
Xアドレスバッファ60と同様の機能によって内部のX
アドレスXADDA,XADDBを出力すると共に、A
側とB側のYアドレス手段5A,5Bに与える内部のY
アドレスYADDを出力する機能を有している。さら
に、このアドレスバッファ手段61では、ロウアドレス
ストローブ信号RAS/及びコラムアドレスストローブ
信号CAS/に基づき、同一のアドレス端子から供給さ
れる外部入力アドレスADDから、時分割でXアドレス
とYアドレスを取込む、汎用のDRAMと同じアドレス
取込み機能を有している。このシリアルアクセスメモリ
では、同一のアドレス端子から外部入力のアドレスAD
Dが入力されると、アドレスバッファ手段61が、ロウ
アドレスストローブ信号RAS/によって時分割でXア
ドレスを取込み、図12のXアドレスバッファ60と同
様に内部のXアドレスXADDA,XADDBを出力
し、A側とB側のXアドレス手段2A,2Bへ与える。
コラムアドレスストローブ信号CAS/がアドレスバッ
ファ手段61に入力されると、該アドレスバッファ手段
61では、同一のアドレス端子から時分割で供給される
Yアドレスを取込み、内部のYアドレスYADDを出力
してA側とB側のYアドレス手段5A,5Bへ与える。
これにより、第3の実施例と同様に、A側とB側のメモ
リセルアレイ1A,1Bのアクセスが行われる。又、デ
ータ転送時にデータ転送信号DTが“H”になると、第
3の実施例と同様のシリアルアクセス動作が行われる。
本実施例では、第3の実施例とほぼ同様の利点を有する
他に、アドレスバッファ手段61が設けられているの
で、Xアドレス及びYアドレスからなる外部入力のアド
レスADDを同一のアドレス端子から時分割に取込める
ので、端子数を削減できる利点がある。なお、第3の実
施例と同様に、共通のシリアルアドレスSYADDが入
力されるA側及びB側のシリアルアドレス手段8A,8
Bは、共通の同期クロックが入力するレジスタからなる
アドレスポインタで構成してもよい。
【0052】第6の実施例 本発明の第6の実施例では、第5の実施例を示す図13
において、A側シリアルアドレス手段8A及びB側シリ
アルアドレス手段8Bに対して共通のシリアルアドレス
SYADDではなく、独立したシリアルアドレスSYA
DDAとSYADDBを用い、一方のシリアルアドレス
SYADDAをA側シリアルアドレス手段8Aに、他方
のシリアルアドレスSYADDBをB側シリアルアドレ
ス手段8Bにそれぞれ入力する構成にしている。このよ
うなシリアルアクセスメモリでは、基本的には第5の実
施例とほぼ同様の動作を行うが、独立したシリアルアド
レスSYADDAとSYADDBをA側とB側のシリア
ルアドレス手段8A,8Bにそれぞれ入力するため、異
なるアドレスのA側とB側のデータレジスタ7A,7B
内のデータをシリアルに出力できる。そのため、第5の
実施例とほぼ同様の利点を有する他に、次のような利点
を有している。即ち、互いに異なるアドレスのA側とB
側のデータレジスタ7A,7B内のデータを選択できる
ため、いずれか一方のデータレジスタ7A又は7B、あ
るいはシリアルアドレス手段8A又は8Bに欠陥があっ
たときにも、それぞれ独立に救済できる。又、シリアル
アドレスSYADDAとSYADDBが共通でないた
め、それらを用いて互いに非同期に、シリアルアドレス
手段8A,8Bによってシリアルアクセスすることもで
きる。
【0053】第7の実施例 図14は、本発明の第7の実施例を示すシリアルアクセ
スメモリの概略の構成ブロック図であり、第1の実施例
を示す図1中の要素と共通の要素には共通の符号が付さ
れている。このシリアルアクセスメモリは、基本的には
第1の実施例と同じであるが、A側及びB側のリードデ
ータバス9A,9BとA側及びB側のシリアル出力手段
10A,10Bとの間に、第1のA側出力順序変換手段
70Aと第2のB側出力順序変換手段70Bがそれぞれ
設けられている点が異なっている。各出力順序変換手段
70A,70Bは、シリアル出力順序コントロール用ア
ドレス信号S0 ,S1 に基づき、リードデータバス9
A,9B上のリードデータのシリアル出力順序を変更し
てシリアル出力手段10A,10Bから出力させる機能
を有している。図15は、図14におけるA側出力順序
変換手段70Aの構成例を示す回路図である。なお、B
側出力順序変換手段70Bも、同様の回路である。この
A側出力順序変換手段70Aは、例えば4ビットのA側
リードデータバス9AとA側シリアル出力手段10Aと
の間に設けられるもので、NANDゲート等で構成され
アドレス信号S0 ,S1 をデコードするデコーダ71
と、該デコーダ71のデコード出力P1 〜P4 によりゲ
ート制御されて4ビットのリードデータバス9Aを接続
/遮断するNMOS72−1〜72−4とを、備えてい
る。
【0054】図16(a),(b)は図15に示す出力
順序変換手段の動作を示すタイミング図であり、この図
を参照しつつ、図14及び図15の動作を説明する。こ
のシリアルアクセスメモリは、第1の実施例とほぼ同様
の動作を行うが、次のような点で異なっている。即ち、
シリアルアクセス時において、共通のシリアルアドレス
SYADDがA側及びB側のシリアルアドレス手段8
A,8Bに入力されると、この各シリアルアドレス手段
8A,8Bでは、同期コントロールクロックCLKに同
期して該シリアルアドレスSYADDをデコードし、そ
のデコード結果に基づき、データレジスタ7A,7Bに
格納された各4ビットのリードデータD1 〜D4 を4ビ
ットのリードデータバス9A,9Bへそれぞれ転送す
る。図16(a)に示すように、同期コントロールクロ
ックCLKに同期してアドレス信号S0 ,S1 がA側と
B側の出力順序変換手段70A,70Bにそれぞれ与え
られると、その各出力順序変換手段70A,70Bで
は、アドレス信号S0,S1 がデコーダ71でデコード
され、そのデコード出力P1 〜P4 によってNMOS7
2−1〜72−4がオン状態またはオフ状態となる。そ
のため、同時にリードデータバス9A,9Bに転送され
てきた4ビットのリードデータD1 〜D4 は、その出力
順序が変更され、同期コントロールクロックCLKに同
期してシリアル出力手段10A,10Bの出力端子OU
TA,OUTBから出力される。本実施例では、第1の
実施例とほぼ同様の利点を有する他に、A側とB側の出
力順序変換手段70A,70Bによってリードデータの
シリアル出力順序を制御できるため、例えば、画像デー
タであるRGB(赤、緑、青)データがシリアルにメモ
リセルアレイ1A,1Bに書込まれており、液晶画面等
の描画に使うときには順序を変えなければならないとき
有効である。なお、図15では各リードデータバス9
A,9Bが4ビット構成の場合について説明したが、そ
れらは8ビットや16ビット等の他の任意のビット数の
ときにも適用できる。又、共通のシリアルアドレスSY
ADDが供給されるA側及びB側のシリアルアドレス手
段8A,8Bは、第1の実施例と同様に、共通の同期ク
ロックが入力するシフトレジスタからなるアドレスポイ
ンタで構成してもよい。第8の実施例 図17は本発明の第8の実施例を示すもので、第7の実
施例を示す図14におけるA側出力順序変換手段70A
の回路図であり、第7の実施例の図15中の要素と共通
の要素には共通の符号が付されている。なお、B側出力
順序変換手段70Bも、同様の回路である。このA側出
力順序変換手段70Aは、図15に示すデコーダ71、
及びNMOS72−1〜72−4に、アドレスシフト回
路80を付加した構成である。アドレスシフト回路80
は、デコーダ71の入力側に設けられ、アドレス順序入
力用イネーブル信号PINによってシリアル出力順序コ
ントロール用アドレス信号S0 ,S1 を入力し、該アド
レス信号S0 ,S1 からシリアル出力順序を決定し、そ
の決定結果を同期コントロールクロックCLKに同期し
てデコーダ71へ与える回路である。アドレスシフト回
路80は、イネーブル信号PINでゲート制御されてア
ドレス信号S0 ,S1 をそれぞれ入力するNMOS8
1,82と、該イネーブル信号PINを反転するインバ
ータ83と、該インバータ83の出力によってゲート制
御されるNMOS84,85と、入力されたアドレス信
号S0 を同期コントロールクロックCLKによってシフ
トする縦続接続された4個のフリップフロップ86−1
〜86−4と、入力されたアドレス信号S1 を同期コン
トロールクロックCLKによってシフトする縦続接続さ
れた4個のフリップフロップ87−1〜87−4とで、
構成されている。縦続接続された4個のフリップフロッ
プ86−1〜86−4は、NMOS84を介してリング
状に接続されている。同様に、縦続接続された4個のフ
リップフロップ87−1〜87−4は、NMOS85を
介してリング状に接続されている。
【0055】図18(a),(b)は図17に示す出力
順序変換手段の動作を示すタイミング図であり、この図
を参照しつつ、図17の動作を説明する。図17の出力
順序変換手段は、基本的には図15の出力順序変換手段
とほぼ同様の動作を行うが、次のような点で異なってい
る。即ち、イネーブル信号PINが“H”になると、N
MOS81,82がオン状態となり、該イネーブルPI
Nがインバータ83で反転されてNMOS84,85が
オフ状態となる。NMOS81,82がオン状態になる
と、アドレス信号S0 ,S1 がフリップフロップ86−
1,87−1にそれぞれ入力され、同期コントロールク
ロックCLKによって後段のフリップフロップ86−2
〜86−4,87−2〜87−4へそれぞれシフトされ
ていき、シリアル出力順序が決定されてその決定結果が
最終段のフリップフロップ86−4,87−4からデコ
ーダ71へ与えられる。デコーダ71では、シリアル出
力順序決定結果をデコードし、その4ビットのデコード
出力P1 〜P4 によってNMOS72−1〜72−4を
オン状態又はオフ状態にする。すると、シリアルアクセ
ス時に各データレジスタ7A,7Bから4ビットのリー
ドデータバス9A,9Bへ同時に転送された4ビットの
リードデータD1 〜D4 は、NMOS72−1〜72−
4でシリアル出力順序が変換され、各シリアル出力手段
10A,10Bの出力端子OUTA,OUTBからそれ
ぞれ出力される。又、イネーブル信号PINが“L”に
なると、NMOS81,82がオフ状態になり、さらに
そのイネーブル信号PINがインバータ83で反転され
てNMOS84,85がオン状態になる。NMOS8
1,82がオフ状態になると、アドレス信号S0 ,S1
の入力が阻止される。NMOS84,85がオン状態に
なると、該NMOS84を介してフリップフロップ86
−1〜86−4がリング状に接続されてシリアル出力順
序決定結果が保持されると共に、NMOS85を介して
フリップフロップ87−1〜87−4がリング状に接続
されてシリアル出力順序決定結果が保持され、デコーダ
71へ与えられる。シリアル出力順序決定結果を変える
場合、イネーブル信号PINを“H”にし、アドレス信
号S0 ,S1 を入力すればよい。
【0056】この第8の実施例の出力順序変換手段を有
するシリアルアクセスメモリは、第1の実施例のシリア
ルアクセスメモリとほぼ同様の利点を有する他に、次の
ような利点も有している。即ち、シリアルアクセス時に
同時にリードデータバス9A,9Bへ転送された4ビッ
トのリードデータD1 〜D4 の出力順序を制御できるた
め、例えば、画像データであるRGBデータがシリアル
にメモリセルアレイ1A,1Bに書込まれており、液晶
画像等の描画に使うときには順序を変えなければならな
いとき有効である。又、第7の実施例の図15の出力順
序変換手段では、外部からシリアル出力順序制御用のア
ドレス信号S0 ,S1 を供給しなければならないが、こ
の第8の実施例の出力順序変換手段では、第7の実施例
に比べて簡単なアドレス信号S0 ,S1 をアドレスシフ
ト回路80に入力するのみで、シリアル出力順序を決定
できる。
【0057】なお、リードデータバス9A,9Bは4ビ
ット構成にしているが、8ビットや16ビット等といっ
た他のビット数のリードデータバスにもこの第8の実施
例を適用できる。又、図14において、共通のシリアル
アドレスSYADDが入力されるA側及びB側のシリア
ルアドレス手段8A,8Bは、第1の実施例と同様に、
共通の同期クロックが入力するシフトレジスタからなる
アドレスポインタで構成してもよい。
【0058】第9の実施例 図19は、本発明の第9の実施例を示すもので、第7の
実施例を示す図14におけるA側出力順序変換手段70
Aの回路図であり、第7,第8の実施例の図15,図1
7中の要素と共通の要素には共通の符号が付されてい
る。なお、B側出力順序変換手段70Bも、同様の回路
である。このA側出力順序変換手段70Aは、基本的に
は第8の実施例を示す図17のA側出力順序変換手段と
ほぼ同じであるが、アドレスシフト回路80に代えて、
例えば4個のラッチ回路88−1〜88−4、4段のシ
フト回路90、及び4組のゲート用トライステートイン
バータ89−1〜89−8が設けられている点が異なっ
ている。4個のラッチ回路88−1〜88−4は、アド
レス順序入力用イネーブル信号PINによってシリアル
出力順序決定アドレスS01,S11,…,S04,S14を取
込む回路であり、その出力側には4組のトライステート
インバータ89−1〜89−8を介してデコーダ71が
接続されている。シフト回路90は、4個のフリップフ
ロップがリング状に接続された構成であり、同期コント
ロールクロックCLKによってシフト動作し、トライス
テートインバータ89−1〜89−8を2個ずつ順次オ
ン,オフ動作させる機能を有している。シフト回路90
の出力が“H”のときにはトライステートインバータ8
9−1〜89−8が通常の信号反転動作を行い、その出
力が“L”のときには該トライステートインバータ89
−1〜89−8の出力側がハイインピーダンス状態にな
る。
【0059】図20は図19に示す出力順序変換手段の
動作を示すタイミング図であり、この図を参照しつつ、
図19の動作を説明する。この出力順序変換手段では、
シリアルアクセス時において、シリアル出力順序決定ア
ドレスS01,S11,…,S04,S14及び同期コントロー
ルクロックCLKが供給されると、イネーブル信号PI
Nによって該シリアル出力順序決定アドレスS01
11,…,S04,S14がラッチ回路88−1〜88−4
に取込まれる。同期コントロールクロックCLKによっ
てシフト回路90がシフト動作し、その出力によってト
ライステートインバータ89−1〜89−8が順次動作
し、ラッチ回路88−1〜88−4の出力が反転されて
デコーダ71へ送られる。デコーダ71では、トライス
テートインバータ89−1〜89−8から出力されたシ
リアル出力順序決定結果をデコードし、その4ビットの
デコード出力P1 〜P4 によって4個のNMOS72−
1〜72−4をオン状態又はオフ状態にする。すると、
一度に転送された各4ビットのリードデータバス9A,
9B上のリードデータD1 〜D4 のシリアル出力順序が
変換され、各シリアル出力手段10A,10Bの出力端
子OUTA,OUTBからそれぞれ出力される。
【0060】このように、シリアル出力順序決定アドレ
スS01,S11,…,S04,S14がイネーブル信号PIN
で取込まれ、同期コントロールクロックCLKに同期し
て各リードデータバス9A,9B上のリードデータD1
〜D4 のシリアル出力順序が該シリアル出力順序決定ア
