JPH06135862A - フェニルナフタレン誘導体の製造法 - Google Patents
フェニルナフタレン誘導体の製造法Info
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- JPH06135862A JPH06135862A JP30826292A JP30826292A JPH06135862A JP H06135862 A JPH06135862 A JP H06135862A JP 30826292 A JP30826292 A JP 30826292A JP 30826292 A JP30826292 A JP 30826292A JP H06135862 A JPH06135862 A JP H06135862A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】一般式（１）
〔Ｒ1はベンジルオキシ基またはアルキル基、ＮＡＰは
２，６-ナフチレン基、Ｚはハロゲン原子または-ＯＳＯ
2ＣＦ3を表す〕と、一般式（２） 〔Ｒ2はベンジルオキシ基またはアルキル基、ＡはＦ原
子で置換されてもよい１，４-フェニレン基を表す〕と
を金属触媒存在下に反応させる一般式（３） 〔Ｒ1はベンジルオキシ基またはアルキル基〕のフェニ
ルナフタレン誘導体の製造方法。 【効果】収率良くフェニルナフタレン誘導体を合成でき
る。
２，６-ナフチレン基、Ｚはハロゲン原子または-ＯＳＯ
2ＣＦ3を表す〕と、一般式（２） 〔Ｒ2はベンジルオキシ基またはアルキル基、ＡはＦ原
子で置換されてもよい１，４-フェニレン基を表す〕と
を金属触媒存在下に反応させる一般式（３） 〔Ｒ1はベンジルオキシ基またはアルキル基〕のフェニ
ルナフタレン誘導体の製造方法。 【効果】収率良くフェニルナフタレン誘導体を合成でき
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示素子などに用
いる液晶組成物の成分あるいはその中間体として有用で
あり、かつ各種医農薬の中間体としても有用な新規なフ
ェニルナフタレン誘導体の製造方法に関する。
いる液晶組成物の成分あるいはその中間体として有用で
あり、かつ各種医農薬の中間体としても有用な新規なフ
ェニルナフタレン誘導体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】フェニルナフタレン誘導体の製造方法と
しては、これまで亜鉛化合物を経由する方法〔例えば、
ハインリッヒ ゾーリンガー（Heinrich Zollinger）
ら；ヘルベチカ チミカ アクタ（Helvetica Chimica Ac
ta） 64、1847(1981). など〕が知られている。
しては、これまで亜鉛化合物を経由する方法〔例えば、
ハインリッヒ ゾーリンガー（Heinrich Zollinger）
ら；ヘルベチカ チミカ アクタ（Helvetica Chimica Ac
ta） 64、1847(1981). など〕が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし亜鉛化合物を経
由する上記の方法には、１）非常に低温で操作する必要
があるか、あるいは超音波を使用する必要がある、２）
生成する亜鉛化合物を反応液から分離することが非常に
困難であり、廃液中に残存し環境を汚染することがあ
る、という重大な問題がある。
由する上記の方法には、１）非常に低温で操作する必要
があるか、あるいは超音波を使用する必要がある、２）
生成する亜鉛化合物を反応液から分離することが非常に
困難であり、廃液中に残存し環境を汚染することがあ
る、という重大な問題がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らはフェニルナ
フタレン誘導体の製造方法についてについて鋭意検討を
行った結果、極低温および超音波を必要とせず、環境を
汚染する可能性のある廃液が生成することのない、新規
な製造方法を見出し本発明に到達した。すなわち本発明
は、下記一般式（１）
フタレン誘導体の製造方法についてについて鋭意検討を
行った結果、極低温および超音波を必要とせず、環境を
汚染する可能性のある廃液が生成することのない、新規
な製造方法を見出し本発明に到達した。すなわち本発明
は、下記一般式（１）
【０００５】
【化４】
【０００６】〔式中、Ｒ1は水素原子、シアノ基、フッ
素原子、-ＣＦ3、-ＯＣＦ3、ベンジルオキシ基または炭
素数１〜１８のアルキル基（該アルキル基は、フッ素原
子により置換されていてもよく、またこれらの基中に存
在する１個の-ＣＨ2-または隣接していない２個の-ＣＨ
2-は、-Ｏ-、-ＣＨ＝ＣＨ-、-Ｃ≡Ｃ-、-ＣＯＯ-、-Ｏ
ＣＯ-、-ＯＣＨ2-もしくは-ＣＨ2Ｏ-により置換されて
いてもよい）を表し、ＮＡＰは２，６-ナフチレン基を
表し、Ｚはハロゲン原子または-ＯＳＯ2ＣＦ3を表す〕
で示される化合物と、下記一般式（２）
素原子、-ＣＦ3、-ＯＣＦ3、ベンジルオキシ基または炭
素数１〜１８のアルキル基（該アルキル基は、フッ素原
子により置換されていてもよく、またこれらの基中に存
在する１個の-ＣＨ2-または隣接していない２個の-ＣＨ
2-は、-Ｏ-、-ＣＨ＝ＣＨ-、-Ｃ≡Ｃ-、-ＣＯＯ-、-Ｏ
ＣＯ-、-ＯＣＨ2-もしくは-ＣＨ2Ｏ-により置換されて
いてもよい）を表し、ＮＡＰは２，６-ナフチレン基を
表し、Ｚはハロゲン原子または-ＯＳＯ2ＣＦ3を表す〕
で示される化合物と、下記一般式（２）
【０００７】
【化５】
【０００８】〔式中、Ｒ2は水素原子、フッ素原子、-Ｃ
Ｆ3、-ＯＣＦ3、ベンジルオキシ基または炭素数１〜１
８のアルキル基（該アルキル基は、フッ素原子により置
換されていてもよく、またこれらの基中に存在する１個
の-ＣＨ2-または隣接していない２個の-ＣＨ2-は、-Ｏ
-、-ＣＨ＝ＣＨ-、-Ｃ≡Ｃ-、-ＯＣＨ2-もしくは-ＣＨ2
Ｏ-により置換されていてもよい）を表し、Ａは１〜２
個のＦ原子で置換されていてもよい１，４-フェニレン
基を表す〕で示される化合物とを金属触媒存在下に反応
させることからなる下記一般式（３）
Ｆ3、-ＯＣＦ3、ベンジルオキシ基または炭素数１〜１
８のアルキル基（該アルキル基は、フッ素原子により置
換されていてもよく、またこれらの基中に存在する１個
の-ＣＨ2-または隣接していない２個の-ＣＨ2-は、-Ｏ
-、-ＣＨ＝ＣＨ-、-Ｃ≡Ｃ-、-ＯＣＨ2-もしくは-ＣＨ2
Ｏ-により置換されていてもよい）を表し、Ａは１〜２
個のＦ原子で置換されていてもよい１，４-フェニレン
基を表す〕で示される化合物とを金属触媒存在下に反応
させることからなる下記一般式（３）
【０００９】
【化６】
【００１０】〔式中、Ｒ1は水素原子、シアノ基、フッ
素原子、-ＣＦ3、-ＯＣＦ3、ベンジルオキシ基または炭
素数１〜１８のアルキル基（該アルキル基は、フッ素原
子により置換されていてもよく、またこれらの基中に存
在する１個の-ＣＨ2-または隣接していない２個の-ＣＨ
2-は、-Ｏ-、-ＣＨ＝ＣＨ-、-Ｃ≡Ｃ-、-ＣＯＯ-、-Ｏ
ＣＯ-、-ＯＣＨ2-もしくは-ＣＨ2Ｏ-により置換されて
いてもよい）を表し、ＮＡＰは２，６-ナフチレン基を
表し、Ａは１〜２個のＦ原子で置換されていてもよい
１，４-フェニレン基を表し、Ｒ2は水素原子、フッ素原
子、-ＣＦ3、-ＯＣＦ3、ベンジルオキシ基または炭素数
１〜１８のアルキル基（該アルキル基は、フッ素原子に
より置換されていてもよく、またこれらの基中に存在す
る１個の-ＣＨ2-または隣接していない２個の-ＣＨ2-
は、-Ｏ-、-ＣＨ＝ＣＨ-、-Ｃ≡Ｃ-、-ＯＣＨ2-もしく
は-ＣＨ2Ｏ-により置換されていてもよい）を表す〕で
示されるフェニルナフタレン誘導体の製造方法である。
素原子、-ＣＦ3、-ＯＣＦ3、ベンジルオキシ基または炭
素数１〜１８のアルキル基（該アルキル基は、フッ素原
子により置換されていてもよく、またこれらの基中に存
在する１個の-ＣＨ2-または隣接していない２個の-ＣＨ
2-は、-Ｏ-、-ＣＨ＝ＣＨ-、-Ｃ≡Ｃ-、-ＣＯＯ-、-Ｏ
ＣＯ-、-ＯＣＨ2-もしくは-ＣＨ2Ｏ-により置換されて
いてもよい）を表し、ＮＡＰは２，６-ナフチレン基を
表し、Ａは１〜２個のＦ原子で置換されていてもよい
１，４-フェニレン基を表し、Ｒ2は水素原子、フッ素原
子、-ＣＦ3、-ＯＣＦ3、ベンジルオキシ基または炭素数
１〜１８のアルキル基（該アルキル基は、フッ素原子に
より置換されていてもよく、またこれらの基中に存在す
る１個の-ＣＨ2-または隣接していない２個の-ＣＨ2-
は、-Ｏ-、-ＣＨ＝ＣＨ-、-Ｃ≡Ｃ-、-ＯＣＨ2-もしく
は-ＣＨ2Ｏ-により置換されていてもよい）を表す〕で
示されるフェニルナフタレン誘導体の製造方法である。
【００１１】一般式（１）において、Ｚは好ましくは臭
素原子および-ＯＳＯ2ＣＦ3-である。
素原子および-ＯＳＯ2ＣＦ3-である。
【００１２】一般式（２）および一般式（３）におい
て、Ａとしては、１，４-フェニレン基、２-フルオロ-
１，４-フェニレン基、３-フルオロ-１，４-フェニレン
基、２，３-ジフルオロ-１，４-フェニレン基等が挙げ
られる。
て、Ａとしては、１，４-フェニレン基、２-フルオロ-
１，４-フェニレン基、３-フルオロ-１，４-フェニレン
基、２，３-ジフルオロ-１，４-フェニレン基等が挙げ
られる。
【００１３】一般式（１）および一般式（３）におい
て、Ｒ1は特には限定されないが、水素原子；シアノ
基；フッ素原子；-ＣＦ3；-ＯＣＦ3；ベンジルオキシ
基；メチル基、エチル基、ｎ-プロピル基、ｎ-ヘキシル
基、ｎ-ヘプチル基、ｎ-オクチル基、ｎ-ノニル基、ｎ-
デシル基などのアルキル基；ｉ-プロピル基、ｔ-ブチル
基、２-メチルブチル基、４-メチルヘキシル基、１-メ
チルヘプチル基等の分岐アルキル基；メトキシ基、エト
キシ基、ｎ-プロピルオキシ基、ｎ-ヘキシルオキシ基、
ｎ-ヘプチルオキシ基、ｎ-オクチルオキシ基、ｎ-ノニ
ルオキシ基、ｎ-デシルオキシ基などのアルキルオキシ
基；ｉ-プロピルオキシ基、ｔ-ブチルオキシ基、２-メ
チルブチルオキシ基、４-メチルヘキシルオキシ基、１-
メチルヘプチルオキシ基などの分岐アルキルオキシ基；
２-プロペニルオキシ基、３-ブテニルオキシ基、４-ペ
ンテニルオキシ基、５-ヘキセニルオキシ基、６-ヘプテ
ニルオキシ基、７-オクテニルオキシ基、８-ノネニルオ
キシ基、９-デセニルオキシ基、１０-ウンデセニルオキ
シ基、１１-ドデセニルオキシ基、trans-２-ヘキセニル
オキシ基、cis-２-ヘキセニルオキシ基、cis-３-ヘキセ
ニルオキシ基、cis-４-ヘキセニルオキシ基、trans-２-
ヘプテニルオキシ基、cis-３-ノネニルオキシ基、cis-
６-ノネニルオキシ基、trans-２-デセニルオキシ基、tr
ans-５-デセニルオキシ基などのアルケニルオキシ基；
メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル
基、ｎ-オクチルオキシカルボニル基、ｎ-デシルオキシ
カルボニル基などのアルキルオキシカルボニル基；２-
メチルブチルオキシカルボニル基、４-メチルヘキシル
オキシカルボニル基、１-メチルヘプチルオキシカルボ
ニル基などの分岐アルキルオキシカルボニル基；アセチ
ル基、オクチルカルボニルオキシ基、デシルカルボニル
オキシ基などのアルキルカルボニルオキシ基；１-オク
チニル基、１-デシニル基などの１-アルキニル基；２-
エトキシプロピル基、１-トリフルオロメチルヘキシル
基、２-フルオロオクチル基などの置換アルキル基；２-
エトキシプロピルオキシ基、１-トリフルオロメチルヘ
キシルオキシ基、２-フルオロオクチルオキシ基などの
置換アルキルオキシ基等が挙げられる。また、これらの
基のうち、不斉炭素原子を有するものは光学活性であっ
てもよい。
て、Ｒ1は特には限定されないが、水素原子；シアノ
基；フッ素原子；-ＣＦ3；-ＯＣＦ3；ベンジルオキシ
基；メチル基、エチル基、ｎ-プロピル基、ｎ-ヘキシル
基、ｎ-ヘプチル基、ｎ-オクチル基、ｎ-ノニル基、ｎ-
デシル基などのアルキル基；ｉ-プロピル基、ｔ-ブチル
基、２-メチルブチル基、４-メチルヘキシル基、１-メ
チルヘプチル基等の分岐アルキル基；メトキシ基、エト
キシ基、ｎ-プロピルオキシ基、ｎ-ヘキシルオキシ基、
ｎ-ヘプチルオキシ基、ｎ-オクチルオキシ基、ｎ-ノニ
ルオキシ基、ｎ-デシルオキシ基などのアルキルオキシ
基；ｉ-プロピルオキシ基、ｔ-ブチルオキシ基、２-メ
チルブチルオキシ基、４-メチルヘキシルオキシ基、１-
メチルヘプチルオキシ基などの分岐アルキルオキシ基；
２-プロペニルオキシ基、３-ブテニルオキシ基、４-ペ
ンテニルオキシ基、５-ヘキセニルオキシ基、６-ヘプテ
ニルオキシ基、７-オクテニルオキシ基、８-ノネニルオ
キシ基、９-デセニルオキシ基、１０-ウンデセニルオキ
シ基、１１-ドデセニルオキシ基、trans-２-ヘキセニル
オキシ基、cis-２-ヘキセニルオキシ基、cis-３-ヘキセ
ニルオキシ基、cis-４-ヘキセニルオキシ基、trans-２-
ヘプテニルオキシ基、cis-３-ノネニルオキシ基、cis-
６-ノネニルオキシ基、trans-２-デセニルオキシ基、tr
ans-５-デセニルオキシ基などのアルケニルオキシ基；
メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル
基、ｎ-オクチルオキシカルボニル基、ｎ-デシルオキシ
カルボニル基などのアルキルオキシカルボニル基；２-
メチルブチルオキシカルボニル基、４-メチルヘキシル
オキシカルボニル基、１-メチルヘプチルオキシカルボ
ニル基などの分岐アルキルオキシカルボニル基；アセチ
ル基、オクチルカルボニルオキシ基、デシルカルボニル
オキシ基などのアルキルカルボニルオキシ基；１-オク
チニル基、１-デシニル基などの１-アルキニル基；２-
エトキシプロピル基、１-トリフルオロメチルヘキシル
基、２-フルオロオクチル基などの置換アルキル基；２-
エトキシプロピルオキシ基、１-トリフルオロメチルヘ
キシルオキシ基、２-フルオロオクチルオキシ基などの
置換アルキルオキシ基等が挙げられる。また、これらの
基のうち、不斉炭素原子を有するものは光学活性であっ
てもよい。
【００１４】一般式（２）および一般式（３）におい
て、Ｒ2は特には限定されないが、水素原子；フッ素原
子；-ＣＦ3；-ＯＣＦ3；ベンジルオキシ基；メチル基、
エチル基、ｎ-プロピル基、ｎ-ヘキシル基、ｎ-ヘプチ
ル基、ｎ-オクチル基、ｎ-ノニル基、ｎ-デシル基など
のアルキル基；ｉ-プロピル基、ｔ-ブチル基、２-メチ
ルブチル基、４-メチルヘキシル基、１-メチルヘプチル
基等の分岐アルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ-
プロピルオキシ基、ｎ-ヘキシルオキシ基、ｎ-ヘプチル
オキシ基、ｎ-オクチルオキシ基、ｎ-ノニルオキシ基、
ｎ-デシルオキシ基などのアルキルオキシ基；ｉ-プロピ
ルオキシ基、ｔ-ブチルオキシ基、２-メチルブチルオキ
シ基、４-メチルヘキシルオキシ基、１-メチルヘプチル
オキシ基などの分岐アルキルオキシ基；２-プロペニル
オキシ基、３-ブテニルオキシ基、４-ペンテニルオキシ
基、５-ヘキセニルオキシ基、６-ヘプテニルオキシ基、
７-オクテニルオキシ基、８-ノネニルオキシ基、９-デ
セニルオキシ基、１０-ウンデセニルオキシ基、１１-ド
デセニルオキシ基、trans-２-ヘキセニルオキシ基、cis
-２-ヘキセニルオキシ基、cis-３-ヘキセニルオキシ
基、cis-４-ヘキセニルオキシ基、trans-２-ヘプテニル
オキシ基、cis-３-ノネニルオキシ基、cis-６-ノネニル
オキシ基、trans-２-デセニルオキシ基、trans-５-デセ
ニルオキシ基などのアルケニルオキシ基；１-オクチニ
ル基、１-デシニル基などの１-アルキニル基；オクチル
オキシメチレン基、デシルオキシメチレン基などのアル
キルオキシメチレン基；２-エトキシプロピル基、１-ト
リフルオロメチルヘキシル基、２-フルオロオクチル基
などの置換アルキル基；２-エトキシプロピルオキシ
基、１-トリフルオロメチルヘキシルオキシ基、２-フル
オロオクチルオキシ基などの置換アルキルオキシ基等が
挙げられる。また、これらの基のうち、不斉炭素原子を
有するものは光学活性であってもよい。
て、Ｒ2は特には限定されないが、水素原子；フッ素原
子；-ＣＦ3；-ＯＣＦ3；ベンジルオキシ基；メチル基、
エチル基、ｎ-プロピル基、ｎ-ヘキシル基、ｎ-ヘプチ
ル基、ｎ-オクチル基、ｎ-ノニル基、ｎ-デシル基など
のアルキル基；ｉ-プロピル基、ｔ-ブチル基、２-メチ
ルブチル基、４-メチルヘキシル基、１-メチルヘプチル
基等の分岐アルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ-
プロピルオキシ基、ｎ-ヘキシルオキシ基、ｎ-ヘプチル
オキシ基、ｎ-オクチルオキシ基、ｎ-ノニルオキシ基、
ｎ-デシルオキシ基などのアルキルオキシ基；ｉ-プロピ
ルオキシ基、ｔ-ブチルオキシ基、２-メチルブチルオキ
シ基、４-メチルヘキシルオキシ基、１-メチルヘプチル
オキシ基などの分岐アルキルオキシ基；２-プロペニル
オキシ基、３-ブテニルオキシ基、４-ペンテニルオキシ
基、５-ヘキセニルオキシ基、６-ヘプテニルオキシ基、
７-オクテニルオキシ基、８-ノネニルオキシ基、９-デ
セニルオキシ基、１０-ウンデセニルオキシ基、１１-ド
デセニルオキシ基、trans-２-ヘキセニルオキシ基、cis
-２-ヘキセニルオキシ基、cis-３-ヘキセニルオキシ
基、cis-４-ヘキセニルオキシ基、trans-２-ヘプテニル
オキシ基、cis-３-ノネニルオキシ基、cis-６-ノネニル
オキシ基、trans-２-デセニルオキシ基、trans-５-デセ
ニルオキシ基などのアルケニルオキシ基；１-オクチニ
ル基、１-デシニル基などの１-アルキニル基；オクチル
オキシメチレン基、デシルオキシメチレン基などのアル
キルオキシメチレン基；２-エトキシプロピル基、１-ト
リフルオロメチルヘキシル基、２-フルオロオクチル基
などの置換アルキル基；２-エトキシプロピルオキシ
基、１-トリフルオロメチルヘキシルオキシ基、２-フル
オロオクチルオキシ基などの置換アルキルオキシ基等が
挙げられる。また、これらの基のうち、不斉炭素原子を
有するものは光学活性であってもよい。
【００１５】一般式（１）で示される化合物の具体例と
しては、表１に示すような基を有する化合物が挙げられ
る。
しては、表１に示すような基を有する化合物が挙げられ
る。
【００１６】
【表１】
【００１７】一般式（２）で示される化合物の具体例と
しては、表２に示すような基を有する化合物が挙げられ
る。
しては、表２に示すような基を有する化合物が挙げられ
る。
【００１８】
【表２】
【００１９】表１〜表２中、各記号はそれぞれ以下の基
を表す。 OTf ; -OSO2CF3 C* ; 不斉炭素原子 Ph ; １，４-フェニレン基 PhF ; 化７ FPh ; 化８ FPhF ; ２，３-ジフルオロ-１，４-フェニレン基
を表す。 OTf ; -OSO2CF3 C* ; 不斉炭素原子 Ph ; １，４-フェニレン基 PhF ; 化７ FPh ; 化８ FPhF ; ２，３-ジフルオロ-１，４-フェニレン基
【００２０】
【化７】
【００２１】
【化８】
【００２２】本発明の原料化合物の一つである一般式
（１）で示される化合物は、例えば次に示す工程を経て
合成できる〔下記式中、Ｒ1およびＮＡＰは一般式
（１）の場合と同一である〕。
（１）で示される化合物は、例えば次に示す工程を経て
合成できる〔下記式中、Ｒ1およびＮＡＰは一般式
（１）の場合と同一である〕。
【００２３】（I）Ｒ1がアルキル基の場合
【００２４】
【化９】
【００２５】すなわち、６-ブロモ-２-ナフトールを塩
基の存在下、塩化ベンジルを反応させて得た６-ブロモ-
２-ベンジルオキシナフタレンと一般式（４）で示され
る１-アルキンをパラジウム触媒存在下に反応させるこ
とにより、一般式（５）の化合物を得ることができる。
一般式（５）の化合物をパラジウムカーボンを用いて水
素添加および水素化分解して得た一般式（６）の化合物
に、トリフルオロメタンスルホン酸無水物を反応させる
ことにより、本発明の原料化合物の一つである一般式
（１ａ）で示される化合物を得ることができる。
基の存在下、塩化ベンジルを反応させて得た６-ブロモ-
２-ベンジルオキシナフタレンと一般式（４）で示され
る１-アルキンをパラジウム触媒存在下に反応させるこ
とにより、一般式（５）の化合物を得ることができる。
一般式（５）の化合物をパラジウムカーボンを用いて水
素添加および水素化分解して得た一般式（６）の化合物
に、トリフルオロメタンスルホン酸無水物を反応させる
ことにより、本発明の原料化合物の一つである一般式
（１ａ）で示される化合物を得ることができる。
【００２６】（II）Ｒ1が（分岐）アルキルオキシ基、
アルケニルオキシ基またはベンジルオキシ基の場合
アルケニルオキシ基またはベンジルオキシ基の場合
【００２７】
【化１０】
【００２８】すなわち、６-ブロモ-２-ナフトールを塩
基の存在下、一般式（７）で示されるアルキルハライ
ド、アルケニルハライドあるいはベンジルハライドと反
応させることにより、本発明の原料化合物の一つである
一般式（１ｂ）で示される化合物を得ることができる。
基の存在下、一般式（７）で示されるアルキルハライ
ド、アルケニルハライドあるいはベンジルハライドと反
応させることにより、本発明の原料化合物の一つである
一般式（１ｂ）で示される化合物を得ることができる。
【００２９】また、次に示す工程を経ても合成できる。
【００３０】
【化１１】
【００３１】すなわち、６-ブロモ-２-ナフトールをジ
エチルアゾジホルメートとトリフェニルホスフィン存在
下、一般式（８）で示されるアルコールと反応させるこ
とにより、本発明の原料化合物の一つである一般式（１
ｂ）の化合物を得ることができる。
エチルアゾジホルメートとトリフェニルホスフィン存在
下、一般式（８）で示されるアルコールと反応させるこ
とにより、本発明の原料化合物の一つである一般式（１
ｂ）の化合物を得ることができる。
【００３２】（III）Ｒ1が（分岐）アルキルオキシカル
ボニル基の場合
ボニル基の場合
【００３３】
【化１２】
【００３４】すなわち、６-ヒドロキシ-２-ナフトエ酸
の水酸基を塩化ベンジルでエーテル化して得た６-ベン
ジルオキシ-２-ナフトエ酸に塩化チオニルを作用させて
酸塩化物にした後、ピリジン存在下、一般式（９）で示
されるアルコールと反応させることにより、一般式（１
０）で示される化合物を得ることができる。一般式（１
０）の化合物をパラジウムカーボンを用いて水素化分解
して得た一般式（１１）の化合物に、トリフルオロメタ
ンスルホン酸無水物を反応させることにより、本発明の
原料化合物の一つである一般式（１ｃ）で示される化合
物を得ることができる。
の水酸基を塩化ベンジルでエーテル化して得た６-ベン
ジルオキシ-２-ナフトエ酸に塩化チオニルを作用させて
酸塩化物にした後、ピリジン存在下、一般式（９）で示
されるアルコールと反応させることにより、一般式（１
０）で示される化合物を得ることができる。一般式（１
０）の化合物をパラジウムカーボンを用いて水素化分解
して得た一般式（１１）の化合物に、トリフルオロメタ
ンスルホン酸無水物を反応させることにより、本発明の
原料化合物の一つである一般式（１ｃ）で示される化合
物を得ることができる。
【００３５】（IV）Ｒ1がアルキルカルボニルオキシ基
の場合
の場合
【００３６】
【化１３】
【００３７】すなわち、６-ブロモ-２-ナフトールをピ
リジン存在下、一般式（１２）で示される酸塩化物と反
応させることにより、本発明の原料化合物の一つである
一般式（１ｄ）で示される化合物を得ることができる。
リジン存在下、一般式（１２）で示される酸塩化物と反
応させることにより、本発明の原料化合物の一つである
一般式（１ｄ）で示される化合物を得ることができる。
【００３８】（V）Ｒ1が１-アルキニル基の場合
【００３９】
【化１４】
【００４０】すなわち、６-ブロモ-２-ナフトールをピ
リジン存在下、塩化アセチルと反応させて得た６-ブロ
モ-２-アセトキシナフタレンと一般式（１３）で示され
る１-アルキンをパラジウム触媒存在下に反応させるこ
とにより、一般式（１４）の化合物を得ることができ
る。一般式（１４）の化合物を加水分解して得た一般式
（１５）の化合物に、トリフルオロメタンスルホン酸無
水物を反応させることにより、本発明の原料化合物の一
つである一般式（１ｅ）で示される化合物を得ることが
できる。
リジン存在下、塩化アセチルと反応させて得た６-ブロ
モ-２-アセトキシナフタレンと一般式（１３）で示され
る１-アルキンをパラジウム触媒存在下に反応させるこ
とにより、一般式（１４）の化合物を得ることができ
る。一般式（１４）の化合物を加水分解して得た一般式
（１５）の化合物に、トリフルオロメタンスルホン酸無
水物を反応させることにより、本発明の原料化合物の一
つである一般式（１ｅ）で示される化合物を得ることが
できる。
【００４１】本発明の他方の原料化合物である一般式
（２）で示されるホウ酸誘導体は、金属化可能な下記一
般式（１６）
（２）で示されるホウ酸誘導体は、金属化可能な下記一
般式（１６）
【００４２】
【化１５】
【００４３】〔式中、Ｒ2は水素原子、フッ素原子、-Ｃ
Ｆ3、-ＯＣＦ3、ベンジルオキシ基または炭素数１〜１
８のアルキル基（該アルキル基は、フッ素原子により置
換されていてもよく、またこれらの基中に存在する１個
の-ＣＨ2-または隣接していない２個の-ＣＨ2-は、-Ｏ
-、-ＣＨ＝ＣＨ-、-Ｃ≡Ｃ-、-ＯＣＨ2-もしくは-ＣＨ2
Ｏ-により置換されていてもよい）を表し、Ａは１〜２
個のＦ原子で置換されていてもよい１，４-フェニレン
基を表し、Ｚ1は水素原子またはハロゲン原子を表す〕
で示される化合物より容易に得られる。
Ｆ3、-ＯＣＦ3、ベンジルオキシ基または炭素数１〜１
８のアルキル基（該アルキル基は、フッ素原子により置
換されていてもよく、またこれらの基中に存在する１個
の-ＣＨ2-または隣接していない２個の-ＣＨ2-は、-Ｏ
-、-ＣＨ＝ＣＨ-、-Ｃ≡Ｃ-、-ＯＣＨ2-もしくは-ＣＨ2
Ｏ-により置換されていてもよい）を表し、Ａは１〜２
個のＦ原子で置換されていてもよい１，４-フェニレン
基を表し、Ｚ1は水素原子またはハロゲン原子を表す〕
で示される化合物より容易に得られる。
【００４４】すなわち、一般式（１６）で示される化合
物を金属化した後、ホウ素化することにより一般式
（２）で示される化合物を得ることができる。
物を金属化した後、ホウ素化することにより一般式
（２）で示される化合物を得ることができる。
【００４５】一般式（１６）で示される化合物の金属化
反応に用いられる溶媒としては、ジエチルエーテル、ジ
メトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の
エーテル系溶媒、ヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼ
ン、トルエン等の炭化水素系溶媒、およびこれらの溶媒
の混合溶媒等が挙げられる。これらのうち好ましいもの
は、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテ
ル系溶媒である。
反応に用いられる溶媒としては、ジエチルエーテル、ジ
メトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の
エーテル系溶媒、ヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼ
ン、トルエン等の炭化水素系溶媒、およびこれらの溶媒
の混合溶媒等が挙げられる。これらのうち好ましいもの
は、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテ
ル系溶媒である。
【００４６】金属化試薬としては、金属リチウム、金属
マグネシウム、ｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリ
チウム、ｔ−ブチルリチウム、リチウムジイソプロピル
アミド等が挙げられる。またこれに、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，
Ｎ’，−テトラメチルエチレンジアミン、ヘキサメチル
ホスホリックトリアミド等の安定化剤を添加してもよ
い。
マグネシウム、ｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリ
チウム、ｔ−ブチルリチウム、リチウムジイソプロピル
アミド等が挙げられる。またこれに、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，
Ｎ’，−テトラメチルエチレンジアミン、ヘキサメチル
ホスホリックトリアミド等の安定化剤を添加してもよ
い。
【００４７】金属化の完了後に、ホウ素化合物を−８０
℃〜３０℃、好ましくは−７０℃〜０℃で加え、ホウ素
化を行う。本ホウ素化反応に用いられるホウ素化剤とし
ては、トリメチルボラート、トリイソプロピルボラート
等のトリアルキルボラートあるいは三塩化ホウ素、三臭
化ホウ素等のホウ素トリハライドなどが挙げられる。本
ホウ素化反応は、通常１〜２０時間内に終了する。この
ホウ素化合物を塩酸等の酸で処理することにより、本発
明の原料化合物の一つである一般式（２）で示されるホ
ウ酸誘導体を得ることができる。
℃〜３０℃、好ましくは−７０℃〜０℃で加え、ホウ素
化を行う。本ホウ素化反応に用いられるホウ素化剤とし
ては、トリメチルボラート、トリイソプロピルボラート
等のトリアルキルボラートあるいは三塩化ホウ素、三臭
化ホウ素等のホウ素トリハライドなどが挙げられる。本
ホウ素化反応は、通常１〜２０時間内に終了する。この
ホウ素化合物を塩酸等の酸で処理することにより、本発
明の原料化合物の一つである一般式（２）で示されるホ
ウ酸誘導体を得ることができる。
【００４８】また、一般式（１６）で示される化合物
は、例えば次に示す工程を経て合成できる〔下記式中、
ＡおよびＲ2は一般式（１６）の場合と同一である〕。
は、例えば次に示す工程を経て合成できる〔下記式中、
ＡおよびＲ2は一般式（１６）の場合と同一である〕。
【００４９】（I）Ａが１，４-フェニレン基、下記化１
６または化１７、Ｒ2がアルキル基の場合
６または化１７、Ｒ2がアルキル基の場合
【００５０】
【化１６】
【００５１】
【化１７】
【００５２】
【化１８】
【００５３】すなわち、ｐ-ニトロ-ハロゲノベンゼン誘
導体と一般式（１７）で示される１-アルキンをパラジ
ウム触媒存在下に反応させて得た一般式（１８）の化合
物を、パラジウムカーボンを用いて水素添加することに
より一般式（１９）の化合物を得ることができる。一般
式（１９）の化合物をジアゾ化した後、ヨウ化カリウム
を反応させることにより、一般式（２）の原料化合物の
一つである一般式（１６ａ）の化合物を得ることができ
る。
導体と一般式（１７）で示される１-アルキンをパラジ
ウム触媒存在下に反応させて得た一般式（１８）の化合
物を、パラジウムカーボンを用いて水素添加することに
より一般式（１９）の化合物を得ることができる。一般
式（１９）の化合物をジアゾ化した後、ヨウ化カリウム
を反応させることにより、一般式（２）の原料化合物の
一つである一般式（１６ａ）の化合物を得ることができ
る。
【００５４】（II）Ａが２，３-ジフルオロ-１，４-フ
ェニレン基、Ｒ2がアルキル基の場合
ェニレン基、Ｒ2がアルキル基の場合
【００５５】
【化１９】
【００５６】すなわち、１，２-ジフルオロベンゼンを
ヨウ素化して得た２，３-ジフルオロ-ヨードベンゼンと
一般式（１７）で示される１-アルキンをパラジウム触
媒存在下に反応させることにより一般式（２０）の化合
物を得ることができる。一般式（２０）の化合物をパラ
ジウムカーボンを用いて水素添加することにより、一般
式（２）の原料化合物の一つである一般式（１６ｂ）の
化合物を得ることができる。
ヨウ素化して得た２，３-ジフルオロ-ヨードベンゼンと
一般式（１７）で示される１-アルキンをパラジウム触
媒存在下に反応させることにより一般式（２０）の化合
物を得ることができる。一般式（２０）の化合物をパラ
ジウムカーボンを用いて水素添加することにより、一般
式（２）の原料化合物の一つである一般式（１６ｂ）の
化合物を得ることができる。
【００５７】（III）Ａが１，４-フェニレン基、下記化
２０または化２１、Ｒ2が（分岐）アルキルオキシ基、
アルケニルオキシ基またはベンジルオキシ基の場合
２０または化２１、Ｒ2が（分岐）アルキルオキシ基、
アルケニルオキシ基またはベンジルオキシ基の場合
【００５８】
【化２０】
【００５９】
【化２１】
【００６０】
【化２２】
【００６１】すなわち、ｐ-ハロゲノフェノール誘導体
に塩基存在下、一般式（２１）で示されるアルキルハラ
イド、アルケニルハライドあるいはベンジルハライドを
反応させることにより、一般式（２）の原料化合物の一
つである一般式（１６ｃ）の化合物を得ることができ
る。
に塩基存在下、一般式（２１）で示されるアルキルハラ
イド、アルケニルハライドあるいはベンジルハライドを
反応させることにより、一般式（２）の原料化合物の一
つである一般式（１６ｃ）の化合物を得ることができ
る。
【００６２】また、次に示す工程を経ても合成できる。
【００６３】
【化２３】
【００６４】すなわち、ｐ-ハロゲノフェノール誘導体
をジエチルアゾジホルメートとトリフェニルホスフィン
存在下、一般式（２２）で示されるアルコールと反応さ
せることにより、一般式（２）の原料化合物の一つであ
る一般式（１６ｃ）の化合物を得ることができる。
をジエチルアゾジホルメートとトリフェニルホスフィン
存在下、一般式（２２）で示されるアルコールと反応さ
せることにより、一般式（２）の原料化合物の一つであ
る一般式（１６ｃ）の化合物を得ることができる。
【００６５】（IV）Ａが２，３-ジフルオロ-１，４-フ
ェニレン基、、Ｒ2が（分岐）アルキルオキシ基、アル
ケニルオキシ基またはベンジルオキシ基の場合
ェニレン基、、Ｒ2が（分岐）アルキルオキシ基、アル
ケニルオキシ基またはベンジルオキシ基の場合
【００６６】
【化２４】
【００６７】すなわち、２，３-ジフルオロフェノール
に塩基存在下、一般式（２１）で示されるアルキルハラ
イド、アルケニルハライドあるいはベンジルハライドを
反応させることにより、一般式（２）の原料化合物の一
つである一般式（１６ｄ）の化合物を得ることができ
る。
に塩基存在下、一般式（２１）で示されるアルキルハラ
イド、アルケニルハライドあるいはベンジルハライドを
反応させることにより、一般式（２）の原料化合物の一
つである一般式（１６ｄ）の化合物を得ることができ
る。
【００６８】また、次に示す工程を経ても合成できる。
【００６９】
【化２５】
【００７０】すなわち、２，３-ジフルオロフェノール
をジエチルアゾジホルメートとトリフェニルホスフィン
存在下、一般式（２２）で示されるアルコールと反応さ
せることにより、一般式（２）の原料化合物の一つであ
る一般式（１６ｄ）の化合物を得ることができる。
をジエチルアゾジホルメートとトリフェニルホスフィン
存在下、一般式（２２）で示されるアルコールと反応さ
せることにより、一般式（２）の原料化合物の一つであ
る一般式（１６ｄ）の化合物を得ることができる。
【００７１】（V）Ａが１，４-フェニレン基、下記化２
６または化２７、Ｒ2が１-アルキニル基の場合
６または化２７、Ｒ2が１-アルキニル基の場合
【００７２】
【化２６】
【００７３】
【化２７】
【００７４】
【化２８】
【００７５】すなわち、ｐ-ブロモ-ヨードベンゼン誘導
体と一般式（２３）で示される１-アルキンをパラジウ
ム触媒存在下に反応させることにより、一般式（２）の
原料化合物である一般式（１６ｅ）の化合物を得ること
ができる。
体と一般式（２３）で示される１-アルキンをパラジウ
ム触媒存在下に反応させることにより、一般式（２）の
原料化合物である一般式（１６ｅ）の化合物を得ること
ができる。
【００７６】（IV）Ａが２，３-ジフルオロ-１，４-フ
ェニレン基、Ｒ2が１-アルキニル基の場合
ェニレン基、Ｒ2が１-アルキニル基の場合
【００７７】
【化２９】
【００７８】すなわち、１，２-ジフルオロベンゼンを
ヨウ素化して得た２，３-ジフルオロ-ヨードベンゼンと
一般式（２３）で示される１-アルキンをパラジウム触
媒存在下に反応することにより、一般式（２）の原料化
合物である一般式（１６ｆ）の化合物を得ることができ
る。
ヨウ素化して得た２，３-ジフルオロ-ヨードベンゼンと
一般式（２３）で示される１-アルキンをパラジウム触
媒存在下に反応することにより、一般式（２）の原料化
合物である一般式（１６ｆ）の化合物を得ることができ
る。
【００７９】表１で例示される一般式（１）の化合物
と、表２で例示される一般式（２）の化合物とを反応さ
せることにより、一般式（３）の化合物を得ることがで
きる。
と、表２で例示される一般式（２）の化合物とを反応さ
せることにより、一般式（３）の化合物を得ることがで
きる。
【００８０】本反応は、通常溶媒、金属触媒および塩基
の存在下で行う。この反応に用いられる溶媒としては、
メタノール、エタノール等のアルコール系溶媒、ベンゼ
ン、トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒、ジエチルエー
テル、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、塩化メ
チレン、クロロホルム等のハロゲン系溶媒、ジメチルア
ミン、トリエチルアミン等のアミン系溶媒、水等が挙げ
られる。
の存在下で行う。この反応に用いられる溶媒としては、
メタノール、エタノール等のアルコール系溶媒、ベンゼ
ン、トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒、ジエチルエー
テル、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、塩化メ
チレン、クロロホルム等のハロゲン系溶媒、ジメチルア
ミン、トリエチルアミン等のアミン系溶媒、水等が挙げ
られる。
【００８１】これらのうち好ましいものは、アルコール
系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、水の混合溶媒およびア
ミン系溶媒である。溶媒の使用量は一般式（２）の化合
物の２〜１００重量倍、好ましくは３〜２０重量倍であ
る。
系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、水の混合溶媒およびア
ミン系溶媒である。溶媒の使用量は一般式（２）の化合
物の２〜１００重量倍、好ましくは３〜２０重量倍であ
る。
【００８２】本反応に用いられる金属触媒としては、０
価または２価のパラジウムあるいはニッケル触媒が挙げ
られる。
価または２価のパラジウムあるいはニッケル触媒が挙げ
られる。
【００８３】特に好ましい金属触媒としては、テトラキ
ス-（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロ-
ビス-（トリフェニルホスフィン）パラジウム、１，１-
ビス-（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル-パラジウ
ム、１，２-ビス-（ジフェニルホスフィノ）エタン-パ
ラジウム、塩化パラジウムおよび酢酸パラジウム、また
は相当するニッケル触媒である。
ス-（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロ-
ビス-（トリフェニルホスフィン）パラジウム、１，１-
ビス-（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル-パラジウ
ム、１，２-ビス-（ジフェニルホスフィノ）エタン-パ
ラジウム、塩化パラジウムおよび酢酸パラジウム、また
は相当するニッケル触媒である。
【００８４】上記触媒に、適当な配位子を、任意の割合
で添加して使用することもできる。この目的に好適な配
位子としては、トリフェニルホスフィン、トリトリルホ
スフィン、トリス-（４-ジメチルアミノフェニル）ホス
フィン、１，２-ビス-（ジフェニルホスフィノ）エタ
ン、１，２-ビス-（ジフェニルホスフィノ）プロパン、
１，２-ビス-（ジフェニルホスフィノ）ブタンあるいは
１，１’-ビス-（ジフェニルホスフィノ）フェロセン等
のホスフィン類、アセチルアセトン、オクタフルオロア
セチルアセトン等のジケトン類等が挙げられる。
で添加して使用することもできる。この目的に好適な配
位子としては、トリフェニルホスフィン、トリトリルホ
スフィン、トリス-（４-ジメチルアミノフェニル）ホス
フィン、１，２-ビス-（ジフェニルホスフィノ）エタ
ン、１，２-ビス-（ジフェニルホスフィノ）プロパン、
１，２-ビス-（ジフェニルホスフィノ）ブタンあるいは
１，１’-ビス-（ジフェニルホスフィノ）フェロセン等
のホスフィン類、アセチルアセトン、オクタフルオロア
セチルアセトン等のジケトン類等が挙げられる。
【００８５】金属触媒の使用量は、一般式（２）の化合
物に対して通常０．１〜２０モル％で良く、特に０．５
〜５モル％が好ましいが、これに限定されるものではな
い。
物に対して通常０．１〜２０モル％で良く、特に０．５
〜５モル％が好ましいが、これに限定されるものではな
い。
【００８６】本反応に用いられる塩基としては、炭酸ナ
トリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム等の塩
類、ジメチルアミン、トリエチルアミン等のアミン類が
挙げられる。また、溶媒としてアミン系溶媒を用いた場
合は、特にそれ以外の塩基を添加する必要はない。
トリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム等の塩
類、ジメチルアミン、トリエチルアミン等のアミン類が
挙げられる。また、溶媒としてアミン系溶媒を用いた場
合は、特にそれ以外の塩基を添加する必要はない。
【００８７】本反応において、一般式（１）の化合物と
一般式（２）の化合物のモル比は任意に設定できるが、
通常１０：１〜１：１０、好ましくは１０：７〜１０：
１５である。
一般式（２）の化合物のモル比は任意に設定できるが、
通常１０：１〜１：１０、好ましくは１０：７〜１０：
１５である。
【００８８】反応温度は０℃〜１８０℃、好ましくは室
温〜１５０℃であり、あまり高温になると触媒が分解す
るため好ましくない。
温〜１５０℃であり、あまり高温になると触媒が分解す
るため好ましくない。
【００８９】反応時間は特に制限されず、原料化合物で
ある一般式（１）あるいは一般式（２）の化合物が消失
した時点を反応の終点とすることができる。なお、反応
の終点は、ガスクロマトグラフィー、薄層クロマトグラ
フィー等を用いて確認することができる。
ある一般式（１）あるいは一般式（２）の化合物が消失
した時点を反応の終点とすることができる。なお、反応
の終点は、ガスクロマトグラフィー、薄層クロマトグラ
フィー等を用いて確認することができる。
【００９０】反応終了後、通常の分離手段、例えば抽
出、洗浄、濃縮等により反応混合物から一般式（３）で
示されるフェニルナフタレン誘導体を単離することがで
き、必要により、再結晶、カラムクロマトグラフィー等
で精製することができる。
出、洗浄、濃縮等により反応混合物から一般式（３）で
示されるフェニルナフタレン誘導体を単離することがで
き、必要により、再結晶、カラムクロマトグラフィー等
で精製することができる。
【００９１】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に説明する
が、本発明はこれに限定されない。 実施例 １ ６-（２，３-ジフルオロ-４-デシルオキシフェニル）-
２-ナフトエ酸-（２-メチルブチル）エステルの合成 ６-ベンジルオキシ-２-ナフトエ酸（この化合物は６-
ヒドロキシ-２-ナフトエ酸を塩基の存在下、塩化ベンジ
ルと反応させることにより得ることができる）2.8g（1
0.1mmol）に塩化チオニル10mlを加えて、６時間加熱還
流した。過剰の塩化チオニルをアスピレーターで除去す
ることにより固体の６-ベンジルオキシ-２-ナフトエ酸
塩化物を得た。このものは特に精製せず、このまま次の
反応に使用した。 で得た６-ベンジルオキシ-２-ナフトエ酸塩化物
に、乾燥トルエン50mlおよび乾燥ピリジン20mlを加えて
１０℃以下に冷却した。これに光学活性２-メチル-１-
ブタノール0.9g（10.2mmol）を加えてそのまま１時間攪
拌した後、８０℃で５時間攪拌した。放冷後、氷水中へ
投入し、トルエン層を１Ｎ塩酸、水、炭酸水素ナトリウ
ム水、水で順次洗浄後、トルエンを留去し、エタノール
から再結晶することにより白色固体の光学活性６-ベン
ジルオキシ-２-ナフトエ酸-（２-メチルブチル）エステ
ル2.9g（8.3mmol）を得た。 で得た光学活性６-ベンジルオキシ-２-ナフトエ酸-
（２-メチルブチル）エステル2.9g（8.3mmol）をエタノ
ール中水素雰囲気下、5%パラジウムカーボン0.2gを用い
て還流温度で水素化分解を行った。水素の吸収が無くな
るのを確認してからろ過により触媒を除き、エタノール
を留去した。得られた固体をヘキサンから再結晶するこ
とにより光学活性６-ヒドロキシ-２-ナフトエ酸-（２-
メチルブチル）エステル1.8g（7.0mmol）を得た。 で得た光学活性６-ヒドロキシ-２-ナフトエ酸-（２
-メチルブチル）エステル1.8g（7.0mmol）を乾燥ピリジ
ン30mlに溶かし、これに１０℃以下でトリフルオロメタ
ンスルホン酸無水物2.3g（8.2mmol）を加え、室温で２
４時間攪拌した。反応終了後、氷水中へ投入しトルエン
で抽出した。トルエン層を１Ｎ塩酸、水、炭酸水素ナト
リウム水、水で順次洗浄後、トルエンを留去することに
より、油状の光学活性６-ヒドロキシ-２-ナフトエ酸-
（２-メチルブチル）エステルのトリフルオロメタンス
ルホン酸エステル2.6g（6.7mmol）を得た。 １，２-ジフルオロ-３-ｎ-デシルオキシベンゼン（こ
の化合物は、２，３-ジフルオロフェノールを塩基の存
在下、ｎ-デシルブロマイドと反応させることにより得
ることができる）20.0g（74.1mmol）を乾燥テトラヒド
ロフラン200mlに溶かし、ドライアイス-アセトンバスで
−６０℃以下に冷却した。これにｎ-ブチルリチウムの
ヘキサン溶液（15%）47ml（88.9mmol）を−６０℃以下
で滴下しそのまま３時間攪拌した。次にホウ酸トリメチ
ル11.6g（112mmol）を−６０℃以下で加え更に３０分間
攪拌した後、ドライアイス-アセトンバスを外し、０℃
になるまで攪拌した。水、次いで１Ｎ塩酸を加え、エー
テルで抽出した。エーテル層を水洗した後、エーテルを
留去することにより、白色固体の２，３-ジフルオロ-４
-ｎ-デシルオキシフェニルホウ酸21.6g（68.8mmol）を
得た。 で得た光学活性６-ヒドロキシ-２-ナフトエ酸-（２
-メチルブチル）エステルのトリフルオロメタンスルホ
ン酸エステル2.0g（5.1mmol）とで得た２，３-ジフル
オロ-４-ｎ-デシルオキシフェニルホウ酸1.5g（4.8mmo
l）をトリエチルアミン60ml中、触媒にテトラキストリ
フェニルホスフィンパラジウム(0)110mg（0.10mmol）と
トリフェニルホスフィン110mg（0.42mmol）を用いて、
窒素雰囲気下１０時間加熱還流した。反応終了後、トリ
エチルアミンを除去し、トルエンで抽出した。トルエン
層を１Ｎ塩酸、水で洗浄後、シリカゲルカラムで精製
し、エタノールから再結晶することにより、白色結晶の
６-（２，３-ジフルオロ-４-デシルオキシフェニル）-
２-ナフトエ酸-（２-メチルブチル）エステル1.2g（2.4
mmol）を得た（収率：49.2％）。 化合物の構造は、ＮＭＲ（核磁気共鳴スペクトル分
析）、ＭＳ（質量分析）、ＩＲ（赤外吸収スペクトル分
析）および元素分析により確認した。 元素分析値 理論値（％） 実測値（％） C:75.30 C:75.13 H:7.84 H:8.01 F:7.45 F:7.27
が、本発明はこれに限定されない。 実施例 １ ６-（２，３-ジフルオロ-４-デシルオキシフェニル）-
２-ナフトエ酸-（２-メチルブチル）エステルの合成 ６-ベンジルオキシ-２-ナフトエ酸（この化合物は６-
ヒドロキシ-２-ナフトエ酸を塩基の存在下、塩化ベンジ
ルと反応させることにより得ることができる）2.8g（1
0.1mmol）に塩化チオニル10mlを加えて、６時間加熱還
流した。過剰の塩化チオニルをアスピレーターで除去す
ることにより固体の６-ベンジルオキシ-２-ナフトエ酸
塩化物を得た。このものは特に精製せず、このまま次の
反応に使用した。 で得た６-ベンジルオキシ-２-ナフトエ酸塩化物
に、乾燥トルエン50mlおよび乾燥ピリジン20mlを加えて
１０℃以下に冷却した。これに光学活性２-メチル-１-
ブタノール0.9g（10.2mmol）を加えてそのまま１時間攪
拌した後、８０℃で５時間攪拌した。放冷後、氷水中へ
投入し、トルエン層を１Ｎ塩酸、水、炭酸水素ナトリウ
ム水、水で順次洗浄後、トルエンを留去し、エタノール
から再結晶することにより白色固体の光学活性６-ベン
ジルオキシ-２-ナフトエ酸-（２-メチルブチル）エステ
ル2.9g（8.3mmol）を得た。 で得た光学活性６-ベンジルオキシ-２-ナフトエ酸-
（２-メチルブチル）エステル2.9g（8.3mmol）をエタノ
ール中水素雰囲気下、5%パラジウムカーボン0.2gを用い
て還流温度で水素化分解を行った。水素の吸収が無くな
るのを確認してからろ過により触媒を除き、エタノール
を留去した。得られた固体をヘキサンから再結晶するこ
とにより光学活性６-ヒドロキシ-２-ナフトエ酸-（２-
メチルブチル）エステル1.8g（7.0mmol）を得た。 で得た光学活性６-ヒドロキシ-２-ナフトエ酸-（２
-メチルブチル）エステル1.8g（7.0mmol）を乾燥ピリジ
ン30mlに溶かし、これに１０℃以下でトリフルオロメタ
ンスルホン酸無水物2.3g（8.2mmol）を加え、室温で２
４時間攪拌した。反応終了後、氷水中へ投入しトルエン
で抽出した。トルエン層を１Ｎ塩酸、水、炭酸水素ナト
リウム水、水で順次洗浄後、トルエンを留去することに
より、油状の光学活性６-ヒドロキシ-２-ナフトエ酸-
（２-メチルブチル）エステルのトリフルオロメタンス
ルホン酸エステル2.6g（6.7mmol）を得た。 １，２-ジフルオロ-３-ｎ-デシルオキシベンゼン（こ
の化合物は、２，３-ジフルオロフェノールを塩基の存
在下、ｎ-デシルブロマイドと反応させることにより得
ることができる）20.0g（74.1mmol）を乾燥テトラヒド
ロフラン200mlに溶かし、ドライアイス-アセトンバスで
−６０℃以下に冷却した。これにｎ-ブチルリチウムの
ヘキサン溶液（15%）47ml（88.9mmol）を−６０℃以下
で滴下しそのまま３時間攪拌した。次にホウ酸トリメチ
ル11.6g（112mmol）を−６０℃以下で加え更に３０分間
攪拌した後、ドライアイス-アセトンバスを外し、０℃
になるまで攪拌した。水、次いで１Ｎ塩酸を加え、エー
テルで抽出した。エーテル層を水洗した後、エーテルを
留去することにより、白色固体の２，３-ジフルオロ-４
-ｎ-デシルオキシフェニルホウ酸21.6g（68.8mmol）を
得た。 で得た光学活性６-ヒドロキシ-２-ナフトエ酸-（２
-メチルブチル）エステルのトリフルオロメタンスルホ
ン酸エステル2.0g（5.1mmol）とで得た２，３-ジフル
オロ-４-ｎ-デシルオキシフェニルホウ酸1.5g（4.8mmo
l）をトリエチルアミン60ml中、触媒にテトラキストリ
フェニルホスフィンパラジウム(0)110mg（0.10mmol）と
トリフェニルホスフィン110mg（0.42mmol）を用いて、
窒素雰囲気下１０時間加熱還流した。反応終了後、トリ
エチルアミンを除去し、トルエンで抽出した。トルエン
層を１Ｎ塩酸、水で洗浄後、シリカゲルカラムで精製
し、エタノールから再結晶することにより、白色結晶の
６-（２，３-ジフルオロ-４-デシルオキシフェニル）-
２-ナフトエ酸-（２-メチルブチル）エステル1.2g（2.4
mmol）を得た（収率：49.2％）。 化合物の構造は、ＮＭＲ（核磁気共鳴スペクトル分
析）、ＭＳ（質量分析）、ＩＲ（赤外吸収スペクトル分
析）および元素分析により確認した。 元素分析値 理論値（％） 実測値（％） C:75.30 C:75.13 H:7.84 H:8.01 F:7.45 F:7.27
【００９２】実施例 ２ ６-ノニルオキシ-２-（２，３-ジフルオロ-４-ノニルオ
キシフェニル）ナフタレンの合成 実施例１のにおいて１，２-ジフルオロ-３-ｎ-デシ
ルオキシベンゼンに代えて１，２-ジフルオロ-３-ｎ-ノ
ニルオキシベンゼン（この化合物は、２，３-ジフルオ
ロフェノールを塩基の存在下、ｎ-ノニルブロマイドと
反応させることにより得ることができる）を同じモル比
で用いた以外は実施例１のと同様の操作を行うことに
より、２，３-ジフルオロ-４-ノニルオキシ-フェニルホ
ウ酸を得た。 で得た２，３-ジフルオロ-４-ノニルオキシフェニ
ルホウ酸2.0g（6.7mmol）と６-ブロモ-２-ノニルオキシ
ナフタレン（この化合物は、６-ブロモ-２-ナフトール
を塩基の存在下、ｎ-ノニルブロマイドと反応させるこ
とにより得ることができる）2.3g（6.6mmol）をトリエ
チルアミン60ml中、触媒にテトラキストリフェニルホス
フィンパラジウム（0）154mg（0.13mmol）とトリフェニ
ルホスフィン154mg（0.59mmol）を用いて、窒素雰囲気
下１０時間加熱還流した。反応終了後、トリエチルアミ
ンを留去しトルエンで抽出した。トルエン層を１Ｎ塩
酸、水で順次洗浄後、シルカゲルカラムで精製し、エタ
ノールから３回再結晶することにより、６-ノニルオキ
シ-２-（２，３-ジフルオロ-４-ノニルオキシフェニ
ル）ナフタレン2.1g（4.0mmol）を得た（収率：60.9
％）。 化合物の構造は、ＮＭＲ（核磁気共鳴スペクトル分
析）、ＭＳ（質量分析）、ＩＲ（赤外吸収スペクトル分
析）および元素分析により確認した。 元素分析値 理論値（％） 実測値（％） C:77.86 C:77.63 H:8.78 H:8.91 F:7.25 F:7.13
キシフェニル）ナフタレンの合成 実施例１のにおいて１，２-ジフルオロ-３-ｎ-デシ
ルオキシベンゼンに代えて１，２-ジフルオロ-３-ｎ-ノ
ニルオキシベンゼン（この化合物は、２，３-ジフルオ
ロフェノールを塩基の存在下、ｎ-ノニルブロマイドと
反応させることにより得ることができる）を同じモル比
で用いた以外は実施例１のと同様の操作を行うことに
より、２，３-ジフルオロ-４-ノニルオキシ-フェニルホ
ウ酸を得た。 で得た２，３-ジフルオロ-４-ノニルオキシフェニ
ルホウ酸2.0g（6.7mmol）と６-ブロモ-２-ノニルオキシ
ナフタレン（この化合物は、６-ブロモ-２-ナフトール
を塩基の存在下、ｎ-ノニルブロマイドと反応させるこ
とにより得ることができる）2.3g（6.6mmol）をトリエ
チルアミン60ml中、触媒にテトラキストリフェニルホス
フィンパラジウム（0）154mg（0.13mmol）とトリフェニ
ルホスフィン154mg（0.59mmol）を用いて、窒素雰囲気
下１０時間加熱還流した。反応終了後、トリエチルアミ
ンを留去しトルエンで抽出した。トルエン層を１Ｎ塩
酸、水で順次洗浄後、シルカゲルカラムで精製し、エタ
ノールから３回再結晶することにより、６-ノニルオキ
シ-２-（２，３-ジフルオロ-４-ノニルオキシフェニ
ル）ナフタレン2.1g（4.0mmol）を得た（収率：60.9
％）。 化合物の構造は、ＮＭＲ（核磁気共鳴スペクトル分
析）、ＭＳ（質量分析）、ＩＲ（赤外吸収スペクトル分
析）および元素分析により確認した。 元素分析値 理論値（％） 実測値（％） C:77.86 C:77.63 H:8.78 H:8.91 F:7.25 F:7.13
【００９３】実施例１〜実施例２で得られた化合物の相
転移温度を表３に示す。
転移温度を表３に示す。
【００９４】
【表３】
【００９５】表３中各記号は、それぞれ以下の意味を表
す。 Ｃｒｙ；結晶相 Ｓｃ ；スメクチックＣ相 ＳA ；スメクチックＡ相 Ｎｅｍ；ネマチック相 Ｉｓｏ；等方性液体相 ・ ；相が存在する − ；相が存在しない
す。 Ｃｒｙ；結晶相 Ｓｃ ；スメクチックＣ相 ＳA ；スメクチックＡ相 Ｎｅｍ；ネマチック相 Ｉｓｏ；等方性液体相 ・ ；相が存在する − ；相が存在しない
【００９６】
【発明の効果】本発明の製造方法を用いることにより、
マイルドな条件で、かつ環境を汚染する廃液が生成する
ことなく、収率良くフェニルナフタレン誘導体を合成す
ることができる。また、本発明の製造方法により合成さ
れたフェニルナフタレン誘導体は、液晶表示素子に用い
る液晶組成物の成分あるいはその中間体として有用であ
り、かつ各種医農薬の中間体として有用である。
マイルドな条件で、かつ環境を汚染する廃液が生成する
ことなく、収率良くフェニルナフタレン誘導体を合成す
ることができる。また、本発明の製造方法により合成さ
れたフェニルナフタレン誘導体は、液晶表示素子に用い
る液晶組成物の成分あるいはその中間体として有用であ
り、かつ各種医農薬の中間体として有用である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｃ 25/24 9280−4Ｈ 41/30 43/20 Ａ 7419−4Ｈ 43/215 7419−4Ｈ 43/225 Ａ 7419−4Ｈ 67/343 69/157 8018−4Ｈ 69/16 8018−4Ｈ 69/24 8018−4Ｈ 69/28 8018−4Ｈ 69/63 9279−4Ｈ 69/94 9279−4Ｈ 253/30 255/52 9357−4Ｈ 255/54 9357−4Ｈ 255/55 9357−4Ｈ // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００
Claims (1)
- 【請求項１】 下記一般式（１） 【化１】 〔式中、Ｒ1は水素原子、シアノ基、フッ素原子、-ＣＦ
3、-ＯＣＦ3、ベンジルオキシ基または炭素数１〜１８
のアルキル基（該アルキル基は、フッ素原子により置換
されていてもよく、またこれらの基中に存在する１個の
-ＣＨ2-または隣接していない２個の-ＣＨ2-は、-Ｏ-、
-ＣＨ＝ＣＨ-、-Ｃ≡Ｃ-、-ＣＯＯ-、-ＯＣＯ-、-ＯＣ
Ｈ2-もしくは-ＣＨ2Ｏ-により置換されていてもよい）
を表し、ＮＡＰは２，６-ナフチレン基を表し、Ｚはハ
ロゲン原子または-ＯＳＯ2ＣＦ3を表す〕で示される化
合物と、下記一般式（２） 【化２】 〔式中、Ｒ2は水素原子、フッ素原子、-ＣＦ3、-ＯＣＦ
3、ベンジルオキシ基または炭素数１〜１８のアルキル
基（該アルキル基は、フッ素原子により置換されていて
もよく、またこれらの基中に存在する１個の-ＣＨ2-ま
たは隣接していない２個の-ＣＨ2-は、-Ｏ-、-ＣＨ＝Ｃ
Ｈ-、-Ｃ≡Ｃ-、-ＯＣＨ2-もしくは-ＣＨ2Ｏ-により置
換されていてもよい）を表し、Ａは１〜２個のＦ原子で
置換されていてもよい１，４-フェニレン基を表す〕で
示される化合物とを金属触媒存在下に反応させることか
らなる下記一般式（３） 【化３】 〔式中、Ｒ1は水素原子、シアノ基、フッ素原子、-ＣＦ
3、-ＯＣＦ3、ベンジルオキシ基または炭素数１〜１８
のアルキル基（該アルキル基は、フッ素原子により置換
されていてもよく、またこれらの基中に存在する１個の
-ＣＨ2-または隣接していない２個の-ＣＨ2-は、-Ｏ-、
-ＣＨ＝ＣＨ-、-Ｃ≡Ｃ-、-ＣＯＯ-、-ＯＣＯ-、-ＯＣ
Ｈ2-もしくは-ＣＨ2Ｏ-により置換されていてもよい）
を表し、ＮＡＰは２，６-ナフチレン基を表し、Ａは１
〜２個のＦ原子で置換されていてもよい１，４-フェニ
レン基を表し、Ｒ2は水素原子、フッ素原子、-ＣＦ3、-
ＯＣＦ3、ベンジルオキシ基または炭素数１〜１８のア
ルキル基（該アルキル基は、フッ素原子により置換され
ていてもよく、またこれらの基中に存在する１個の-Ｃ
Ｈ2-または隣接していない２個の-ＣＨ2-は、-Ｏ-、-Ｃ
Ｈ＝ＣＨ-、-Ｃ≡Ｃ-、-ＯＣＨ2-もしくは-ＣＨ2Ｏ-に
より置換されていてもよい）を表す〕で示されるフェニ
ルナフタレン誘導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30826292A JPH06135862A (ja) | 1992-10-21 | 1992-10-21 | フェニルナフタレン誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30826292A JPH06135862A (ja) | 1992-10-21 | 1992-10-21 | フェニルナフタレン誘導体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06135862A true JPH06135862A (ja) | 1994-05-17 |
Family
ID=17978898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30826292A Pending JPH06135862A (ja) | 1992-10-21 | 1992-10-21 | フェニルナフタレン誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06135862A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5582765A (en) * | 1994-08-05 | 1996-12-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Triflate compounds and process for preparing silacyclohexane-based liquid crystal compounds from the triflate compounds |
| JP2017222632A (ja) * | 2016-06-16 | 2017-12-21 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | ポリアルキニル−アレーンを形成するための方法 |
-
1992
- 1992-10-21 JP JP30826292A patent/JPH06135862A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5582765A (en) * | 1994-08-05 | 1996-12-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Triflate compounds and process for preparing silacyclohexane-based liquid crystal compounds from the triflate compounds |
| JP2017222632A (ja) * | 2016-06-16 | 2017-12-21 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | ポリアルキニル−アレーンを形成するための方法 |
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