JPH06111223A - 磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
磁気ヘッドの製造方法Info
- Publication number
- JPH06111223A JPH06111223A JP4256569A JP25656992A JPH06111223A JP H06111223 A JPH06111223 A JP H06111223A JP 4256569 A JP4256569 A JP 4256569A JP 25656992 A JP25656992 A JP 25656992A JP H06111223 A JPH06111223 A JP H06111223A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- track width
- thin film
- metal thin
- substrate holder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/18—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates
- C23C14/185—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates by cathodic sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
- C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/1875—"Composite" pole pieces, i.e. poles composed in some parts of magnetic particles and in some other parts of magnetic metal layers
- G11B5/1877—"Composite" pole pieces, i.e. poles composed in some parts of magnetic particles and in some other parts of magnetic metal layers including at least one magnetic thin film
- G11B5/1878—"Composite" pole pieces, i.e. poles composed in some parts of magnetic particles and in some other parts of magnetic metal layers including at least one magnetic thin film disposed immediately adjacent to the transducing gap, e.g. "Metal-In-Gap" structure
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/23—Gap features
- G11B5/232—Manufacture of gap
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3113—Details for improving the magnetic domain structure or avoiding the formation or displacement of undesirable magnetic domains
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁性酸化物からなる一対の磁気コア半体夫々
の対向面に磁性金属薄膜を成膜し、各磁性金属薄膜を磁
気ギャップを介して突き合わせてなる磁気ヘッドを製造
するに際し、良好な電磁変換特性と、各ヘッドのトラッ
ク幅の均一化を両立させること。 【構成】 対向ターゲット式スパッタリング装置を使用
し、フェライト板１を回転する基板ホルダ１３により保
持して、このフェライト板１の磁気ギャップ対向面とな
る端面に対し、ターゲット１５ａ，１５ｂ間に磁界をか
けて窒素を含むアルゴンガス中でセンダスト薄膜を成膜
すると共に、この時基板ホルダ１３の自転方向１６とフ
ェライト板１のトラック幅方向１１とを大略一致せしめ
る。
の対向面に磁性金属薄膜を成膜し、各磁性金属薄膜を磁
気ギャップを介して突き合わせてなる磁気ヘッドを製造
するに際し、良好な電磁変換特性と、各ヘッドのトラッ
ク幅の均一化を両立させること。 【構成】 対向ターゲット式スパッタリング装置を使用
し、フェライト板１を回転する基板ホルダ１３により保
持して、このフェライト板１の磁気ギャップ対向面とな
る端面に対し、ターゲット１５ａ，１５ｂ間に磁界をか
けて窒素を含むアルゴンガス中でセンダスト薄膜を成膜
すると共に、この時基板ホルダ１３の自転方向１６とフ
ェライト板１のトラック幅方向１１とを大略一致せしめ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体に対して
