JPH06124914A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH06124914A JPH06124914A JP27594192A JP27594192A JPH06124914A JP H06124914 A JPH06124914 A JP H06124914A JP 27594192 A JP27594192 A JP 27594192A JP 27594192 A JP27594192 A JP 27594192A JP H06124914 A JPH06124914 A JP H06124914A
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- Japan
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- insulating film
- film
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- reflowable
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ラウンドエッチを行わなくても、なだらかで、
かつオーバーハングのない肩部を有する絶縁膜を形成す
ることができ、ひいては製品のコストの大幅な低減を図
り、かつ集積度の向上に寄与することができ、製品特性
の安定化にも大きく貢献する半導体装置の製造方法の提
供。 【構成】リフロー性絶縁膜にコンタクトホールを穿孔し
た後、アニール処理によってリフロー性絶縁膜を加熱し
てリフローせしめ、該リフロー性絶縁膜を平坦化する方
法であって、前記リフロー性絶縁膜の最大アスペクト比
が０．６以下になるようにコンタクトホールを穿孔する
工程を含む、半導体装置の製造方法。
かつオーバーハングのない肩部を有する絶縁膜を形成す
ることができ、ひいては製品のコストの大幅な低減を図
り、かつ集積度の向上に寄与することができ、製品特性
の安定化にも大きく貢献する半導体装置の製造方法の提
供。 【構成】リフロー性絶縁膜にコンタクトホールを穿孔し
た後、アニール処理によってリフロー性絶縁膜を加熱し
てリフローせしめ、該リフロー性絶縁膜を平坦化する方
法であって、前記リフロー性絶縁膜の最大アスペクト比
が０．６以下になるようにコンタクトホールを穿孔する
工程を含む、半導体装置の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、特に多層配線においてラウンドエッチを行わな
くても、なだらかで、かつオーバーハングのない肩部を
有する絶縁膜を形成することができる半導体装置の製造
方法に関する。
に関し、特に多層配線においてラウンドエッチを行わな
くても、なだらかで、かつオーバーハングのない肩部を
有する絶縁膜を形成することができる半導体装置の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、多層配線構造を形成するために、
層間絶縁膜としてＢＳＧ膜、ＰＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜等の
リフロー性絶縁膜を形成し、このリフロー性絶縁膜の所
要箇所にコンタクトホールを形成した後、リフロー性絶
縁膜を加熱してリフローさせて平坦化し、あるいはその
上にさらに他の層を形成することが行われている。例え
ば、第一層間絶縁膜として、ＢＳＧ膜、ＰＳＧ膜、ＢＰ
ＳＧ膜等のリフロー性絶縁膜を形成し、この絶縁膜にコ
ンタクトホールを穿孔した後、アニール処理して、リフ
ロー性絶縁膜をリフローせしめて平坦化し急峻な段差を
緩和するとともに、コンタクトホールの肩部をラウンド
形状とすることが行われている。しかし、この工程で
は、図４に示すように、リフローにより形成される絶縁
膜１０の肩部１１がオーバーハング形状となり、コンタ
クトホールの断線、導通不良等の原因となる。そこで、
リフロー性絶縁膜がオーバーハング形状になる事を防ぐ
ために、コンタクトホールを穿孔しアニール処理する前
に予め等方性エッチングにより、図５に示すように、リ
フロー性絶縁膜の肩部をエッチングして、オーバーハン
グ形状を防ぐための処理、いわゆるラウンドエッチを行
わなければならなかった。
層間絶縁膜としてＢＳＧ膜、ＰＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜等の
リフロー性絶縁膜を形成し、このリフロー性絶縁膜の所
要箇所にコンタクトホールを形成した後、リフロー性絶
縁膜を加熱してリフローさせて平坦化し、あるいはその
上にさらに他の層を形成することが行われている。例え
ば、第一層間絶縁膜として、ＢＳＧ膜、ＰＳＧ膜、ＢＰ
ＳＧ膜等のリフロー性絶縁膜を形成し、この絶縁膜にコ
ンタクトホールを穿孔した後、アニール処理して、リフ
ロー性絶縁膜をリフローせしめて平坦化し急峻な段差を
緩和するとともに、コンタクトホールの肩部をラウンド
形状とすることが行われている。しかし、この工程で
は、図４に示すように、リフローにより形成される絶縁
膜１０の肩部１１がオーバーハング形状となり、コンタ
クトホールの断線、導通不良等の原因となる。そこで、
リフロー性絶縁膜がオーバーハング形状になる事を防ぐ
ために、コンタクトホールを穿孔しアニール処理する前
に予め等方性エッチングにより、図５に示すように、リ
フロー性絶縁膜の肩部をエッチングして、オーバーハン
グ形状を防ぐための処理、いわゆるラウンドエッチを行
わなければならなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このラウンド
エッチを行うために、コンタクトホールおよび絶縁膜の
設計において、予め、ラウンドエッチによって失われる
絶縁膜の幅を見込んでライン・アンド・スペースを設計
しなければならなかった。すなわち、所要のライン・ア
ンド・スペースよりも太幅で設計を行わなければならな
いという問題があった。したがって、ラウンドエッチに
よりコンタクトホールの入口が拡がるために集積度を上
げることが困難となる。また、ラウンドエッチ工程は、
ドライエッチングまたはウェットエッチングによって広
く行われているが、エッチング形状およびエッチングレ
ート等の制御が難しく、特にドライエッチングを用いる
とレジストが後退するために、図６に示すように、コン
タクトホール径ｄが拡大してしまうなどの問題があっ
た。
エッチを行うために、コンタクトホールおよび絶縁膜の
設計において、予め、ラウンドエッチによって失われる
絶縁膜の幅を見込んでライン・アンド・スペースを設計
しなければならなかった。すなわち、所要のライン・ア
ンド・スペースよりも太幅で設計を行わなければならな
いという問題があった。したがって、ラウンドエッチに
よりコンタクトホールの入口が拡がるために集積度を上
げることが困難となる。また、ラウンドエッチ工程は、
ドライエッチングまたはウェットエッチングによって広
く行われているが、エッチング形状およびエッチングレ
ート等の制御が難しく、特にドライエッチングを用いる
とレジストが後退するために、図６に示すように、コン
タクトホール径ｄが拡大してしまうなどの問題があっ
た。
【０００４】そこで本発明の目的は、上記の問題を有利
に解決し、ラウンドエッチを行わなくても、なだらか
で、かつオーバーハングのない肩部を有する絶縁膜を形
成することができ、ひいては製品のコストの大幅な低減
を図り、かつ集積度の向上に寄与することができ、製品
特性の安定化にも大きく貢献する半導体装置の製造方法
を提供することにある。
に解決し、ラウンドエッチを行わなくても、なだらか
で、かつオーバーハングのない肩部を有する絶縁膜を形
成することができ、ひいては製品のコストの大幅な低減
を図り、かつ集積度の向上に寄与することができ、製品
特性の安定化にも大きく貢献する半導体装置の製造方法
を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は、リフロー性絶縁膜にコンタクトホールを
穿孔した後、アニール処理によってリフロー性絶縁膜を
加熱してリフローせしめ、該リフロー性絶縁膜を平坦化
する方法であって、前記リフロー性絶縁膜のアスペクト
比が０．６以下になるようにコンタクトホールを穿孔す
る工程を含む、半導体装置の製造方法を提供するもので
ある。
に、本発明は、リフロー性絶縁膜にコンタクトホールを
穿孔した後、アニール処理によってリフロー性絶縁膜を
加熱してリフローせしめ、該リフロー性絶縁膜を平坦化
する方法であって、前記リフロー性絶縁膜のアスペクト
比が０．６以下になるようにコンタクトホールを穿孔す
る工程を含む、半導体装置の製造方法を提供するもので
ある。
【０００６】以下、本発明の方法の一実施態様として半
導体基板上に第１層間絶縁膜を形成するための主要な工
程を図１（Ａ）〜（Ｄ）に順を追って示し、この図１に
基づいて本発明の半導体装置の製造方法（以下、「本発
明の方法」という）について詳細に説明する。
導体基板上に第１層間絶縁膜を形成するための主要な工
程を図１（Ａ）〜（Ｄ）に順を追って示し、この図１に
基づいて本発明の半導体装置の製造方法（以下、「本発
明の方法」という）について詳細に説明する。
【０００７】本発明の方法においては、まず、図１
（Ａ）に示すように、半導体基板１の表面に、膜厚ａの
ＮＳＧ膜２を形成し、さらに該ＮＳＧ膜２の上に膜厚ｂ
のリフロー性絶縁膜３を形成する。このＮＳＧ膜の膜厚
ａおよびリフロー性絶縁膜の膜厚ｂは、所要の絶縁性を
得ること、また、所要の層間容量となるように適宜選択
される。
（Ａ）に示すように、半導体基板１の表面に、膜厚ａの
ＮＳＧ膜２を形成し、さらに該ＮＳＧ膜２の上に膜厚ｂ
のリフロー性絶縁膜３を形成する。このＮＳＧ膜の膜厚
ａおよびリフロー性絶縁膜の膜厚ｂは、所要の絶縁性を
得ること、また、所要の層間容量となるように適宜選択
される。
【０００８】本発明の方法において、リフロー性絶縁膜
は、アニール処理により流動性を示す絶縁膜であり、例
えば、ＢＳＧ膜、ＰＳＧ膜またはＢＰＳＧ膜である。
は、アニール処理により流動性を示す絶縁膜であり、例
えば、ＢＳＧ膜、ＰＳＧ膜またはＢＰＳＧ膜である。
【０００９】本発明の方法において、リフロー性絶縁膜
の形成の方法は、特に制限されず、常法にしたがって行
うことができる。例えば、ＣＶＤ法等によって、予め膜
厚ａ＋ｂのＮＳＧ膜を形成した後、Ｐおよび／またはＢ
を形成するリフロー性絶縁膜の種類に応じて膜厚ｂの深
さだけドープしてリフロー性絶縁膜３を形成する方法；
ＣＶＤ法等によって、予め膜厚ａのＮＳＧ膜を形成した
後、さらにその上にＣＶＤ法等によってリフロー性絶縁
膜３を形成する方法；ＳＯＧ膜を用いた回転塗布法によ
り、ＮＳＧ膜、リフロー性絶縁膜３を形成する方法等の
いずれの方法にしたがって行ってもよい。
の形成の方法は、特に制限されず、常法にしたがって行
うことができる。例えば、ＣＶＤ法等によって、予め膜
厚ａ＋ｂのＮＳＧ膜を形成した後、Ｐおよび／またはＢ
を形成するリフロー性絶縁膜の種類に応じて膜厚ｂの深
さだけドープしてリフロー性絶縁膜３を形成する方法；
ＣＶＤ法等によって、予め膜厚ａのＮＳＧ膜を形成した
後、さらにその上にＣＶＤ法等によってリフロー性絶縁
膜３を形成する方法；ＳＯＧ膜を用いた回転塗布法によ
り、ＮＳＧ膜、リフロー性絶縁膜３を形成する方法等の
いずれの方法にしたがって行ってもよい。
【００１０】次に、コンタクトホールを穿孔するため
に、リフロー性絶縁膜３の上にレジスト４を塗布し、所
要のコンタクトホールに応じたパターンを、図１（Ｂ）
に示すように形成する。
に、リフロー性絶縁膜３の上にレジスト４を塗布し、所
要のコンタクトホールに応じたパターンを、図１（Ｂ）
に示すように形成する。
【００１１】本発明の方法においては、このコンタクト
ホールのパターンを、次の工程のコンタクトホールの穿
孔によって形成されるリフロー性絶縁膜３において、ア
スペクト比（幅ｃとリフロー性絶縁膜の膜厚ｂとの比）
ｂ／ｃが０．６以下、好ましくは０．４〜０．５となる
ように、コンタクトホールの幅および穿孔間隔を決定す
る。
ホールのパターンを、次の工程のコンタクトホールの穿
孔によって形成されるリフロー性絶縁膜３において、ア
スペクト比（幅ｃとリフロー性絶縁膜の膜厚ｂとの比）
ｂ／ｃが０．６以下、好ましくは０．４〜０．５となる
ように、コンタクトホールの幅および穿孔間隔を決定す
る。
【００１２】また、レジストの種類、塗布方法、パター
ンニングの方法は特に制限されない。
ンニングの方法は特に制限されない。
【００１３】次に、図１（Ｃ）に示すように、コンタク
トホール５を穿孔して、幅ｃかつ膜厚ｂの、アスペクト
比ｂ／ｃのリフロー性絶縁膜３を、半導体基板１および
ＮＳＧ膜２の上に形成する。このコンタクトホール５の
穿孔は、異方性エッチングによって行われる。この異方
性エッチングの方法として、例えば、ＲＩＥ方式、マグ
ネトロン方式、ＥＣＲ方式等が挙げられ、いずれの方法
にしたがって行ってもよい。
トホール５を穿孔して、幅ｃかつ膜厚ｂの、アスペクト
比ｂ／ｃのリフロー性絶縁膜３を、半導体基板１および
ＮＳＧ膜２の上に形成する。このコンタクトホール５の
穿孔は、異方性エッチングによって行われる。この異方
性エッチングの方法として、例えば、ＲＩＥ方式、マグ
ネトロン方式、ＥＣＲ方式等が挙げられ、いずれの方法
にしたがって行ってもよい。
【００１４】本発明の方法において、コンタクト部のア
スペクト比が０．６を超えるリフロー性絶縁膜を形成す
ると、図４に示すように、コンタクト部がオーバーハン
グ形状になってしまうため、コンタクト部の断線、導通
不良の原因となる。
スペクト比が０．６を超えるリフロー性絶縁膜を形成す
ると、図４に示すように、コンタクト部がオーバーハン
グ形状になってしまうため、コンタクト部の断線、導通
不良の原因となる。
【００１５】次に残存しているレジスト４を除去した
後、アニール処理してリフロー性絶縁膜３をリフローさ
せて平坦化し、図１（Ｄ）に示すように、肩部６がなだ
らかでオーバーハングのない絶縁膜７を形成するととも
に、段差のないコンタクトホール５を形成することがで
きる。
後、アニール処理してリフロー性絶縁膜３をリフローさ
せて平坦化し、図１（Ｄ）に示すように、肩部６がなだ
らかでオーバーハングのない絶縁膜７を形成するととも
に、段差のないコンタクトホール５を形成することがで
きる。
【００１６】前記アニール処理における加熱温度および
時間は、リフロー性絶縁膜の種類、膜厚、幅、リフロー
性絶縁膜の不純物濃度、所望の不純物プロファイル等に
応じて適宜選択されるが、通常、８００℃以上で１５〜
３０分程度である。
時間は、リフロー性絶縁膜の種類、膜厚、幅、リフロー
性絶縁膜の不純物濃度、所望の不純物プロファイル等に
応じて適宜選択されるが、通常、８００℃以上で１５〜
３０分程度である。
【００１７】アニール処理の方法は特に制限されず、例
えば、Ｎ2 、Ｈ2 、Ｏ2 、Ｈ2 Ｏ等の雰囲気中でのファ
ーネスアニール、またはＲＴＡ（Ｒapid Ｔhermal Ａ
nneal ）等の方法が挙げられる。
えば、Ｎ2 、Ｈ2 、Ｏ2 、Ｈ2 Ｏ等の雰囲気中でのファ
ーネスアニール、またはＲＴＡ（Ｒapid Ｔhermal Ａ
nneal ）等の方法が挙げられる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例によって本発明を具体
的に説明する。
的に説明する。
【００１９】（実施例）図１に示す工程にしたがって、
Ｓｉ基板の上に、１０００ÅのＮＳＧ膜と５０００Åの
ＢＰＳＧ膜とからなる厚さ６０００Åの層間膜を形成し
た後、１．０μｍのライン・アンド・スペースのコンタ
クトホールを穿孔し、アスペクト比０．５のＢＰＳＧ膜
を形成した。次いで、９００℃で３０分間、Ｎ2 中でア
ニール処理したところ、得られた層間絶縁膜は、ＢＰＳ
Ｇ膜の肩部がなだらかでオーバーハングにならず、良好
なラウンド形状に形成された。
Ｓｉ基板の上に、１０００ÅのＮＳＧ膜と５０００Åの
ＢＰＳＧ膜とからなる厚さ６０００Åの層間膜を形成し
た後、１．０μｍのライン・アンド・スペースのコンタ
クトホールを穿孔し、アスペクト比０．５のＢＰＳＧ膜
を形成した。次いで、９００℃で３０分間、Ｎ2 中でア
ニール処理したところ、得られた層間絶縁膜は、ＢＰＳ
Ｇ膜の肩部がなだらかでオーバーハングにならず、良好
なラウンド形状に形成された。
【００２０】次に、異なるアスペクト比のＢＰＳＧ膜を
作成し、同様にアニール処理してリフロー後のＢＰＳＧ
膜の肩部の傾斜角度α（度）を、図２に示すとおりに測
定し、アスペクト比と肩部の角度α（度）との関係を図
３に示した。図２に示すとおり、肩部の角度が９０度以
上ではオーバーハングとなる。図３に示す結果から、ア
スペクト比が０．６以下ではαが９０度以下となるため
には、アスペクト比を０．６以下になるようにすればよ
いことがわかる。
作成し、同様にアニール処理してリフロー後のＢＰＳＧ
膜の肩部の傾斜角度α（度）を、図２に示すとおりに測
定し、アスペクト比と肩部の角度α（度）との関係を図
３に示した。図２に示すとおり、肩部の角度が９０度以
上ではオーバーハングとなる。図３に示す結果から、ア
スペクト比が０．６以下ではαが９０度以下となるため
には、アスペクト比を０．６以下になるようにすればよ
いことがわかる。
【００２１】
【発明の効果】本発明の半導体装置の製造方法によれ
ば、コンタクトホール形成後のＢＰＳＧ膜のアスペクト
比を適宜に選ぶことにより、コンタクトホール形成時
に、ラウンドエッチを行わなくても、なだらかで、かつ
オーバーハングのない肩部を有する絶縁膜を形成するこ
とができる。そのため、本発明の方法によれば、コスト
を大幅に低減することができ、さらに制御性の面で不安
定要因がなくなるために、プロセスが大きく安定し、製
品特性が飛躍的に安定する。さらに集積度がアップする
ため製品特性の向上を大きく図ることができる。
ば、コンタクトホール形成後のＢＰＳＧ膜のアスペクト
比を適宜に選ぶことにより、コンタクトホール形成時
に、ラウンドエッチを行わなくても、なだらかで、かつ
オーバーハングのない肩部を有する絶縁膜を形成するこ
とができる。そのため、本発明の方法によれば、コスト
を大幅に低減することができ、さらに制御性の面で不安
定要因がなくなるために、プロセスが大きく安定し、製
品特性が飛躍的に安定する。さらに集積度がアップする
ため製品特性の向上を大きく図ることができる。
【図１】 本発明の方法の一実施態様を説明する概念
図。
図。
【図２】 本発明の実施例において作成されたＢＰＳＧ
膜の肩部の傾斜角度αを説明する図。
膜の肩部の傾斜角度αを説明する図。
【図３】 本発明の実施例において作成されたＢＰＳＧ
膜の肩部の角度αとアスペクト比の関係を示す図。
膜の肩部の角度αとアスペクト比の関係を示す図。
【図４】 従来の技術において形成されるリフロー性絶
縁膜のオーバーハング形状を説明する図。
縁膜のオーバーハング形状を説明する図。
【図５】 従来の技術におけるラウンドエッチ処理を説
明する図。
明する図。
１ 半導体基板 ２ ＮＳＧ膜 ３ リフロー性絶縁膜 ４ レジスト ５ コンタクトホール ６ 肩部 ７ 絶縁膜 ８ ラウンドエッチ
Claims (2)
- 【請求項１】リフロー性絶縁膜にコンタクトホールを穿
孔した後、アニール処理によってリフロー性絶縁膜を加
熱してリフローせしめ、該リフロー性絶縁膜を平坦化す
る方法であって、前記リフロー性絶縁膜の最大アスペク
ト比が０．６以下になるようにコンタクトホールを穿孔
する工程を含む、半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】前記リフロー性絶縁膜が、ＢＳＧ膜、ＰＳ
Ｇ膜またはＢＰＳＧ膜である請求項１に記載の半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27594192A JPH06124914A (ja) | 1992-10-14 | 1992-10-14 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27594192A JPH06124914A (ja) | 1992-10-14 | 1992-10-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06124914A true JPH06124914A (ja) | 1994-05-06 |
Family
ID=17562567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27594192A Withdrawn JPH06124914A (ja) | 1992-10-14 | 1992-10-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06124914A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105632981A (zh) * | 2016-03-19 | 2016-06-01 | 复旦大学 | 一种利用热处理减小微电子器件表面粗糙度的仪器 |
| CN105789044A (zh) * | 2016-03-19 | 2016-07-20 | 复旦大学 | 一种利用热处理减小微电子器件表面粗糙度的方法 |
-
1992
- 1992-10-14 JP JP27594192A patent/JPH06124914A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105632981A (zh) * | 2016-03-19 | 2016-06-01 | 复旦大学 | 一种利用热处理减小微电子器件表面粗糙度的仪器 |
| CN105789044A (zh) * | 2016-03-19 | 2016-07-20 | 复旦大学 | 一种利用热处理减小微电子器件表面粗糙度的方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000104 |