JPH0741528U - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 画素表示部のアモルファスシリコンＴＦＴと
駆動回路部のポリシリコンＴＦＴとを各々最適なプロセ
スで製造することができる液晶表示装置を提供すること
である。 【構成】 一方のガラス基板１１上に表示用のアモルフ
ァスシリコンＴＦＴを含む画素表示部１３と接続端子１
５とを配置し、他方のガラス基板２１の上に対向電極２
３と、接続端子２５と、ポリシリコンＴＦＴを含む駆動
回路部２７と、外部接続端子２９とを配置する。両基板
１１、２１を接合する際に、異方性導電材３５を用いて
接続端子１５と２５とを接続することにより画素表示部
１３と駆動回路部２７を接続する。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、液晶表示部と駆動回路部とを有する液晶表示装置に関し、特に、液 晶表示部をアモルファスシリコン薄膜トランジスタで構成し、駆動回路部をポリ シリコン薄膜トランジスタで構成した液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】

従来の液晶表示部と駆動回路部とを有する駆動回路一体型の液晶表示装置の構 成を図２（Ａ）〜（Ｃ）に示す。図２（Ａ）は、コモン基板の平面図、（Ｂ）は ＴＦＴ基板の平面図、（Ｃ）は液晶表示装置の断面図である。

【０００３】 （Ａ）に示すコモン基板はガラス基板１１１上に一枚の対向電極１１３を配置 して形成される。 （Ｂ）に示すＴＦＴ基板は、ガラス基板１２１に画素表示部１２３と、内部接 続端子１２５と、駆動回路部１２７と、外部接続端子１２９とを配置して形成さ れる。

【０００４】 画素表示部１２３は、ガラス基板１２１の中央部に形成され、表示用薄膜トラ ンジスタ（以下、表示用ＴＦＴ）、表示用ＴＦＴのソースに接続された画素電極 、表示用ＴＦＴのゲートに接続されたゲートライン、表示用ＴＦＴのドレインに 接続されたデータライン、キャパシタライン等を含む。なお、これらの素子は非 常に微細なため、図示しない。 駆動回路部１２７は、多数の駆動用ＴＦＴから構成されたゲートライン駆動回 路及びデータライン駆動回路等を含む。

【０００５】 内部接続端子１２５は駆動回路部１２７内のゲートライン駆動回路と画素表示 部１２３内のゲートラインを接続し、駆動回路部１２７内のデータライン駆動回 路と画素表示部１２３内のデータラインとを接続する。 外部接続端子１２９は駆動回路部１２７に接続され、駆動電圧、駆動信号等を 外部から駆動回路部１２７に供給する。

【０００６】 上記構成のコモン基板とＴＦＴ基板をシール材１３１を介して接合し、その間 に液晶１３３を充填することにより、図２（Ｃ）に示す液晶表示装置が形成され る。

【０００７】 通常、画素表示部１２３はオフ電流の小さいアモルファスシリコンＴＦＴ（ア モルファスシリコン層を半導体層として用いたＴＦＴ）で構成し、駆動回路部１ ２７は、電子の移動度が高く、高速動作が可能なポリシリコンＴＦＴ（ポリシリ コン層を半導体層として用いたＴＦＴ）で構成される。

【０００８】 従来、ＴＦＴ基板の製造には、画素表示部１２３を構成するＴＦＴと駆動回路 部１２７とを構成するＴＦＴを同一の製造工程で製造していた。即ち、従来では 、ＴＦＴ基板全面にアモルファスシリコン層を形成することによりアモルファス シリコンＴＦＴの半導体層を形成するとともにポリシリコンＴＦＴの半導体層と なるシリコン層を形成する。この後、駆動回路部１２７内のアモルファスシリコ ン層にレーザーを照射してポリシリコン化し、ポリシリコンＴＦＴを製造する方 法が取られている。

【０００９】

【考案が解決しようとする課題】

駆動回路部１２７を構成するポリシリコンＴＦＴの特性を向上させる為には、 レーザーアニールとは別に３００℃〜６００℃程度の熱処理が必要である。 しかしながら、画素表示部１２３と駆動回路部１２７とが同一のガラス基板１ ２１に形成されているため、この熱処理の際に、画素表示部１２３内のアモルフ ァスシリコン層も加熱され、アモルファスシリコン層中の水素原子が抜けてしま い、ＴＦＴの特性が劣化してしまうという問題があった。

【００１０】 この問題を避ける為、ポリシリコンＴＦＴを形成した後、その上にアモルファ スシリコンＴＦＴを積層構造で形成する方法も考えられるが、製造工程が多くな り、装置の歩留りを低下させる原因になるという欠点があった。 本考案は、上記実状に鑑みてなされたもので、その目的は画素表示部のアモル ファスシリコンＴＦＴと駆動回路部のポリシリコンＴＦＴとを各々最適なプロセ スで製造することができる液晶表示装置を提供することである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】

上記目的を達成するため、この考案の液晶表示装置は、ポリシリコントランジ スタから構成された駆動回路部とアモルファスシリコントランジスタから構成さ れた画素表示部を各々対向する基板に配置し、前記駆動回路部と前記画素表示部 とを接続する接続手段を前記対向基板間に配置したことを特徴とする。前記接続 手段は、例えば、異方性導電材から構成されてる。

【００１２】

【作用】

この考案の液晶表示装置においては、ポリシリコントランジスタから構成され た駆動回路部とアモルファスシリコントランジスタから構成された画素表示部を 別々の基板に配置したので、それぞれ最適なプロセスにより、これらのトランジ スタを製造することができる。 駆動回路部と画素表示部との接続点は、少ないもので数十、多いものでは１０ ００以上になる。液晶表示装置の基板間隔は１μｍから１５μｍ程度であり、こ のように多数の接続配線を狭い基板間に配設するのは困難である。本考案では、 一方の基板の回路と他方の基板の回路とを異方性導電材を用いて接続するので、 困難なく駆動回路部と画素表示部とを接続できる。

【００１３】

【実施例】

以下、この考案の一実施例にかかる液晶表示装置を図面を参照して説明する。 この実施例にかかる画素表示部と駆動回路部とを有する駆動回路一体型の液晶 表示装置の構成を図１（Ａ）〜（Ｃ）に示す。図１（Ａ）は、画素トランジスタ マトリックスアレイ基板の平面図、（Ｂ）は駆動回路基板の平面図、（Ｃ）は液 晶表示装置の断面図である。

【００１４】 図１（Ａ）に示す画素トランジスタマトリックスアレイ基板はガラス基板１１ 上に画素表示部１３と接続端子１５を配置して構成される。 画素表示部１３は、ガラス基板１１の中央部に形成され、表示用薄膜トランジ スタ（表示用ＴＦＴ）、表示用ＴＦＴのソース或いはドレインに接続された画素 電極、表示用ＴＦＴのゲートに接続されたゲートライン、表示用ＴＦＴのドレイ ン或いはソースに接続されたデータライン、キャパシタライン等を含む。なお、 これらの素子は非常に微細なため、図示しない。 表示用ＴＦＴの半導体層は、オフ電流を小さくするためにアモルファスシリコ ンから構成される。 接続端子１５は、画素表示部１３と駆動回路部２７とを接続するためのもので あり、画素表示部１３内のゲートライン、データライン、キャパシタライン等に 接続されている。

【００１５】 図１（Ｂ）に示す駆動回路基板は、ガラス基板２１の上に対向電極２３と、接 続端子２５と、駆動回路部２７と、外部接続端子２９とを配置して形成される。 対向電極２３は、画素表示部１３に対向する１枚の透明電極であり、ガラス基 板２１のほぼ中央に配置される。 接続端子２５は、画素表示部１３と駆動回路部２７とを接続するためのもので あり、駆動回路部２７の出力ポートに接続されている。接続端子１５と接続端子 ２５とは、対応するもの同士が対向するように配置されている。

【００１６】 駆動回路部２７は、多数の駆動用ＴＦＴから構成されたゲートライン駆動回路 及びデータライン駆動回路等を含み、接続端子２５と外部接続端子２９とに接続 され、外部接続端子２９から動作電圧、制御信号等を受け、接続端子２５にゲー ト信号、データ信号等を出力する。駆動用ＴＦＴの半導体層は、高速動作を可能 とするために、電子の移動度が高いため、高速応答性を有するポリシリコンから 構成される。 外部接続端子２９は駆動回路部２７に接続され、外部から供給される動作電圧 、制御等を駆動回路部２７に供給する。

【００１７】 製造が終了し、試験をパスした画素トランジスタマトリックスアレイ基板と駆 動回路基板とを、シール材３１を介して接合して液晶セルを形成し、この液晶セ ル内に液晶３３を充填して封止することにより、図１（Ｃ）に示す液晶表示装置 が形成される。 さらに、シール材３１を取り巻くように異方性導電材（異方性導電接着材）３ ５が配置されており、この異方性導電材３５が画素トランジスタマトリックスア レイ基板上の接続端子１５と駆動回路基板上の接続端子２５とを電気的に接続し ている。即ち、異方性導電材３５を画素トランジスタマトリックスアレイ基板と 駆動回路基板との間に挟んで、両基板を接続することにより、異方性導電材３５ に含まれる導電材料を被膜した絶縁性材料が破れ、対向する接続端子１５と２５ とが電気的に接続される。

【００１８】 上記構造によれば、画素表示部を構成するアモルファスシリコンＴＦＴと駆動 回路部を構成するポリシリコンＴＦＴとが別個のガラス基板に形成されているの で、各トランジスタを最適なプロセスで形成することが可能となる。例えば、一 方の基板にアモルファスシリコンを堆積し、これをレーザーアニールしてポリ化 し、これにさらに３００℃〜６００℃の熱処理を加えてポリシリコンＴＦＴを形 成する場合でも、アモルファスシリコンＴＦＴは他方の基板上に形成されている ため全く影響を受けない。

【００１９】 また、両基板を並行して製造した場合、両基板がほぼ同時に完成するので、製 造ラインを有効に利用できる。また、画素トランジスタマトリックスアレイ基板 と駆動回路基板とを完成した後、試験に合格したものを各々組み合わせて液晶表 示装置を製造できるので液晶表示装置としての歩留りが向上する。

【００２０】 ガラス基板１１と２１の間隔（シール材３１の高さ）は１μｍから１５μｍ程 度であり、画素表示部１３と駆動回路部２７の接続ヶ所は数十〜１０００以上存 在する。このように狭い間隔の中に多数の配線を設けるのは非常に困難であが、 この実施例では、両基板の間に異方性導電材を挟んで接続しているので、画素表 示部１３と駆動回路部２７とを容易に接続できる。

【００２１】

【考案の効果】

以上説明したように、本考案の液晶表示装置によれば、一方の基板に画素ＴＦ Ｔを形成し、もう一方の基板に駆動回路部用のＴＦＴを形成するので、各々最適 なプロセスを用いてＴＦＴを作成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この考案の一実施例にかかる液晶表示装置を説
明するための図であり、（Ａ）は画素トランジスタマト
リックスアレイ基板の平面図、（Ｂ）は駆動回路基板の
平面図、（Ｃ）は液晶表示装置の断面図である。

【図２】従来の液晶表示装置を説明するための図であ
り、（Ａ）はコモン基板の平面図、（Ｂ）はＴＦＴ基板
の平面図、（Ｃ）は液晶表示装置の断面図である。

【符号の説明】

１１・・・ガラス基板、１３・・・画素表示部、１５・・・接続
端子、２１・・・ガラス基板、２３・・・対向電極、２５・・・
接続端子、２７・・・駆動回路部、２９・・・外部接続端子、
３１・・・シール材、３３・・・液晶、３５・・・異方性導電
材、１１１・・・ガラス基板、１１３・・・対向電極、１２１
・・・ガラス基板、１２３・・・画素表示部、１２５・・・内部
接続端子、１２７・・・駆動回路部、１２９・・・外部接続端
子、１３１・・・シール材、１３３・・・液晶

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】ポリシリコントランジスタから構成された
   駆動回路部とアモルファスシリコントランジスタから構
   成された画素表示部とを各々対向する基板に配置し、前
   記駆動回路部と前記画素表示部を接続する接続手段を前
   記対向基板間に配置したことを特徴とする液晶表示装
   置。
2. 【請求項２】前記接続手段は異方性導電材から構成され
   ていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。