磁気コアを摺動させて情報の磁気記録または再生を行う
磁気ヘッド、特に、磁性酸化物からなる一対の磁気コア
半体夫々の対向面に磁性金属薄膜を成膜し、各磁性金属
薄膜を磁気ギャップを介して突き合わせてなる磁気ヘッ
ドの製造方法に関する。
磁気コアを摺動させて情報の磁気記録または再生を行う
磁気ヘッド、特に、磁性酸化物からなる一対の磁気コア
半体夫々の対向面に磁性金属薄膜を成膜し、各磁性金属
薄膜を磁気ギャップを介して突き合わせてなる磁気ヘッ
ドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＶＴＲ（ビデオテープレコーダ）
やＤＡＴ（デジタルオーデイオテープレコーダ）用の磁
気ヘッドとしては、記録密度の高密度化に対応するため
に、磁気コアの高飽和磁束密度化を図る必要がある。そ
のため、磁気コアの対向面、即ち、磁気ギャップを介し
て突き合わされる面にセンダストやアモルファス磁性合
金等の高飽和磁束密度の金属磁性薄膜を成膜した、所謂
ＭＩＧ（メタルインギャップ）タイプの磁気ヘッドが採
用されている。
やＤＡＴ（デジタルオーデイオテープレコーダ）用の磁
気ヘッドとしては、記録密度の高密度化に対応するため
に、磁気コアの高飽和磁束密度化を図る必要がある。そ
のため、磁気コアの対向面、即ち、磁気ギャップを介し
て突き合わされる面にセンダストやアモルファス磁性合
金等の高飽和磁束密度の金属磁性薄膜を成膜した、所謂
ＭＩＧ（メタルインギャップ）タイプの磁気ヘッドが採
用されている。
【０００３】このＭＩＧタイプの磁気ヘッドの磁気コア
の構造の一例を図４、図５に示す。図４はＭＩＧタイプ
の磁気ヘッドの磁気コアの斜視図、図５は図４の磁気コ
アの磁気記録媒体摺動面を示す平面図である。
の構造の一例を図４、図５に示す。図４はＭＩＧタイプ
の磁気ヘッドの磁気コアの斜視図、図５は図４の磁気コ
アの磁気記録媒体摺動面を示す平面図である。
【０００４】図中、２，２’は夫々主にフェライト等の
磁性酸化物からなる磁気コア半体であり、これらは磁気
ギャップ６を介して突き合わされ、低融点ガラス８によ
りガラス溶着されて磁気コアが構成されている。
磁性酸化物からなる磁気コア半体であり、これらは磁気
ギャップ６を介して突き合わされ、低融点ガラス８によ
りガラス溶着されて磁気コアが構成されている。
【０００５】磁気コア半体２，２’には互いの突き合わ
せ面（対向面）に磁気ギャップ６のトラック幅を規定す
るトラック溝４が形成されており、該トラック溝４の形
成された突き合わせ面上に磁性金属薄膜３が成膜されて
いる。更に、磁性金属薄膜３の上に磁気ギャップ６を形
成するための磁気ギャップ材９の薄膜が成膜されてい
る。更に、上記トラック溝４内には低融点ガラス８が充
填されている。
せ面（対向面）に磁気ギャップ６のトラック幅を規定す
るトラック溝４が形成されており、該トラック溝４の形
成された突き合わせ面上に磁性金属薄膜３が成膜されて
いる。更に、磁性金属薄膜３の上に磁気ギャップ６を形
成するための磁気ギャップ材９の薄膜が成膜されてい
る。更に、上記トラック溝４内には低融点ガラス８が充
填されている。
【０００６】そして、磁気コア半体２，２’に形成され
た巻線溝７を通して不図示のコイル巻線が磁気コアに巻
回されることにより、磁気ヘッドが構成される。
た巻線溝７を通して不図示のコイル巻線が磁気コアに巻
回されることにより、磁気ヘッドが構成される。
【０００７】次に、図４，図５に示す磁気ヘッドコアの
従来の製造方法の一例を図６を用いて説明する。
従来の製造方法の一例を図６を用いて説明する。
【０００８】図６（Ａ）において、１は上記磁気コア半
体２，２’を切り出すためのコア材であるフェライト板
（フェライトブロック）であり、磁気ギャップを介して
突き合わされる突き合わせ面（図中上面）に、トラック
幅を規定するトラック溝４、更には磁気コアにコイル巻
線を巻回するための巻線溝７を加工しておく。ここで、
本明細書においては図６（Ａ）における矢印１１にて示
す方向を、完成した磁気ヘッドにより形成されるトラッ
クの幅方向であるので単にトラック幅方向と称し、矢印
１２にて示す方向を完成した磁気ヘッドのギャップ深さ
方向であるのでデプス方向と称することにする。
体２，２’を切り出すためのコア材であるフェライト板
（フェライトブロック）であり、磁気ギャップを介して
突き合わされる突き合わせ面（図中上面）に、トラック
幅を規定するトラック溝４、更には磁気コアにコイル巻
線を巻回するための巻線溝７を加工しておく。ここで、
本明細書においては図６（Ａ）における矢印１１にて示
す方向を、完成した磁気ヘッドにより形成されるトラッ
クの幅方向であるので単にトラック幅方向と称し、矢印
１２にて示す方向を完成した磁気ヘッドのギャップ深さ
方向であるのでデプス方向と称することにする。
【０００９】次に、図６（Ｂ）に示す様にフェライト板
１の突き合わせ面上の全面にセンダスト等の磁性金属薄
膜３をスパッタリング等の真空薄膜形成技術により成膜
し、更にその上面に磁気ギャップ材９を同様に真空薄膜
形成技術により成膜する。
１の突き合わせ面上の全面にセンダスト等の磁性金属薄
膜３をスパッタリング等の真空薄膜形成技術により成膜
し、更にその上面に磁気ギャップ材９を同様に真空薄膜
