JPH06100744B2 - マトリクス型液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
マトリクス型液晶表示装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH06100744B2 JPH06100744B2 JP56187252A JP18725281A JPH06100744B2 JP H06100744 B2 JPH06100744 B2 JP H06100744B2 JP 56187252 A JP56187252 A JP 56187252A JP 18725281 A JP18725281 A JP 18725281A JP H06100744 B2 JPH06100744 B2 JP H06100744B2
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- Japan
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- storage capacitor
- liquid crystal
- tft array
- tft
- electrode
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 この発明は複数個のゲート線、及びゲート線に直交する
複数個のソース線を備え、その各交点に薄膜トランジス
タ（以下、TFTという）等の能動素子及び蓄積コンデン
サー等よりなるマトリクス型液晶表示装置用TFTアレイ
の蓄積コンデンサーの構造及びその製造方法に関するも
のである。
複数個のソース線を備え、その各交点に薄膜トランジス
タ（以下、TFTという）等の能動素子及び蓄積コンデン
サー等よりなるマトリクス型液晶表示装置用TFTアレイ
の蓄積コンデンサーの構造及びその製造方法に関するも
のである。
第１図はTFTアレイの構成を、第２図はマトリクス型液
晶表示装置の構成の説明図である。
晶表示装置の構成の説明図である。
図において、（１）はゲート線、（２）はソース線、
（３）はTFT、（４）は表示電極、（５）は蓄積コンデ
ンサー、（６）は液晶、（７）はTFTアレイ基板、
（８）はTFTアレイ、（９）は透明導電膜、（10）は対
向基板、（11）はマトリクス型液晶表示装置を示してい
る。従来この種の装置として第３図、第４図に示すもの
があつた。第３図はTFTアレイ画素の部分平面図、第４
図は第３図IV-IV線における断面構造図を示したもので
ある。
（３）はTFT、（４）は表示電極、（５）は蓄積コンデ
ンサー、（６）は液晶、（７）はTFTアレイ基板、
（８）はTFTアレイ、（９）は透明導電膜、（10）は対
向基板、（11）はマトリクス型液晶表示装置を示してい
る。従来この種の装置として第３図、第４図に示すもの
があつた。第３図はTFTアレイ画素の部分平面図、第４
図は第３図IV-IV線における断面構造図を示したもので
ある。
図において、（１）はゲート線、（２）はソース線、
（７）はTFTアレイ基板、（８）はTFTアレイ、（12）は
ゲート絶縁膜、（13）はドレイン電極、（14）は半導
体、（15）は蓄積コンデンサー電極、（16）は誘電体、
（４）は表示電極を示している。まず第１図、第２図と
ともにマトリクス型液晶表示装置の構成を説明する。マ
トリクス型液晶表示装置（11）は、複数個のゲート線
（１）、及びこれらのゲート線と直交するソース線
（２）とを備え、その交点に例えばTFT（３）等の能動
素子が形成され、そのドレイン電極、表示電極（４）、
信号蓄積コンデンサー（５）を有する構造のTFTアレイ
（８）と、これと対向する透明導電膜（９）を有する対
向基板（10）、及びこの両基板（７）、（10）の間に液
晶（６）が挾持されている。
（７）はTFTアレイ基板、（８）はTFTアレイ、（12）は
ゲート絶縁膜、（13）はドレイン電極、（14）は半導
体、（15）は蓄積コンデンサー電極、（16）は誘電体、
（４）は表示電極を示している。まず第１図、第２図と
ともにマトリクス型液晶表示装置の構成を説明する。マ
トリクス型液晶表示装置（11）は、複数個のゲート線
（１）、及びこれらのゲート線と直交するソース線
（２）とを備え、その交点に例えばTFT（３）等の能動
素子が形成され、そのドレイン電極、表示電極（４）、
信号蓄積コンデンサー（５）を有する構造のTFTアレイ
（８）と、これと対向する透明導電膜（９）を有する対
向基板（10）、及びこの両基板（７）、（10）の間に液
晶（６）が挾持されている。
ひき続き従来のTFTアレイ（８）を第３図、第４図によ
り説明する。TFTアレイ（８）は例えばガラス等の絶縁
基板よりなるTFTアレイ基板（７）の表面に、ゲート線
（１）となるAl等を蒸着法で形成し、その上部にゲート
絶縁膜（12）となるSiO2等をスパツター法等で形成、更
にソース線（２）、ドレイン電極（13）となるAl等を例
えば蒸着法等で形成し、更に半導体（14）となるアモル
フアスシリコン等を例えばグローデイスチヤージ法等で
形成してTFTを完成させる。この後、蓄積コンデンサー
を例えばコンデンサー電極（15）となるIn2O3等を蒸着
法等で形成した後、コンデンサーの誘電体（16）となる
SiO2等を例えばスパツター法で形成した後に表示電極
（４）、及び蓄積コンデンサー電極となるIn2O3を例え
ば蒸着法等で形成し、その一端を先に形成したドレイン
電極（13）に接続して、TFTアレイ（８）が完成する。
従来のTFTアレイ（８）は以上のように構成されている
ので、蓄積コンデンサー（５）の形成プロセスにおけ
る、例えばIn2O3の材料、温度履歴、あるいはプロセス
汚染等により先に形成したTFT（３）の特性が変動ある
いは劣化する。又、蓄積コンデンサーの大容量化すなわ
ち大面積に形成することが困難であるなどの欠点があつ
た。
り説明する。TFTアレイ（８）は例えばガラス等の絶縁
基板よりなるTFTアレイ基板（７）の表面に、ゲート線
（１）となるAl等を蒸着法で形成し、その上部にゲート
絶縁膜（12）となるSiO2等をスパツター法等で形成、更
にソース線（２）、ドレイン電極（13）となるAl等を例
えば蒸着法等で形成し、更に半導体（14）となるアモル
フアスシリコン等を例えばグローデイスチヤージ法等で
形成してTFTを完成させる。この後、蓄積コンデンサー
を例えばコンデンサー電極（15）となるIn2O3等を蒸着
法等で形成した後、コンデンサーの誘電体（16）となる
SiO2等を例えばスパツター法で形成した後に表示電極
（４）、及び蓄積コンデンサー電極となるIn2O3を例え
ば蒸着法等で形成し、その一端を先に形成したドレイン
電極（13）に接続して、TFTアレイ（８）が完成する。
従来のTFTアレイ（８）は以上のように構成されている
ので、蓄積コンデンサー（５）の形成プロセスにおけ
る、例えばIn2O3の材料、温度履歴、あるいはプロセス
汚染等により先に形成したTFT（３）の特性が変動ある
いは劣化する。又、蓄積コンデンサーの大容量化すなわ
ち大面積に形成することが困難であるなどの欠点があつ
た。
この発明は上記のような欠点を除去するためになされた
もので、基板上に蓄積コンデンサーの電極を形成する工
程と、蓄積コンデンサーの電極上にSiNよりなる誘電体
層を形成する工程と、誘電体層上に透明電極を形成する
工程と、この後に誘電体層上に蓄積コンデンサーの形成
プロセスによる熱的影響を受けることなくTFTを形成す
る工程とを行うことにより、TFTの特性の変動や劣化が
なく、かつ大容量の蓄積コンデンサーが形成できるマト
リクス型液晶表示装置の製造方法を提供することを目的
としている。
もので、基板上に蓄積コンデンサーの電極を形成する工
程と、蓄積コンデンサーの電極上にSiNよりなる誘電体
層を形成する工程と、誘電体層上に透明電極を形成する
工程と、この後に誘電体層上に蓄積コンデンサーの形成
プロセスによる熱的影響を受けることなくTFTを形成す
る工程とを行うことにより、TFTの特性の変動や劣化が
なく、かつ大容量の蓄積コンデンサーが形成できるマト
リクス型液晶表示装置の製造方法を提供することを目的
としている。
以下この発明の一実施例を第５図、第６図により説明す
る。第５図はTFTアレイ画素の部分平面図、第６図は第
５図VI-VI線における断面構造図を示したものである。
る。第５図はTFTアレイ画素の部分平面図、第６図は第
５図VI-VI線における断面構造図を示したものである。
図において、（１）はゲート線、（２）はソース線、
（４）は表示電極、（７）はTFTアレイ基板、（８）はT
FTアレイ、（12）はゲート絶縁膜、（13）はドレイン電
極、（14）は半導体、（15）は蓄積コンデンサー電極、
（16）は誘電体を示している。ひき続きその構成を説明
する。TFTアレイ（８）は例えばガラス等の絶縁基板よ
りなるTFTアレイ基板（７）表面の全面にわたつて、予
じめ蓄積コンデンサーの電極となる例えばIn2O3等の透
明電極が約2000Å形成され、その上部に誘電体（16）と
なるSiNが例えばプラズマCVD法で約5000Å形成されてい
る。
（４）は表示電極、（７）はTFTアレイ基板、（８）はT
FTアレイ、（12）はゲート絶縁膜、（13）はドレイン電
極、（14）は半導体、（15）は蓄積コンデンサー電極、
（16）は誘電体を示している。ひき続きその構成を説明
する。TFTアレイ（８）は例えばガラス等の絶縁基板よ
りなるTFTアレイ基板（７）表面の全面にわたつて、予
じめ蓄積コンデンサーの電極となる例えばIn2O3等の透
明電極が約2000Å形成され、その上部に誘電体（16）と
なるSiNが例えばプラズマCVD法で約5000Å形成されてい
る。
上記構成のTFTアレイ基板上に、例えば、ゲート線
（１）となるAl等を蒸着法で約3000Å形成し、ひき続き
ゲート絶縁膜（12）となるSiO2等を約2000Å形成した
後、表示電極（４）及び蓄積コンデンサーの上部電極と
なるIn2O3等の透明電極を蒸着法等で約2000Å形成し、
更にTFTのソース線（２）、ドレイン電極（13）となる
例えばAlを蒸着法等約3000Åで形成し先に形成した表示
電極（４）とドレイン電極（13）を接続する。この後半
導体（14）となるアモルフアスシリコン等を例えばグロ
ーデイスチヤージ法等で約2000Å形成してTFTアレイ
（８）が完成する。
（１）となるAl等を蒸着法で約3000Å形成し、ひき続き
ゲート絶縁膜（12）となるSiO2等を約2000Å形成した
後、表示電極（４）及び蓄積コンデンサーの上部電極と
なるIn2O3等の透明電極を蒸着法等で約2000Å形成し、
更にTFTのソース線（２）、ドレイン電極（13）となる
例えばAlを蒸着法等約3000Åで形成し先に形成した表示
電極（４）とドレイン電極（13）を接続する。この後半
導体（14）となるアモルフアスシリコン等を例えばグロ
ーデイスチヤージ法等で約2000Å形成してTFTアレイ
（８）が完成する。
この発明によるTFTアレイ（８）は、以上のように構成
されており、蓄積コンデンサーの誘電体（16）に使用し
たSiNの比誘電率が約７〜８と大きく、絶縁性が良好で
蓄積コンデンサー電極（15）と共にTFTアレイ基板
（７）上に全面にわたつて予じめ形成するように構成し
たので、透明でかつ良質、大容量の蓄積コンデンサーが
容易に得られる。
されており、蓄積コンデンサーの誘電体（16）に使用し
たSiNの比誘電率が約７〜８と大きく、絶縁性が良好で
蓄積コンデンサー電極（15）と共にTFTアレイ基板
（７）上に全面にわたつて予じめ形成するように構成し
たので、透明でかつ良質、大容量の蓄積コンデンサーが
容易に得られる。
又、従来例のような蓄積コンデンサー形成プロセスによ
るTFT（３）の特性の変動、あるいは劣化がない等、歩
留が高くかつ高品質なTFTアレイ（８）及びマトリクス
型液晶表示装置の製造方法が得られる効果がある。
るTFT（３）の特性の変動、あるいは劣化がない等、歩
留が高くかつ高品質なTFTアレイ（８）及びマトリクス
型液晶表示装置の製造方法が得られる効果がある。
第７図は、この発明の他の実施例のTFTアレイ画素の部
分平面図、第８図は第７図のVIII-VIII線における断面
構造説明図である。以下前述の第５図、第６図に示した
実施例との相異点、特徴について説明する。
分平面図、第８図は第７図のVIII-VIII線における断面
構造説明図である。以下前述の第５図、第６図に示した
実施例との相異点、特徴について説明する。
この実施例では、TFTアレイ基板（７）上に、蓄積コン
デンサー電極（15）、誘電体（16）、及び表示電極
（４）よりなる蓄積コンデンサーの全部を、予じめ形成
し、この表面を例えばSiN等よりなる絶縁膜（17）で被
覆した後に前述の実施例1.と同様にTFTを形成し、TFTア
レイ（８）を完成する構成になつている。この方法によ
れば、前記実施例1.による効果の内、蓄積コンデンサー
の全部を予じめ形成するように構成したので蓄積コンデ
ンサー形成プロセスによるTFTの特性変動あるいは劣化
がより少なくなる効果がある。
デンサー電極（15）、誘電体（16）、及び表示電極
（４）よりなる蓄積コンデンサーの全部を、予じめ形成
し、この表面を例えばSiN等よりなる絶縁膜（17）で被
覆した後に前述の実施例1.と同様にTFTを形成し、TFTア
レイ（８）を完成する構成になつている。この方法によ
れば、前記実施例1.による効果の内、蓄積コンデンサー
の全部を予じめ形成するように構成したので蓄積コンデ
ンサー形成プロセスによるTFTの特性変動あるいは劣化
がより少なくなる効果がある。
【図面の簡単な説明】 第１図はTFTアレイの構成の説明図、第２図は、マトリ
クス型液晶表示装置の断面構造図、第３図は、従来のTF
Tアレイ部分平面図、第４図は第３図IV-IV線における断
面構造図、第５図はこの発明の一実施例のTFTアレイ部
分平面図、第６図は第５図VI-VI線における断面構造
図、第７図は、この発明の他の実施例のTFTアレイ部分
平面図、第８図は第７図VIII-VIII線における断面構造
図である。 図において（１）はゲート線、（２）はソース線、
（３）はTFT、（４）は表示電極（蓄積コンデンサー電
極をかねる）、（５）は蓄積コンデンサー、（６）は液
晶、（７）はTFTアレイ基板、（８）はTFTアレイ、
（９）は透明導電膜、（10）は対向基板、（11）はマト
リクス型液晶表示装置、（12）はゲート絶縁膜、（13）
はドレイン電極、（14）は半導体、（15）は蓄積コンデ
ンサー電極、（16）は誘電体、（17）は絶縁膜である。 なお、図中同一符号はそれぞれ同一、又は相当部分を示
している。
クス型液晶表示装置の断面構造図、第３図は、従来のTF
Tアレイ部分平面図、第４図は第３図IV-IV線における断
面構造図、第５図はこの発明の一実施例のTFTアレイ部
分平面図、第６図は第５図VI-VI線における断面構造
図、第７図は、この発明の他の実施例のTFTアレイ部分
平面図、第８図は第７図VIII-VIII線における断面構造
図である。 図において（１）はゲート線、（２）はソース線、
（３）はTFT、（４）は表示電極（蓄積コンデンサー電
極をかねる）、（５）は蓄積コンデンサー、（６）は液
晶、（７）はTFTアレイ基板、（８）はTFTアレイ、
（９）は透明導電膜、（10）は対向基板、（11）はマト
リクス型液晶表示装置、（12）はゲート絶縁膜、（13）
はドレイン電極、（14）は半導体、（15）は蓄積コンデ
ンサー電極、（16）は誘電体、（17）は絶縁膜である。 なお、図中同一符号はそれぞれ同一、又は相当部分を示
している。
Claims (1)
- 【請求項１】複数個のゲート線及びゲート線に直交する
複数個のソース線を備え、その交点にTFT及び蓄積コン
デンサーよりなるTFTアレイを形成した基板と透明導電
膜を形成した対向基板とを有し前記TFTアレイと前記透
明導電膜間に液晶を挟持した構造のマトリクス型液晶表
示装置の製造方法において、 基板上に蓄積コンデンサーの電極を形成する工程と、 蓄積コンデンサーの電極上にSiNよりなる誘電体層を形
成する工程と、 誘電体層上に透明導電極を形成する工程と、 その後に誘電体層上に蓄積コンデンサー形成プロセスに
よる熱的影響を受けることなくTFTを形成する工程とを
備えたことを特徴とするマトリクス型液晶表示装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56187252A JPH06100744B2 (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | マトリクス型液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56187252A JPH06100744B2 (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | マトリクス型液晶表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5888782A JPS5888782A (ja) | 1983-05-26 |
| JPH06100744B2 true JPH06100744B2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=16202707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56187252A Expired - Lifetime JPH06100744B2 (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | マトリクス型液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06100744B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6030956B2 (ja) * | 1977-01-10 | 1985-07-19 | 松下電器産業株式会社 | カラ−画像表示装置の製造方法 |
| US4185894A (en) * | 1978-03-13 | 1980-01-29 | Hughes Aircraft Company | Dielectric reflector for selective wavelength reflection |
| JPS552266A (en) * | 1978-06-20 | 1980-01-09 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Image display unit |
| JPS5622473A (en) * | 1979-07-31 | 1981-03-03 | Sharp Kk | Liquid crystal display unit |
-
1981
- 1981-11-20 JP JP56187252A patent/JPH06100744B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5888782A (ja) | 1983-05-26 |
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