JPH059794B2 - - Google Patents
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- JPH059794B2 JPH059794B2 JP62082401A JP8240187A JPH059794B2 JP H059794 B2 JPH059794 B2 JP H059794B2 JP 62082401 A JP62082401 A JP 62082401A JP 8240187 A JP8240187 A JP 8240187A JP H059794 B2 JPH059794 B2 JP H059794B2
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 50
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 27
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 24
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 14
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 11
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- -1 phosphorus ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明のソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、あ
るいは石英等の透明基板上に少なくとも多結晶シ
リコンあるいはアモルフアイスシリコンを主構成
部材としてなるアクテイブマトリクス基板に関す
るものである。
るいは石英等の透明基板上に少なくとも多結晶シ
リコンあるいはアモルフアイスシリコンを主構成
部材としてなるアクテイブマトリクス基板に関す
るものである。
［従来の技術］
近年平板型液晶デイスプレーは腕時計、電卓、
玩具を始めとして自動車、計測器、情報機器端末
へと応用分野が拡大されつつあり、特に近年にお
いては半導体集積回路技術によつてsi基板上へス
テツチング用トランジスタ回路をマトリクス状に
形成しこのsi基板と透明ガラス板間に液晶を封入
したテレビ画像表示用の液晶デイスプレーパネル
が開発されている。
玩具を始めとして自動車、計測器、情報機器端末
へと応用分野が拡大されつつあり、特に近年にお
いては半導体集積回路技術によつてsi基板上へス
テツチング用トランジスタ回路をマトリクス状に
形成しこのsi基板と透明ガラス板間に液晶を封入
したテレビ画像表示用の液晶デイスプレーパネル
が開発されている。
アクテイブマトリクス方式で液晶パネルを構成
した例では前記単結晶si基板を用いたものやガラ
ス基板上に薄膜トランジスタを形成したもの及び
バリスタ基板を用いたものなどが既に報告されて
いるが中でも大型パネル化ならびにコスト面から
前記ガラス基板上に薄膜トランジスタを形成して
なるアクテイブマトリクス基板は将来有望な方式
と考えられている。
した例では前記単結晶si基板を用いたものやガラ
ス基板上に薄膜トランジスタを形成したもの及び
バリスタ基板を用いたものなどが既に報告されて
いるが中でも大型パネル化ならびにコスト面から
前記ガラス基板上に薄膜トランジスタを形成して
なるアクテイブマトリクス基板は将来有望な方式
と考えられている。
従来ガラス基板上に多結晶シリコン等を堆積し
て形成される薄膜トランジスタは基板に対する熱
制約から低温プロセスを用いざるを得ないことは
周知の通りである。しかし前記薄膜トランジスタ
を用いてのアクテイブマトリクス基板の場合アク
テイブマトリクス回路はともかくとして周辺駆動
回路は高周波動作を要求されるため少なくとも移
動度は単結晶シリコンに近いものでなくてはなら
ない。そのため周辺駆動回路は単結晶シリコン基
板上に形成し、アクテイブマトリクス基板にいわ
ゆる外ずけすることが一般的である。
て形成される薄膜トランジスタは基板に対する熱
制約から低温プロセスを用いざるを得ないことは
周知の通りである。しかし前記薄膜トランジスタ
を用いてのアクテイブマトリクス基板の場合アク
テイブマトリクス回路はともかくとして周辺駆動
回路は高周波動作を要求されるため少なくとも移
動度は単結晶シリコンに近いものでなくてはなら
ない。そのため周辺駆動回路は単結晶シリコン基
板上に形成し、アクテイブマトリクス基板にいわ
ゆる外ずけすることが一般的である。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、同一のガラス基板上に表示部と
周辺駆動回路のトランジスタを非単結晶シリコン
薄膜で形成し、これらの全ての薄膜トランジスタ
をレーザーアニールした場合には、レーザーアニ
ールが基板の全面におよぶので、製造工程のスル
ープツトが非常に悪くなり、実用的ではない。
周辺駆動回路のトランジスタを非単結晶シリコン
薄膜で形成し、これらの全ての薄膜トランジスタ
をレーザーアニールした場合には、レーザーアニ
ールが基板の全面におよぶので、製造工程のスル
ープツトが非常に悪くなり、実用的ではない。
また、表示部の薄膜トランジスタはレーザーア
ニールすることによつてキヤリアの移動度が高く
なつてしまうので、光によるリーク電流が多くな
つてしまう。
ニールすることによつてキヤリアの移動度が高く
なつてしまうので、光によるリーク電流が多くな
つてしまう。
そこで、本発明は一対の基板内に液晶が封入さ
れ、該基板上にはマトリクス状に配置された画素
電極、該画素電極に接続されたトランジスタから
構成される表示部を有する液晶表示装置におい
て、 該基板はガラス基板からなり、該基板上の該表
示部の外周には該表示部のスイツチングトランジ
スタを駆動してなる周辺駆動回路が配置されてな
り、該表示部および該周辺駆動回路部のトランジ
スタは非単結晶シリコンからなる薄膜トランジス
タで形成されてなり、該周辺駆動回路部の非単結
晶シリコン薄膜トランジスタのみがレーザーアニ
ールされてなるように構成することによつて、上
述の問題点を解決したものである。
れ、該基板上にはマトリクス状に配置された画素
電極、該画素電極に接続されたトランジスタから
構成される表示部を有する液晶表示装置におい
て、 該基板はガラス基板からなり、該基板上の該表
示部の外周には該表示部のスイツチングトランジ
スタを駆動してなる周辺駆動回路が配置されてな
り、該表示部および該周辺駆動回路部のトランジ
スタは非単結晶シリコンからなる薄膜トランジス
タで形成されてなり、該周辺駆動回路部の非単結
晶シリコン薄膜トランジスタのみがレーザーアニ
ールされてなるように構成することによつて、上
述の問題点を解決したものである。
［実施例］
次に本発明を下記に記す実施例に基づいて詳細
に説明する。
に説明する。
（実施例 １）
第１図は本発明によるアクテイブマトリクス基
板であり、ホウケイ酸ガラス基板１上にアクテイ
ブマトリクス回路２を中心部に周辺駆動回路３を
外周部に配置したものである。
板であり、ホウケイ酸ガラス基板１上にアクテイ
ブマトリクス回路２を中心部に周辺駆動回路３を
外周部に配置したものである。
第２図ａ〜ｃは本発明のアクテイブマトリクス
基板の製造過程を説明するための基板断面図であ
る。まず第２図ａの如くホウケイ酸ガラス基板１
上に625℃の減圧雰囲気中にて5000Aの第１の多
結晶シリコン膜４を形成後該多結晶シリコン膜４
をホトエツチングし部分的に開孔せしめる。次に
基板上の周辺部すなわち第１図の周辺駆動回路３
の領域内のみ第３図ａの如くCW励起YAGレー
ザーを光源としたビーム径200μm、線速度50cm／
Secでビームを左右の方向にスキヤンさせなが
ら、しかも１〜４の順序にてレーザーアニール加
工を行なつた。次に第２図ｂの如くに全面に
CVD−Sio2膜５を2000A堆積した後、前記第１
の多結晶シリコン膜と同一形成方法で第２の多結
晶シリコン膜６を形成した後、多結晶シリコン膜
６のソースドレイン部の開孔をホトエツチングに
て行なう。
基板の製造過程を説明するための基板断面図であ
る。まず第２図ａの如くホウケイ酸ガラス基板１
上に625℃の減圧雰囲気中にて5000Aの第１の多
結晶シリコン膜４を形成後該多結晶シリコン膜４
をホトエツチングし部分的に開孔せしめる。次に
基板上の周辺部すなわち第１図の周辺駆動回路３
の領域内のみ第３図ａの如くCW励起YAGレー
ザーを光源としたビーム径200μm、線速度50cm／
Secでビームを左右の方向にスキヤンさせなが
ら、しかも１〜４の順序にてレーザーアニール加
工を行なつた。次に第２図ｂの如くに全面に
CVD−Sio2膜５を2000A堆積した後、前記第１
の多結晶シリコン膜と同一形成方法で第２の多結
晶シリコン膜６を形成した後、多結晶シリコン膜
６のソースドレイン部の開孔をホトエツチングに
て行なう。
次に基板主面に１×10 ／cm2のリンイオンを照
射し550℃1Hのフオーミングガス中にてアニール
を行ない拡散層を形成する。次に第２図ｃの如く
CVD−Sio2膜７を形成した後コンタクトホール
を開孔し引き続き電極８の形成を行ないアクテイ
ブマトリクス基板の形成を終了する。本実施例に
もちいたアクテイブマトリクス回路のゲート及び
データ線のライン数は各々200本であり、本基板
を用いてデーター線は約1KMHZ、又ゲート線も
25KMHZでの動作が確認され液晶表示デイスプ
レーとして充分な性能を有することが確認されて
いる。又レーザーアニール加工の効果としてアニ
ールのスループツトは従来に較べて数倍以上の向
上を見せており、さらに移動度はアクテイブマト
リクス回路中では約10cm／Ｖ−secであり、周辺
駆動回路部では約100cm／Ｖ−secが得えられてい
る。
射し550℃1Hのフオーミングガス中にてアニール
を行ない拡散層を形成する。次に第２図ｃの如く
CVD−Sio2膜７を形成した後コンタクトホール
を開孔し引き続き電極８の形成を行ないアクテイ
ブマトリクス基板の形成を終了する。本実施例に
もちいたアクテイブマトリクス回路のゲート及び
データ線のライン数は各々200本であり、本基板
を用いてデーター線は約1KMHZ、又ゲート線も
25KMHZでの動作が確認され液晶表示デイスプ
レーとして充分な性能を有することが確認されて
いる。又レーザーアニール加工の効果としてアニ
ールのスループツトは従来に較べて数倍以上の向
上を見せており、さらに移動度はアクテイブマト
リクス回路中では約10cm／Ｖ−secであり、周辺
駆動回路部では約100cm／Ｖ−secが得えられてい
る。
（実施例 ２）
実施例(1)と同様に第１図の多結晶シリコン膜を
形成後ホトエツチング２で部分的な開孔を行なつ
た後第３図ｂの如く実施例(1)と同一条件にて周辺
駆動回路の(1)と(3)の領域をレーザーアニール加工
した後周辺駆動回路の(2)と(4)を(1)及び(3)に比べて
低出力の約1J／cm2のエネルギー密度で照射した。
すなわち周辺駆動回路の(2)と(4)の領域はゲート線
駆動用であり、(1)及び(3)のデータ線用に較べて低
周波動作が可能なため周辺駆動回路全体を同一エ
ネルギー密度で照射する必要性はなく本実施例の
結果でもゲート線を動作させるために充分な移動
度を得ることが確認され、しかも基板外周部の二
辺は低エネルギー密度照射のためスループツトは
実施例(1)に較べてさらに向上している。
形成後ホトエツチング２で部分的な開孔を行なつ
た後第３図ｂの如く実施例(1)と同一条件にて周辺
駆動回路の(1)と(3)の領域をレーザーアニール加工
した後周辺駆動回路の(2)と(4)を(1)及び(3)に比べて
低出力の約1J／cm2のエネルギー密度で照射した。
すなわち周辺駆動回路の(2)と(4)の領域はゲート線
駆動用であり、(1)及び(3)のデータ線用に較べて低
周波動作が可能なため周辺駆動回路全体を同一エ
ネルギー密度で照射する必要性はなく本実施例の
結果でもゲート線を動作させるために充分な移動
度を得ることが確認され、しかも基板外周部の二
辺は低エネルギー密度照射のためスループツトは
実施例(1)に較べてさらに向上している。
（実施例 ３）
実施例(1)と同様に第１の多結晶シリコン膜を形
成後ホトエツチングにて部分的な開孔を行なつた
後第３図ｃの如く実施例(1)と同一条件にて周辺駆
動回路の(1)と(3)領域すなわちデータ線駆動回路領
域のみをレーザーアニールする。すなわち実施例
(2)にて説明の如く特にゲート線のライン数の少な
いアクテイブマトリクス基板については本方式で
も充分対応が取れスループツトの大幅な向上が望
める。
成後ホトエツチングにて部分的な開孔を行なつた
後第３図ｃの如く実施例(1)と同一条件にて周辺駆
動回路の(1)と(3)領域すなわちデータ線駆動回路領
域のみをレーザーアニールする。すなわち実施例
(2)にて説明の如く特にゲート線のライン数の少な
いアクテイブマトリクス基板については本方式で
も充分対応が取れスループツトの大幅な向上が望
める。
（実施例 ４）
実施例１と同様に第１の多結晶シリコン膜を形
成後ホトエツチングにて部分的な開孔を行なつた
後第３図ｄの如く基板の周辺駆動回路領域へのレ
ーザーアニール照射をまず(1)の領域にビームを矢
印の如く左右にスキヤンさせて行ない、つづいて
基板を中心に対して90度回転し(2)の領域を(1)と同
一方式にて照射し続いて同じ方式にて基板を回転
させて(3)，(4)の領域を照射する。この方式では実
施例(1)に較べビームのスキヤン数が大幅に減少で
きるため実施例(1)に較べてスループツトが向上で
きる利点を有する。
成後ホトエツチングにて部分的な開孔を行なつた
後第３図ｄの如く基板の周辺駆動回路領域へのレ
ーザーアニール照射をまず(1)の領域にビームを矢
印の如く左右にスキヤンさせて行ない、つづいて
基板を中心に対して90度回転し(2)の領域を(1)と同
一方式にて照射し続いて同じ方式にて基板を回転
させて(3)，(4)の領域を照射する。この方式では実
施例(1)に較べビームのスキヤン数が大幅に減少で
きるため実施例(1)に較べてスループツトが向上で
きる利点を有する。
以上実施例(1)〜(4)にて説明した如く、本発明は
平板液晶デイスプレー等に用いられるアクテイブ
マトリクス基板において、ガラス基板上にアクテ
イブマトリクス回路と周辺駆動回路をワンチツプ
化すると同時にレーザーアニール技術を利用し駆
動回路のみにレーザーアニール照射を行ないアク
テイブマトリクス基板に耐光リーク対策をほどこ
したものであり、低コストでしかも光リークに強
いアクテイブマトリクス基板の提供を可能にした
ものである。
平板液晶デイスプレー等に用いられるアクテイブ
マトリクス基板において、ガラス基板上にアクテ
イブマトリクス回路と周辺駆動回路をワンチツプ
化すると同時にレーザーアニール技術を利用し駆
動回路のみにレーザーアニール照射を行ないアク
テイブマトリクス基板に耐光リーク対策をほどこ
したものであり、低コストでしかも光リークに強
いアクテイブマトリクス基板の提供を可能にした
ものである。
なお本実施例において透明基板としてホウケイ
酸ガラスを用いているが他にソーダガラスあるい
は石英板等の透明基板でも良く、さらにトランジ
スタ移動度を好適手段としてレーザーアニールの
他にEB等についても効果は確認されており、こ
れらの照射条件についても目的に応じて自由に選
択可能であり、なんら本発明の目的から逸脱する
ものではない。
酸ガラスを用いているが他にソーダガラスあるい
は石英板等の透明基板でも良く、さらにトランジ
スタ移動度を好適手段としてレーザーアニールの
他にEB等についても効果は確認されており、こ
れらの照射条件についても目的に応じて自由に選
択可能であり、なんら本発明の目的から逸脱する
ものではない。
［発明の効果］
以上のような発明とすることによつて、以下の
ような効果が得られる。
ような効果が得られる。
すなわち、
(a) 同一のガラス基板上に液晶のスイツチグトラ
ンジスタと周辺駆動回路のトランジスタを薄膜
トランジスタで形成し、周辺駆動回路部の薄膜
トランジスタのみレーザーアニールするので、
ガラス基板全面をレーザースキヤンしながらア
ニールする場合に比べて製造上のスループツト
が大幅に向上する。
ンジスタと周辺駆動回路のトランジスタを薄膜
トランジスタで形成し、周辺駆動回路部の薄膜
トランジスタのみレーザーアニールするので、
ガラス基板全面をレーザースキヤンしながらア
ニールする場合に比べて製造上のスループツト
が大幅に向上する。
(b) 周辺駆動回路部のみレーザーアニールによつ
て移動度を高めているので、周辺駆動回路部は
高速動作ができ、表示部の薄膜トランジスタは
光リーク電流による誤動作を回避できる。
て移動度を高めているので、周辺駆動回路部は
高速動作ができ、表示部の薄膜トランジスタは
光リーク電流による誤動作を回避できる。
第１図は本発明によるアクテイブマトリクス基
板における回路配置図。第２図ａ〜ｃは本発明に
おけるアクテイブマトリクス基板の製造工程を示
す基板断面図。第３図ａ〜ｄは本発明におけるア
クテイブマトリクス基板上の周辺駆動回路領域へ
のレーザーアニール照射方法を示す平面図。 １……ガラス基板、２……アクテイブマトリク
ス基板、３……周辺駆動回路、４……多結晶シリ
コン膜、５……CVD−sio2膜、６……多結晶シ
リコン膜、７……CVD−sio2膜、８……電極。
板における回路配置図。第２図ａ〜ｃは本発明に
おけるアクテイブマトリクス基板の製造工程を示
す基板断面図。第３図ａ〜ｄは本発明におけるア
クテイブマトリクス基板上の周辺駆動回路領域へ
のレーザーアニール照射方法を示す平面図。 １……ガラス基板、２……アクテイブマトリク
ス基板、３……周辺駆動回路、４……多結晶シリ
コン膜、５……CVD−sio2膜、６……多結晶シ
リコン膜、７……CVD−sio2膜、８……電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一対の基板内に液晶が封入され、該基板上に
はマトリクス状に配置された画素電極、該画素電
極に接続されたトランジスタから構成される表示
部を有する液晶表示装置において、 該基板はガラス基板からなり、該基板上の該表
示部の外周には該表示部のスイツチングトランジ
スタを駆動してなる周辺駆動回路が配置されてな
り、該表示部および該周辺駆動回路部のトランジ
スタは非単結晶シリコンからなる薄膜トランジス
タで形成されてなり、該周辺駆動回路の非単結晶
シリコン薄膜トランジスタのみがレーザーアニー
ルされてなることを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62082401A JPS6311989A (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | 電気光学的表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62082401A JPS6311989A (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | 電気光学的表示装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4230198A Division JP2697507B2 (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6311989A JPS6311989A (ja) | 1988-01-19 |
| JPH059794B2 true JPH059794B2 (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=13773571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62082401A Granted JPS6311989A (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | 電気光学的表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6311989A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003086505A (ja) * | 2000-08-25 | 2003-03-20 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
| JP2005354087A (ja) * | 2000-08-25 | 2005-12-22 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2561735B2 (ja) * | 1989-09-13 | 1996-12-11 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
| JPH0950045A (ja) * | 1995-12-15 | 1997-02-18 | Seiko Instr Inc | 半導体装置、光弁装置およびプロジェクション装置 |
| RU2476954C2 (ru) | 2008-09-18 | 2013-02-27 | Шарп Кабусики Кайся | Базовая плата, способ производства базовой платы и подложка устройства |
| JP5564879B2 (ja) | 2009-10-01 | 2014-08-06 | 三菱電機株式会社 | 非晶質半導体膜の結晶化方法、並びに薄膜トランジスタ、半導体装置、表示装置、及びその製造方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52134330A (en) * | 1976-05-06 | 1977-11-10 | Hitachi Ltd | Picture display unit |
| JPS5420692A (en) * | 1977-07-15 | 1979-02-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Display device and production of the same |
| JPS5437698A (en) * | 1977-08-30 | 1979-03-20 | Sharp Corp | Liquid crystal display unit of matrix type |
| JPS54154992A (en) * | 1978-05-29 | 1979-12-06 | Seiko Epson Corp | Semiconductor electrode substrate for liquid crystal panel drive |
| JPS5541442A (en) * | 1978-09-18 | 1980-03-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Matrix panel driving device |
| JPS5665176A (en) * | 1979-10-31 | 1981-06-02 | Canon Kk | Display device |
| JPS5692573A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-27 | Citizen Watch Co Ltd | Display panel |
-
1987
- 1987-04-03 JP JP62082401A patent/JPS6311989A/ja active Granted
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52134330A (en) * | 1976-05-06 | 1977-11-10 | Hitachi Ltd | Picture display unit |
| JPS5420692A (en) * | 1977-07-15 | 1979-02-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Display device and production of the same |
| JPS5437698A (en) * | 1977-08-30 | 1979-03-20 | Sharp Corp | Liquid crystal display unit of matrix type |
| JPS54154992A (en) * | 1978-05-29 | 1979-12-06 | Seiko Epson Corp | Semiconductor electrode substrate for liquid crystal panel drive |
| JPS5541442A (en) * | 1978-09-18 | 1980-03-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Matrix panel driving device |
| JPS5665176A (en) * | 1979-10-31 | 1981-06-02 | Canon Kk | Display device |
| JPS5692573A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-27 | Citizen Watch Co Ltd | Display panel |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003086505A (ja) * | 2000-08-25 | 2003-03-20 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
| JP2005354087A (ja) * | 2000-08-25 | 2005-12-22 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
| JP4723926B2 (ja) * | 2000-08-25 | 2011-07-13 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6311989A (ja) | 1988-01-19 |
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