形成技術により成膜する。
【００１０】次に、図６（Ｃ）に示す様に、一対のフェ
ライト板１，１’の磁気ギャップ材９のトラック部分同
士を突き合わせ、低融点ガラス８をトラック溝４内に充
填し、この低融点ガラス８によるガラス溶着でフェライ
ト板１，１’を接合する。その後、このフェライト板
１，１’の接合体の、図６（Ｃ）中の手前側の面を磁気
記録媒体摺動面１０として円筒型に研削した後、符号Ａ
−Ａ’及び符号Ｂ−Ｂ’にて示す切断線に沿ってフェラ
イト板１，１’の接合体を所定のコア幅Ｗに対応するピ
ッチで切断することにより、図４，図５にて示した磁気
コアが得られることになる。
ライト板１，１’の磁気ギャップ材９のトラック部分同
士を突き合わせ、低融点ガラス８をトラック溝４内に充
填し、この低融点ガラス８によるガラス溶着でフェライ
ト板１，１’を接合する。その後、このフェライト板
１，１’の接合体の、図６（Ｃ）中の手前側の面を磁気
記録媒体摺動面１０として円筒型に研削した後、符号Ａ
−Ａ’及び符号Ｂ−Ｂ’にて示す切断線に沿ってフェラ
イト板１，１’の接合体を所定のコア幅Ｗに対応するピ
ッチで切断することにより、図４，図５にて示した磁気
コアが得られることになる。
【００１１】上述の磁性金属薄膜３の成膜工程において
は、対向ターゲット式スパッタリング装置を使用する。
図７にこの対向ターゲット式スパッタリング装置の一例
を示す。図示の様に、センダスト等の磁性金属材料より
なる一対のターゲット１５ａ，１５ｂが対向しており、
一方のターゲット１５ａの裏側には永久磁石１７のＮ極
が配され、他方のターゲット１５ｂの裏側には永久磁石
１８のＳ極が配置されている。１３はセンダスト等の磁
性金属材料を成膜するフェライト基板を保持する基板ホ
ルダである。
は、対向ターゲット式スパッタリング装置を使用する。
図７にこの対向ターゲット式スパッタリング装置の一例
を示す。図示の様に、センダスト等の磁性金属材料より
なる一対のターゲット１５ａ，１５ｂが対向しており、
一方のターゲット１５ａの裏側には永久磁石１７のＮ極
が配され、他方のターゲット１５ｂの裏側には永久磁石
１８のＳ極が配置されている。１３はセンダスト等の磁
性金属材料を成膜するフェライト基板を保持する基板ホ
ルダである。
【００１２】上述の構成によれば、プラズマ収束用の磁
界が一対のターゲット１５ａ，１５ｂに対して垂直方向
に印加されているため、センダスト等の高飽和磁束密度
の金属磁性材料であっても安定且つ速い成膜速度でスパ
ッタリングすることが可能であり、生産性が高い。な
お、このスパッタリング時のガスとしては純粋のＡｒガ
スを用いている。
界が一対のターゲット１５ａ，１５ｂに対して垂直方向
に印加されているため、センダスト等の高飽和磁束密度
の金属磁性材料であっても安定且つ速い成膜速度でスパ
ッタリングすることが可能であり、生産性が高い。な
お、このスパッタリング時のガスとしては純粋のＡｒガ
スを用いている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の如き
磁性金属薄膜、例えばセンダスト薄膜の成膜を行うと、
磁気異方性が生じるために、形成された薄膜に磁界を印
加する方向によって、実効透磁率の大小が発生する。
磁性金属薄膜、例えばセンダスト薄膜の成膜を行うと、
磁気異方性が生じるために、形成された薄膜に磁界を印
加する方向によって、実効透磁率の大小が発生する。
【００１４】例えば、図８に示す様にフェライト板１の
トラック幅方向１１が基板ホルダ１３の径の方向１４と
一致する様にフェライト板１を配置して、基板ホルダ１
３を自転させながら成膜すると、デプス方向１２よりも
トラック幅方向１１に磁界を印加した時の方が、実効透
磁率が大きくなる傾向がある。一般に、磁気ヘッドの性
能上は、トラック幅方向１１に磁界を印加した時の実効
透磁率が大きい方が良好な電磁変換特性が得られる。
トラック幅方向１１が基板ホルダ１３の径の方向１４と
一致する様にフェライト板１を配置して、基板ホルダ１
３を自転させながら成膜すると、デプス方向１２よりも
トラック幅方向１１に磁界を印加した時の方が、実効透
磁率が大きくなる傾向がある。一般に、磁気ヘッドの性
能上は、トラック幅方向１１に磁界を印加した時の実効
透磁率が大きい方が良好な電磁変換特性が得られる。
【００１５】しかしながら、図８に示す如くフェライト
板１を基板ホルダ１３上に設置した場合、基板ホルダ１
３の中心からその外周に向かうに従って膜厚が薄くなる
ため、フェライト板１の各トラック毎にトラック幅や電
磁変換特性にばらつきが生じてしまう。この時基板ホル
ダ１３が自転しているため、この基板ホルダ１３の同径
上の回転方向（周方向）の膜厚は均一につきやすい。
板１を基板ホルダ１３上に設置した場合、基板ホルダ１
３の中心からその外周に向かうに従って膜厚が薄くなる
ため、フェライト板１の各トラック毎にトラック幅や電
磁変換特性にばらつきが生じてしまう。この時基板ホル
ダ１３が自転しているため、この基板ホルダ１３の同径
上の回転方向（周方向）の膜厚は均一につきやすい。
【００１６】これに対して、フェライト板１の基板ホル
ダ１３上の配置を図８に示す状態から９０°変化せし
め、トラック幅方向１１が基板ホルダ１３の自転方向と