ドレスS01,S11,…,S04,S14に基づいて変換され
ることになる。そのため、図15の第7の実施例とほぼ
同様の利点を有する上に、外部からシリアル出力順序決
定アドレスS01,S11,…,S04,S14を供給し、それ
に基づきシリアル出力順序を変換するので、変換動作を
高速に行える。なお、図19のリードデータバス9Aは
4ビットで構成されているが、それを他の任意のビット
数で構成してもよい。又、第1の実施例と同様に、図1
4の共通のシリアルアドレスSYADDが入力されるA
側及びB側のシリアルアドレス手段8A,8Bは、共通
の同期クロックが入力するシフトレジスタからなるアド
レスポインタで構成してもよい。
【0061】第10の実施例 図21は、本発明の第10の実施例を示すもので、第7
の実施例を示す図14におけるA側出力順序変換手段7
0Aの回路図であり、第9の実施例を示す図19中の要
素と共通の要素には共通の符号が付されている。なお、
B側出力順序変換手段70Bも、同様の回路である。こ
のA側出力順序変換手段70Aは、基本的には第9の実
施例を示す図19とほぼ同じであるが、ラッチ回路88
−1〜88−4に代えて、それと同様の機能を有するシ
リアル出力順序決定用トリミング回路91−1〜91−
4が設けられている点のみが異なる。図22は、図21
の各トリミング回路91−1〜91−4の構成例を示す
回路図である。各トリミング回路91−1〜91−4
は、シリアル出力順序決定用のフューズF1,F2を有
し、それらの一端が電源電位VCCに接続され、それら
の他端が抵抗R1,R2を介して接地電位VSSに接続
されている。このトリミング回路91−1〜91−4で
は、例えば、フューズF1を遮断すると、“01”のア
ドレスが出力される。
【0062】図23は、図21に示す出力順序変換手段
の動作を示すタイミング図であり、この図を参照しつ
つ、図21の動作を説明する。この出力順序変換手段の
動作は、基本的には図19の第9の実施例とほぼ同じで
あるが、次のような点が異なっている。即ち、各トリミ
ング回路91−1〜91−4内のフューズF1,F2に
よってシリアル出力順序のアドレスを予めセットしてお
けば、そのトリミング回路91−1〜91−4のシリア
ル順序決定アドレスに基づき、同期コントロールクロッ
クCLKに同期して4ビットのリードデータバス9A上
のリードデータD1 〜D4 の出力順序が変換され、各シ
リアル出力手段10A,10Bの出力端子OUTA,O
UTBからそれぞれ出力される。本実施例では、第7の
実施例と同様の利点を有する上に、トリミング回路91
−1〜91−4でシリアル出力順序のアドレスを設定で
きるので、第9の実施例のように外部からシリアル出力
順序決定アドレスS01,S11,…,S04,S14を入力す
る必要がない。なお、第7の実施例と同様に、リードデ
ータバス9Aは、4ビット以外の他の任意のビット数で
構成してもよい。又、図14に示す共通のシリアルアド
レスSYADDが入力されるA側及びB側のシリアルア
ドレス手段8A,8Bは、第1の実施例と同様に、共通
の同期クロックが入力するシフトレジスタからなるアド
レスポインタで構成してもよい。
【0063】第11の実施例 本発明の第11の実施例では、図14及び図15の第7
の実施例と、図17の第8の実施例と、図19の第9の
実施例と、図21の第10の実施例において、図14に
示すA側及びB側のシリアルアドレス手段8A,8Bに
入力する共通のシリアルアドレスSYADDに代えて、
独立したシリアルアドレスSYADDAとSYADDB
を用い、一方のシリアルアドレスSYADDAをA側シ
リアルアドレス手段8Aに、他方のシリアルアドレスS
YADDBをB側シリアルアドレス手段8Bに、それぞ
れ入力する構成にしている。本実施例のシリアルアクセ
スメモリは、基本的には第7,第8,第9,第10の実
施例とほぼ同様の動作を行うが、シリアルアドレスSY
ADDAとSYADDBが共通ではないため、それぞれ
異なるアドレスのデータレジスタ7A,7B内のデータ
をシリアルに出力できる。即ち、それぞれ互いに異なっ
たアドレスのデータレジスタ7A,7B内のデータを選
択できるため、いずれか一方のデータレジスタ7A又は
7B、あるいはシリアルアドレス手段8A又は8Bに欠
陥があったときにも、独立に救済できる利点がある。そ
の上、シリアルアドレスSYADDAとSYADDBが
共通でないため、互いに非同期にシリアルアドレス手段
8A,8Bによってシリアルアクセスすることもでき
る。
【0064】第12の実施例 図24は、本発明の第12の実施例を示すシリアルアク
セスメモリの概略の構成ブロック図であり、第3の実施
例を示す図12及び第7の実施例を示す図14,図15
中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
【0065】このシリアルアクセスメモリでは、第3の
実施例の図12に示すシリアルアクセスメモリに、第7
の実施例を示す図15のA側及びB側の出力順序変換手
段70A,70Bが、A側とB側のリードデータバス9
A,9BとA側とB側のシリアル出力手段10A,10
Bとの間に接続されている。本実施例のシリアルアクセ
スメモリは、基本的には第3の実施例を示す図12とほ
ぼ同様の動作を行う。第3の実施例と異なる点は、第7
の実施例の図5に示すA側とB側の出力順序変換手段7
0A,70Bが設けられているため、シリアルアクセス
時において、データレジスタ7A,7Bからリードデー
タバス9A,9Bへ転送されたシリアルなリードデータ
が、シリアル出力順序コントロール用アドレス信号
0 ,S1 で制御される出力順序変換手段70A,70
Bにより、シリアル出力の順序が変更されて各シリアル
出力手段10A,10Bの出力端子OUTA,OUTB
から出力される。本実施例では、第3の実施例とほぼ同
様の利点を有している。さらに、出力順序変換手段70
A,70Bによってシリアル出力の順序を制御できるた
め、例えば、画像データであるRGBデータがシリアル
にメモリセルアレイ1A,1Bに書込まれており、液晶
画像等の描画に使うときには順序を変えなければならな
いとき有効である。
【0066】第13の実施例 本発明の第13の実施例は、第12の実施例を示す図2
4のシリアルアクセスメモリにおけるA側及びB側の出
力順序変換手段70A,70Bを、第8の実施例を示す
図17の回路で構成している。本実施例のシリアルアク
セスメモリは、基本的には第12の実施例とほぼ同様の
動作を行うが、出力順序変換手段70A,70Bの回路
構成が異なるため、その動作のみが異なっている。即
ち、本実施例では、シリアルアクセス時において、デー
タレジスタ7A,7B内のデータがリードデータバス9
A,9Bへシリアルに転送され、出力順序変換手段70
A,70Bへ送られる。出力順序変換手段70A,70
Bは、アドレス順序入力用イネーブル信号PINによっ
てシリアル出力順序コントロール用アドレス信号S0
1 を取込み、同期コントロールクロックCLKに同期
してシリアル出力順序を決定し、その決定結果に基づ
き、シリアル出力の順序を変更してシリアル出力手段1
0A,10Bの出力端子OUTA,OUTBから出力す
る。
【0067】本実施例では、第12の実施例とほぼ同様
の利点を有する他に、第8の実施例の利点も有してい
る。そのため、例えば、画像データであるRGBデータ
がシリアルにメモリセルアレイ1A,1Bに書込まれて
おり、液晶画像等の描画に使うときには順序を変えなけ
ればならないとき有効である。
【0068】第14の実施例 本発明の第14の実施例は、第12の実施例を示す図2
4のシリアルアクセスメモリにおけるA側とB側の出力
順序変換手段70A,70Bを、第9の実施例を示す図
19の回路で構成している。本実施例のシリアルアクセ
スメモリは、基本的には第12の実施例とほぼ同様の動
作を行うが、出力順序変換手段70A,70Bの回路構
成が異なるため、その動作のみが異なっている。即ち、
シリアルアクセス時に、データレジスタ7A,7B内の
データがリードデータバス9A,9Bを介して出力順序
変換手段70A,70Bへ送られると、該出力順序変換
手段70A,70Bでは、アドレス順序入力用イネーブ
ル信号PINによってシリアル出力順序決定アドレスS
01,S11,…,S04,S14を取込み、同期コントロール
クロックCLKに同期して該シリアル出力順序決定アド
レスS01,S11,…,S04,S14に基づき、シリアル出
力順序を変換してシリアル出力手段10A,10Bの出
力端子OUTA,OUTBから出力される。そのため、
第12の実施例と第9の実施例の利点を有している。
【0069】第15の実施例 本発明の第15の実施例は、第12の実施例の図24に
示すシリアルアクセスメモリにおける出力順序変換手段
70A,70Bを、第10の実施例の図21の回路で構
成している。本実施例のシリアルアクセスメモリは、基
本的には第12の実施例とほぼ同様の動作を行うが、出
力順序変換手段70A,70Bの回路構成が異なるた
め、その動作のみが異なっている。即ち、シリアルアク
セス時に、データレジスタ7A,7B内のデータがリー
ドデータバス9A,9Bを介して出力順序変換手段70
A,70Bへ送られると、該出力順序変換手段70A,
70Bでは、トリミング回路91−1〜91−4で設定
したシリアル出力順序決定アドレスに基づき、同期コン
トロールクロックCLKに同期してシリアル出力順序が
変換され、シリアル出力手段10A,10Bの出力端子
OUTA,OUTBから出力される。そのため、第12
の実施例と第10の実施例の利点を有している。
【0070】第16の実施例 本発明の第16の実施例は、第12、第13、第14及
び第15の実施例において、図24に示すシリアルアク
セスメモリのA側とB側のシリアルアドレス手段8A,
8Bに入力する共通のシリアルアドレスSYADDに代
えて、独立のシリアルアドレスSYADDAとSYAD
DBを用い、一方のシリアルアドレスSYADDAをA
側シリアルアドレス手段8Aに、他方のシリアルアドレ
スSYADDBをB側シリアルアドレス手段8Bに、そ
れぞれ入力する構成にしている。本実施例のシリアルア
クセスメモリは、基本的には第12、第13、第14及
び第15の実施例とほぼ同様の動作を行うが、シリアル
アドレスSYADDAとSYADDBが共通ではないた
め、それぞれ異なるアドレスのデータレジスタ7A,7
B内のデータをシリアル出力できる。つまり、それぞれ
互いに異なったアドレスのデータレジスタ7A,7B内
のデータを選択できるため、いずれか一方のデータレジ
スタ7A又は7B、あるいはシリアルアドレス手段8A
又は8Bに欠陥があったときにも、独立に救済できる利
点がある。又、シリアルアドレスSYADDAとSYA
DDBが共通でないため、互いに非同期に、シリアルア
ドレス手段8A,8Bでシリアルアクセスすることもで
きる。
【0071】第17の実施例 図25は、本発明の第17の実施例を示すシリアルアク
セスメモリの概略の構成ブロック図であり、第5の実施
例を示す図13と第7の実施例を示す図14,図15中
の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。こ
のシリアルアクセスメモリでは、第5の実施例を示す図
13のシリアルアクセスメモリにおいて、リードデータ
バス9A,9Bとシリアル出力手段10A,10Bとの
間に、出力順序変換手段70A,70Bが接続されてい
る。本実施例のシリアルアクセスメモリは、基本的には
第5の実施例のシリアルアクセスメモリとほぼ同様の動
作を行うが、出力順序変換手段70A,70Bが設けら
れているので、その動作のみが異なる。即ち、シリアル
アクセス時において、データレジスタ7A,7B内のデ
ータがリードデータバス9A,9Bを介して出力順序変
換手段70A,70Bへ送られると、出力順序変換手段
70A,70Bでは、シリアル出力順序コントロール用
アドレス信号S0 ,S1 に基づき、シリアル出力の順序
を変更してシリアル出力手段10A,10Bの出力端子
OUTA,OUTBから出力する。
【0072】本実施例のシリアルアクセスメモリでは、
第5の実施例とほぼ同様の利点を有する他に、出力順序
変換手段70A,70Bが設けられているので、シリア
ル出力順序を制御できる。そのため、例えば、画像デー
タであるRGBデータがシリアルにメモリセルアレイ1
A,1Bに書込まれており、液晶画面等の描画に使うと
きには順序を変えなければならないとき有効である。
【0073】第18の実施例 本発明の第18の実施例は、第17の実施例の図25に
示す出力順序変換手段70A,70Bを、第8の実施例
を示す図17の回路で構成している。本実施例のシリア
ルアクセスメモリは、基本的には第17の実施例とほぼ
同様の動作を行うが、出力順序変換手段70A,70B
の回路構成が異なっているので、その動作のみが異な
る。即ち、シリアルアクセス時において、データレジス
タ7A,7B内のデータがリードデータバス9A,9B
を介して出力順序変換手段70A,70Bへ送られる
と、該出力順序変換手段70A,70Bでは、アドレス
順序入力用イネーブル信号PINによってシリアル出力
順序コントロール用アドレス信号S0 ,S1 を取込み、
同期コントロールクロックCLKに同期してシリアル出
力順序を決定し、その決定結果に基づきシリアル出力の
順序を変更し、シリアル出力手段10A,10Bの出力
端子OUTA,OUTBから出力する。
【0074】本実施例では、第17の実施例の利点を有
する他に、第8の実施例と同様に、出力順序変換手段7
0A,70Bでシリアル出力順序を制御できる。そのた
め、例えば、画像データであるRGBデータがシリアル
にメモリセルアレイ1A,1Bに書込まれており、液晶
画面等の描画に使うときには順序を変えなければならな
いとき有効である。
【0075】第19の実施例 本発明の第19の実施例は、第17の実施例を示す図2
5の出力順序変換手段70A,70Bを、第9の実施例
を示す図19の回路で構成している。本実施例のシリア
ルアクセスメモリは、基本的には第17の実施例とほぼ
同様の動作を行うが、出力順序変換手段70A,70B
の回路構成が異なるので、その動作のみが異なる。即
ち、データレジスタ7A,7B内のデータがリードデー
タバス9A,9Bを介して出力順序変換手段70A,7
0Bへ送られると、該出力順序変換手段70A,70B
では、シリアル出力順序決定アドレスS01,S11,…,
04,S14をアドレス順序入力用イネーブル信号PIN
でラッチ回路88−1〜88−4に取込み、その取込ん
だシリアル出力順序決定アドレスS01,S11,…,
04,S14に基づき、同期コントロールクロックCLK
に同期してシリアル出力順序を変換し、シリアル出力手
段10A,10Bの出力端子OUTA,OUTBから出
力する。そのため、第17の実施例と第9の実施例の利
点を有している。
【0076】第20の実施例 本発明の第20の実施例は、第17の実施例を示す図2
5のシリアルアクセスメモリにおける出力順序変換手段
70A,70Bを、第10の実施例を示す図21の回路
で構成している。本実施例のシリアルアクセスメモリ
は、基本的には第17の実施例とほぼ同様の動作を行う
が、出力順序変換手段70A,70Bの回路構成が異な
っているので、その動作のみが異なる。即ち、シリアル
アクセス時において、データレジスタ7A,7B内のデ
ータをシリアルにリードデータバス9A,9Bへ転送す
ると、出力順序変換手段70A,70Bでは、図21の
トリミング回路91−1〜91−4で設定されたシリア
ル出力順序決定アドレスに基づき、同期コントロールク
ロックCLKに同期してシリアル出力順序を変更し、シ
リアル出力手段10A,10Bの出力端子OUTA,O
UTBから出力する。そのため、第17の実施例と第1
0の実施例の利点を有している。
【0077】第21の実施例 本発明の第21の実施例は、第17、第18、第19及
び第20の実施例において、図25のA側及びB側のシ
リアルアドレス手段8A,8Bに入力する共通のシリア
ルアドレスSYADDに代えて、独立のシリアルアドレ
スSYADDAとSYADDBを用い、一方のシリアル
アドレスSYADDAをA側シリアルアドレス手段8A
に、他方のシリアルアドレスSYADDBをB側シリア
ルアドレス手段8Bに、それぞれ入力する構成にしてい
る。そのため、基本的には第17、第18、第19及び
第20の実施例とほぼ同様の動作を行うが、シリアルア
ドレスSYADDAとSYADDBが共通ではなため、
それぞれ異なるアドレスのデータレジスタ7A,7B内
のデータをシリアル出力できる。つまり、互いに異なっ
たアドレスのデータレジスタ7A,7B内のデータを選
択できるため、いずれか一方のデータレジスタ7A又は
7B、あるいはシリアルアドレス手段8A又は8Bに欠
陥があったときにも、独立に救済できる利点がある。
又、シリアルアドレスSYADDAとSYADDBが共
通でないため、互いに非同期に、シリアルアドレス手段
8A,8Bによってシリアルアクセスすることもでき
る。
【0078】第22の実施例 図26は、本発明の第22の実施例を示すシリアルアク
セスメモリの概略の構成ブロック図であり、第1の実施
例を示す図1中の要素と共通の要素には共通の符号が付
されている。このシリアルアクセスメモリでは、図1の
A側シリアル出力手段10A及びB側シリアル出力手段
10Bに代えて、共通の出力手段100が設けられてい
る点のみが異なる。共通の出力手段100は、その入力
側にA側及びB側のリードデータバス9A,9Bが接続
され、その出力側に2つの出力端子OUTA,OUTB
が接続され、出力方式変換信号TFT/及び最大Xアド
レスXADDmax (MSB)により、該出力手段100
の出力を1ポートにしたり、2ポートにしたりする機能
を有している。図27は、図26に示す出力手段100
の構成例を示す回路図である。この出力手段100で
は、最大XアドレスXADDmax がトライステートイン
バータ101に入力され、その出力側がNORゲート1
07の入力側に接続されている。B側リードデータバス
9Bはトライステートインバータ102,104の入力
側に接続されると共に、A側リードデータバス9Aがト
ライステートインバータ102,105の入力側に接続
されている。出力方式変換信号TFT/とトライステー
トインバータ103の出力側がNORゲート106の入
力側に接続され、その出力によってトライステートイン
バータ102の開閉制御が行われる。出力方式変換信号
TFT/とトライステートインバータ102の出力側が
NORゲート107の入力側に接続され、その出力によ
ってトライステートインバータ103の開閉制御が行わ
れる。又、出力方式変換信号TFT/により、トライス
テートインバータ104,105の開閉制御が行われ
る。トライステートインバータ102及び105の出力
側は、共通接続されて出力端子OUTAに接続されてい
る。トライステートインバータ104の出力側は、出力
端子OUTBに接続されている。
【0079】本実施例のシリアルアクセスメモリは、基
本的には第1の実施例とほぼ同様の動作を行うが、共通
の出力手段100が設けられているので、その出力動作
のみが異なる。即ち、図27の出力手段100におい
て、出力方式変換信号TFT/が“L”のときは、NO
Rゲート106,107が開くと共に、トライステート
インバータ104,105の出力側がハイインピーダン
ス状態となる。NORゲート106,107が開くと、
それらの出力は最大XアドレスXADDmax によって変
化し、該NORゲート106,107の出力によってト
ライステートインバータ102,103が開閉される。
一方、出力方式変換信号TFT/が“H”のときは、N
ORゲート106,107が閉じてその出力が“L”と
なり、トライステートインバータ102,103の出力
側がハイインピーダンス状態になると共に、トライステ
ートインバータ104,105が開いて通常の信号反転
動作を行う。そのため、第1の実施例のように、A側メ
モリセルアレイ1A及びB側メモリセルアレイ1Bにお
いて相対的に同じXアドレス(地理的に)からシリアル
出力が出るような回路方式になっていても、最大Xアド
レスXADDmax により、データレジスタ7A,7Bか
らリードデータバス9A,9Bへリードデータがシリア
ルに転送されてきたとき、いずれか一方のシリアルリー
ド出力を出力端子OUTAから、出力方式変換信号TF
T/のレベル制御によってあたかも2ポート出力の素子
を、1ポートで動作させられる。もう一方のポートであ
る出力端子OUTBは、ここではハイインピーダンス状
態となる。本実施例では、第1の実施例とほぼ同様の利
点を有する他に、共通の出力手段100を設けたので、
次のような利点を有している。即ち、最大XアドレスX
ADDmax により、いずれか一方のシリアルリード出力
を出力端子OUTAから、出力方式変換信号TFT/の
レベル制御によってあたかも2ポート出力の素子を、1
ポートで動作させることができる。もう一方のポートで
ある出力端子OUTBは、ハイインピーダンス状態とな
る。これにより、同一の素子である出力手段100によ
り、出力方式変換信号TFT/のレベル制御のみで、用
途によって該出力手段100を1ポート又は2ポートに
自由に変えることができるため、使いやすく、汎用性が
向上し、製造的にも経済的である。ここで、出力方式変
換信号TFT/は、外部から入力する外部制御方式にし
たり、あるいは製造工程の最後で、レーザヒューズトリ
ミングや、オプションマスク等で決定してもよい。
【0080】第23の実施例 本発明の第23の実施例は、第22の実施例を示す図2
6のシリアルアドレス手段8A,8Bに入力する共通の
シリアルアドレスSYADDに代えて、互いに独立した
シリアルアドレスSYADDAとSYADDBを用い、
一方のシリアルアドレスSYADDAをA側シリアルア
ドレス手段8Aに、他方のシリアルアドレスSYADD
BをB側シリアルアドレス手段8Bに、それぞれ入力す
る構成にしている。本実施例のシリアルアクセスメモリ
は、基本的には第22の実施例とほぼ同様の動作を行う
が、第2の実施例と同様に、シリアルアドレスSYAD
DAとSYADDBが共通ではないため、それぞれ異な
るアドレスのデータレジスタ7A,7B内のデータをシ
リアル出力できる。従って、第2の実施例と第22の実
施例の利点を有している。
【0081】第24の実施例 図28は、本発明の第24の実施例を示すシリアルアク
セスメモリの概略の構成ブロック図であり、第3の実施
例を示す図12中の要素と共通の要素には共通の符号が
付されている。このシリアルアクセスメモリでは、第3
の実施例を示す図12のシリアル出力手段10A,10
Bに代えて、第22の実施例を示す図27の出力手段1
00がリードデータバス9A,9Bに接続されている。
本実施例のシリアルアクセスメモリは、基本的には第3
の実施例とほぼ同様の動作を行うが、リードデータバス
9A,9Bに出力手段100が設けられている。そのた
め、第22の実施例と同様に、最大XアドレスXADD
max により、リードデータバス9A,9B上のいずれか
一方のシリアルリード出力を出力端子OUTAから、出
力方式変換信号TFT/のレベル制御によってあたかも
2ポート出力の該出力手段100を、1ポートで動作さ
せられる。従って、第3の実施例の利点と、第22の実
施例を示す図27の回路の利点とを有している。
【0082】第25の実施例 本発明の第25の実施例は、第24の実施例を示す図2
8のシリアルアドレス手段8A,8Bに入力する共通の
シリアルアドレスSYADDに代えて、互いに独立した
シリアルアドレスSYADDAとSYADDBを用い、
一方のシリアルアドレスSYADDAをA側シリアルア
ドレス手段8Aに、他方のシリアルアドレスSYADD
BをB側シリアルアドレス手段8Bにそれぞれ入力する
構成にしている。本実施例のシリアルアクセスメモリ
は、基本的には第4の実施例とほぼ同様の動作を行う
が、出力手段100が設けられているため、第24の実
施例と同様に、最大XアドレスXADDmax により、リ
ードデータバス9A,9Bのいずれか一方のシリアルリ
ード出力を出力端子OUTAから、出力方式変換信号T
FT/のレベル制御によってあたかも2ポート出力の該
出力手段100を、1ポートで動作させられる。従っ
て、第4の実施例の利点と、第22の実施例を示す図2
7の利点とを有している。
【0083】第26の実施例 図29は本発明の第26の実施例を示すシリアルアクセ
スメモリの概略の構成ブロック図であり、第5の実施例
を示す図13と、第22の実施例を示す図27中の要素
と共通の要素には共通の符号が付されている。このシリ
アルアクセスメモリでは、第5の実施例を示す図13の
シリアル出力手段10A,10Bに代えて、第22の実
施例を示す図27の出力手段100が設けられ、その出
力手段100がリードデータバス9A,9Bに接続され
ている。
【0084】本実施例のシリアルアクセスメモリは、基
本的には第5の実施例とほぼ同様の動作を行うが、A側
及びB側のシリアル出力手段10A,10Bに代えて出
力手段100が設けられているので、A側メモリセルア
レイ1A及びB側メモリセルアレイ1Bにおいて相対的
に同じXアドレスから出力が出るような回路方式におい
ても、最大XアドレスXADDmax により、リードデー
タバス9A,9Bのいずれか一方のシリアル出力を出力
端子OUTAから、出力方式変換信号TFT/のレベル
制御によってあたかも2ポート出力の該出力手段100
を、1ポートで動作させられる。従って、第5の実施例
とほぼ同様の利点を有するばかりか、共通の出力手段1
00が設けられているので、第22の実施例の利点も有
している。
【0085】第27の実施例 本発明の第27の実施例では、第6の実施例と同様に、
第26の実施例を示す図29のシリアルアクセスメモリ
において、A側及びB側のシリアルアドレス手段8A,
8Bに入力する共通のシリアルアドレスSYADDに代
えて、互いに独立したシリアルアドレスSYADDAと
SYADDBを用い、一方のシリアルアドレスSYAD
DAをA側シリアルアドレス手段8Aに、他方のシリア
ルアドレスSYADDBをB側シリアルアドレス手段8
Bに、それぞれ入力する構成にしている。本実施例のシ
リアルアクセスメモリでは、シリアルアドレスSYAD
DAとSYADDBが共通ではないため、それぞれ異な
るアドレスのデータレジスタ7A,7B内のデータをシ
リアル出力できる。さらに、共通の出力手段100が設
けられているので、最大XアドレスXADDmax によ
り、リードデータバス9A,9Bのいずれか一方のシリ
アル出力を出力端子OUTAから、出力方式変換信号T
FT/のレベル制御で、あたかも2ポート出力の該出力
手段100を、1ポートで動作させられる。従って、第
6の実施例の利点と、第22の実施例の利点を有してい
る。
【0086】第28の実施例 図30は、本発明の第28の実施例を示すシリアルアク
セスメモリの概略の構成ブロック図であり、第7の実施
例を示す図14及び図15と、第22の実施例を示す図
27中の要素と共通の要素には共通の符号が付されてい
る。このシリアルアクセスメモリでは、第7の実施例を
示す図14のシリアル出力手段10A,10Bに代え
て、第22の実施例を示す図27の出力手段100が設
けられ、その出力手段100がリードデータバス9A,
9Bに接続されている。
【0087】本実施例のシリアルアクセスメモリでは、
第7の実施例と同様に、出力順序変換手段70A,70
Bが設けられているので、リードデータバス9A,9B
上のシリアルなリードデータの順序を変更して出力でき
る。さらに、第22の実施例と同様に、共通の出力手段
100が設けられているので、最大XアドレスXADD
max により、リードデータバス9A,9Bのいずれか一
方のシリアル出力を出力端子OUTAから、出力方式変
換信号TFT/のレベル制御で、あたかも2ポート出力
の該出力手段100を、1ポートで動作させられる。従
って、第7の実施例と第22の実施例の利点を有してい
る。
【0088】第29、第30、第31の実施例 本発明の第29の実施例のシリアルアクセスメモリで
は、図14の出力順序変換手段70A,70Bを第8の
実施例を示す図17の回路で構成すると共に、図14の
シリアル出力手段10A,10Bに代えて第22の実施
例を示す図27の共通の出力手段100を設けている。
そのため、第8の実施例の出力順序変換手段70A,7
0Bと同様の作用、効果を有し、さらに第22の実施例
を示す図27の出力手段100と同様の作用、効果を有
している。本発明の第30の実施例のシリアルアクセス
メモリでは、図14の出力順序変換手段70A,70B
を第9の実施例を示す図19の回路で構成すると共に、
図14のシリアル出力手段10A,10Bに代えて第2
2の実施例を示す図27の共通の出力手段100が設け
られている。そのため、第9の実施例の出力順序変換手
段70A,70B、及び第22の実施例を示す図27の
共通の出力手段100と同様の作用、効果を有してい
る。本発明の第31の実施例のシリアルアクセスメモリ
では、図14の出力順序変換手段70A,70Bを第1
0の実施例を示す図21の回路で構成すると共に、図1
4のシリアル出力手段10A,10Bに代えて第22の
実施例を示す図27の共通の出力手段100を設けてい
る。そのため、第10の実施例の出力順序変換手段70
A,70Bと同様の作用、効果を有し、さらに第22の
実施例を示す図27の出力手段100と同様の作用、効
果を有している。
【0089】第32の実施例 本発明の第32の実施例のシリアルアクセスメモリで
は、第28、第29、第30及び第31の実施例におい
て、図30のシリアルアドレス手段8A,8Bに入力さ
れる共通のシリアルアドレスSYADDに代えて、第1
1の実施例と同様に互いに独立したシリアルアドレスS
YADDA,SYADDBを用い、一方のシリアルアド
レスSYADDAをA側シリアルアドレス手段8Aに、
他方のシリアルアドレスSYADDBをB側シリアルア
ドレス手段8Bに、それぞれ入力する構成にしている。
本実施例のシリアルアクセスメモリでは、第11の実施
例と同様に、シリアルアドレスSYADDA,SYAD
DBが共通ではないため、それぞれ異なるアドレスのデ
ータレジスタ7A,7B内のデータをシリアル出力でき
る。さらに、第28〜第31の実施例と同様に、出力順
序変換手段70A,70Bの出力側に共通の出力手段1
00が設けられているので、最大XアドレスXADD
max により、リードデータバス9A,9Bのいずれか一
方のシリアル出力を出力端子OUTAから、出力方式変
換信号TFT/のレベル制御で、あたかも2ポート出力
の該出力手段100を、1ポートで動作させられる。従
って、第11の実施例の利点と、第28〜第31の実施
例の利点とを有している。
【0090】第33の実施例 図31は、本発明の第33の実施例を示すシリアルアク
セスメモリの概略の構成ブロック図であり、第12の実
施例を示す図24と、第22の実施例を示す図27中の
要素と共通の要素には共通の符号が付されている。この
シリアルアクセスメモリでは、第12の実施例を示す図
24のシリアル出力手段10A,10Bに代えて第22
の実施例を示す図27の共通の出力手段100が設けら
れ、その出力手段100が出力順序変換手段70A,7
0Bの出力側に接続されている。本実施例のシリアルア
クセスメモリは、基本的には第12の実施例とほぼ同様
の動作を行うが、共通の出力手段100が設けられてい
るため、その動作が異なっている。即ち、共通の出力手
段100は、出力方式変換信号TFT/と、A側Xアド
レス手段2Aを選択しているときには“L”、B側Xア
ドレス手段2Bを選択しているときには“H”となる最
大XアドレスXADDmax とを入力し、出力順序変換手
段70A,70Bのシリアルデータを出力端子OUT
A,OUTBへ出力する機能を有している。従って、第
12の実施例のように、シリアル出力がA側メモリセル
アレイ1A及びB側メモリセルアレイ1Bにおいて相対
的に同じXアドレスから出力が出るような回路方式にお
いても、最大XアドレスXADDmax により、リードデ
ータバス9A,9Bのいずれか一方のシリアル出力を出
力端子OUTAから、出力方式変換信号TFT/のレベ
ル制御で、あたかも2ポート出力の該出力手段100
を、1ポートで動作させられる。このとき、もう一方の
ポートである出力端子OUTBは、ハイインピーダンス
状態となる。本実施例では、第12の実施例とほぼ同様
の利点を有し、さらに共通の出力手段100が設けられ
ているので、第22の実施例と同様に、同一の素子であ
る出力手段100により、出力方式変換信号TFT/の
レベル制御のみで、用途によって該同一出力手段100
を1ポート又は2ポートに自由に変えることができるた
め、使いやすく、汎用性が向上する等の利点を有してい
る。
【0091】第34、第35、第36の実施例 本発明の第34の実施例のシリアルアクセスメモリで
は、第33の実施例を示す図31の出力順序変換手段7
0A,70Bを、第8の実施例を示す図17の回路で構
成している。そのため、第8の実施例及び第33の実施
例とほぼ同様の作用、効果を有している。本発明の第3
5の実施例のシリアルアクセスメモリでは、第33の実
施例を示す図31の出力順序変換手段70A,70B
を、第9の実施例を示す図19の回路で構成している。
そのため、第9の実施例及び第33の実施例とほぼ同様
の作用、効果を有している。本発明の第36の実施例の
シリアルアクセスメモリでは、第33の実施例を示す図
31の出力順序変換手段70A,70Bを、第10の実
施例を示す図21の回路で構成している。そのため、第
10の実施例及び第33の実施家例とほぼ同様の作用、
効果を有している。
【0092】第37の実施例 本発明の第37の実施例のシリアルアクセスメモリで
は、第33、第34、第35及び第36の実施例におい
て、図31A側シリアルアドレス手段8A及びB側シリ
アルアドレス手段8Bに入力される共通のシリアルアド
レスSYADDに代えて、互いに独立したシリアルアド
レスSYADDAとSYADDBを用い、一方のシリア
ルアドレスSYADDAをA側シリアルアドレス手段8
に、地方のシリアルアドレスSYADDBをB側シリア
ルアドレス手段8Bに、それぞれ入力する構成にしてい
る。そのため、第16の実施例と同様に、シリアルアド
レスSYADDA,SYADDBが共通ではないため、
それぞれ異なるアドレスのデータレジスタ7A,7B内
のデータをシリアル出力できる。従って、第16の実施
例の利点と、第33、第34、第35又は第36の実施
例の利点を有している。
【0093】第38の実施例 図32は、本発明の第38の実施例を示すシリアルアク
セスメモリの概略の構成ブロック図であり、第17の実
施例を示す図25と、第22の実施例を示す図26中の
要素と共通の要素には共通の符号が付されている。この
シリアルアクセスメモリでは、第17の実施例を示す図
25のシリアル出力手段8A,8Bに代えて、第22の
実施例を示す図26の共通の出力手段100が設けられ
ている。本実施例のシリアルアクセスメモリは、基本的
には第17の実施例と同様の動作を行うが、シリアル出
力手段10A,10Bに代えて、第22の実施例を示す
図26の共通の出力手段100が設けられているので、
その動作のみが異なる。即ち、共通の出力手段100
は、出力方式変換信号TFT/と、A側Xアドレス手段
2Aを選択しているときには“L”、B側Xアドレス手
段2Bを選択しているときには“H”となる最大Xアド
レスXADDmax とを入力し、リードデータバス9A,
9Bのシリアル出力を出力端子OUTA,OUTBへ出
力する機能を有している。そのため、最大XアドレスX
ADDmax により、リードデータバス9A,9Bのいず
れか一方のシリアル出力を出力端子OUTAから、出力
方式変換信号TFT/のレベル制御で、あたかも2ポー
ト出力の該出力手段100を、1ポートで動作させられ
る。このとき、他方のポートである出力端子OUTB
は、ハイインピーダンス状態となる。従って、本実施例
では第17の実施例と第22の実施例の利点を有してい
る。
【0094】第39、第40、第41の実施例 本発明の第39の実施例のシリアルアクセスメモリで
は、第38の実施例を示す図32の出力順序変換手段7
0A,70Bを、第8の実施例を示す図17の回路で構
成している。そのため、第38の実施例及び第8の実施
例とほぼ同様の作用、効果が得られる。本発明の第40
の実施例のシリアルアクセスメモリでは、第38の実施
例を示す図32の出力順序変換手段70A,70Bを、
第9の実施例を示す図19の回路で構成している。その
ため、第38の実施例及び第9の実施例とほぼ同様の作
用、効果が得られる。本発明の第41の実施例のシリア
ルアクセスメモリでは、第38の実施例を示す図32の
出力順序変換手段70A,70Bを、第9の実施例を示
す図19の回路で構成している。そのため、第38の実
施例及び第9の実施例とほぼ同様の作用、効果が得られ
る。本発明の第41の実施例のシリアルアクセスメモリ
では、第38の実施例を示す図32の出力順序変換手段
70A,70Bを、第10の実施例を示す図21の回路
で構成している。そのため、第38の実施例及び第10
の実施例とほぼ同様の作用、効果が得られる。
【0095】第42の実施例 本発明の第42の実施例のシリアルアクセスメモリで
は、第38、第39、第40、及び第41の実施例にお
いて、図32に示すシリアルアドレス手段8A,8Bに
入力する共通のシリアルアドレスSYADDに代えて、
互いに独立したシリアルアドレスSYADDAとSYA
DDBを用い、一方のシリアルアドレスSYADDAを
A側シリアルアドレス手段8Aに、他方のシリアルアド
レスSYADDBをB側シリアルアドレス手段8Bに、
それぞれ入力する構成にしている。本実施例では、第2
1の実施例と同様に、シリアルアドレスSYADDA,
SYADDBが共通ではないため、それぞれ異なるアド
レスのデータレジスタ7A,7B内のデータをシリアル
出力できる。従って、第38、第39、第40、又は第
41の実施例と同様の作用、効果を有する他に、第21
の実施例の作用、効果も得られる。
【0096】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、第1の発明
によれば、第1と第2のメモリセルアレイのようにDR
AMのメモリセルプレーンを半分にし、それぞれ書込ま
れた1プレーンとしてのリードデータを半分にし、素子
サイクルがデータ転送モードに入ることの確認信号であ
るデータ転送信号により、コントロール手段によって第
2のXアドレス手段に入力するXアドレスのMSBを無
効にするので、第1と第2のXアドレス手段の回路動作
を同一にでき、それと同時に、第1及び第2のシリアル
アドレス手段によって高速にシリアルアクセスできる。
そのため、例えばSTN型LCDにおいて上半分と下半
分に分割した液晶画面を上下のLCDドライバに対し、
直接、同時に画像データを供給することが可能となる。
従って、従来のような外付けマルチプレクサ等といった
余分な外付け回路が不要となる。しかも、DRAM部分
に関しては、第1と第2のメモリセルアレイからなるメ
モリセルプレーンが分割していることに対して全く無関
係に、ランダムアクセスできる。そのため、メモリセル
プレーン内のメモリマップも画像イメージのものとな
り、メモリマップが簡単になってソフトウェアの負担が
軽くなり、低コスト化が可能となる。
【0097】第2の発明によれば、共通のシリアルアド
レスを第1及び第2のシリアルアドレス手段に入力すれ
ば、第1及び第2のデータレジスタの同一のリードデー
タをシリアル出力できるので、制御が簡単になってソフ
トウェアの負担がより軽くなる。又、互いに独立したシ
リアルアドレスを第1と第2のシリアルアドレス手段に
入力すれば、それぞれ異なるアドレスの第1と第2のデ
ータレジスタ内のデータを選択できるため、いずれか一
方のデータレジスタ、あるいはシリアルアドレス手段に
欠陥があったときにも、独立に救済できる効果がある。
その上、第1と第2のシリアルアドレス手段によって互
いに非同期に、シリアルアクセスすることもできる。第
3の発明によれば、第1の発明の第1,第2のメモリセ
ルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手段、第
1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータレジス
タ、第1,第2のリード転送手段、第1,第2のシリア
ルアドレス手段、及び第1,第2のシリアル出力手段を
備えているので、第1の発明とほぼ同様の効果が得られ
る。さらに、Xアドレスバッファが設けられているの
で、第1,第2のメモリセルアレイから第1,第2のデ
ータレジスタへデータが転送されるデータ転送サイクル
時に、第2のXアドレス手段に入力されるXアドレス
が、第1のXアドレス手段に入力されるXアドレスに等
しくなるように、ある一定の値だけ減算される。そのた
め、第1の発明では第1,第2のXアドレス手段に入力
されるデコード用のアドレスが連続で、かつある一定の
数に制限を受けるのに対し、該Xアドレスバッファのア
ドレス変換機能によってそのような制限がなくなり、汎
用性が向上する。
【0098】第4の発明によれば、第3の発明において
共通のシリアルアドレス又は互いに独立したシリアルア
ドレスを第1及び第2のシリアルアドレス手段に入力す
るようにしたので、第3の実施例とほぼ同様の効果が得
られる上に、独立したシリアルアドレスを第1,第2の
シリアルアドレス手段にそれぞれ入力する場合、互いに
異なったアドレスの第1,第2のデータレジスタ内のデ
ータを選択できるため、第2の発明と同様の効果も得ら
れる。
【0099】第5の発明によれば、アドレスバッファ手
段を設けたので、該アドレスバッファ手段が第3の発明
のXアドレスバッファの機能を有しているため、第3の
発明とほぼ同様の効果が得られる。しかも、アドレスバ
ッファ手段は、外部から供給されるアドレスを時分割で
取込んで内部回路にXアドレスとYアドレスを供給する
ので、外部アドレスを同一のアドレス端子から時分割で
取込め、それによって端子数を削減できる。第6の発明
によれば、共通のシリアルアドレス又は互いに独立した
シリアルアドレスを第1,第2のシリアルアドレス手段
に入力するようにしたので、第5の発明と同様の効果が
得られる。さらに、互いに独立したシリアルアドレスを
第1,第2のシリアルアドレス手段に入力する場合、互
いに異なったアドレスの第1,第2のデータレジスタ内
のデータを選択できるため、第2の発明と同様の効果が
得られる。
【0100】第7の発明によれば、第1の発明とほぼ同
様の効果が得られる上に、第1,第2の出力順序変換手
段を設けたので、第1,第2のリードデータバス上のリ
ードデータのシリアル出力順序を制御できる。そのた
め、例えば、画像データであるRGBデータがシリアル
に第1,第2のメモリセルアレイに書込まれており、液
晶画面等の描画に使うときには順序を変えなければなら
ないとき有効である。第8の発明によれば、第1の発明
とほぼ同様の効果が得られる上に、第1,第2の出力順
序変換手段を設けたので、第1,第2のリードデータバ
ス上のリードデータのシリアル出力順序を制御でき、第
7の発明とほぼ同様の効果が得られる。しかも、第1,
第2の出力順序変換手段は、シリアル順序コントロール
用のアドレス信号からシリアル出力順序を決定し、その
決定結果に基づいてシリアル出力順序を制御するので、
外部から入力するシリアル出力順序コントロール用のア
ドレス信号を簡単にできる。
【0101】第9の発明によれば、第1の発明とほぼ同
様の効果が得られる上に、第1,第2の出力順序変換手
段を設けたので、第7の発明とほぼ同様の効果が得られ
る。しかも、第1,第2の出力順序変換手段は、外部か
ら入力したシリアル出力順序決定アドレスに基づき、シ
リアル出力順序を制御するようにしているので、シリア
ル出力順序の変換を行うための制御が簡単になる。第1
0の発明によれば、第1の発明とほぼ同様の効果が得ら
れる上に、第1,第2の出力順序変換手段を設けている
ので、第7の発明とほぼ同様の効果が得られる。しか
も、第1,第2の出力順序変換手段は、トリミング回路
で設定したシリアル出力順序決定アドレスに基づき、シ
リアル出力順序を制御するので、その制御が簡単になる
と共に、一旦、トリミング回路でシリアル出力順序決定
アドレスを設定すれば、外部からシリアル出力順序決定
用のアドレスを入力する必要がなく、アドレス供給用の
制御が簡単になる。第11の発明によれば、第7、第
8、第9又は第10の発明とほぼ同様の効果が得られる
ばかりか、互いに独立したシリアルアドレスを第1,第
2のシリアルアドレス手段に入力する場合、それぞれ異
なるアドレスのデータレジスタ内のデータを選択できる
ため、第2の発明と同様の効果が得られる。第12の発
明によれば、第1の発明とほぼ同様の効果が得られる上
に、Xアドレスバッファを設けているので、第3の発明
とほぼ同様の効果が得られる。さらに、第1,第2の出
力順序変換手段を設けているので、第1,第2のリード
データバス上のリードデータのシリアル出力順序を制御
でき、第7の発明と同様の効果が得られる。
【0102】第13の発明によれば、第1の発明とほぼ
同様の効果が得られる上に、Xアドレスバッファを設け
ているので、第3の発明とほぼ同様の効果が得られる。
さらに、第1,第2の出力順序変換手段を設けているの
で、第1,第2のリードデータバス上のリードデータの
シリアル出力順序を制御でき、第8の発明と同様の効果
が得られる。第14の発明によれば、第1の発明とほぼ
同様の効果が得られる上に、Xアドレスバッファを設け
ているので、第3の発明と同様の効果が得られる。さら
に、第1,第2の出力順序変換手段を設けているので、
リードデータバス上のリードデータのシリアル出力順序
を制御でき、第9の発明と同様の効果が得られる。第1
5の発明によれば、第1の発明とほぼ同様の効果が得ら
れる上に、Xアドレスバッファを設けているので、第3
の発明と同様の効果が得られる。さらに、第1,第2の
出力順序変換手段を設けているので、第1,第2のリー
ドデータバス上のリードデータのシリアル出力順序を制
御でき、第10の発明と同様の効果が得られる。第16
の発明によれば、第12、第13、第14又は第15の
発明とほぼ同様の効果が得られる上に、互いに独立した
シリアルアドレスを第1,第2のシリアルアドレス手段
に入力する場合、互いに異なったアドレスの第1,第2
のデータレジスタ内のデータを選択できるため、第2の
発明と同様の効果が得られる。第17の発明によれば、
第1の発明とほぼ同様の効果が得られる上に、アドレス
バッファ手段を設けているので、外部から供給されるア
ドレスを時分割で取込んでXアドレスとYアドレスを内
部回路へ供給でき、第5の発明と同様の効果が得られ
る。さらに、第1,第2の出力順序変換手段を設けてい
るので、第1,第2のリードデータバス上のリードデー
タのシリアル出力順序を制御でき、第7の発明と同様の
効果が得られる。第18の発明によれば、第1の発明と
ほぼ同様の効果が得られる上に、アドレスバッファ手段
を設けているので、第5の発明と同様の効果が得られ
る。さらに、第1,第2の出力順序変換手段を設けてい
るので、第1,第2のリードデータバス上のリードデー
タのシリアル出力順序を制御でき、第8の発明と同様の
効果が得られる。
【0103】第19の発明によれば、第1の発明とほぼ
同様の効果が得られる上に、アドレスバッファ手段を設
けているので、第5の発明と同様の効果が得られる。さ
らに、第1,第2の出力順序変換手段を設けているの
で、第1,第2のリードデータバス上のリードデータの
シリアル出力順序を制御でき、第9の発明と同様の効果
が得られる。第20の発明によれば、第1の発明とほぼ
同様の効果が得られる上に、アドレスバッファ手段を設
けているので、第5の発明と同様の効果が得られる。さ
らに、第1,第2の出力順序変換手段を設けているの
で、第1,第2のリードデータバス上のリードデータの
シリアル出力順序を制御でき、第10の発明と同様の効
果が得られる。
【0104】第21の発明によれば、第17、第18、
第19又は第20の発明とほぼ同様の効果が得られるば
かりか、互いに独立したシリアルアドレスを第1,第2
のシリアルアドレス手段に入力する場合、互いに異なっ
たアドレスの第1,第2のデータレジスタを選択できる
ため、第2の発明と同様の効果が得られる。第22の発
明によれば、コントロール手段等が設けられているの
で、第1の発明とほぼ同様の効果が得られる。さらに、
出力手段が設けられているので、出力方式変換信号のレ
ベル制御のみで、用途によって該出力手段を1ポート又
は2ポートに変えることができ、それによって使い易
く、汎用性を向上でき、さらに製造時の低コスト化も可
能となる。第23の発明によれば、第22の発明の効果
が得られるばかりか、互いに独立したシリアルアドレス
を第1,第2のシリアルアドレス手段に入力する場合、
互いに異なったアドレスの第1,第2のデータレジスタ
内のデータを選択できるため、第2の発明と同様の効果
が得られる。第24の発明によれば、第1の発明とほぼ
同様の効果が得られる上に、Xアドレスバッファが設け
られているので、そのアドレス変換機能によって第3の
発明と同様の効果が得られる。さらに、出力手段が設け
られているので、出力方式変換信号のレベル制御によっ
て該出力手段を1ポート又は2ポートに変えることがで
き、第22の発明と同様の効果が得られる。
【0105】第25の発明によれば、第24の発明と同
様の効果が得られるばかりか、互いに独立したシリアル
アドレスを第1,第2のシリアルアドレス手段に入力す
る場合、互いに異なったアドレスの第1,第2のデータ
レジスタ内のデータを選択できるため、第2の発明と同
様の効果が得られる。第26の発明によれば、第1の発
明とほぼ同様の効果が得られる上に、アドレスバッファ
手段が設けられているので、外部から供給されるアドレ
スを時分割で取込んでXアドレスとYアドレスを内部回
路に供給でき、第5の発明と同様の効果が得られる。さ
らに、出力手段が設けられているので、出力方式変換信
号のレベル制御によって該出力手段を1ポート又は2ポ
ートに変えることができ、第22の発明と同様の効果が
得られる。第27の発明によれば、第26の発明と同様
の効果が得られるばかりか、互いに独立したシリアルア
ドレスを第1,第2のシリアルアドレス手段に入力する
場合、互いに異なったアドレスの第1,第2のデータレ
ジスタ内のデータを選択できるため、第2の発明と同様
の効果が得られる。第28の発明によれば、第1の発明
とほぼ同様の効果が得られる上に、第1,第2の出力順
序変換手段が設けられているので、第1,第2のリード
データバス上のリードデータのシリアル出力順序を制御
でき、第7の発明と同様の効果が得られる。さらに、出
力手段が設けられているので、出力方式変換信号のレベ
ル制御により、該出力手段を1ポート又は2ポートに変
えることができ、第22の発明と同様の効果が得られ
る。第29の発明によれば、第1の発明とほぼ同様の効
果が得られる上に、第1,第2の出力順序変換手段が設
けられているので、第1,第2のリードデータバス上の
リードデータのシリアル出力順序を制御でき、第8の発
明と同様の効果が得られる。さらに、出力手段が設けら
れているので、該出力手段を1ポート又は2ポートに変
えることができ、第22の発明と同様の効果が得られ
る。第30の発明によれば、第1の発明とほぼ同様の効
果が得られる上に、第1,第2の出力順序変換手段が設
けられているので、第1,第2のリードデータバス上の
リードデータのシリアル出力順序を制御でき、第9の発
明と同様の効果が得られる。さらに、出力手段が設けら
れているので、該出力手段を1ポート又は2ポートに変
えることができ、第22の発明と同様の効果が得られ
る。
【0106】第31の発明によれば、第1の発明の効果
が得られる上に、第1,第2の出力順序変換手段が設け
られているので、第1,第2のリードデータバス上のリ
ードデータのシリアル出力順序を制御でき、第10の発
明と同様の効果が得られる。さらに、出力手段が設けら
れているので、該出力手段を1ポート又は2ポートに変
えることができ、第22の発明と同様の効果が得られ
る。第32の発明によれば、第28、第29、第30又
は第31の発明と同様の効果が得られる上に、互いに独
立したシリアルアドレスを第1,第2のシリアルアドレ
ス手段に供給する場合、互いに異なったアドレスの第
1,第2のデータレジスタ内のデータを選択できるた
め、第2の発明と同様の効果が得られる。第33の発明
よれば、第1の発明とほぼ同様の効果が得られる上に、
Xアドレスバッファが設けられているので、そのアドレ
ス変換機能によって第3の発明と同様の効果が得られ
る。しかも、第1,第2の出力順序変換手段が設けられ
ているので、第1,第2のリードデータバス上のリード
データのシリアル出力順序を制御できるので、第7の発
明と同様の効果が得られ、さらに出力手段が設けられて
いるので、該出力手段を1ポート又は、2ポートに変え
ることができ、第22の発明と同様の効果が得られる。
第34の発明によれば、第1の発明とほぼ同様の効果が
得られる上に、第1,第2の出力順序変換手段が設けら
れているので、第1,第2のリードデータバス上のリー
ドデータのシリアル出力順序を制御でき、第8の発明と
同様の効果が得られる。さらに、出力手段が設けられて
いるので、該出力手段を1ポート又は2ポートに変える
ことができ、第22の発明と同様の効果が得られる。
【0107】第35の発明によれば、第1の発明とほぼ
同様の効果が得られる上に、第1,第2の出力順序変換
手段が設けられているので、第1,第2のリードデータ
バス上のリードデータのシリアル出力順序を変換でき、
第9の発明と同様の効果が得られる。さらに、出力手段
が設けられているので、該出力手段を1ポート又は2ポ
ートに変えることができ、第22の発明と同様の効果が
得られる。第36の発明によれば、第1の発明とほぼ同
様の効果が得られる上に、第1,第2の出力順序変換手
段が設けられているので、第1,第2のリードデータバ
ス上のリードデータのシリアル出力順序を変換でき、第
10の発明と同様の効果が得られる。さらに、出力手段
が設けられているので、該出力手段を1ポート又は2ポ
ートに変えることができ、第22の発明と同様の効果が
得られる。第37の発明によれば、第33、第34、第
35又は第36の発明と同様の効果が得られるばかり
か、互いに独立したシリアルアドレスを第1,第2のシ
リアルアドレス手段に供給する場合、互いに異なったア
ドレスの第1,第2のデータレジスタ内のデータを選択
できるため、第2の発明と同様の効果が得られる。第3
8の発明によれば、第1の発明とほぼ同様の効果が得ら
れる上に、アドレスバッファ手段が設けられているの
で、外部から供給されるアドレスを時分割で取込んでX
アドレスとYアドレスを内部回路に供給でき、第5の発
明と同様の効果が得られる。しかも、第1,第2の出力
順序変換手段が設けられているので、第1,第2のリー
ドデータバス上のリードデータのシリアル出力順序を制
御でき、第7の発明と同様の効果が得られ、さらに出力
手段が設けられているので、該出力手段を1ポート又は
2ポートに変えることができ、第22の発明と同様の効
果が得られる。
【0108】第39の発明によれば、第1の発明とほぼ
同様の効果が得られる上に、アドレスバッファ手段が設
けられているので、第5の発明と同様の効果が得られ
る。しかも、第1,第2の出力順序変換手段が設けられ
ているので、第1,第2のリードデータバス上のリード
データのシリアル出力順序を制御でき、第8の発明と同
様の効果が得られ、さらに出力手段が設けられているの
で、該出力手段を1ポート又は2ポートに変えることが
でき、第22の発明と同様の効果が得られる。第40の
発明によれば、第1の発明とほぼ同様の効果が得られる
上に、アドレスバッファ手段が設けられているので、第
5の発明と同様の効果が得られる。しかも、第1,第2
の出力順序変換手段が設けられているので、第1,第2
のリードデータバス上のリードデータのシリアル出力順
序を制御でき、第9の発明と同様の効果が得られ、さら
に出力手段が設けられているので、該出力手段を1ポー
ト又は2ポートに変えることができ、第22の発明と同
様の効果が得られる。第41の発明によれば、第1の発
明とほぼ同様の効果が得られる上に、アドレスバッファ
手段が設けられているので、第5の発明と同様の効果が
得られる。しかも、第1,第2の出力順序変換手段が設
けられているので、第1,第2のリードデータバス上の
リードデータのシリアル出力順序を制御でき、第10の
発明と同様の効果が得られ、さらに出力手段が設けられ
ているので、該出力手段を1ポート又は2ポートに変え
ることができ、第22の発明と同様の効果が得られる。
第42の発明によれば、第38、第39、第40又は第
41の発明と同様の効果が得られるばかりか、互いに独
立したシリアルアドレスを第1,第2のシリアルアドレ
ス手段に供給する場合、互いに異なったアドレスの第
1,第2のデータレジスタ内のデータを選択できるた
め、第2の発明と同様の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を示すシリアルアクセス
メモリの概略の構成ブロック図である。
【図2】従来のシリアルアクセスメモリの概略の構成ブ
ロック図である。
【図3】図2の主要部分の回路図である。
【図4】図3の動作を示すタイミング図である。
【図5】従来のシリアルアクセスメモリによる液晶画面
駆動動作を示す図である。
【図6】図1の主要部分の回路図である。
【図7】図1に示すMSBコントロール手段の概略の回
路図である。
【図8】図7に示すMSBコントロール手段周辺の具体
的な回路図である。
【図9】図1のランダムアクセス動作を示す図である。
【図10】図1のシリアルアクセス動作を示す図であ
る。
【図11】図1のシリアルアクセスメモリによる液晶画
面駆動動作を示す図である。
【図12】本発明の第3の実施例を示すシリアルアクセ
スメモリの概略の構成ブロック図である。
【図13】本発明の第5の実施例を示すシリアルアクセ
スメモリの概略の構成ブロック図である。
【図14】本発明の第7の実施例を示すシリアルアクセ
スメモリの概略の構成ブロック図である。
【図15】図14に示す出力順序変換手段の回路図であ
る。
【図16】図15の動作を示すタイミング図である。
【図17】本発明の第8の実施例を示す出力順序変換手
段の回路図である。
【図18】図17の動作を示すタイミング図である。
【図19】本発明の第9の実施例を示す出力順序変換手
段の回路図である。
【図20】図19の動作を示すタイミング図である。
【図21】本発明の第10の実施例を示す出力順序変換
手段の回路図である。
【図22】図21に示すトリミング回路の回路図であ
る。
【図23】図21の動作を示すタイミング図である。
【図24】本発明の第12の実施例を示すシリアルアク
セスメモリの概略の構成ブロック図である。
【図25】本発明の第17の実施例を示すシリアルアク
セスメモリの概略の構成ブロック図である。
【図26】本発明の第22の実施例を示すシリアルアク
セスメモリの概略の構成ブロック図である。
【図27】図26に示す出力手段の回路図である。
【図28】本発明の第24の実施例を示すシリアルアク
セスメモリの概略の構成ブロック図である。
【図29】本発明の第26の実施例を示すシリアルアク
セスメモリの概略の構成ブロック図である。
【図30】本発明の第28の実施例を示すシリアルアク
セスメモリの概略の構成ブロック図である。
【図31】本発明の第33の実施例を示すシリアルアク
セスメモリの概略の構成ブロック図である。
【図32】本発明の第38の実施例を示すシリアルアク
セスメモリの概略の構成ブロック図である。
【符号の説明】
1A,1B 第1,第2のメモリセルア
レイ 2A,2B 第1,第2のXアドレス手
段 3 入力手段 4A,4B 第1,第2のライトデータ
バス 5A,5B 第1,第2のYアドレス手
段 6A,6B 第1,第2のリード転送手
段 7A,7B 第1,第2のデータレジス
タ 8A,8B 第1,第2のシリアルアド
レス手段 9A,9B 第1,第2のリードデータ
バス 10A,10B 第1,第2のシリアル出力
手段 30 液晶画面 31 上面LCD 32 下面LCD 33 上面用LCDドライバ 34 下面用LCDドライバ 40A,40B 第1,第2のMSBコント
ロール手段 50 シリアルアクセスメモリ 60 Xアドレスバッファ 61 アドレスバッファ手段 70A,70B 第1,第2の出力順序変換
手段 71 デコーダ 72−1〜72−4 NMOS 80 アドレスシフト回路 88−1〜88−4 ラッチ回路 89−1〜89−8 トライステートインバータ 90 シフト回路 91−1〜91−4 トリミング回路 100 出力手段 ADD アドレス CAS/ コラムアドレスストローブ
信号 CLK 同期コントロールクロック DT データ転送信号 IN 入力端子 OUTA,OUTB 第1,第2の出力端子 PIN アドレス順序入力用イネー
ブル信号 RAS/ ロウアドレスストローブ信
号 S0 ,S1 シリアル出力順序コントロ
ール用アドレス信号 S01,S11,…,S04,S14 シリアル出力順序決
定アドレス SYADD,SYADDA,SYADDB シリア
ルアドレス TFT/ 出力方式変換信号 XADDA,XADDB,XADDAa,XADDBa
Xアドレス YADD Yアドレス

Claims (42)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数のワードラインと複数のビットライ
    ン対との交差箇所に接続されたメモリセルがマトリクス
    状に配列された2分割構造の第1及び第2のメモリセル
    アレイと、 全体のXアドレスのうちの前半のXアドレスをデコード
    して前記第1のメモリセルアレイのワードラインを選択
    する第1のXアドレス手段と、 前記全体のXアドレスのうちの後半のXアドレスをデコ
    ードして前記第2のメモリセルアレイのワードラインを
    選択する第2のXアドレス手段と、 前記第1及び第2のメモリセルアレイに対する書込みデ
    ータをライトデータバスへ入力する共通の入力手段と、 共通のYアドレスをデコードして前記ライトデータバス
    と前記第1のメモリセルアレイのビットライン対とを選
    択的に接続する第1のYアドレス手段と、 前記Yアドレスをデコードして前記ライトデータバスと
    前記第2のメモリセルアレイのビットライン対とを選択
    的に接続する第2のYアドレス手段と、 前記第1,第2のメモリセルアレイのビットライン対上
    の読出しデータをそれぞれ格納する第1,第2のデータ
    レジスタと、 共通のデータ転送信号に基づき、前記第1のメモリセル
    アレイのビット線対上の読出しデータを前記第1のデー
    タレジスタへ転送する第1のリード転送手段と、 前記データ転送信号に基づき、前記第2のメモリセルア
    レイのビットライン対上の読出しデータを前記第2のデ
    ータレジスタへ転送する第2のリード転送手段と、 前記第1のデータレジスタをシリアルに選択して順次第
    1のリードデータバスに接続する第1のシリアルアドレ
    ス手段と、 前記第2のデータレジスタをシリアルに選択して順次第
    2のリードデータバスに接続する第2のシリアルアドレ
    ス手段と、 前記第1及び第2のリードデータバス上の読出しデータ
    をそれぞれシリアルに出力する第1及び第2のシリアル
    出力手段と、 前記データ転送信号に基づき、前記前半のXアドレス及
    び後半のXアドレスの最上位ビットを無効にするコント
    ロール手段とを、 備えたことを特徴とするシリアルアクセスメモリ。
  2. 【請求項2】 前記第1及び第2のシリアルアドレス手
    段は、共通のシリアルアドレス又は互いに独立したシリ
    アルアドレスに基づき、前記第1,第2のデータレジス
    タをシリアルに選択する構成にした請求項1記載のシリ
    アルアクセスメモリ。
  3. 【請求項3】 請求項1記載の第1,第2のメモリセル
    アレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手段、第
    1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータレジス
    タ、第1,第2のリード転送手段、第1,第2のシリア
    ルアドレス手段、及び第1,第2のシリアル出力手段
    と、 前記データ転送信号に基づき、前記後半のXアドレスが
    前記前半のXアドレスに等しくなるように該後半のXア
    ドレスを所定の値だけ減算してそれらの前半のXアドレ
    ス及び後半のXアドレスを前記第1及び第2のXアドレ
    ス手段にそれぞれ供給するXアドレスバッファとを、 備えたことを特徴とするシリアルアクセスメモリ。
  4. 【請求項4】 前記第1及び第2のシリアルアドレス手
    段は、共通のシリアルアドレス又は互いに独立したシリ
    アルアドレスに基づき、前記第1,第2のデータレジス
    タをシリアルに選択する構成にした請求項3記載のシリ
    アルアクセスメモリ。
  5. 【請求項5】 請求項1記載の第1,第2のメモリセル
    アレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手段、第
    1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータレジス
    タ、第1,第2のリード転送手段、第1,第2のシリア
    ルアドレス手段、及び第1,第2のシリアル出力手段
    と、 外部から供給されるアドレスを時分割して全体のXアド
    レスと共通のYアドレスを取込み、その共通のYアドレ
    スを前記第1及び第2のYアドレス手段に供給し、かつ
    前記データ転送信号に基づき、その全体のXアドレスの
    うちの後半のXアドレスが前半のXアドレスに等しくな
    るように該後半のXアドレスを所定の値だけ減算してそ
    れらの前半のXアドレス及び後半のXアドレスを前記第
    1及び第2のXアドレス手段にそれぞれ供給するアドレ
    スバッファ手段とを、 備えたことを特徴とするシリアルアクセスメモリ。
  6. 【請求項6】 前記第1及び第2のシリアルアドレス手
    段は、共通のシリアルアドレス又は互いに独立したシリ
    アルアドレスに基づき、前記第1,第2のデータレジス
    タをシリアルに選択する構成にした請求項5記載のシリ
    アルアクセスメモリ。
  7. 【請求項7】 請求項1記載の第1,第2のメモリセル
    アレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手段、第
    1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータレジス
    タ、第1,第2のリード転送手段、第1,第2のシリア
    ルアドレス手段、第1,第2のシリアル出力手段、及び
    コントロール手段と、 シリアル出力順序制御用のアドレス信号に基づき、前記
    第1のリードデータバス上の読出しデータをそのシリア
    ル出力順序を変換して前記第1のシリアル出力手段へ送
    る第1の出力順序変換手段と、 シリアル出力順序制御用のアドレス信号に基づき、前記
    第2のリードデータバス上の読出しデータをそのシリア
    ル出力順序を変換して前記第2のシリアル出力手段へ送
    る第2の出力順序変換手段とを、 備えたことを特徴とするシリアルアクセスメモリ。
  8. 【請求項8】 請求項1記載の第1,第2のメモリセル
    アレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手段、第
    1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータレジス
    タ、第1,第2のリード転送手段、第1,第2のシリア
    ルアドレス手段、第1,第2のシリアル出力手段、及び
    コントロール手段と、 アドレス順序入力用のイネーブル信号によって入力した
    シリアル出力順序制御用のアドレス信号からシリアル出
    力順序を決定し、その決定結果に基づき、同期コントロ
    ールクロックに同期して前記第1のリードデータバス上
    の読出しデータをそのシリアル出力順序を変換して前記
    第1のシリアル出力手段へ送る第1の出力順序変換手段
    と、 アドレス順序入力用のイネーブル信号によって入力した
    アドレス信号からシリアル出力順序を決定し、その決定
    結果に基づき、前記同期コントロールクロックに同期し
    て前記第2のリードデータバス上の読出しデータをその
    シリアル出力順序を変換して前記第2のシリアル出力手
    段へ送る第2の出力順序変換手段とを、 備えたことを特徴とするシリアルアクセスメモリ。
  9. 【請求項9】 請求項1記載の第1,第2のメモリセル
    アレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手段、第
    1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータレジス
    タ、第1,第2のリード転送手段、第1,第2のシリア
    ルアドレス手段、第1,第2のシリアル出力手段、及び
    コントロール手段と、 アドレス順序入力用のイネーブル信号によって入力した
    シリアル出力順序決定アドレスに基づき、同期コントロ
    ールクロックに同期して前記第1のリードデータバス上
    の読出しデータをそのシリアル出力順序を変換して前記
    第1のシリアル出力手段へ送る第1の出力順序変換手段
    と、 アドレス順序入力用のイネーブル信号によって入力した
    シリアル出力順序決定アドレスに基づき、前記同期コン
    トロールクロックに同期して前記第2のリードデータバ
    ス上の読出しデータをそのシリアル出力順序を変換して
    前記第2のシリアル出力手段へ送る第2の出力順序変換
    手段とを、 備えたことを特徴とするシリアルアクセスメモリ。
  10. 【請求項10】 請求項1記載の第1,第2のメモリセ
    ルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手段、第
    1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータレジス
    タ、第1,第2のリード転送手段、第1,第2のシリア
    ルアドレス手段、第1,第2のシリアル出力手段、及び
    コントロール手段と、 フューズを有するトリミング回路で設定したシリアル出
    力順序決定アドレスに基づき、同期コントロールクロッ
    クに同期して前記第1のリードデータバス上の読出しデ
    ータをそのシリアル出力順序を変換して前記第1のシリ
    アル出力手段へ送る第1の出力順序変換手段と、 フューズを有するトリミング回路で設定したシリアル出
    力順序決定アドレスに基づき、前記同期コントロールク
    ロックに同期して前記第2のリードデータバス上の読出
    しデータをそのシリアル出力順序を変換して前記第2の
    シリアル出力手段へ送る第2の出力順序変換手段とを、 備えたことを特徴とするシリアルアクセスメモリ。
  11. 【請求項11】 前記第1及び第2のシリアルアドレス
    手段は、共通のシリアルアドレス又は互いに独立したシ
    リアルアドレスに基づき、前記第1,第2のデータレジ
    スタをシリアルに選択する構成にした請求項7、8、9
    又は10記載のシリアルアドレスメモリ。
  12. 【請求項12】 請求項1記載の第1,第2のメモリセ
    ルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手段、第
    1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータレジス
    タ、第1,第2のリード転送手段、第1,第2のシリア
    ルアドレス手段、及び第1,第2のシリアル出力手段
    と、 前記データ転送信号に基づき、前記後半のXアドレスが
    前記前半のXアドレスに等しくなるように該後半のXア
    ドレスを所定の値だけ減算してそれらの前半のXアドレ
    ス及び後半のXアドレスを前記第1及び第2のXアドレ
    ス手段にそれぞれ供給するXアドレスバッファと、 シリアル出力順序制御用のアドレス信号に基づき、前記
    第1のリードデータバス上の読出しデータをそのシリア
    ル出力順序を変換して前記第1のシリアル出力手段へ送
    る第1の出力順序変換手段と、 シリアル出力順序制御用のアドレス信号に基づき、前記
    第2のリードデータバス上の読出しデータをそのシリア
    ル出力順序を変換して前記第2のシリアル出力手段へ送
    る第2の出力順序変換手段とを、 備えたことを特徴とするシリアルアクセスメモリ。
  13. 【請求項13】 請求項1記載の第1,第2のメモリセ
    ルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手段、第
    1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータレジス
    タ、第1,第2のリード転送手段、第1,第2のシリア
    ルアドレス手段、及び第1,第2のシリアル出力手段
    と、 前記データ転送信号に基づき、前記後半のXアドレスが
    前記前半のXアドレスに等しくなるように該後半のXア
    ドレスを所定の値だけ減算してそれらの前半のXアドレ
    ス及び後半のXアドレスを前記第1及び第2のXアドレ
    ス手段にそれぞれ供給するXアドレスバッファと、 アドレス順序入力用のイネーブル信号によって入力した
    シリアル出力順序制御用のアドレス信号からシリアル出
    力順序を決定し、その決定結果に基づき、同期コントロ
    ールクロックに同期して前記第1のリードデータバス上
    の読出しデータをそのシリアル出力順序を変換して前記
    第1のシリアル出力手段へ送る第1の出力順序変換手段
    と、 アドレス順序入力用のイネーブル信号によって入力した
    アドレス信号からシリアル出力順序を決定し、その決定
    結果に基づき、前記同期コントロールクロックに同期し
    て前記第2のリードデータバス上の読出しデータをその
    シリアル出力順序を変換して前記第2のシリアル出力手
    段へ送る第2の出力順序変換手段とを、備えたことを特
    徴とするシリアルアクセスメモリ。
  14. 【請求項14】 請求項1記載の第1,第2のメモリセ
    ルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手段、第
    1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータレジス
    タ、第1,第2のリード転送手段、第1,第2のシリア
    ルアドレス手段、及び第1,第2のシリアル出力手段
    と、 前記データ転送手段に基づき、前記後半のXアドレスが
    前記前半のXアドレスに等しくなるように該後半のXア
    ドレスを所定の値だけ減算してそれらの前半のXアドレ
    ス及び後半のXアドレスを前記第1及び第2のXアドレ
    ス手段にそれぞれ供給するXアドレスバッファと、 アドレス順序入力用のイネーブル信号によって入力した
    シリアル出力順序決定アドレスに基づき、同期コントロ
    ールクロックに同期して前記第1のリードデータバス上
    の読出しデータをそのシリアル出力順序を変換して前記
    第1のシリアル出力手段へ送る第1の出力順序変換手段
    と、 アドレス順序入力用のイネーブル信号によって入力した
    シリアル出力順序決定アドレスに基づき、前記同期コン
    トロールクロックに同期して前記第2のリードデータバ
    ス上の読出しデータをそのシリアル出力順序を変換して
    前記第2のシリアル出力手段へ送る第2の出力順序変換
    手段とを、 備えたことを特徴とするシリアルアクセスメモリ。
  15. 【請求項15】 請求項1記載の第1,第2のメモリセ
    ルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手段、第
    1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータレジス
    タ、第1,第2のリード転送手段、第1,第2のシリア
    ルアドレス手段、及び第1,第2のシリアル出力手段
    と、 前記データ転送手段に基づき、前記後半のXアドレスが
    前記前半のXアドレスに等しくなるように該後半のXア
    ドレスを所定の値だけ減算してそれらの前半のXアドレ
    ス及び後半のXアドレスを前記第1及び第2のXアドレ
    ス手段にそれぞれ供給するXアドレスバッファと、 フューズを有するトリミング回路で設定したシリアル出
    力順序決定アドレスに基づき、同期コントロールクロッ
    クに同期して前記第1のリードデータバス上の読出しデ
    ータをそのシリアル出力順序を変換して前記第1のシリ
    アル出力手段へ送る第1の出力順序変換手段と、 フューズを有するトリミング回路で設定したシリアル出
    力順序決定アドレスに基づき、前記同期コントロールク
    ロックに同期して前記第2のリードデータバス上の読出
    しデータをそのシリアル出力順序を変換して前記第2の
    シリアル出力手段へ送る第2の出力順序変換手段とを、 備えたことを特徴とするシリアルアクセスメモリ。
  16. 【請求項16】 前記第1及び第2のシリアルアドレス
    手段は、共通のシリアルアドレス又は互いに独立したシ
    リアルアドレスに基づき、前記第1,第2のデータレジ
    スタをシリアルに選択する構成にした請求項12、1
    3、14又は15記載のシリアルアクセスメモリ。
  17. 【請求項17】 請求項1記載の第1,第2のメモリセ
    ルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手段、第
    1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータレジス
    タ、第1,第2のリード転送手段、第1,第2のシリア
    ルアドレス手段、及び第1,第2のシリアル出力手段
    と、 外部から供給されるアドレスを時分割して全体のXアド
    レスと共通のYアドレスを取込み、その共通のYアドレ
    スを前記第1及び第2のYアドレス手段に供給し、かつ
    前記データ転送信号に基づき、その全体のXアドレスの
    うちの後半のXアドレスが前半のXアドレスに等しくな
    るように該後半のXアドレスを所定の値だけ減算してそ
    れらの前半のXアドレス及び後半のXアドレスを前記第
    1及び第2のXアドレス手段にそれぞれ供給するアドレ
    スバッファ手段と、 シリアル出力順序制御用のアドレス信号に基づき、前記
    第1のリードデータバス上の読出しデータをそのシリア
    ル出力順序を変換して前記第1のシリアル出力手段へ送
    る第1の出力順序変換手段と、 シリアル出力順序制御用のアドレス信号に基づき、前記
    第2のリードデータバス上の読出しデータをそのシリア
    ル出力順序を変換して前記第2のシリアル出力手段へ送
    る第2の出力順序変換手段とを、 備えたことを特徴とするシリアルアクセスメモリ。
  18. 【請求項18】 請求項1記載の第1,第2のメモリセ
    ルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手段、第
    1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータレジス
    タ、第1,第2のリード転送手段、第1,第2のシリア
    ルアドレス手段、及び第1,第2のシリアル出力手段
    と、 外部から供給されるアドレスを時分割して全体のXアド
    レスと共通のYアドレスを取込み、その共通のYアドレ
    スを前記第1及び第2のYアドレス手段に供給し、かつ
    前記データ転送信号に基づき、その全体のXアドレスの
    うちの後半のXアドレスが前半のXアドレスに等しくな
    るように該後半のXアドレスを所定の値だけ減算してそ
    れらの前半のXアドレス及び後半のXアドレスを前記第
    1及び第2のXアドレス手段にそれぞれ供給するアドレ
    スバッファ手段と、 アドレス順序入力用のイネーブル信号によって入力した
    シリアル出力順序制御用のアドレス信号からシリアル出
    力順序を決定し、その決定結果に基づき、同期コントロ
    ールクロックに同期して前記第1のリードデータバス上
    の読出しデータをそのシリアル出力順序を変換して前記
    第1のシリアル出力手段へ送る第1の出力順序変換手段
    と、 アドレス順序入力用のイネーブル信号によって入力した
    アドレス信号からシリアル出力順序を決定し、その決定
    結果に基づき、前記同期コントロールクロックに同期し
    て前記第2のリードデータバス上の読出しデータをその
    シリアル出力順序を変換して前記第2のシリアル出力手
    段へ送る第2の出力順序変換手段とを、 備えたことを特徴とするシリアルアクセスメモリ。
  19. 【請求項19】 請求項1記載の第1,第2のメモリセ
    ルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手段、第
    1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータレジス
    タ、第1,第2のリード転送手段、第1,第2のシリア
    ルアドレス手段、及び第1,第2のシリアル出力手段
    と、 外部から供給されるアドレスを時分割して全体のXアド
    レスと共通のYアドレスを取込み、その共通のYアドレ
    スを前記第1及び第2のYアドレス手段に供給し、かつ
    前記データ転送信号に基づき、その全体のXアドレスの
    うちの後半のXアドレスが前半のXアドレスに等しくな
    るように該後半のXアドレスを所定の値だけ減算してそ
    れらの前半のXアドレス及び後半のXアドレスを前記第
    1及び第2のXアドレス手段にそれぞれ供給するアドレ
    スバッファ手段と、 アドレス順序入力用のイネーブル信号によって入力した
    シリアル出力順序決定アドレスに基づき、同期コントロ
    ールクロックに同期して前記第1のリードデータバス上
    の読出しデータをそのシリアル出力順序を変換して前記
    第1のシリアル出力手段へ送る第1の出力順序変換手段
    と、 アドレス順序入力用のイネーブル信号によって入力した
    シリアル出力順序決定アドレスに基づき、前記同期コン
    トロールクロックに同期して前記第2のリードデータバ
    ス上の読出しデータをそのシリアル出力順序を変換して
    前記第2のシリアル出力手段へ送る第2の出力順序変換
    手段とを、 備えたことを特徴とするシリアルアクセスメモリ。
  20. 【請求項20】 請求項1記載の第1,第2のメモリセ
    ルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手段、第
    1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータレジス
    タ、第1,第2のリード転送手段、第1,第2のシリア
    ルアドレス手段、及び第1,第2のシリアル出力手段
    と、 外部から供給されるアドレスを時分割して全体のXアド
    レスと共通のYアドレスを取込み、その共通のYアドレ
    スを前記第1及び第2のYアドレス手段に供給し、かつ
    前記データ転送信号に基づき、その全体のXアドレスの
    うちの後半のXアドレスが前半のXアドレスに等しくな
    るように該後半のXアドレスを所定の値だけ減算してそ
    れらの前半のXアドレス及び後半のXアドレスを前記第
    1及び第2のXアドレス手段にそれぞれ供給するアドレ
    スバッファ手段と、 フューズを有するトリミング回路で設定したシリアル出
    力順序決定アドレスに基づき、同期コントロールクロッ
    クに同期して前記第1のリードデータバス上の読出しデ
    ータをそのシリアル出力順序を変換して前記第1のシリ
    アル出力手段へ送る第1の出力順序変換手段と、 フューズを有するトリミング回路で設定したシリアル出
    力順序決定アドレスに基づき、前記同期コントロールク
    ロックに同期して前記第2のリードデータバス上の読出
    しデータをそのシリアル出力順序を変換して前記第2の
    シリアル出力手段へ送る第2の出力順序変換手段とを、 備えたことを特徴とするシリアルアクセスメモリ。
  21. 【請求項21】 前記第1及び第2のシリアルアドレス
    手段は、共通のシリアルアドレス又は互いに独立したシ
    リアルアドレスに基づき、前記第1,第2のデータレジ
    スタをシリアルに選択する構成にした請求項17、1
    8、19又は20記載のシリアルアクセスメモリ。
  22. 【請求項22】 請求項1記載の第1,第2のメモリセ
    ルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手段、第
    1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータレジス
    タ、第1,第2のリード転送手段、第1,第2のシリア
    ルアドレス手段、及びコントロール手段と、 出力方式変換信号のレベル制御によって前記第1,第2
    のリードデータバスと2個の出力端子との切換え接続が
    可能な出力手段とを、 備えたことを特徴とするシリアルアクセスメモリ。
  23. 【請求項23】 前記第1及び第2のシリアルアドレス
    手段は、共通のシリアルアドレス又は互いに独立したシ
    リアルアドレスに基づき、前記第1,第2のデータレジ
    スタをシリアルに選択する構成にした請求項22記載の
    シリアルアクセスメモリ。
  24. 【請求項24】 請求項1記載の第1,第2のメモリセ
    ルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手段、第
    1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータレジス
    タ、第1,第2のリード転送手段、及び第1,第2のシ
    リアルアドレス手段と、 前記データ転送信号に基づき、前記後半のXアドレスが
    前記前半のXアドレスに等しくなるように該後半のXア
    ドレスを所定の値だけ減算してそれらの前半のXアドレ
    ス及び後半のXアドレスを前記第1及び第2のXアドレ
    ス手段にそれぞれ供給するXアドレスバッファと、 出力方式変換信号のレベル制御によって前記第1,第2
    のリードデータバスと2個の出力端子との切換え接続が
    可能な出力手段とを、 備えたことを特徴とするシリアルアクセスメモリ。
  25. 【請求項25】 前記第1及び第2のシリアルアドレス
    手段は、 共通のシリアルアドレス又は互いに独立したシリアルア
    ドレスに基づき、前記第1,第2のデータレジスタをシ
    リアルに選択する構成にした請求項24記載のシリアル
    アクセスメモリ。
  26. 【請求項26】 請求項1記載の第1,第2のメモリセ
    ルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手段、第
    1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータレジス
    タ、第1,第2のリード転送手段、及び第1,第2のシ
    リアルアドレス手段と、 外部から供給されるアドレスを時分割して全体のXアド
    レスと共通のYアドレスを取込み、その共通のYアドレ
    スを前記第1及び第2のYアドレス手段に供給し、かつ
    前記データ転送信号に基づき、その全体のXアドレスの
    うちの後半のXアドレスが前半のXアドレスに等しくな
    るように該後半のXアドレスを所定の値だけ減算してそ
    れらの前半のXアドレス及び後半のXアドレスを前記第
    1及び第2のXアドレス手段にそれぞれ供給するアドレ
    スバッファ手段と、 出力方式変換信号のレベル制御によって前記第1,第2
    のリードデータバスと2個の出力端子との切換え接続が
    可能な出力手段とを、 備えたことを特徴とするシリアルアクセスメモリ。
  27. 【請求項27】 前記第1及び第2のシリアルアドレス
    手段は、共通のシリアルアドレス又は互いに独立したシ
    リアルアドレスに基づき、前記第1,第2のデータレジ
    スタをシリアルに選択する構成にした請求項26記載の
    シリアルアクセスメモリ。
  28. 【請求項28】 請求項1記載の第1,第2のメモリセ
    ルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手段、第
    1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータレジス
    タ、第1,第2のリード転送手段、第1,第2のシリア
    ルアドレス手段、及びコントロール手段と、 シリアル出力順序制御用のアドレス信号に基づき、前記
    第1のリードデータバス上の読出しデータをそのシリア
    ル出力順序を変換して前記第1のシリアル出力手段へ送
    る第1の出力順序変換手段と、 シリアル出力順序制御用のアドレスに基づき、前記第2
    のリードデータバス上の読出しデータをそのシリアル出
    力順序を変換して前記第2のシリアル出力手段へ送る第
    2の出力順序変換手段と、 出力方式変換信号のレベル制御によって前記第1,第2
    のリードデータバスと2個の出力端子との切換え接続が
    可能な出力手段とを、 備えたことを特徴とするシリアルアクセスメモリ。
  29. 【請求項29】 請求項1記載の第1,第2のメモリセ
    ルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手段、第
    1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータレジス
    タ、第1,第2のリード転送手段、第1,第2のシリア
    ルアドレス手段、及びコントロール手段と、 アドレス順序入力用のイネーブル信号によって入力した
    シリアル出力順序制御用のアドレス信号からシリアル出
    力順序を決定し、その決定結果に基づき、同期コントロ
    ールクロックに同期して前記第1のリードデータバス上
    の読出しデータをそのシリアル出力順序を変換して前記
    第1のシリアル出力手段へ送る第1の出力順序変換手段
    と、 アドレス順序入力用のイネーブル信号によって入力した
    アドレス信号からシリアル出力順序を決定し、その決定
    結果に基づき、前記同期コントロールクロックに同期し
    て前記第2のリードデータバス上の読出しデータをその
    シリアル出力順序を変換して前記第2のシリアル出力手
    段へ送る第2の出力順序変換手段と、 出力方式変換信号のレベル制御によって前記第1,第2
    のリードデータバスと2個の出力端子との切換え接続が
    可能な出力手段とを、 備えたことを特徴とするシリアルアクセスメモリ。
  30. 【請求項30】 請求項1記載の第1,第2のメモリセ
    ルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手段、第
    1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータレジス
    タ、第1,第2のリード転送手段、第1,第2のシリア
    ルアドレス手段、及びコントロール手段と、 アドレス順序入力用のイネーブル信号によって入力した
    シリアル出力順序決定アドレスに基づき、同期コントロ
    ールクロックに同期して前記第1のリードデータバス上
    の読出しデータをそのシリアル出力順序を変換して前記
    第1のシリアル出力手段へ送る第1の出力順序変換手段
    と、 アドレス順序入力用のイネーブル信号によって入力した
    シリアル出力順序決定アドレスに基づき、前記同期コン
    トロールクロックに同期して前記第2のリードデータバ
    ス上の読出しデータをそのシリアル出力順序を変換して
    前記第2のシリアル出力手段へ送る第2の出力順序変換
    手段と、 出力方式変換信号のレベル制御によって前記第1,第2
    のリードデータバスと2個の出力端子との切換え接続が
    可能な出力手段とを、 備えたことを特徴とするシリアルアクセスメモリ。
  31. 【請求項31】 請求項1記載の第1,第2のメモリセ
    ルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手段、第
    1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータレジス
    タ、第1,第2のリード転送手段、第1,第2のシリア
    ルアドレス手段、第1,第2のシリアル出力手段、及び
    コントロール手段と、 フューズを有するトリミング回路で設定したシリアル出
    力順序決定アドレスに基づき、同期コントロールクロッ
    クに同期して前記第1のリードデータバス上の読出しデ
    ータをそのシリアル出力順序を変換して前記第1のシリ
    アル出力手段へ送る第1の出力順序変換手段と、 フューズを有するトリミング回路で設定したシリアル出
    力順序決定アドレスに基づき、前記同期コントロールク
    ロックに同期して前記第2のリードデータバス上の読出
    しデータをそのシリアル出力順序を変換して前記第2の
    シリアル出力手段へ送る第2の出力順序変換手段と、 出力方式変換信号のレベル制御によって前記第1,第2
    のリードデータバスと2個の出力端子との切換え接続が
    可能な出力手段とを、 備えたことを特徴とするシリアルアクセスメモリ。
  32. 【請求項32】 前記第1及び第2のシリアルアドレス
    手段は、共通のシリアルアドレス又は互いに独立したシ
    リアルアドレスに基づき、前記第1,第2のデータレジ
    スタをシリアルに選択する構成にした請求項28、2
    9、30又は31記載のシリアルアクセスメモリ。
  33. 【請求項33】 請求項1記載の第1,第2のメモリセ
    ルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手段、第
    1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータレジス
    タ、第1,第2のリード転送手段、及び第1,第2のシ
    リアルアドレス手段と、 前記データ転送信号に基づき、前記後半のXアドレスが
    前記前半のXアドレスに等しくなるように該後半のXア
    ドレスを所定の値だけ減算してそれらの前半のXアドレ
    ス及び後半のXアドレスを前記第1及び第2のXアドレ
    ス手段にそれぞれ供給するXアドレスバッファと、 シリアル出力順序制御用のアドレス信号に基づき、前記
    第1のリードデータバス上の読出しデータをそのシリア
    ル出力順序を変換して前記第1のシリアル出力手段へ送
    る第1の出力順序変換手段と、 シリアル出力順序制御用のアドレス信号に基づき、前記
    第2のリードデータバス上の読出しデータをそのシリア
    ル出力順序を変換して前記第2のシリアル出力手段へ送
    る第2の出力順序変換手段と、 出力方式変換信号のレベル制御によって前記第1,第2
    のリードデータバスと2個の出力端子との切換え接続が
    可能な出力手段とを、 備えたことを特徴とするシリアルアクセスメモリ。
  34. 【請求項34】 請求項1記載の第1,第2のメモリセ
    ルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手段、第
    1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータレジス
    タ、第1,第2のリード転送手段、第1,第2のシリア
    ルアドレス手段、及びコントロール手段と、 アドレス順序入力用のイネーブル信号によって入力した
    シリアル出力順序制御用のアドレス信号からシリアル出
    力順序を決定し、その決定結果に基づき、同期コントロ
    ールクロックに同期して前記第1のリードデータバス上
    の読出しデータをそのシリアル出力順序を変換して前記
    第1のシリアル出力手段へ送る第1の出力順序変換手段
    と、 アドレス順序入力用のイネーブル信号によって入力した
    アドレス信号からシリアル出力順序を決定し、その決定
    結果に基づき、前記同期コントロールクロックに同期し
    て前記第2のリードデータバス上の読出しデータをその
    シリアル出力順序を変換して前記第2のシリアル出力手
    段へ送る第2の出力順序変換手段と、 出力方式変換信号のレベル制御によって前記第1,第2
    のリードデータバスと2個の出力端子との切換え接続が
    可能な出力手段とを、 備えたことを特徴とするシリアルアクセスメモリ。
  35. 【請求項35】 請求項1記載の第1,第2のメモリセ
    ルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手段、第
    1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータレジス
    タ、第1,第2のリード転送手段、第1,第2のシリア
    ルアドレス手段、及びコントロール手段と、 アドレス順序入力用のイネーブル信号によって入力した
    シリアル出力順序決定アドレスに基づき、同期コントロ
    ールクロックに同期して前記第1のリードデータバス上
    の読出しデータをそのシリアル出力順序を変換して前記
    第1のシリアル出力手段へ送る第1の出力順序変換手段
    と、 アドレス順序入力用のイネーブル信号によって入力した
    シリアル出力順序決定アドレスに基づき、前記同期コン
    トロールクロックに同期して前記第2のリードデータバ
    ス上の読出しデータをそのシリアル出力順序を変換して
    前記第2のシリアル出力手段へ送る第2の出力順序変換
    手段と、 出力方式変換信号のレベル制御によって前記第1,第2
    のリードデータバスと2個の出力端子との切換え接続が
    可能な出力手段とを、 備えたことを特徴とするシリアルアクセスメモリ。
  36. 【請求項36】 請求項1記載の第1,第2のメモリセ
    ルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手段、第
    1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータレジス
    タ、第1,第2のリード転送手段、第1,第2のシリア
    ルアドレス手段、及びコントロール手段と、 フューズを有するトリミング回路で設定したシリアル出
    力順序決定アドレスに基づき、同期コントロールクロッ
    クに同期して前記第1のリードデータバス上の読出しデ
    ータをそのシリアル出力順序を変換して前記第1のシリ
    アル出力手段へ送る第1の出力順序変換手段と、 フューズを有するトリミング回路で設定したシリアル出
    力順序決定アドレスに基づき、前記同期コントロールク
    ロックに同期して前記第2のリードデータバス上の読出
    しデータをそのシリアル出力順序を変換して前記第2の
    シリアル出力手段へ送る第2の出力順序変換手段と、 出力方式変換信号のレベル制御によって前記第1,第2
    のリードデータバスと2個の出力端子との切換え接続が
    可能な出力手段とを、 備えたことを特徴とするシリアルアクセスメモリ。
  37. 【請求項37】 前記第1及び第2のシリアルアドレス
    手段は、共通のシリアルアドレス又は互いに独立したシ
    リアルアドレスに基づき、前記第1,第2のデータレジ
    スタをシリアルに選択する構成にした請求項33、3
    4、35又は36記載のシリアルアクセスメモリ。
  38. 【請求項38】 請求項1記載の第1,第2のメモリセ
    ルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手段、第
    1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータレジス
    タ、第1,第2のリード転送手段、及び第1,第2のシ
    リアルアドレス手段と、 外部から供給されるアドレスを時分割して全体のXアド
    レスと共通のYアドレスを取込み、その共通のYアドレ
    スを前記第1及び第2のYアドレス手段に供給し、かつ
    前記データ転送信号に基づき、その全体のXアドレスの
    うちの後半のXアドレスが前半のXアドレスに等しくな
    るように該後半のXアドレスを所定の値だけ減算してそ
    れらの前半のXアドレス及び後半のXアドレスを前記第
    1及び第2のXアドレス手段にそれぞれ供給するアドレ
    スバッファ手段と、 シリアル出力順序制御用のアドレス信号に基づき、前記
    第1のリードデータバス上の読出しデータをそのシリア
    ル出力順序を変換して前記第1のシリアル出力手段へ送
    る第1の出力順序変換手段と、 シリアル出力順序制御用のアドレス信号に基づき、前記
    第2のリードデータバス上の読出しデータをそのシリア
    ル出力順序を変換して前記第2のシリアル出力手段へ送
    る第2の出力順序変換手段と、 出力方式変換信号のレベル制御によって前記第1,第2
    のリードデータバスと2個の出力端子との切換え接続が
    可能な出力手段とを、 備えたことを特徴とするシリアルアクセスメモリ。
  39. 【請求項39】 請求項1記載の第1,第2のメモリセ
    ルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手段、第
    1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータレジス
    タ、第1,第2のリード転送手段、及び第1,第2のシ
    リアルアドレス手段と、 外部から供給されるアドレスを時分割して全体のXアド
    レスと共通のYアドレスを取込み、その共通のYアドレ
    スを前記第1及び第2のYアドレス手段に供給し、かつ
    前記データ転送信号に基づき、その全体のXアドレスの
    うちの後半のXアドレスが前半のXアドレスに等しくな
    るように該後半のXアドレスを所定の値だけ減算してそ
    れらの前半のXアドレス及び後半のXアドレスを前記第
    1及び第2のXアドレス手段にそれぞれ供給するアドレ
    スバッファ手段と、 アドレス順序入力用のイネーブル信号によって入力した
    シリアル出力順序制御用のアドレス信号からシリアル出
    力順序を決定し、その決定結果に基づき、同期コントロ
    ールクロックに同期して前記第1のリードデータバス上
    の読出しデータをそのシリアル出力順序を変換して前記
    第1のシリアル出力手段へ送る第1の出力順序変換手段
    と、 アドレス順序入力用のイネーブル信号によって入力した
    アドレス信号からシリアル出力順序を決定し、その決定
    結果に基づき、前記同期コントロールクロックに同期し
    て前記第2のリードデータバス上の読出しデータをその
    シリアル出力順序を変換して前記第2のシリアル出力手
    段へ送る第2の出力順序変換手段と、 出力方式変換信号のレベル制御によって前記第1,第2
    のリードデータバスと2個の出力端子との切換え接続が
    可能な出力手段とを、 備えたことを特徴とするシリアルアクセスメモリ。
  40. 【請求項40】 請求項1記載の第1,第2のメモリセ
    ルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手段、第
    1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータレジス
    タ、第1,第2のリード転送手段、及び第1,第2のシ
    リアルアドレス手段と、 外部から供給されるアドレスを時分割して全体のXアド
    レスと共通のYアドレスを取込み、その共通のYアドレ
    スを前記第1及び第2のYアドレス手段に供給し、かつ
    前記データ転送信号に基づき、その全体のXアドレスの
    うちの後半のXアドレスが前半のXアドレスに等しくな
    るように該後半のXアドレスを所定の値だけ減算してそ
    れらの前半のXアドレス及び後半のXアドレスを前記第
    1及び第2のXアドレス手段にそれぞれ供給するアドレ
    スバッファ手段と、 アドレス順序入力用のイネーブル信号によって入力した
    シリアル出力順序決定アドレスに基づき、同期コントロ
    ールクロックに同期して前記第1のリードデータバス上
    の読出しデータをそのシリアル出力順序を変換して前記
    第1のシリアル出力手段へ送る第1の出力順序変換手段
    と、 アドレス順序入力用のイネーブル信号によって入力した
    シリアル出力順序決定アドレスに基づき、前記同期コン
    トロールクロックに同期して前記第2のリードデータバ
    ス上の読出しデータをそのシリアル出力順序を変換して
    前記第2のシリアル出力手段へ送る第2の出力順序変換
    手段と、 出力方式変換信号のレベル制御によって前記第1,第2
    のリードデータバスと2個の出力端子との切換え接続が
    可能な出力手段とを、 備えたことを特徴とするシリアルアクセスメモリ。
  41. 【請求項41】 請求項1記載の第1,第2のメモリセ
    ルアレイ、第1,第2のXアドレス手段、入力手段、第
    1,第2のYアドレス手段、第1,第2のデータレジス
    タ、第1,第2のリード転送手段、及び第1,第2のシ
    リアルアドレス手段と、 外部から供給されるアドレスを時分割して全体のXアド
    レスと共通のYアドレスを取込み、その共通のYアドレ
    スを前記第1及び第2のYアドレス手段に供給し、かつ
    前記データ転送信号に基づき、その全体のXアドレスの
    うちの後半のXアドレスが前半のXアドレスに等しくな
    るように該後半のXアドレスを所定の値だけ減算してそ
    れらの前半のXアドレス及び後半のXアドレスを前記第
    1及び第2のXアドレス手段にそれぞれ供給するアドレ
    スバッファ手段と、 フューズを有するトリミング回路で設定したシリアル出
    力順序決定アドレスに基づき、同期コントロールクロッ
    クに同期して前記第1のリードデータバス上の読出しデ
    ータをそのシリアル出力順序を変換して前記第1のシリ
    アル出力手段へ送る第1の出力順序変換手段と、 フューズを有するトリミング回路で設定したシリアル出
    力順序決定アドレスに基づき、前記同期コントロールク
    ロックに同期して前記第2のリードデータバス上の読出
    しデータをそのシリアル出力順序を変換して前記第2の
    シリアル出力手段へ送る第2の出力順序変換手段と、 出力方式変換信号のレベル制御によって前記第1,第2
    のリードデータバスと2個の出力端子との切換え接続が
    可能な出力手段とを、 備えたことを特徴とするシリアルアクセスメモリ。
  42. 【請求項42】 前記第1及び第2のシリアルレジスタ
    手段は、共通のシリアルアドレス又は互いに独立したシ
    リアルアドレスに基づき、前記第1,第2のデータレジ
    スタをシリアルに選択する構成にした請求項38、3
    9、40又は41記載のシリアルアクセスメモリ。
JP04287529A 1992-10-26 1992-10-26 シリアルアクセスメモリ Expired - Fee Related JP3096362B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP04287529A JP3096362B2 (ja) 1992-10-26 1992-10-26 シリアルアクセスメモリ
KR1019930018702A KR100315738B1 (ko) 1992-10-26 1993-09-16 시리얼액세스메모리
DE69331457T DE69331457T2 (de) 1992-10-26 1993-10-26 Serieller Zugriffspeicher
US08/141,664 US6310596B1 (en) 1992-10-26 1993-10-26 Serial access memory
EP93117304A EP0595251B1 (en) 1992-10-26 1993-10-26 A serial access memory

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP04287529A JP3096362B2 (ja) 1992-10-26 1992-10-26 シリアルアクセスメモリ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06139770A true JPH06139770A (ja) 1994-05-20
JP3096362B2 JP3096362B2 (ja) 2000-10-10

Family

ID=17718522

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP04287529A Expired - Fee Related JP3096362B2 (ja) 1992-10-26 1992-10-26 シリアルアクセスメモリ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6310596B1 (ja)
EP (1) EP0595251B1 (ja)
JP (1) JP3096362B2 (ja)
KR (1) KR100315738B1 (ja)
DE (1) DE69331457T2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100496790B1 (ko) * 1997-08-26 2005-09-12 삼성전자주식회사 반도체장치의디코더회로
JP2007220245A (ja) * 2005-06-22 2007-08-30 Seiko Epson Corp 強誘電体メモリ装置及び表示用駆動ic

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3929206B2 (ja) * 1999-06-25 2007-06-13 株式会社アドバンスト・ディスプレイ 液晶表示装置
JP3659139B2 (ja) * 1999-11-29 2005-06-15 セイコーエプソン株式会社 Ram内蔵ドライバ並びにそれを用いた表示ユニットおよび電子機器
JP3508837B2 (ja) * 1999-12-10 2004-03-22 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 液晶表示装置、液晶コントローラ、ビデオ信号伝送方法
JP4066357B2 (ja) * 2003-06-24 2008-03-26 松下電器産業株式会社 半導体記憶装置
DE102004025899B4 (de) * 2004-05-27 2010-06-10 Qimonda Ag Verfahren zum Aktivieren und Deaktivieren von elektronischen Schaltungseinheiten und Schaltungsanordnung zur Durchführung des Verfahrens
US7613049B2 (en) * 2007-01-08 2009-11-03 Macronix International Co., Ltd Method and system for a serial peripheral interface
KR101975330B1 (ko) * 2012-04-06 2019-05-07 삼성전자주식회사 퓨즈 장치에 저장된 데이터를 리드하는 방법 및 이를 이용하는 장치들
US9779784B2 (en) * 2014-10-29 2017-10-03 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for performing logical operations using sensing circuitry
JP2016167331A (ja) * 2015-03-10 2016-09-15 株式会社東芝 半導体記憶装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2712575C2 (de) * 1977-03-22 1985-12-19 Walter Dipl.-Ing. 8011 Putzbrunn Motsch Assoziatives Speichersystem in hochintegrierter Halbleitertechnik
US4450538A (en) 1978-12-23 1984-05-22 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Address accessed memory device having parallel to serial conversion
DE3015125A1 (de) * 1980-04-19 1981-10-22 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Einrichtung zur speicherung und darstellung graphischer information
JPS5956284A (ja) * 1982-09-24 1984-03-31 Hitachi Micro Comput Eng Ltd 半導体記憶装置
US4562435A (en) * 1982-09-29 1985-12-31 Texas Instruments Incorporated Video display system using serial/parallel access memories
JPS60160780A (ja) * 1984-01-31 1985-08-22 Nec Corp 特殊効果用画像記憶装置
JPS6167154A (ja) * 1984-09-11 1986-04-07 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
EP0179605B1 (en) * 1984-10-17 1992-08-19 Fujitsu Limited Semiconductor memory device having a serial data input circuit and a serial data output circuit
JPS61213896A (ja) * 1985-03-19 1986-09-22 株式会社 アスキ− デイスプレイコントロ−ラ
US4796222A (en) * 1985-10-28 1989-01-03 International Business Machines Corporation Memory structure for nonsequential storage of block bytes in multi-bit chips
JPS6468851A (en) * 1987-09-09 1989-03-14 Nippon Electric Ic Microcomput Semiconductor integrated circuit
JPH01151095A (ja) * 1987-12-09 1989-06-13 Toshiba Corp 半導体メモリ
JPH02105388A (ja) 1988-10-13 1990-04-17 Nec Corp 画像用メモリ
JPH0376091A (ja) 1989-08-16 1991-04-02 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
KR950003605B1 (ko) * 1990-04-27 1995-04-14 가부시키가이샤 도시바 반도체 기억장치
JPH04275592A (ja) * 1991-03-04 1992-10-01 Fujitsu Ltd 液晶表示装置
WO1993019452A1 (en) * 1992-03-20 1993-09-30 Vlsi Technology, Inc. Vga controller using address translation to drive a dual scan lcd panel and method therefor
JPH05274879A (ja) * 1992-03-26 1993-10-22 Nec Corp 半導体装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100496790B1 (ko) * 1997-08-26 2005-09-12 삼성전자주식회사 반도체장치의디코더회로
JP2007220245A (ja) * 2005-06-22 2007-08-30 Seiko Epson Corp 強誘電体メモリ装置及び表示用駆動ic

Also Published As

Publication number Publication date
JP3096362B2 (ja) 2000-10-10
DE69331457D1 (de) 2002-02-21
EP0595251B1 (en) 2002-01-16
DE69331457T2 (de) 2002-08-08
EP0595251A2 (en) 1994-05-04
EP0595251A3 (en) 1995-07-19
KR100315738B1 (ko) 2002-03-21
KR940010085A (ko) 1994-05-24
US6310596B1 (en) 2001-10-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4796231A (en) Serial accessed semiconductor memory with reconfigurable shift registers
US6041389A (en) Memory architecture using content addressable memory, and systems and methods using the same
KR100245535B1 (ko) 이중 뱅크 메모리와 이를 사용하는 시스템
JP3092557B2 (ja) 半導体記憶装置
JP3161384B2 (ja) 半導体記憶装置とそのアクセス方法
US4667313A (en) Serially accessed semiconductor memory with tapped shift register
KR19980068592A (ko) 블록 기록 기능을 갖는 다중 뱅크 구조의 반도체 메모리
US5761694A (en) Multi-bank memory system and method having addresses switched between the row and column decoders in different banks
US5442588A (en) Circuits and methods for refreshing a dual bank memory
KR100258672B1 (ko) 다중 뱅크 메모리 아키텍처와 이를 이용한 시스템 및 방법
JPH05225774A (ja) マルチポート半導体記憶装置
JP2880547B2 (ja) 半導体記憶装置
US5877780A (en) Semiconductor chip having multiple independent memory sections, at least one of which includes simultaneously accessible arrays
KR950000027B1 (ko) 시리얼 입출력 반도체 메모리
JP3096362B2 (ja) シリアルアクセスメモリ
JPH0743929B2 (ja) 半導体メモリ
JP3231842B2 (ja) シリアルアクセスメモリ
JPH02250132A (ja) デュアルポートダイナミックメモリ
US5588133A (en) Register block circuit for central processing unit of microcomputer
US4896301A (en) Semiconductor memory device capable of multidirection data selection and having address scramble means
IE53486B1 (en) Memory
KR0150857B1 (ko) 반도체기억장치
JPH0554644A (ja) 半導体記憶装置
JPH04222988A (ja) 半導体記憶装置
JPH04109491A (ja) 半導体記憶装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20000725

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070804

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080804

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080804

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090804

Year of fee payment: 9

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090804

Year of fee payment: 9

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees