JPH06139543A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH06139543A JPH06139543A JP29134692A JP29134692A JPH06139543A JP H06139543 A JPH06139543 A JP H06139543A JP 29134692 A JP29134692 A JP 29134692A JP 29134692 A JP29134692 A JP 29134692A JP H06139543 A JPH06139543 A JP H06139543A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic layer
- recording medium
- layer
- main component
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 出力が大きく、かつ、高密度記録に適してお
り、更には耐久性に富む磁気記録媒体を提供することで
ある。 【構成】 支持体上にFeを主成分とした磁性膜が設け
られ、その上にCo−Crを主成分とした磁性膜が設け
られてなる磁気記録媒体。
り、更には耐久性に富む磁気記録媒体を提供することで
ある。 【構成】 支持体上にFeを主成分とした磁性膜が設け
られ、その上にCo−Crを主成分とした磁性膜が設け
られてなる磁気記録媒体。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体及びその
製造方法に関するものである。
製造方法に関するものである。
【0002】
【発明の背景】磁気テープ等の磁気記録媒体において
は、高密度記録化の要請から、非磁性支持体上に設けら
れる磁性層として、バインダ樹脂を用いた塗布型のもの
ではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが
提案されていることは周知の通りである。
は、高密度記録化の要請から、非磁性支持体上に設けら
れる磁性層として、バインダ樹脂を用いた塗布型のもの
ではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが
提案されていることは周知の通りである。
【0003】すなわち、無電解メッキといった湿式メッ
キ手段、真空蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレ
ーティングといった乾式メッキ手段により磁性層を構成
した磁気記録媒体が提案されており、この種の磁気記録
媒体は磁性体の充填密度が高いことから、高密度記録に
適したものである。そして、この種の金属薄膜型の磁気
記録媒体における磁性層は単一層から形成されているも
のが多い。
キ手段、真空蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレ
ーティングといった乾式メッキ手段により磁性層を構成
した磁気記録媒体が提案されており、この種の磁気記録
媒体は磁性体の充填密度が高いことから、高密度記録に
適したものである。そして、この種の金属薄膜型の磁気
記録媒体における磁性層は単一層から形成されているも
のが多い。
【0004】ところで、これまでの単一磁性層から構成
されている磁気記録媒体に対してリング型磁気ヘッドで
記録再生を試みると、記録再生特性は必ずしも期待通り
なものではなかった。
されている磁気記録媒体に対してリング型磁気ヘッドで
記録再生を試みると、記録再生特性は必ずしも期待通り
なものではなかった。
【0005】
【発明の開示】前記の問題点に対する研究が鋭意押し進
められて行った結果、リング型磁気ヘッドからの磁力線
は磁気記録媒体の上層部では面に対して略垂直方向にあ
るものの、磁気記録媒体の中層部から下層部にかけては
面に対して斜めないしは平行方向にあり、この為磁性層
中の磁性粒子の磁化容易軸がリング型磁気ヘッドからの
磁力線の方向と異なるからによることが判って来た。
められて行った結果、リング型磁気ヘッドからの磁力線
は磁気記録媒体の上層部では面に対して略垂直方向にあ
るものの、磁気記録媒体の中層部から下層部にかけては
面に対して斜めないしは平行方向にあり、この為磁性層
中の磁性粒子の磁化容易軸がリング型磁気ヘッドからの
磁力線の方向と異なるからによることが判って来た。
【0006】このような知見に基づいて本発明が達成さ
れたものであり、本発明の目的は、出力が大きく、か
つ、高密度記録に適しており、更には耐久性に富む磁気
記録媒体を提供することである。この本発明の目的は、
支持体上にFeを主成分とした磁性膜が設けられ、その
上にCo−Crを主成分とした磁性膜が設けられてなる
ことを特徴とする磁気記録媒体によって達成される。
れたものであり、本発明の目的は、出力が大きく、か
つ、高密度記録に適しており、更には耐久性に富む磁気
記録媒体を提供することである。この本発明の目的は、
支持体上にFeを主成分とした磁性膜が設けられ、その
上にCo−Crを主成分とした磁性膜が設けられてなる
ことを特徴とする磁気記録媒体によって達成される。
【0007】尚、上記の発明において、Feを主成分と
した磁性膜のコラム構造は斜めであって、磁化容易軸が
斜めであり、Co−Crを主成分とした磁性膜のコラム
構造は垂直であって、磁化容易軸が垂直であるものが好
ましい。又、支持体上にFeを主成分とした磁性膜をイ
オンアシスト斜め蒸着法により形成した後、Co−Cr
を主成分とした磁性膜をスパッタ法で形成することを特
徴とする磁気記録媒体の製造方法によって達成される。
した磁性膜のコラム構造は斜めであって、磁化容易軸が
斜めであり、Co−Crを主成分とした磁性膜のコラム
構造は垂直であって、磁化容易軸が垂直であるものが好
ましい。又、支持体上にFeを主成分とした磁性膜をイ
オンアシスト斜め蒸着法により形成した後、Co−Cr
を主成分とした磁性膜をスパッタ法で形成することを特
徴とする磁気記録媒体の製造方法によって達成される。
【0008】以下、本発明について更に詳しく説明す
る。図1に本発明になる磁気記録媒体の概略断面図を示
す。同図中、1は非磁性の基板であり、この基板1はポ
リエチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリアミ
ド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、
ポリプロピレン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系
の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といった高分子材料、ガラ
スやセラミック等の無機系材料、アルミニウム合金など
の金属材料が用いられる。尚、基板1面上には磁性層の
密着性を向上させる為のアンダーコート層2が必要に応
じて設けられる。すなわち、表面の粗さを適度に粗すこ
とにより乾式メッキにより構成される磁性層の密着性を
向上させ、さらに磁気記録媒体表面の表面粗さを適度な
ものとして走行性を改善する為、例えばSiO2 等の粒
子を含有させた厚さが0.01〜0.5μmの塗膜を設
けることによってアンダーコート層2が構成されてい
る。
る。図1に本発明になる磁気記録媒体の概略断面図を示
す。同図中、1は非磁性の基板であり、この基板1はポ
リエチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリアミ
ド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、
ポリプロピレン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系
の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といった高分子材料、ガラ
スやセラミック等の無機系材料、アルミニウム合金など
の金属材料が用いられる。尚、基板1面上には磁性層の
密着性を向上させる為のアンダーコート層2が必要に応
じて設けられる。すなわち、表面の粗さを適度に粗すこ
とにより乾式メッキにより構成される磁性層の密着性を
向上させ、さらに磁気記録媒体表面の表面粗さを適度な
ものとして走行性を改善する為、例えばSiO2 等の粒
子を含有させた厚さが0.01〜0.5μmの塗膜を設
けることによってアンダーコート層2が構成されてい
る。
【0009】アンダーコート層2の上には、イオンアシ
スト斜め蒸着装置によって金属薄膜型の第1磁性層3が
設けられる。例えば、10-4〜10-6Torr程度の真
空雰囲気下でFeを抵抗加熱、高周波加熱、電子ビーム
加熱などにより蒸発させ、基板1のアンダーコート層2
面上に堆積(蒸着)させることにより、第1磁性層3が
500〜5000Å厚形成される。尚、斜め蒸着の際の
入射角αは30°〜80°、望ましくは約45°〜70
°であることが好ましい。従って、Feを主成分とした
第1磁性層3のコラム構造は斜めであって、磁化容易軸
が30°〜80°の斜めである。
スト斜め蒸着装置によって金属薄膜型の第1磁性層3が
設けられる。例えば、10-4〜10-6Torr程度の真
空雰囲気下でFeを抵抗加熱、高周波加熱、電子ビーム
加熱などにより蒸発させ、基板1のアンダーコート層2
面上に堆積(蒸着)させることにより、第1磁性層3が
500〜5000Å厚形成される。尚、斜め蒸着の際の
入射角αは30°〜80°、望ましくは約45°〜70
°であることが好ましい。従って、Feを主成分とした
第1磁性層3のコラム構造は斜めであって、磁化容易軸
が30°〜80°の斜めである。
【0010】第1磁性層3はFeを主成分としたもので
あれば良い。すなわち、第1磁性層3はFeのみで構成
されていても良いが、磁気特性や耐久性を鑑みたなら
ば、Feを主成分としながらも、N,C,O等の成分が
含まれていても良い。例えば、これまでに提案されて来
ているFex N系、Fe−C−N系のものでも良く、そ
の他本願発明者によって提案されているFe−C−O系
あるいはFe−N−O系、Fe−C−N−O系のもので
も良い。すなわち、保磁力Hcが800Oe以上、か
つ、飽和磁束密度Bsが3500G以上であるよう磁気
特性を示すFeを主成分とした磁性層であれば、Fex
N系、Fe−C−N系、Fe−C−O系、Fe−N−O
系、Fe−C−N−O系いずれのものでも良い。尚、耐
蝕性及びコストのことを鑑みたならば、すなわちFe源
として用いる材料に高純度なものを用いなくとも済み、
かつ、耐蝕性にも優れた特長を呈するFe−C−N−O
系のものが好ましい。といっても、第1磁性層3の上に
は後述する第2磁性層4が設けられるから、耐蝕性につ
いては過度に考慮する必要もない。
あれば良い。すなわち、第1磁性層3はFeのみで構成
されていても良いが、磁気特性や耐久性を鑑みたなら
ば、Feを主成分としながらも、N,C,O等の成分が
含まれていても良い。例えば、これまでに提案されて来
ているFex N系、Fe−C−N系のものでも良く、そ
の他本願発明者によって提案されているFe−C−O系
あるいはFe−N−O系、Fe−C−N−O系のもので
も良い。すなわち、保磁力Hcが800Oe以上、か
つ、飽和磁束密度Bsが3500G以上であるよう磁気
特性を示すFeを主成分とした磁性層であれば、Fex
N系、Fe−C−N系、Fe−C−O系、Fe−N−O
系、Fe−C−N−O系いずれのものでも良い。尚、耐
蝕性及びコストのことを鑑みたならば、すなわちFe源
として用いる材料に高純度なものを用いなくとも済み、
かつ、耐蝕性にも優れた特長を呈するFe−C−N−O
系のものが好ましい。といっても、第1磁性層3の上に
は後述する第2磁性層4が設けられるから、耐蝕性につ
いては過度に考慮する必要もない。
【0011】第1磁性層3の上には第2磁性層4がスパ
ッタ手段によって設けられる。例えば、10-4〜10-6
Torr程度の真空雰囲気下でCo−Cr合金をターゲ
ットとしたスパッタリングにより第1磁性層3上にCo
−Crを主成分とした第2磁性層を堆積させることによ
り、第2磁性層4が50〜1000Å厚形成される。
尚、このスパッタリングで構成されるCo−Crを主成
分とした第2磁性層4のコラム構造は膜面に垂直であっ
て、磁化容易軸は垂直方向にある。そして、この磁性層
は保磁力Hcが1000Oe以上、かつ、飽和磁束密度
Bsが3000G以上であるよう磁気特性を示すもので
あれば良く、Co−Cr系、Co−Cr−Ta系、Co
−Cr−Al系、Co−Cr−Ta−Al系いずれのも
のでも良い。尚、この第2磁性層4はCo−Crを主成
分(Coは70〜95原子%、Crは30〜5原子%)
としたものであるから、第1磁性層3のような耐蝕性の
問題は少ないものである。
ッタ手段によって設けられる。例えば、10-4〜10-6
Torr程度の真空雰囲気下でCo−Cr合金をターゲ
ットとしたスパッタリングにより第1磁性層3上にCo
−Crを主成分とした第2磁性層を堆積させることによ
り、第2磁性層4が50〜1000Å厚形成される。
尚、このスパッタリングで構成されるCo−Crを主成
分とした第2磁性層4のコラム構造は膜面に垂直であっ
て、磁化容易軸は垂直方向にある。そして、この磁性層
は保磁力Hcが1000Oe以上、かつ、飽和磁束密度
Bsが3000G以上であるよう磁気特性を示すもので
あれば良く、Co−Cr系、Co−Cr−Ta系、Co
−Cr−Al系、Co−Cr−Ta−Al系いずれのも
のでも良い。尚、この第2磁性層4はCo−Crを主成
分(Coは70〜95原子%、Crは30〜5原子%)
としたものであるから、第1磁性層3のような耐蝕性の
問題は少ないものである。
【0012】上記第1磁性層3及び第2磁性層4の形成
は、図2に示されるようなイオンアシスト斜め蒸着機構
とスパッタ機構とが組み込まれた装置が用いられる。図
2中、11は冷却キャン、12はPETフィルム10の
供給側ロール、13はPETフィルム10の巻取側ロー
ル、14は仕切板、15はルツボ、16は純度が99%
程度のFe、17はシャッター、18はイオン銃、19
はCo−Crをターゲットとしたスパッタ装置、20は
加熱用ランプ、21はマスフローコントローラ、22は
真空計、23は膜厚計、24は遮蔽板、25はガス導入
ノズルであり、イオン銃18に炭酸ガス等のC含有ガ
ス、窒素ガス等のN含有ガスや酸素ガスが供給される
と、炭素イオン、窒素イオンや酸素イオンが放出され、
これらのイオンがPETフィルム10上に蒸着したFe
膜に衝突し、FeがFe−C−N−O系のものに変換す
る。尚、イオン銃としてはECR形(Electron
Cyclotron Resonance)やカウフ
マン形などのものが有り、いずれのタイプのものをも用
いることが出来る。そして、一つの銃に複数種のガスを
入れても良く、又、複数の銃の各々に各々のガスを入
れ、独立して各々のイオンを照射するようにしても良
い。
は、図2に示されるようなイオンアシスト斜め蒸着機構
とスパッタ機構とが組み込まれた装置が用いられる。図
2中、11は冷却キャン、12はPETフィルム10の
供給側ロール、13はPETフィルム10の巻取側ロー
ル、14は仕切板、15はルツボ、16は純度が99%
程度のFe、17はシャッター、18はイオン銃、19
はCo−Crをターゲットとしたスパッタ装置、20は
加熱用ランプ、21はマスフローコントローラ、22は
真空計、23は膜厚計、24は遮蔽板、25はガス導入
ノズルであり、イオン銃18に炭酸ガス等のC含有ガ
ス、窒素ガス等のN含有ガスや酸素ガスが供給される
と、炭素イオン、窒素イオンや酸素イオンが放出され、
これらのイオンがPETフィルム10上に蒸着したFe
膜に衝突し、FeがFe−C−N−O系のものに変換す
る。尚、イオン銃としてはECR形(Electron
Cyclotron Resonance)やカウフ
マン形などのものが有り、いずれのタイプのものをも用
いることが出来る。そして、一つの銃に複数種のガスを
入れても良く、又、複数の銃の各々に各々のガスを入
れ、独立して各々のイオンを照射するようにしても良
い。
【0013】このようにして磁化容易軸が30°〜80
°のFeを主成分とした第1磁性層3が形成され、巻取
側ロール13に巻き取られた後、イオンアシスト斜め蒸
着機構を停止した状態でPETフィルム10を逆方向に
走行させ、今度はスパッタ機構を作動させて磁化容易軸
が垂直方向にあるCo−Crを主成分とした第2磁性層
4を形成すれば良い。
°のFeを主成分とした第1磁性層3が形成され、巻取
側ロール13に巻き取られた後、イオンアシスト斜め蒸
着機構を停止した状態でPETフィルム10を逆方向に
走行させ、今度はスパッタ機構を作動させて磁化容易軸
が垂直方向にあるCo−Crを主成分とした第2磁性層
4を形成すれば良い。
【0014】勿論、図2に示されるイオンアシスト斜め
蒸着機構の部分とスパッタ機構との部分との真空雰囲気
を各々の雰囲気に独立して設定出来る構造のものにして
おけば、PETフィルム10が一つの走行方向にある時
に第1磁性層3及び第2磁性層4を形成できる。5は第
2磁性層4の上に設けられた潤滑剤層である。すなわ
ち、潤滑剤を含有させた塗料を所定の手段で塗布するこ
とにより、約5〜50Å、好ましくは約10〜30Å程
度の厚さの潤滑剤層5が設けられる。
蒸着機構の部分とスパッタ機構との部分との真空雰囲気
を各々の雰囲気に独立して設定出来る構造のものにして
おけば、PETフィルム10が一つの走行方向にある時
に第1磁性層3及び第2磁性層4を形成できる。5は第
2磁性層4の上に設けられた潤滑剤層である。すなわ
ち、潤滑剤を含有させた塗料を所定の手段で塗布するこ
とにより、約5〜50Å、好ましくは約10〜30Å程
度の厚さの潤滑剤層5が設けられる。
【0015】6は、基板1の他面に設けられたカーボン
ブラック等を含有させたバックコート層である。以下、
具体的な実施例を挙げて説明する。
ブラック等を含有させたバックコート層である。以下、
具体的な実施例を挙げて説明する。
【0016】
〔実施例1〜5〕図2に示される如くのイオンアシスト
斜め蒸着−スパッタ装置に厚さ9.3μmのPETフィ
ルム10を装着し、PETフィルム10が2m/分の走
行速度で走行させられている。
斜め蒸着−スパッタ装置に厚さ9.3μmのPETフィ
ルム10を装着し、PETフィルム10が2m/分の走
行速度で走行させられている。
【0017】そして、酸化マグネシウム製のルツボ15
に純度が99%程度のFe16を入れ、例えば出力30
kWの電子銃を用いてFeを蒸発させ、PETフィルム
10にFe粒子を蒸着(入射角α=60°)させると共
に、窒素ガス(純度99.99%)及び酸素ガス(純度
99.99%)の混合ガス(体積混合比4:1)を出力
500WのECR形イオン銃18に供給し、PETフィ
ルム10のFe蒸着面に向けて窒素イオン及び酸素イオ
ンを照射する。
に純度が99%程度のFe16を入れ、例えば出力30
kWの電子銃を用いてFeを蒸発させ、PETフィルム
10にFe粒子を蒸着(入射角α=60°)させると共
に、窒素ガス(純度99.99%)及び酸素ガス(純度
99.99%)の混合ガス(体積混合比4:1)を出力
500WのECR形イオン銃18に供給し、PETフィ
ルム10のFe蒸着面に向けて窒素イオン及び酸素イオ
ンを照射する。
【0018】このようなイオンアシスト斜め蒸着により
Fe−N−O系磁性膜を1500Å厚形成した。そし
て、このFe−N−O磁性膜上にマグネトロンスパッタ
リングによりCo−Cr垂直磁化膜を100Å厚形成し
た。この後、PETフィルム10の裏面にバックコート
層を0.5μm厚形成し、そして所定の幅にスリットし
て磁気テープを作成した。
Fe−N−O系磁性膜を1500Å厚形成した。そし
て、このFe−N−O磁性膜上にマグネトロンスパッタ
リングによりCo−Cr垂直磁化膜を100Å厚形成し
た。この後、PETフィルム10の裏面にバックコート
層を0.5μm厚形成し、そして所定の幅にスリットし
て磁気テープを作成した。
【0019】又、同様にして表−1に示す組成の磁気テ
ープを作成した。 表 − 1 第 1 磁 性 層 第 2 磁 性 層 組成(原子%) 厚さ 組成(原子%) 厚さ Fe C N O (Å) Co Cr (Å) 実施例1 80 0 10 10 1500 90 10 100 実施例2 75 10 10 5 2000 95 5 200 実施例3 80 5 10 5 1000 85 15 50 実施例4 90 2 4 4 5000 70 30 500 実施例5 80 10 0 10 500 90 10 1000 〔比較例1,2〕実施例1,2において、第1磁性層
(Fe−N−O系磁性膜)と第2磁性層(Co−Cr系
磁性膜)の形成順序を逆にした他は同様に行い、表−2
に示す組成の磁気テープを作成した。
ープを作成した。 表 − 1 第 1 磁 性 層 第 2 磁 性 層 組成(原子%) 厚さ 組成(原子%) 厚さ Fe C N O (Å) Co Cr (Å) 実施例1 80 0 10 10 1500 90 10 100 実施例2 75 10 10 5 2000 95 5 200 実施例3 80 5 10 5 1000 85 15 50 実施例4 90 2 4 4 5000 70 30 500 実施例5 80 10 0 10 500 90 10 1000 〔比較例1,2〕実施例1,2において、第1磁性層
(Fe−N−O系磁性膜)と第2磁性層(Co−Cr系
磁性膜)の形成順序を逆にした他は同様に行い、表−2
に示す組成の磁気テープを作成した。
【0020】 表 − 2 第 1 磁 性 層 第 2 磁 性 層 組成(原子%) 厚さ 組成(原子%) 厚さ Co Cr (Å) Fe C N O (Å) 比較例1 90 10 100 80 0 10 10 1500 比較例2 95 5 200 75 10 10 5 2000 〔比較例3〕実施例1において、イオンアシスト斜め蒸
着法により第1磁性層(Fe−N−O系磁性膜)を15
00Å厚形成した後、Feをターゲットとしてのマグネ
トロンスパッタリングによりFe垂直磁化膜を100Å
厚形成し、磁気テープを作成した。
着法により第1磁性層(Fe−N−O系磁性膜)を15
00Å厚形成した後、Feをターゲットとしてのマグネ
トロンスパッタリングによりFe垂直磁化膜を100Å
厚形成し、磁気テープを作成した。
【0021】〔特性〕上記各例で得られた磁気テープの
出力特性(市販のソニー社製の蒸着テープを基準)及び
耐蝕性(ΔBs、5%NaCl水溶液中に1週間浸漬し
た後のBsの変化)について調べたので、その結果を下
記の表1に示す。 表 − 3 磁 性 層 出力(dB) ΔBs(%) Hc(Oe) Bs(G) 1MHz 4MHz 7MHz 10MHz 実施例1 2000 5800 +1.0 +1.5 +3.1 +4.7 5 実施例2 1850 5200 +0.9 +1.7 +2.5 +4.9 3 実施例3 1900 6000 +0.5 +1.2 +2.1 +2.5 7 実施例4 1800 6900 +2.1 +2.4 +2.7 +5.4 9 実施例5 1800 4800 +0.2 +1.1 +4.5 +7.1 2 比較例1 2000 5800 −0.3 0 +0.2 +0.4 7 比較例2 1800 5100 −0.5 −0.1 +0.4 +0.7 5 比較例3 1900 6400 +0.5 +0.5 +2.0 +2.5 14
出力特性(市販のソニー社製の蒸着テープを基準)及び
耐蝕性(ΔBs、5%NaCl水溶液中に1週間浸漬し
た後のBsの変化)について調べたので、その結果を下
記の表1に示す。 表 − 3 磁 性 層 出力(dB) ΔBs(%) Hc(Oe) Bs(G) 1MHz 4MHz 7MHz 10MHz 実施例1 2000 5800 +1.0 +1.5 +3.1 +4.7 5 実施例2 1850 5200 +0.9 +1.7 +2.5 +4.9 3 実施例3 1900 6000 +0.5 +1.2 +2.1 +2.5 7 実施例4 1800 6900 +2.1 +2.4 +2.7 +5.4 9 実施例5 1800 4800 +0.2 +1.1 +4.5 +7.1 2 比較例1 2000 5800 −0.3 0 +0.2 +0.4 7 比較例2 1800 5100 −0.5 −0.1 +0.4 +0.7 5 比較例3 1900 6400 +0.5 +0.5 +2.0 +2.5 14
【0022】
【効果】本発明になるものは、長波長領域から短波長領
域にかけて高出力なものである。
域にかけて高出力なものである。
【図1】磁気記録媒体の概略断面図である。
【図2】磁気記録媒体製造装置の概略図である。
1 非磁性の基板 3 第1磁性層 4 第2磁性層 11 冷却キャン 15 ルツボ 16 Fe 18 イオン銃 19 Co−Crをターゲットとしたスパッタ装置
Claims (3)
- 【請求項1】 支持体上にFeを主成分とした磁性膜が
設けられ、その上にCo−Crを主成分とした磁性膜が
設けられてなることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項2】 Feを主成分とした磁性膜のコラム構造
は斜めであって、磁化容易軸が斜めであり、Co−Cr
を主成分とした磁性膜のコラム構造は垂直であって、磁
化容易軸が垂直であることを特徴とする請求項1記載の
磁気記録媒体。 - 【請求項3】 支持体上にFeを主成分とした磁性膜を
イオンアシスト斜め蒸着法により形成した後、Co−C
rを主成分とした磁性膜をスパッタ法で形成することを
特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29134692A JPH06139543A (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29134692A JPH06139543A (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06139543A true JPH06139543A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=17767739
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29134692A Pending JPH06139543A (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06139543A (ja) |
-
1992
- 1992-10-29 JP JP29134692A patent/JPH06139543A/ja active Pending
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