一致した配置とすると、トラック幅方向に膜厚はほぼ均
一となるため、各トラックにおけるトラック幅はほぼ均
一となる。しかし、この様にフェライト板１を配置した
場合には、先に述べた様に磁気異方性の関係で、デプス
方向１２に磁界印加時の実効透磁率の方がトラック幅方
向１１についてのそれより大きくなるため、ヘッドの性
能上必要としているトラック幅方向１１の実効透磁率が
相対的に小さくなってしまう。
ダ１３上の配置を図８に示す状態から９０°変化せし
め、トラック幅方向１１が基板ホルダ１３の自転方向と
一致した配置とすると、トラック幅方向に膜厚はほぼ均
一となるため、各トラックにおけるトラック幅はほぼ均
一となる。しかし、この様にフェライト板１を配置した
場合には、先に述べた様に磁気異方性の関係で、デプス
方向１２に磁界印加時の実効透磁率の方がトラック幅方
向１１についてのそれより大きくなるため、ヘッドの性
能上必要としているトラック幅方向１１の実効透磁率が
相対的に小さくなってしまう。
【００１７】上述の様に従来は、磁気ヘッドの性能上必
要なトラック幅方向の実効透磁率を大きくすることと、
製造工程上各トラック、即ち各ヘッドのトラック幅を均
一にすることは不可能であった。
要なトラック幅方向の実効透磁率を大きくすることと、
製造工程上各トラック、即ち各ヘッドのトラック幅を均
一にすることは不可能であった。
【００１８】本発明の目的は、磁性酸化物からなる一対
の磁気コア半体夫々の対向面に磁性金属薄膜を成膜し、
各磁性金属薄膜を磁気ギャップを介して突き合わせてな
る磁気ヘッドを製造するに際し、良好な電磁変換特性
と、各ヘッドのトラック幅の均一化を両立させることが
できる磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とす
る。
の磁気コア半体夫々の対向面に磁性金属薄膜を成膜し、
各磁性金属薄膜を磁気ギャップを介して突き合わせてな
る磁気ヘッドを製造するに際し、良好な電磁変換特性
と、各ヘッドのトラック幅の均一化を両立させることが
できる磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とす
る。
【００１９】
【課題を解決するための手段】斯かる目的下において、
本発明にあっては、磁性酸化物からなる一対の磁気コア
半体夫々の対向面に磁性金属薄膜を成膜し、各磁性金属
薄膜を磁気ギャップを介して突き合わせてなる磁気ヘッ
ドの製造方法において、対向ターゲット式スパッタリン
グ装置を使用し、磁性酸化物ブロックを回転する保持部
材にて保持して、前記対向面となる前記磁性酸化物のブ
ロックの端面に対し、窒素を含むアルゴンガス中で前記
磁性金属薄膜を成膜すると共に、前記保持部材の回転方
向と前記対向面のトラック幅方向とを大略一致せしめる
様にした。
本発明にあっては、磁性酸化物からなる一対の磁気コア
半体夫々の対向面に磁性金属薄膜を成膜し、各磁性金属
薄膜を磁気ギャップを介して突き合わせてなる磁気ヘッ
ドの製造方法において、対向ターゲット式スパッタリン
グ装置を使用し、磁性酸化物ブロックを回転する保持部
材にて保持して、前記対向面となる前記磁性酸化物のブ
ロックの端面に対し、窒素を含むアルゴンガス中で前記
磁性金属薄膜を成膜すると共に、前記保持部材の回転方
向と前記対向面のトラック幅方向とを大略一致せしめる
様にした。
【００２０】上述の製造方法によれば、磁性酸化物ブロ
ックを保持する保持部材の回転方向と、磁性酸化物ブロ
ックの対向面となる端面のトラック幅方向とを一致させ
ているため、各トラックに成膜された磁性金属薄膜の膜
厚はほぼ均一となり、製造される各ヘッドのトラック幅
もほぼ均一となる。
ックを保持する保持部材の回転方向と、磁性酸化物ブロ
ックの対向面となる端面のトラック幅方向とを一致させ
ているため、各トラックに成膜された磁性金属薄膜の膜
厚はほぼ均一となり、製造される各ヘッドのトラック幅
もほぼ均一となる。
【００２１】また、保持部材の回転方向と、磁性酸化物
ブロックの対向面のトラック幅方向とを一致させても、
窒素を含むアルゴンガス中で磁性金属薄膜を成膜するこ
とによりトラック幅方向についての実効透磁率について
も充分な値が得られる。
ブロックの対向面のトラック幅方向とを一致させても、
窒素を含むアルゴンガス中で磁性金属薄膜を成膜するこ
とによりトラック幅方向についての実効透磁率について
も充分な値が得られる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の一実施例について詳細に説明
する。
する。
【００２３】本実施例の磁気ヘッドの製造方法は、磁性
金属薄膜３の成膜工程以外は図６（Ａ），（Ｂ），
（Ｃ）にて説明した製造工程と同様であるので詳細な説
明は省略する。
金属薄膜３の成膜工程以外は図６（Ａ），（Ｂ），
（Ｃ）にて説明した製造工程と同様であるので詳細な説
明は省略する。
【００２４】本実施例における磁性金属薄膜の成膜工程
について以下に説明する。図１は本実施例の製造方法に
おける成膜工程を説明するための図であり、対向ターゲ
ット式スパッタリング装置内における一対のターゲット
１５ａ，１５ｂ、基板ホルダ１３及びフェライト板１の
配置を示す。
について以下に説明する。図１は本実施例の製造方法に
おける成膜工程を説明するための図であり、対向ターゲ
ット式スパッタリング装置内における一対のターゲット
１５ａ，１５ｂ、基板ホルダ１３及びフェライト板１の
配置を示す。
【００２５】図示の如く、センダスト等の磁性金属材料
よりなる一対のターゲット１５ａ，１５ｂは互いに対向
しており、その周囲に基板ホルダ１３が自転自在に配置
されている。図１から明らかな様に、磁性金属薄膜の成
膜対象となるフェライト板１は、その端面（対向面）の
トラック幅方向１１が基板ホルダ１３の自転方向（周方
向）と一致する様に基板ホルダ１３上に配置、固定され
ている。
よりなる一対のターゲット１５ａ，１５ｂは互いに対向
しており、その周囲に基板ホルダ１３が自転自在に配置
されている。図１から明らかな様に、磁性金属薄膜の成
膜対象となるフェライト板１は、その端面（対向面）の
トラック幅方向１１が基板ホルダ１３の自転方向（周方
向）と一致する様に基板ホルダ１３上に配置、固定され
ている。
【００２６】次に、本実施例の製造方法におけるスパッ
タリング方法について説明する。本実施例においては金
属磁性材料として周知のセンダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ
系）合金を例にとって説明する。
タリング方法について説明する。本実施例においては金
属磁性材料として周知のセンダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ
系）合金を例にとって説明する。
【００２７】本実施例において使用したセンダスト合金
ターゲットの組成はＦｅ84.0Ａｌ6.0 Ｓｉ10.0(wt%) で
ある。
ターゲットの組成はＦｅ84.0Ａｌ6.0 Ｓｉ10.0(wt%) で
ある。
【００２８】上記ターゲットを使用して、後述のスパッ
タリング条件にて、対向ターゲット式スパッタリング装
置を使用し、Ａｒ（アルゴン）ガスにＮ2 （窒素）ガス
を混入してスパッタリングを行った。この時Ｎ2 の混入
量としては０．５〜５．０％程度が好ましい。
タリング条件にて、対向ターゲット式スパッタリング装
置を使用し、Ａｒ（アルゴン）ガスにＮ2 （窒素）ガス
を混入してスパッタリングを行った。この時Ｎ2 の混入
量としては０．５〜５．０％程度が好ましい。
【００２９】スパッタリングの条件としては、投入電力
３ｋｗ、ターゲット間距離１４０ｍｍ、ターゲット基板
間距離１２０ｍｍ、基板過熱温度２００〜２３０℃、ガ
ス圧力７ｍＴon、成膜膜厚約５μｍとした。
３ｋｗ、ターゲット間距離１４０ｍｍ、ターゲット基板
間距離１２０ｍｍ、基板過熱温度２００〜２３０℃、ガ
ス圧力７ｍＴon、成膜膜厚約５μｍとした。
【００３０】図２に、ＡｒガスにＮ2 を３％混入してス
パッタリングした場合と、純粋のＡｒガスでスパッタリ
ングした場合のセンダスト膜の実効透磁率の周波数依存
性を示す。尚、この時の磁気特性評価は、結晶化ガラス
基板上にスパッタリングを行い、得られた膜を５６０℃
で１時間熱処理した後実効透磁率を測定した。
パッタリングした場合と、純粋のＡｒガスでスパッタリ
ングした場合のセンダスト膜の実効透磁率の周波数依存
性を示す。尚、この時の磁気特性評価は、結晶化ガラス
基板上にスパッタリングを行い、得られた膜を５６０℃
で１時間熱処理した後実効透磁率を測定した。
【００３１】図２において実線はＡｒガスにＮ2 を３％
混入してスパッタリングした場合のセンダスト膜の実効
透磁率の変化、点線は純粋のＡｒガスでスパッタリング
した場合のセンダスト膜の実効透磁率の変化を示してい
る。また、図２中の白丸はトラック幅方向についての実
効透磁率、黒丸はデプス方向についての実効透磁率の測
定結果を夫々示している。
混入してスパッタリングした場合のセンダスト膜の実効
透磁率の変化、点線は純粋のＡｒガスでスパッタリング
した場合のセンダスト膜の実効透磁率の変化を示してい
る。また、図２中の白丸はトラック幅方向についての実
効透磁率、黒丸はデプス方向についての実効透磁率の測
定結果を夫々示している。
【００３２】図２から明らかな様に、純粋のＡｒガスで
スパッタリングした場合のセンダスト膜の実効透磁率
は、トラック幅方向１１よりもデプス方向１２に磁界を
印加した場合の方が大きくなっていることがわかる。と
ころが、これに対してＡｒガスにＮ2 を３％混入してス
パッタリングした場合のセンダスト膜の実効透磁率似つ
いては、逆にデプス向１２よりもトラック幅方向１１に
磁界を印加した場合の方が大きくなっていることがわか
る。
スパッタリングした場合のセンダスト膜の実効透磁率
は、トラック幅方向１１よりもデプス方向１２に磁界を
印加した場合の方が大きくなっていることがわかる。と
ころが、これに対してＡｒガスにＮ2 を３％混入してス
パッタリングした場合のセンダスト膜の実効透磁率似つ
いては、逆にデプス向１２よりもトラック幅方向１１に
磁界を印加した場合の方が大きくなっていることがわか
る。
【００３３】また、純粋のＡｒガスでスパッタリングし
た場合には、１ＭHZ以上の高周波領域において、渦電流
損による実効透磁率の劣化が発生していたが、Ａｒガス
にＮ2 を３％混入してスパッタリングした場合には、こ
の劣化がそれほどなく、高周波域における透磁率の劣化
