JPH04302807A - 複合型磁気ヘッド - Google Patents
複合型磁気ヘッドInfo
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- JPH04302807A JPH04302807A JP12197391A JP12197391A JPH04302807A JP H04302807 A JPH04302807 A JP H04302807A JP 12197391 A JP12197391 A JP 12197391A JP 12197391 A JP12197391 A JP 12197391A JP H04302807 A JPH04302807 A JP H04302807A
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- tape
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複合型磁気ヘッドＶＴ
Ｒに係わり、特に二種類の磁性材料で磁気テープ摺接面
が構成される磁気ヘッドに関する。
Ｒに係わり、特に二種類の磁性材料で磁気テープ摺接面
が構成される磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】昨今のＶＴＲの高画質化の要請に伴い、
磁気テープは記録密度を向上させるために記録媒体の保
磁力Ｈｃを、これまでの７００ Ｏｅから１０００ Ｏ
ｅ 以上に高められている。これらの高保磁力磁気テー
プに情報を記録するためには磁界の絶対値が大きく、か
つ分布の鋭い磁界を発生する磁気ヘッドが要求される。
磁気テープは記録密度を向上させるために記録媒体の保
磁力Ｈｃを、これまでの７００ Ｏｅから１０００ Ｏ
ｅ 以上に高められている。これらの高保磁力磁気テー
プに情報を記録するためには磁界の絶対値が大きく、か
つ分布の鋭い磁界を発生する磁気ヘッドが要求される。
【０００３】このため従来の磁気ヘッドのＭｎＺｎフェ
ライト単結晶コアの磁気ギャップ突き合わせ面に飽和磁
束密度の高い金属磁性膜、例えばＦｅ−ＡＬ−Ｓｉ系セ
ンダスト膜やＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂ系のアモルファス膜など
を形成することにより、磁気ヘッドギャップから強力な
磁界と鋭い分布の磁界を発生するＭｅｔａｌ Ｉｎ Ｇ
ａｐヘッド（以下、単に ＭＩＧヘッドと称す）が用い
られている。これら従来の ＭＩＧヘッドのコア半体に
用いられるＭｎＺｎフェライト単結晶の結晶方位は、磁
路形成面を｛１１０｝、テープ摺接面を｛２１１｝ある
いは｛１１０｝としたものであつた。
ライト単結晶コアの磁気ギャップ突き合わせ面に飽和磁
束密度の高い金属磁性膜、例えばＦｅ−ＡＬ−Ｓｉ系セ
ンダスト膜やＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂ系のアモルファス膜など
を形成することにより、磁気ヘッドギャップから強力な
磁界と鋭い分布の磁界を発生するＭｅｔａｌ Ｉｎ Ｇ
ａｐヘッド（以下、単に ＭＩＧヘッドと称す）が用い
られている。これら従来の ＭＩＧヘッドのコア半体に
用いられるＭｎＺｎフェライト単結晶の結晶方位は、磁
路形成面を｛１１０｝、テープ摺接面を｛２１１｝ある
いは｛１１０｝としたものであつた。
【０００４】図５（Ａ）は ＭＩＧヘッド１０の代表的
な一従来例の斜視図、同（Ｂ）は同図のテープ摺接面（
正面）の要部拡大図である。
な一従来例の斜視図、同（Ｂ）は同図のテープ摺接面（
正面）の要部拡大図である。
【０００５】同図において、 ＭＩＧヘッド１０はＭｎ
Ｚｎフェライト単結晶からなる一対のコア半体１２ａ、
１２ｂを接合してなり、この一対のコア半体１２ａ、１
２ｂの接合面である磁気ギャップ突き合わせ面には飽和
磁束密度の高い磁性膜１４ａ、１４ｂ、例えばＦｅ−Ａ
Ｌ−Ｓｉ系センダスト膜やＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂ系のアモル
ファス膜などが形成されている。また、１６ａ、１６ｂ
はトラック幅規制溝に充填させたモールドガラス、１８
は巻線用の溝である。
Ｚｎフェライト単結晶からなる一対のコア半体１２ａ、
１２ｂを接合してなり、この一対のコア半体１２ａ、１
２ｂの接合面である磁気ギャップ突き合わせ面には飽和
磁束密度の高い磁性膜１４ａ、１４ｂ、例えばＦｅ−Ａ
Ｌ−Ｓｉ系センダスト膜やＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂ系のアモル
ファス膜などが形成されている。また、１６ａ、１６ｂ
はトラック幅規制溝に充填させたモールドガラス、１８
は巻線用の溝である。
【０００６】図６（Ａ）〜（Ｅ）はその他の ＭＩＧヘ
ッドのテープ摺接面の拡大図で、磁気ギャップ突き合わ
せ面に形成した磁性膜１４ａ、１４ｂのパターンを表し
たもので、ＭｎＺｎフェライト単結晶の結晶方位は図５
の ＭＩＧヘッド１０と同じく、磁路形成面を｛１１０
｝、テープ摺接面を｛２１１｝あるいは｛１１０｝とし
たものである。 図７は ＭＩＧヘッドとＭｎＺｎフ
ェライト単結晶ヘッドの出力特性図である。
ッドのテープ摺接面の拡大図で、磁気ギャップ突き合わ
せ面に形成した磁性膜１４ａ、１４ｂのパターンを表し
たもので、ＭｎＺｎフェライト単結晶の結晶方位は図５
の ＭＩＧヘッド１０と同じく、磁路形成面を｛１１０
｝、テープ摺接面を｛２１１｝あるいは｛１１０｝とし
たものである。 図７は ＭＩＧヘッドとＭｎＺｎフ
ェライト単結晶ヘッドの出力特性図である。
【０００７】同図において、１０は ＭＩＧヘッド、３
０はＭｎＺｎフェライト単結晶ヘッドで、ＭｎＺｎフェ
ライト単結晶の結晶方位は共に磁路形成面｛１１０｝、
テープ摺接面｛２１１｝である。
０はＭｎＺｎフェライト単結晶ヘッドで、ＭｎＺｎフェ
ライト単結晶の結晶方位は共に磁路形成面｛１１０｝、
テープ摺接面｛２１１｝である。
【０００８】同図の測定条件は、
記録媒体テープの保磁力Ｈｃ １０００ Ｏｅ 、テ
ープ／ヘッド相対速度 ５．８ ｍ／ｓｅｃ 、
ヘッドのトラック幅 ２５μｍ 、ギャ
ップ幅（実効） ０．３０μｍ、で、こ
の出力特性図から長波長域において ＭＩＧヘッド１０
の磁気飽和がＭｎＺｎフェライト単結晶ヘッド３０に比
べて改善され、その結果ヘッドの記録特性が向上して
ＭＩＧヘッド１０の相対出力が ２〜３ ｄｂ改善され
ていることが分かる。
ープ／ヘッド相対速度 ５．８ ｍ／ｓｅｃ 、
ヘッドのトラック幅 ２５μｍ 、ギャ
ップ幅（実効） ０．３０μｍ、で、こ
の出力特性図から長波長域において ＭＩＧヘッド１０
の磁気飽和がＭｎＺｎフェライト単結晶ヘッド３０に比
べて改善され、その結果ヘッドの記録特性が向上して
ＭＩＧヘッド１０の相対出力が ２〜３ ｄｂ改善され
ていることが分かる。
【０００９】図８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はＭＩＧ ヘ
ッド１０とＭｎＺｎフェライト単結晶ヘッド３０の無信
号時のテープ変調ノイズ測定図である。
ッド１０とＭｎＺｎフェライト単結晶ヘッド３０の無信
号時のテープ変調ノイズ測定図である。
【００１０】同図において、（Ａ）がＭｎＺｎフェライ
ト単結晶の結晶方位が磁路面｛１１０｝、テープ摺接面
｛２１１｝の ＭＩＧヘッド１０、（Ｂ）が磁路面、摺
接面共に｛１１０｝の ＭＩＧヘッド１０、（Ｃ）はＭ
ｎＺｎフェライト単結晶ヘッド３０である。この図から
ＭＩＧヘッド１０の構成、即ち磁気ギャップ突き合わ
せ面に、例えば Ｆｅ−ＡＬ−Ｓｉ系センダスト膜や
Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ系のアモルファス膜などの磁性膜を形
成することにより摺動ノイズの改善が示されているが、
未だ満足するものではない。この摺動ノイズ測定は湿度
２０％以下で Ｃｏ−γＦｅ２ Ｏ ３ （Ｈｃ＝１
０００ Ｏｅ）テープを用いて行ったものである。
ト単結晶の結晶方位が磁路面｛１１０｝、テープ摺接面
｛２１１｝の ＭＩＧヘッド１０、（Ｂ）が磁路面、摺
接面共に｛１１０｝の ＭＩＧヘッド１０、（Ｃ）はＭ
ｎＺｎフェライト単結晶ヘッド３０である。この図から
ＭＩＧヘッド１０の構成、即ち磁気ギャップ突き合わ
せ面に、例えば Ｆｅ−ＡＬ−Ｓｉ系センダスト膜や
Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ系のアモルファス膜などの磁性膜を形
成することにより摺動ノイズの改善が示されているが、
未だ満足するものではない。この摺動ノイズ測定は湿度
２０％以下で Ｃｏ−γＦｅ２ Ｏ ３ （Ｈｃ＝１
０００ Ｏｅ）テープを用いて行ったものである。
【００１１】図９は Ｃｏ−γＦｅ２ Ｏ ３ （Ｈｃ
＝１０００ Ｏｅ）テープを用いて測定した Ｃ／Ｎ値
で、フェライト単結晶ヘッド３０を基準（ ０ｄｂ）と
して ＭＩＧヘッド１０の平均値を示している。ここで
信号周波数は、 Ｙ−Ｃ／Ｎの信号周波数は７ＭＨｚ、
Ｃ−Ｃ／Ｎ の信号周波数は６３０ＫＨｚである。この
結果、 Ｃ−Ｃ／Ｎは＋２ｄｂ向上しているが、 Ｙ−
Ｃ／Ｎの向上は若干であり、これは摺動ノイズに起因す
るものである。
＝１０００ Ｏｅ）テープを用いて測定した Ｃ／Ｎ値
で、フェライト単結晶ヘッド３０を基準（ ０ｄｂ）と
して ＭＩＧヘッド１０の平均値を示している。ここで
信号周波数は、 Ｙ−Ｃ／Ｎの信号周波数は７ＭＨｚ、
Ｃ−Ｃ／Ｎ の信号周波数は６３０ＫＨｚである。この
結果、 Ｃ−Ｃ／Ｎは＋２ｄｂ向上しているが、 Ｙ−
Ｃ／Ｎの向上は若干であり、これは摺動ノイズに起因す
るものである。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、Ｍｎ
Ｚｎフェライト単結晶ヘッドの磁気ギャップ突き合わせ
面に飽和磁束密度の高い磁性膜、例えばＦｅ−ＡＬ−Ｓ
ｉ系センダスト膜やＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂ系のアモルファス
膜などを形成した ＭＩＧヘッドは、長波長域の記録特
性の改善がなされてＣ−Ｃ／Ｎが大きく改良されるが、
ヘッドの摺動ノイズに起因して Ｙ−Ｃ／Ｎの改善度が
小さい。
Ｚｎフェライト単結晶ヘッドの磁気ギャップ突き合わせ
面に飽和磁束密度の高い磁性膜、例えばＦｅ−ＡＬ−Ｓ
ｉ系センダスト膜やＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂ系のアモルファス
膜などを形成した ＭＩＧヘッドは、長波長域の記録特
性の改善がなされてＣ−Ｃ／Ｎが大きく改良されるが、
ヘッドの摺動ノイズに起因して Ｙ−Ｃ／Ｎの改善度が
小さい。
【００１３】そこで、従来の ＭＩＧヘッドの欠点とさ
れた摺動ノイズを低減させて、 Ｙ−Ｃ／Ｎの改善度を
大きくする必要がある。
れた摺動ノイズを低減させて、 Ｙ−Ｃ／Ｎの改善度を
大きくする必要がある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされたものであり、フェライト単結晶か
らなる一対のコア半体の夫々の磁気ギャップ突き合わせ
面に、前記フェライト単結晶より飽和磁束密度の高い磁
性膜を形成し、前記磁性膜を介して前記一対のコア半体
を接合してなる複合型磁気ヘッドにおいて、接合した前
記一対のコア半体が形成する磁路面の結晶面を｛１００
｝、テープ摺接面の結晶面を｛１００｝としたことを特
徴とする複合型磁気ヘッドと、フェライト単結晶からな
る一対のコア半体の夫々の磁気ギャップ突き合わせ面に
、前記フェライト単結晶より飽和磁束密度の高い磁性膜
を形成し、前記磁性膜を介して前記一対のコア半体を接
合してなる複合型磁気ヘッドにおいて、接合した前記一
対のコア半体が形成する磁路面の結晶面を｛１１０｝、
テープ摺接面の結晶面を｛１００｝としたことを特徴と
する複合型磁気ヘッドを提供しようとするものである。
決するためになされたものであり、フェライト単結晶か
らなる一対のコア半体の夫々の磁気ギャップ突き合わせ
面に、前記フェライト単結晶より飽和磁束密度の高い磁
性膜を形成し、前記磁性膜を介して前記一対のコア半体
を接合してなる複合型磁気ヘッドにおいて、接合した前
記一対のコア半体が形成する磁路面の結晶面を｛１００
｝、テープ摺接面の結晶面を｛１００｝としたことを特
徴とする複合型磁気ヘッドと、フェライト単結晶からな
る一対のコア半体の夫々の磁気ギャップ突き合わせ面に
、前記フェライト単結晶より飽和磁束密度の高い磁性膜
を形成し、前記磁性膜を介して前記一対のコア半体を接
合してなる複合型磁気ヘッドにおいて、接合した前記一
対のコア半体が形成する磁路面の結晶面を｛１１０｝、
テープ摺接面の結晶面を｛１００｝としたことを特徴と
する複合型磁気ヘッドを提供しようとするものである。
【００１５】
【実施例】図１（Ａ）は本発明による複合型磁気ヘッド
５０Ａの一実施例の斜視図、図１（Ｂ）は同複合型磁気
ヘッド５０Ａのテープ摺接面（正面）の要部拡大図であ
る。
５０Ａの一実施例の斜視図、図１（Ｂ）は同複合型磁気
ヘッド５０Ａのテープ摺接面（正面）の要部拡大図であ
る。
【００１６】同図において、図５のＭＩＧ ヘッド１０
の構成要素と同一構成要素には同一の参照符号を付して
ある。
の構成要素と同一構成要素には同一の参照符号を付して
ある。
【００１７】本発明による複合型磁気ヘッド５０ＡはＭ
ｎＺｎフェライト単結晶からなる一対のコア半体１２ａ
、１２ｂを接合してなり、この一対のコア半体１２ａ、
１２ｂの接合面である突き合わせ面には飽和磁束密度の
高い磁性膜１４ａ、１４ｂが形成されている。また、１
６ａ、１６ｂはトラック幅規制溝に充填させたモールド
ガラス、１８は巻線用の溝であり、従来例の ＭＩＧヘ
ッド１０と異なる点は結晶面の結晶方位の違いである。 即ち、本発明による複合型磁気ヘッド５０Ａの磁路を形
成する結晶面の結晶方位を｛１００｝、テープ摺接面の
結晶面の結晶方位を｛１００｝としたことである。
ｎＺｎフェライト単結晶からなる一対のコア半体１２ａ
、１２ｂを接合してなり、この一対のコア半体１２ａ、
１２ｂの接合面である突き合わせ面には飽和磁束密度の
高い磁性膜１４ａ、１４ｂが形成されている。また、１
６ａ、１６ｂはトラック幅規制溝に充填させたモールド
ガラス、１８は巻線用の溝であり、従来例の ＭＩＧヘ
ッド１０と異なる点は結晶面の結晶方位の違いである。 即ち、本発明による複合型磁気ヘッド５０Ａの磁路を形
成する結晶面の結晶方位を｛１００｝、テープ摺接面の
結晶面の結晶方位を｛１００｝としたことである。
【００１８】本実施例に用いたコア半体１２ａ、１２ｂ
のＭｎＺｎフェライト単結晶母材は、 Ｆｅ２ Ｏ ３ ：ＭｎＯ：ＺｎＯ＝５４．５ ｍｏｌ
％：２７．５ｍｏｌ％：１８．０ ｍｏｌ％結晶磁気異
方性定数Ｋ１ ≧０ 磁歪定数λ１００ は約−１×１０−６磁歪定数λ１１
１ は約＋４×１０−６である。
のＭｎＺｎフェライト単結晶母材は、 Ｆｅ２ Ｏ ３ ：ＭｎＯ：ＺｎＯ＝５４．５ ｍｏｌ
％：２７．５ｍｏｌ％：１８．０ ｍｏｌ％結晶磁気異
方性定数Ｋ１ ≧０ 磁歪定数λ１００ は約−１×１０−６磁歪定数λ１１
１ は約＋４×１０−６である。
【００１９】従って、この複合型磁気ヘッド５０Ａのギ
ャップ突き合わせ面の結晶面も｛１００｝となる。
ャップ突き合わせ面の結晶面も｛１００｝となる。
【００２０】さらに、ＭｎＺｎフェライト単結晶材から
なる各コア半体１２ａ、１２ｂのギャップ突き合わせ面
に、例えばＣｏ（８５ ａｔ％）ーＺｒ（ ５ ａｔ％
）ーＴａ（１０ ａｔ％）の軟磁性アモルファス磁性膜
１４ａ，１４ｂを高周波２極スパッタリングで ３〜７
μｍの厚みに堆積させ、所定のギャップ幅材 ＳｉＯ
２ ：６０を介してギャップを形成し、トラック幅規
制溝にガラスモールド１６ａ、１６ｂを充填する。この
ガラスモールド１６ａ、１６ｂは熱膨脹率が９６×１０
−７／℃（２５〜 ３４７℃）のもので、このギャップ
形成とガラスモールド１６ａ、１６ｂは約 ５００℃の
回転磁場中で加熱圧着して行なわれる。
なる各コア半体１２ａ、１２ｂのギャップ突き合わせ面
に、例えばＣｏ（８５ ａｔ％）ーＺｒ（ ５ ａｔ％
）ーＴａ（１０ ａｔ％）の軟磁性アモルファス磁性膜
１４ａ，１４ｂを高周波２極スパッタリングで ３〜７
μｍの厚みに堆積させ、所定のギャップ幅材 ＳｉＯ
２ ：６０を介してギャップを形成し、トラック幅規
制溝にガラスモールド１６ａ、１６ｂを充填する。この
ガラスモールド１６ａ、１６ｂは熱膨脹率が９６×１０
−７／℃（２５〜 ３４７℃）のもので、このギャップ
形成とガラスモールド１６ａ、１６ｂは約 ５００℃の
回転磁場中で加熱圧着して行なわれる。
【００２１】また、高周波２極スパッタリングを用いて
アルゴンガス圧（０．６ Ｐａ）下にて成膜した前記組
成のＣｏ−Ｚｒ−Ｔａアモルファス膜は、飽和磁束密度
８５００〜９５００ Ｇａｕｓｓ、保磁力Ｈｃが０．１
Ｏｃ以下、結晶化温度 ５２０℃以下である。
アルゴンガス圧（０．６ Ｐａ）下にて成膜した前記組
成のＣｏ−Ｚｒ−Ｔａアモルファス膜は、飽和磁束密度
８５００〜９５００ Ｇａｕｓｓ、保磁力Ｈｃが０．１
Ｏｃ以下、結晶化温度 ５２０℃以下である。
【００２２】図２は各磁気ヘッドの再生出力図である。
【００２３】同図における測定条件は、記録媒体テープ
の保磁力Ｈｃ １０００ Ｏｅ 、テープ／ヘッ
ド相対速度 ５．８ ｍ／ｓｅｃ 、ヘッド
のトラック幅 ２５μｍ 、ギャッ
プ幅（実効） ０．３０μｍである
。
の保磁力Ｈｃ １０００ Ｏｅ 、テープ／ヘッ
ド相対速度 ５．８ ｍ／ｓｅｃ 、ヘッド
のトラック幅 ２５μｍ 、ギャッ
プ幅（実効） ０．３０μｍである
。
【００２４】同図において、５０Ａは複合型磁気ヘッド
、３０はＭｎＺｎフェライト単結晶ヘッド、１０は従来
の ＭＩＧヘッドで、この出力特性図から長波長域にお
いて複合型磁気ヘッド５０Ａの相対出力はＭｎＺｎフェ
ライト単結晶ヘッド３０より改善されている。
、３０はＭｎＺｎフェライト単結晶ヘッド、１０は従来
の ＭＩＧヘッドで、この出力特性図から長波長域にお
いて複合型磁気ヘッド５０Ａの相対出力はＭｎＺｎフェ
ライト単結晶ヘッド３０より改善されている。
【００２５】さらに、図３は本発明の複合型磁気ヘッド
５０Ａの無信号時のテープ変調ノイズ、つまり摺動ノイ
ズを測定したノイズスペクトラム図である。
５０Ａの無信号時のテープ変調ノイズ、つまり摺動ノイ
ズを測定したノイズスペクトラム図である。
【００２６】この図２、図３の測定結果を解析するに、
図２から本発明の複合型磁気ヘッド５０Ａは従来の Ｍ
ＩＧヘッド１０に比べてカラ−帯域付近（０．５ＭＨｚ
）で約 ２ｄｂ、輝度信号付近（７ＭＨｚ）で約 ３ｄ
ｂの出力低下が認められるが、反面図３に示すごとく摺
動ノイズがカラ−帯域付近（０．５ＭＨｚ）で約 ２ｄ
ｂ，、輝度信号付近（７ＭＨｚ）で約４〜５ ｄｂ低下
し改善されている。
図２から本発明の複合型磁気ヘッド５０Ａは従来の Ｍ
ＩＧヘッド１０に比べてカラ−帯域付近（０．５ＭＨｚ
）で約 ２ｄｂ、輝度信号付近（７ＭＨｚ）で約 ３ｄ
ｂの出力低下が認められるが、反面図３に示すごとく摺
動ノイズがカラ−帯域付近（０．５ＭＨｚ）で約 ２ｄ
ｂ，、輝度信号付近（７ＭＨｚ）で約４〜５ ｄｂ低下
し改善されている。
【００２７】図４は各磁気ヘッドの Ｙ−Ｃ／Ｎ、Ｃ−
Ｃ／Ｎ の測定値である。同図から本発明の複合型磁気
ヘッド５０Ａは Ｃ−Ｃ／Ｎにおいて従来の ＭＩＧヘ
ッド１０と略等しく、 Ｙ−Ｃ／Ｎ（輝度信号−Ｃ／Ｎ
）で約 ２ｄｂ改良されることになる。 これは複合型磁気ヘッド５０Ａのコア半体１２ａ，１２
ｂのＭｎＺｎフェライト単結晶部の磁路形成面を｛１０
０｝，テープ摺接面を｛１００｝にしたことによって、
フェライト単結晶から発生する摺動ノイズを少なくした
ことによるものである。
Ｃ／Ｎ の測定値である。同図から本発明の複合型磁気
ヘッド５０Ａは Ｃ−Ｃ／Ｎにおいて従来の ＭＩＧヘ
ッド１０と略等しく、 Ｙ−Ｃ／Ｎ（輝度信号−Ｃ／Ｎ
）で約 ２ｄｂ改良されることになる。 これは複合型磁気ヘッド５０Ａのコア半体１２ａ，１２
ｂのＭｎＺｎフェライト単結晶部の磁路形成面を｛１０
０｝，テープ摺接面を｛１００｝にしたことによって、
フェライト単結晶から発生する摺動ノイズを少なくした
ことによるものである。
【００２８】一般に磁気ヘッドとテープ走行によって生
じる摺動ノイズは、ヘツド材料に生じる逆磁歪効果、つ
まり磁気テープ摺動によって生じる外力によつてヘッド
材料内に歪みを生じ、これを緩和するように自発磁化分
布の変化が起こり、この磁化変化によってノイズが発生
する。従ってヘッド材料としては磁歪定数の小さなもの
が望ましく、この点では金属合金磁性膜の磁歪定数はフ
ェライト材料よりも一桁小さく１０−７オーダであるか
ら、図１、図６のようなＭｎＺｎフェライト単結晶材と
金属合金磁性膜との複合型磁気ヘッドでは磁気テープ摺
動による外力の影響が磁性膜の外部のフェライト母材に
も及ぶため、このフェライト母材にも磁歪定数の小さな
材料を用いる必要がある。
じる摺動ノイズは、ヘツド材料に生じる逆磁歪効果、つ
まり磁気テープ摺動によって生じる外力によつてヘッド
材料内に歪みを生じ、これを緩和するように自発磁化分
布の変化が起こり、この磁化変化によってノイズが発生
する。従ってヘッド材料としては磁歪定数の小さなもの
が望ましく、この点では金属合金磁性膜の磁歪定数はフ
ェライト材料よりも一桁小さく１０−７オーダであるか
ら、図１、図６のようなＭｎＺｎフェライト単結晶材と
金属合金磁性膜との複合型磁気ヘッドでは磁気テープ摺
動による外力の影響が磁性膜の外部のフェライト母材に
も及ぶため、このフェライト母材にも磁歪定数の小さな
材料を用いる必要がある。
【００２９】上記組成のフェライト単結晶の場合、＜１
００＞方向の磁歪が他の主な方向＜１１０＞、＜１１１
＞、＜２１１＞に比して非常に小さくなることに着目し
て、本発明のごとき結晶方位を有するＭｎＺｎフェライ
ト単結晶を母材としたものである。 上述した実施例
と同様に、複合型磁気ヘッドのＭｎＺｎフェライト単結
晶コアの磁路形成面を｛１１０｝とし、テープ摺接面を
｛１００｝とした結晶面構成の複合型磁気ヘッド５０Ｂ
は、その再生出力特性は図７のヘッドと略等しく、その
摺動ノイズのスペクトラムも図３のごとくで、同図に示
したノイズスペクトルと略等しく、図４に示すごとく、
Ｙ−Ｃ／Ｎ、Ｃ−Ｃ／Ｎも従来の複合型磁気ヘッドの
特性よりも改善することができる。。
００＞方向の磁歪が他の主な方向＜１１０＞、＜１１１
＞、＜２１１＞に比して非常に小さくなることに着目し
て、本発明のごとき結晶方位を有するＭｎＺｎフェライ
ト単結晶を母材としたものである。 上述した実施例
と同様に、複合型磁気ヘッドのＭｎＺｎフェライト単結
晶コアの磁路形成面を｛１１０｝とし、テープ摺接面を
｛１００｝とした結晶面構成の複合型磁気ヘッド５０Ｂ
は、その再生出力特性は図７のヘッドと略等しく、その
摺動ノイズのスペクトラムも図３のごとくで、同図に示
したノイズスペクトルと略等しく、図４に示すごとく、
Ｙ−Ｃ／Ｎ、Ｃ−Ｃ／Ｎも従来の複合型磁気ヘッドの
特性よりも改善することができる。。
【００３０】以上、実施例の説明にはＣｏ−Ｚｒ−Ｔａ
系のアモルファス磁性膜を用いたが、これ以外のＦｅ−
Ｓｉ−Ａｌ系センダスト磁性膜、Ｆｅ１６Ｎ ２ 系磁
性膜その他の金属合金磁性膜を用いても同様の効果を得
ることができるものである。
系のアモルファス磁性膜を用いたが、これ以外のＦｅ−
Ｓｉ−Ａｌ系センダスト磁性膜、Ｆｅ１６Ｎ ２ 系磁
性膜その他の金属合金磁性膜を用いても同様の効果を得
ることができるものである。
【００３１】
【発明の効果】上述したように、フェライト単結晶から
なる一対のコア半体の夫々の突き合わせ面に、前記フェ
ライト単結晶より飽和磁束密度の高い磁性膜を形成し、
前記磁性膜を介して前記一対のコア半体を接合してなる
複合型磁気ヘッドにおいて、接合した前記一対のコア半
体が形成する磁路面の結晶面を｛１１０｝或いは｛１０
０｝、テープ摺接面の結晶面を｛１００｝とした複合型
磁気ヘッドとすることにより、昨今の高密度記録用の高
保磁力テープにおいて長波長域の記録特性を損なうこと
なく、短波長域の輝度信号の Ｃ／Ｎ比を大きく改善す
ることが可能となり、従ってＶＴＲの再生画質において
カラー特性および輝度信号特性、特にＣ／Ｎ比にすぐれ
た効果を発揮することができる複合型磁気ヘッドの提供
を可能とするものである。
なる一対のコア半体の夫々の突き合わせ面に、前記フェ
ライト単結晶より飽和磁束密度の高い磁性膜を形成し、
前記磁性膜を介して前記一対のコア半体を接合してなる
複合型磁気ヘッドにおいて、接合した前記一対のコア半
体が形成する磁路面の結晶面を｛１１０｝或いは｛１０
０｝、テープ摺接面の結晶面を｛１００｝とした複合型
磁気ヘッドとすることにより、昨今の高密度記録用の高
保磁力テープにおいて長波長域の記録特性を損なうこと
なく、短波長域の輝度信号の Ｃ／Ｎ比を大きく改善す
ることが可能となり、従ってＶＴＲの再生画質において
カラー特性および輝度信号特性、特にＣ／Ｎ比にすぐれ
た効果を発揮することができる複合型磁気ヘッドの提供
を可能とするものである。
【図１（Ａ）】本発明の複合型磁気ヘッドの一実施例の
斜視図である。
斜視図である。
【図１（Ｂ）】本発明の複合型磁気ヘッドのテープ摺接
面（正面）の要部拡大図である。
面（正面）の要部拡大図である。
【図２】各磁気ヘッドの再生出力図である。
【図３】本発明の複合型磁気ヘッドの摺動ノイズを測定
したノイズスペクトラム図である。
したノイズスペクトラム図である。
【図４】各磁気ヘッドの Ｃ−Ｃ／Ｎ、 Ｙ−Ｃ／Ｎ値
である。
である。
【図５（Ａ）】ＭＩＧヘッドの代表的な一従来例の斜視
図である。
図である。
【図５（Ｂ）】ＭＩＧヘッドのテープ摺接面（正面）の
要部拡大図である。
要部拡大図である。
【図６（Ａ）〜（Ｅ）】その他の ＭＩＧヘッドのテー
プ摺接面の拡大図である。
プ摺接面の拡大図である。
【図７】ＭＩＧヘッドとＭｎＺｎフェライト単結晶ヘッ
ドの出力特性図である。
ドの出力特性図である。
【図８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）】ＭＩＧ ヘッドとＭｎ
Ｚｎフェライト単結晶ヘッドの無信号時のテープ変調ノ
イズ測定図である。
Ｚｎフェライト単結晶ヘッドの無信号時のテープ変調ノ
イズ測定図である。
【図９】ＭＩＧヘッドとＭｎＺｎフェライト単結晶ヘッ
ドの Ｃｏ−γＦｅ２０３ （Ｈｃ＝１０００ Ｏｅ）
テープを用いて測定したＣ／Ｎ値である。
ドの Ｃｏ−γＦｅ２０３ （Ｈｃ＝１０００ Ｏｅ）
テープを用いて測定したＣ／Ｎ値である。
１０ 従来の ＭＩＧヘッド
１２ａ コア半体
１２ｂ コア半体
１４ａ 磁性膜
１４ｂ 磁性膜
１６ａ モールドガラス
１６ｂ モールドガラス
１７ トラック幅規制溝
１８ 巻線用の溝
Claims (2)
- 【請求項１】フェライト単結晶からなる一対のコア半体
の夫々の磁気ギャップ突き合わせ面に、前記フェライト
単結晶より飽和磁束密度の高い磁性膜を形成し、前記磁
性膜を介して前記一対のコア半体を接合してなる複合型
磁気ヘッドにおいて、接合した前記一対のコア半体が形
成する磁路面の結晶面を｛１００｝、テープ摺接面の結
晶面を｛１００｝としたことを特徴とする複合型磁気ヘ
ッド。 - 【請求項２】フェライト単結晶からなる一対のコア半体
の夫々の磁気ギャップ突き合わせ面に、前記フェライト
単結晶より飽和磁束密度の高い磁性膜を形成し、前記磁
性膜を介して前記一対のコア半体を接合してなる複合型
磁気ヘッドにおいて、接合した前記一対のコア半体が形
成する磁路面の結晶面を｛１１０｝、テープ摺接面の結
晶面を｛１００｝としたことを特徴とする複合型磁気ヘ
ッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12197391A JPH04302807A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 複合型磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12197391A JPH04302807A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 複合型磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04302807A true JPH04302807A (ja) | 1992-10-26 |
Family
ID=14824448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12197391A Pending JPH04302807A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 複合型磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04302807A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5641519A (en) * | 1979-09-13 | 1981-04-18 | Hitachi Ltd | Magnetic head |
| JPS61148613A (ja) * | 1984-12-20 | 1986-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘツド |
| JPH0298803A (ja) * | 1988-10-05 | 1990-04-11 | Sharp Corp | 磁気ヘッド |
-
1991
- 1991-03-29 JP JP12197391A patent/JPH04302807A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5641519A (en) * | 1979-09-13 | 1981-04-18 | Hitachi Ltd | Magnetic head |
| JPS61148613A (ja) * | 1984-12-20 | 1986-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘツド |
| JPH0298803A (ja) * | 1988-10-05 | 1990-04-11 | Sharp Corp | 磁気ヘッド |
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