が軽減され、電磁変換特性の改善がなされていることが
わかる。
た場合には、１ＭHZ以上の高周波領域において、渦電流
損による実効透磁率の劣化が発生していたが、Ａｒガス
にＮ2 を３％混入してスパッタリングした場合には、こ
の劣化がそれほどなく、高周波域における透磁率の劣化
が軽減され、電磁変換特性の改善がなされていることが
わかる。
【００３４】図３は、上述した本発明の実施例の製造方
法により製造された磁気ヘッドの出力−周波数特性と、
純粋のＡｒガスでスパッタリングした場合における磁気
ヘッドの出力−周波数特性とを示す図である。
法により製造された磁気ヘッドの出力−周波数特性と、
純粋のＡｒガスでスパッタリングした場合における磁気
ヘッドの出力−周波数特性とを示す図である。
【００３５】図３より明らかな様に、本実施例によるセ
ンダスト膜のスパッタリング法を採用することにより、
従来の磁気ヘッドに対して電磁変換の出力が向上してお
り、トラック幅方向１１に磁界を印加した場合の実効透
磁率の上昇に伴う効果を読み取ることができる。また、
前述した様にＡｒガスにＮ2 を３％混入してスパッタリ
ングした場合の高周波領域における透磁率の改善効果に
より、ヘッドの出力において７ＭHZにおいて約１db、１
０ＭHZにおいて約２dbの出力向上が達成されていること
がわかる。
ンダスト膜のスパッタリング法を採用することにより、
従来の磁気ヘッドに対して電磁変換の出力が向上してお
り、トラック幅方向１１に磁界を印加した場合の実効透
磁率の上昇に伴う効果を読み取ることができる。また、
前述した様にＡｒガスにＮ2 を３％混入してスパッタリ
ングした場合の高周波領域における透磁率の改善効果に
より、ヘッドの出力において７ＭHZにおいて約１db、１
０ＭHZにおいて約２dbの出力向上が達成されていること
がわかる。
【００３６】尚、上記スパッタリングの各条件や、セン
ダストの組成については多少の上述の例に対して多少の
差異があっても同様の作用効果が得られる。
ダストの組成については多少の上述の例に対して多少の
差異があっても同様の作用効果が得られる。
【００３７】
【発明の効果】以上説明した様に本発明の磁気ヘッドの
製造方法によれば、対向ターゲット式スパッタリング装
置を使用し、磁性酸化物ブロックを回転する保持部材に
て保持して、対向面となる磁性酸化物のブロックの端面
に対し、窒素を含むアルゴンガス中で磁性金属薄膜を成
膜すると共に、保持部材の回転方向と対向面のトラック
幅方向とを大略一致せしめる様にしたので、各トラック
に成膜された磁性金属薄膜の膜厚はほぼ均一となり、製
造される各ヘッドのトラック幅もほぼ均一となり、しか
も、窒素を含むアルゴンガス中で磁性金属薄膜を成膜す
ることによりトラック幅方向についての実効透磁率につ
いても充分な値が得られる様になった。
製造方法によれば、対向ターゲット式スパッタリング装
置を使用し、磁性酸化物ブロックを回転する保持部材に
て保持して、対向面となる磁性酸化物のブロックの端面
に対し、窒素を含むアルゴンガス中で磁性金属薄膜を成
膜すると共に、保持部材の回転方向と対向面のトラック
幅方向とを大略一致せしめる様にしたので、各トラック
に成膜された磁性金属薄膜の膜厚はほぼ均一となり、製
造される各ヘッドのトラック幅もほぼ均一となり、しか
も、窒素を含むアルゴンガス中で磁性金属薄膜を成膜す
ることによりトラック幅方向についての実効透磁率につ
いても充分な値が得られる様になった。
【図１】本発明の一実施例の磁気ヘッドの製造方法にお
ける成膜工程を説明するための図である。
ける成膜工程を説明するための図である。
【図２】本発明の実施例の製造方法におけるスパッタリ
ングと、窒素を混入しない従来のスパッタリングにより
成膜したセンダスト膜の実効透磁率の周波数依存性を示
す図である。
ングと、窒素を混入しない従来のスパッタリングにより
成膜したセンダスト膜の実効透磁率の周波数依存性を示
す図である。
【図３】本発明の実施例の製造方法により製造された磁
気ヘッドの出力−周波数特性と、純粋のアルゴンガスで
スパッタリングした場合における磁気ヘッドの出力−周
波数特性とを示す図である。
気ヘッドの出力−周波数特性と、純粋のアルゴンガスで
スパッタリングした場合における磁気ヘッドの出力−周
波数特性とを示す図である。
【図４】一般的なＭＩＧタイプの磁気ヘッドの磁気コア
の斜視図である。
の斜視図である。
【図５】図４の磁気コアの磁気記録媒体摺動面を示す平
面図である。
面図である。
【図６】図４，図５に示す磁気ヘッドコアの従来の製造
方法の一例を示す図である。
方法の一例を示す図である。
【図７】対向ターゲット式スパッタリング装置の一例を
示す図である。
示す図である。
【図８】図７の装置におけるフェライト板と基板ホルダ
の配置例を示す図である。
の配置例を示す図である。
１ フェライト板 ２，２’ 磁気コア半体 ３ 磁性金属薄膜 ４ トラック溝 ６ 磁気ギャップ ７ 巻線溝 ８ 低融点ガラス ９ 磁気ギャップ材薄膜 １０ 磁気記録媒体摺動面 １１ トラック幅方向 １２ デプス方向 １３ 基板ホルダ １４ 基板ホルダの径方向 １５ａ，１５ｂ ターゲット １６ 基板ホルダの自転方向 １７，１８ 永久磁石
Claims (1)
- 【請求項１】 磁性酸化物からなる一対の磁気コア半体
夫々の対向面に磁性金属薄膜を成膜し、各磁性金属薄膜
を磁気ギャップを介して突き合わせてなる磁気ヘッドの
製造方法において、 対向ターゲット式スパッタリング装置を使用し、磁性酸
化物ブロックを回転する保持部材にて保持して、前記対
向面となる前記磁性酸化物のブロックの端面に対し、窒
素を含むアルゴンガス中で前記磁性金属薄膜を成膜する
と共に、 前記保持部材の回転方向と前記対向面のトラック幅方向
とを大略一致せしめることを特徴とする磁気ヘッドの製
造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4256569A JP2911687B2 (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | 磁気ヘッドの製造方法 |
| US08/747,987 US5718812A (en) | 1992-09-25 | 1996-11-12 | Magnetic head manufacturing method using sputtering apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4256569A JP2911687B2 (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06111223A true JPH06111223A (ja) | 1994-04-22 |
| JP2911687B2 JP2911687B2 (ja) | 1999-06-23 |
Family
ID=17294464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4256569A Expired - Fee Related JP2911687B2 (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5718812A (ja) |
| JP (1) | JP2911687B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7294242B1 (en) | 1998-08-24 | 2007-11-13 | Applied Materials, Inc. | Collimated and long throw magnetron sputtering of nickel/iron films for magnetic recording head applications |
| JP2004284241A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Tdk Corp | 光記録媒体及び光記録媒体用スパッタリングターゲット |
| US20060081466A1 (en) * | 2004-10-15 | 2006-04-20 | Makoto Nagashima | High uniformity 1-D multiple magnet magnetron source |
| US20070084717A1 (en) * | 2005-10-16 | 2007-04-19 | Makoto Nagashima | Back-biased face target sputtering based high density non-volatile caching data storage |
| US8308915B2 (en) * | 2006-09-14 | 2012-11-13 | 4D-S Pty Ltd. | Systems and methods for magnetron deposition |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ATE7431T1 (de) * | 1980-02-07 | 1984-05-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Verfahren zur bildung eines glaesernen abstandstuecks in der magnetspalte eines magnetkopfes. |
| JPS60218820A (ja) * | 1984-04-14 | 1985-11-01 | Sony Corp | Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金薄膜の製造方法 |
| JPS60218821A (ja) * | 1984-04-14 | 1985-11-01 | Sony Corp | Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金薄膜の製造方法 |
| US4767516A (en) * | 1985-05-20 | 1988-08-30 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for making magnetic recording media |
| JP2637171B2 (ja) * | 1988-06-21 | 1997-08-06 | 株式会社東芝 | 多元スパッタリング装置 |
| JPH02217467A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-30 | Pioneer Electron Corp | 対向ターゲット型スパッタリング装置 |
| JP2850134B2 (ja) * | 1989-05-30 | 1999-01-27 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気ヘッドの製造方法 |
| US5328583A (en) * | 1991-11-05 | 1994-07-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Sputtering apparatus and process for forming lamination film employing the apparatus |
-
1992
- 1992-09-25 JP JP4256569A patent/JP2911687B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-11-12 US US08/747,987 patent/US5718812A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2911687B2 (ja) | 1999-06-23 |
| US5718812A (en) | 1998-02-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2911687B2 (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS5817522A (ja) | 磁気ヘツド及びその製造法 | |
| JP3772458B2 (ja) | 磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH08115507A (ja) | 磁気ヘッド | |
| EP0378214A1 (en) | Magnetic head | |
| JP3206322B2 (ja) | 磁気ヘッドおよび磁気記録再生装置 | |
| JPH03238606A (ja) | 磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPS6043202A (ja) | 垂直磁気記録再生装置 | |
| JPH0522963B2 (ja) | ||
| JPS62209702A (ja) | 磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH02168404A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH03152705A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH0448402A (ja) | 磁気記録方法 | |
| JPS6043203A (ja) | 垂直磁気記録再生装置 | |
| JPH08124111A (ja) | 再生用磁気ヘッド | |
| JPH06187609A (ja) | 磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH05128430A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPH0123857B2 (ja) | ||
| JPH11203620A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH02276012A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH0388109A (ja) | 垂直磁気記録用磁気ヘッド | |
| JPH10233006A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH04302807A (ja) | 複合型磁気ヘッド | |
| JPH0319112A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH03173901A (ja) | 磁気記録再生方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090409 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090409 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100409 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110409 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |