JPH0582729B2 - - Google Patents
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- JPH0582729B2 JPH0582729B2 JP59237532A JP23753284A JPH0582729B2 JP H0582729 B2 JPH0582729 B2 JP H0582729B2 JP 59237532 A JP59237532 A JP 59237532A JP 23753284 A JP23753284 A JP 23753284A JP H0582729 B2 JPH0582729 B2 JP H0582729B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ICやLSIを製造するための露光
装置やパタン評価装置に利用されるギヤツプ・位
置合せ制御法に関するものである。
装置やパタン評価装置に利用されるギヤツプ・位
置合せ制御法に関するものである。
半導体ICやLSIの微細化に伴い、サブミクロン
パタンを生産的に転写できる装置としてＸ線露光
装置の開発が進められているが、発散Ｘ線源を用
いるＸ線露光装置では、高精度位置合せととも
に、マスクとウエハ間のギヤツプを高精度に設定
する技術の確立が不可欠となつている。
パタンを生産的に転写できる装置としてＸ線露光
装置の開発が進められているが、発散Ｘ線源を用
いるＸ線露光装置では、高精度位置合せととも
に、マスクとウエハ間のギヤツプを高精度に設定
する技術の確立が不可欠となつている。
位置合せを行なう方法として、例えばJ.Vac.
Sci.Technol.，Vol.19，No.４，1981，P214で紹介
されている２重回折格子法がある。
Sci.Technol.，Vol.19，No.４，1981，P214で紹介
されている２重回折格子法がある。
第４図Ａに、この２重回折格子を用いて位置合
せする装置の一例を示す。図において、レーザ光
源１から発したレーザ光は、ミラー２で方向を変
えられ、真空吸着ホルダ３によつて保持されるマ
スク４の上に作製されたマスクマーク５に入射、
それを通過した後、粗調ステージ６の上の微調ス
テージ７の上に保持されるウエハ８に作製された
ウエハマーク９で反射され、再度マスクマーク５
を通過する。
せする装置の一例を示す。図において、レーザ光
源１から発したレーザ光は、ミラー２で方向を変
えられ、真空吸着ホルダ３によつて保持されるマ
スク４の上に作製されたマスクマーク５に入射、
それを通過した後、粗調ステージ６の上の微調ス
テージ７の上に保持されるウエハ８に作製された
ウエハマーク９で反射され、再度マスクマーク５
を通過する。
マスクマーク５、ウエハマーク９は回折格子パ
タンであり、同図Ｂに示すように前者は透過形
で、窒化膜等の透明薄膜１０上にAuやTa等の不
透明薄膜１１により回折格子パタンを形成したも
の、後者は反射形で、ウエハ８の表面を段差状に
エツチングすることにより回折格子パタンを形成
したものである。
タンであり、同図Ｂに示すように前者は透過形
で、窒化膜等の透明薄膜１０上にAuやTa等の不
透明薄膜１１により回折格子パタンを形成したも
の、後者は反射形で、ウエハ８の表面を段差状に
エツチングすることにより回折格子パタンを形成
したものである。
これらマスクマーク５およびウエハマーク９に
より回折された光のうち、入射光に対して対称的
な方向に回折された＋１次回折光と−１次回折光
のみを光電変換器１２，１３で受け、各回折光強
度I+1，I-1を光電変換し、その減算強度ΔI＝I+1−
I-1の変化を検出することによつて位置合せを行
なう。すなわち、この減算強度ΔIは、回折格子
のピツチＰを周期として同じ波形を繰り返し、２
つの回折格子がぴつたり一致した時（相対位置ず
れ量ｄ＝０）と、２つの回折格子の相対位置ずれ
量ｄがＰ／２の時、マスクとウエハ間のギヤツプＺ にかかわらず零になる。したがつて、通常ΔIが
零になるように微調ステージ７を移動させて位置
合せを行なつている。一方、ギヤツプの設定は、
マスク周辺に作製した容量形ギヤツプセンサ１４
を用いてギヤツプを測定することにより行なつて
いる。
より回折された光のうち、入射光に対して対称的
な方向に回折された＋１次回折光と−１次回折光
のみを光電変換器１２，１３で受け、各回折光強
度I+1，I-1を光電変換し、その減算強度ΔI＝I+1−
I-1の変化を検出することによつて位置合せを行
なう。すなわち、この減算強度ΔIは、回折格子
のピツチＰを周期として同じ波形を繰り返し、２
つの回折格子がぴつたり一致した時（相対位置ず
れ量ｄ＝０）と、２つの回折格子の相対位置ずれ
量ｄがＰ／２の時、マスクとウエハ間のギヤツプＺ にかかわらず零になる。したがつて、通常ΔIが
零になるように微調ステージ７を移動させて位置
合せを行なつている。一方、ギヤツプの設定は、
マスク周辺に作製した容量形ギヤツプセンサ１４
を用いてギヤツプを測定することにより行なつて
いる。
ところが、この相対位置ずれ量ｄに対するΔI
の変化曲線は、ギヤツプＺが微小変動することに
より大きく変化する。例えば、第５図は波長λ＝
0.6328μm、ピツチＰ＝1.1μmの場合について位置
ずれ量ｄに対する減算強度ΔIの変化を示したも
のであるが、同図Ａに示したギヤツプＺ＝
20.0μmの場合に対し、同図ＢのＺ＝20.05μmの場
合の曲線は山や谷を多く含み、しかも多点で零点
を横切る。このため位置合せ制御はむずかしく、
高精度を保証できない。高精度位置合せのために
は、Ｚ＝20.02μmの条件のΔI曲線を用いればよい
が、このためにはギヤツプをきわめて正確に設定
し、しかも変動をきわめて小さく抑えなければな
らない。また、マスク周辺でギヤツプ測定を行な
つているところから、ウエハもしくはマスクの平
面度が悪い場合には、ギヤツプセンサ１４により
その位置のギヤツプを正確に設定してもマスク・
ウエハ両マーク間のギヤツプは必ずしも適正値に
設定できない欠点があつた。
の変化曲線は、ギヤツプＺが微小変動することに
より大きく変化する。例えば、第５図は波長λ＝
0.6328μm、ピツチＰ＝1.1μmの場合について位置
ずれ量ｄに対する減算強度ΔIの変化を示したも
のであるが、同図Ａに示したギヤツプＺ＝
20.0μmの場合に対し、同図ＢのＺ＝20.05μmの場
合の曲線は山や谷を多く含み、しかも多点で零点
を横切る。このため位置合せ制御はむずかしく、
高精度を保証できない。高精度位置合せのために
は、Ｚ＝20.02μmの条件のΔI曲線を用いればよい
が、このためにはギヤツプをきわめて正確に設定
し、しかも変動をきわめて小さく抑えなければな
らない。また、マスク周辺でギヤツプ測定を行な
つているところから、ウエハもしくはマスクの平
面度が悪い場合には、ギヤツプセンサ１４により
その位置のギヤツプを正確に設定してもマスク・
ウエハ両マーク間のギヤツプは必ずしも適正値に
設定できない欠点があつた。
このような問題点を解決するため、本発明は、
位置ずれ検出用マークの同一スポツト内にギヤツ
プ検出専用マークを設け、かつマスク等光入射側
の第１の物体に設ける位置ずれ検出用回折格子の
ピツチＰに対し、ウエハ等第２の物体に設ける回
折格子のピツチを整数倍にしてギヤツプおよび位
置合せ制御を行なうものである。
位置ずれ検出用マークの同一スポツト内にギヤツ
プ検出専用マークを設け、かつマスク等光入射側
の第１の物体に設ける位置ずれ検出用回折格子の
ピツチＰに対し、ウエハ等第２の物体に設ける回
折格子のピツチを整数倍にしてギヤツプおよび位
置合せ制御を行なうものである。
ギヤツプ検出専用マークを設けることにより位
置およびギヤツプの検出信号が完全に分離され、
しかも両マークは近接して配置されるため位置ず
れ検出用マーク間のギヤツプが適正値に設定さ
れ、構成のギヤツプ・位置合せ制御が行なえる。
特に、位置ずれ検出用に整数倍ピツチの回折格子
マークを用いることにより、ギヤツプ変動による
位置ずれ検出信号への影響をきわめて小さくする
ことができ、制御がきわめて容易となる。
置およびギヤツプの検出信号が完全に分離され、
しかも両マークは近接して配置されるため位置ず
れ検出用マーク間のギヤツプが適正値に設定さ
れ、構成のギヤツプ・位置合せ制御が行なえる。
特に、位置ずれ検出用に整数倍ピツチの回折格子
マークを用いることにより、ギヤツプ変動による
位置ずれ検出信号への影響をきわめて小さくする
ことができ、制御がきわめて容易となる。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図であ
る。図中、マスク４、ウエハ８は第４図に示した
ものと同様であるが、本実施例では、位置ずれ検
出用の回折格子からなるマスクマーク５Ａおよび
ウエハマーク９Ａの他に、もう１組、ギヤツプ検
出専用のマスクマーク５Ｂおよびウエハマーク９
Ｂが設けてある。２組のマークは、相互いに近接
しているため、第１図に示したレーザ光源１から
発しミラー２で方向を変えられてマスク４に照射
するレーザビーム２１の同一スポツト内に配置す
ることができる。したがつてギヤツプ検出用に新
たな検出機構系は必要とせず、かつレーザビーム
は１本でよいため光学系も簡単に構成できる。同
様に２組のマークが近接して設けられることか
ら、位置ずれ検出点におけるギヤツプ値はギヤツ
プ検出点におけるギヤツプ値にほぼ等しくなる。
したがつて、マスク４やウエハ８の平面度が悪い
場合でも、ギヤツプ値を、波形が単純で振幅の大
きい最適な位置ずれ検出信号が得られる適正な値
に容易に設定することができる。なお、位置ずれ
検出用マークとギヤツプ検出用マークとの近接に
よつて互いの回折光２２，２３と２４，２５とが
干渉するおそれがある場合には、図示のように、
両マスクマーク５Ａ，５Ｂの回折格子を互いに直
角に配置する。これにより、位置ずれ検出信号と
ギヤツプ検出信号とは完全に分離される。
る。図中、マスク４、ウエハ８は第４図に示した
ものと同様であるが、本実施例では、位置ずれ検
出用の回折格子からなるマスクマーク５Ａおよび
ウエハマーク９Ａの他に、もう１組、ギヤツプ検
出専用のマスクマーク５Ｂおよびウエハマーク９
Ｂが設けてある。２組のマークは、相互いに近接
しているため、第１図に示したレーザ光源１から
発しミラー２で方向を変えられてマスク４に照射
するレーザビーム２１の同一スポツト内に配置す
ることができる。したがつてギヤツプ検出用に新
たな検出機構系は必要とせず、かつレーザビーム
は１本でよいため光学系も簡単に構成できる。同
様に２組のマークが近接して設けられることか
ら、位置ずれ検出点におけるギヤツプ値はギヤツ
プ検出点におけるギヤツプ値にほぼ等しくなる。
したがつて、マスク４やウエハ８の平面度が悪い
場合でも、ギヤツプ値を、波形が単純で振幅の大
きい最適な位置ずれ検出信号が得られる適正な値
に容易に設定することができる。なお、位置ずれ
検出用マークとギヤツプ検出用マークとの近接に
よつて互いの回折光２２，２３と２４，２５とが
干渉するおそれがある場合には、図示のように、
両マスクマーク５Ａ，５Ｂの回折格子を互いに直
角に配置する。これにより、位置ずれ検出信号と
ギヤツプ検出信号とは完全に分離される。
ここで、位置ずれ検出用回折格子マークは、第
２図に示すように、マスクマーク５ＡのピツチＰ
に対し、ウエハマーク９Ａのピツチを２倍にして
ある。このような倍ピツチ化によつて、特開昭56
−61608に示されるように、ウエハマーク９Ａか
らの反射回折光は、破線で示す角度θの回折光３
１，３２でなく、実線で示す角度θ／２の回折光２ ２，２３となり、マスク裏面で反射回折される角
度θの回折光３３，３４と干渉しないため、ギヤ
ツプ変動による位置ずれ検出信号への影響はきわ
めて小さくなる。第３図は、波長λ＝0.6328μm
のレーザ光を用い、マスクマーク５ＡのピツチＰ
を3μm、ウエハマーク９Ａのピツチを6μmとし
て、ギヤツプＺを13.3μmから21.3μmまで変化さ
せた際の、＋１次回折光強度I+1から−１次回折光
強度I-1を減算した位置ずれ検出信号ΔIの変化を
示すもので、それぞれのギヤツプ値Ｚをそのとき
のＭ＝λZ／P2の値を各図の右端に記入してある。ま た、位置ずれ量ｄは１区間1μmのスケールで示
し、ΔIは検出器の出力としてボルト（Ｖ）で示
してある。
２図に示すように、マスクマーク５ＡのピツチＰ
に対し、ウエハマーク９Ａのピツチを２倍にして
ある。このような倍ピツチ化によつて、特開昭56
−61608に示されるように、ウエハマーク９Ａか
らの反射回折光は、破線で示す角度θの回折光３
１，３２でなく、実線で示す角度θ／２の回折光２ ２，２３となり、マスク裏面で反射回折される角
度θの回折光３３，３４と干渉しないため、ギヤ
ツプ変動による位置ずれ検出信号への影響はきわ
めて小さくなる。第３図は、波長λ＝0.6328μm
のレーザ光を用い、マスクマーク５ＡのピツチＰ
を3μm、ウエハマーク９Ａのピツチを6μmとし
て、ギヤツプＺを13.3μmから21.3μmまで変化さ
せた際の、＋１次回折光強度I+1から−１次回折光
強度I-1を減算した位置ずれ検出信号ΔIの変化を
示すもので、それぞれのギヤツプ値Ｚをそのとき
のＭ＝λZ／P2の値を各図の右端に記入してある。ま た、位置ずれ量ｄは１区間1μmのスケールで示
し、ΔIは検出器の出力としてボルト（Ｖ）で示
してある。
同図から明らかなように、ギヤツプＺに応じて
波形が決まり、したがつてギヤツプ検出用マーク
を用いてギヤツプＺを適当な値に設定した後、位
置ずれ検出信号ΔIが例えば零または極大もしく
は極小等となるように第１図に示した微調ステー
ジ７を移動させることにより、位置合せが行なえ
る。特に、Ｍ＝ｋ＋１／２（ｋは自然数）を満たす ギヤツプ値付近、すなわち図示の例ではＭ＝1.36
〜1.50付近では、位置ずれ検出信号ΔIは三角波に
近い単純な波形となり、振幅も大きくなる。ま
た、ギヤツプの変動2μmに対する信号波形の変化
もきわめて小さく、容易に高精度な位置合せが行
なえる。
波形が決まり、したがつてギヤツプ検出用マーク
を用いてギヤツプＺを適当な値に設定した後、位
置ずれ検出信号ΔIが例えば零または極大もしく
は極小等となるように第１図に示した微調ステー
ジ７を移動させることにより、位置合せが行なえ
る。特に、Ｍ＝ｋ＋１／２（ｋは自然数）を満たす ギヤツプ値付近、すなわち図示の例ではＭ＝1.36
〜1.50付近では、位置ずれ検出信号ΔIは三角波に
近い単純な波形となり、振幅も大きくなる。ま
た、ギヤツプの変動2μmに対する信号波形の変化
もきわめて小さく、容易に高精度な位置合せが行
なえる。
一方、ギヤツプ検出用のマークは、マスクマー
ク５Ｂがマスクマーク５Ａと同様透過形で透明薄
膜上に不透明薄膜により回折格子パタンを形成し
たものであるのに対し、ウエハマーク９Ｂはウエ
ハ８上に形成した無反射薄膜の一部を除去して形
成した反射面である。
ク５Ｂがマスクマーク５Ａと同様透過形で透明薄
膜上に不透明薄膜により回折格子パタンを形成し
たものであるのに対し、ウエハマーク９Ｂはウエ
ハ８上に形成した無反射薄膜の一部を除去して形
成した反射面である。
したがつて、このギヤツプ検出用マークを用
い、昭和59年度精機学会春季大会学術講演会講演
論文集（1984）p933に紹介されている方法によ
り、ギヤツプを上述したＭの範囲となるギヤツプ
値Z0に設定した後、位置ずれ検出信号ΔIが零に
なるように制御すれば、第３図から明らかなよう
に、マスクとウエハを相対位置ずれ量がｄ＝０も
しくはP/2となる位置に容易に位置合せできる。
この時、ギヤツプ検出用マスクマーク５Ｂの回折
格子のピツチPGを、λZ0／PG 2が整数となるような値 に形成しておけば、ギヤツプ検出信号が最大にな
るギヤツプ値に制御することによつて、容易にギ
ヤツプ値Z0に設定することができる。
い、昭和59年度精機学会春季大会学術講演会講演
論文集（1984）p933に紹介されている方法によ
り、ギヤツプを上述したＭの範囲となるギヤツプ
値Z0に設定した後、位置ずれ検出信号ΔIが零に
なるように制御すれば、第３図から明らかなよう
に、マスクとウエハを相対位置ずれ量がｄ＝０も
しくはP/2となる位置に容易に位置合せできる。
この時、ギヤツプ検出用マスクマーク５Ｂの回折
格子のピツチPGを、λZ0／PG 2が整数となるような値 に形成しておけば、ギヤツプ検出信号が最大にな
るギヤツプ値に制御することによつて、容易にギ
ヤツプ値Z0に設定することができる。
以上、位置ずれ検出用に、ウエハ側の回折格子
ピツチをマスク側の回折格子ピツチＰの２倍とし
た回折格子マークを用いた例について説明した
が、２倍に限らず、前者のピツチを後者のピツチ
Ｐの整数倍、例えば３倍、４倍等とした場合にも
ほぼ同様の効果が得られる。
ピツチをマスク側の回折格子ピツチＰの２倍とし
た回折格子マークを用いた例について説明した
が、２倍に限らず、前者のピツチを後者のピツチ
Ｐの整数倍、例えば３倍、４倍等とした場合にも
ほぼ同様の効果が得られる。
また、入射光としてレーザ光（コヒーレント
光）を用いた場合についてのみ説明したが、準単
色光を用いてもほぼ同様の効果が得られる。
光）を用いた場合についてのみ説明したが、準単
色光を用いてもほぼ同様の効果が得られる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、位置ず
れ検出用回折格子マークに近接して、ギヤツプ検
出専用のマークを設けたことにより、位置ずれ検
出信号とギヤツプ検出信号とが完全に分離でき、
位置ずれとギヤツプとを独立して制御できること
から制御方法が簡単となる。また、２組のマーク
は同一の入射光スポツト内に配置しているので、
レーザビームは１本でよく、光学系を簡単に構成
できるとともに、第１の物体としてのマスクや第
２の物体としての平面度が悪い場合にも、両回折
格子が近接しているので最良の位置ずれ検出信号
の得られるギヤツプ値に容易に設定できる利点が
ある。特に、位置ずれ検出用の回折格子マーク
を、マスクマークに対しウエハマーク側の回折格
子ピツチが整数倍となるように構成したことによ
り、ウエハマークからの反射回折光とマスク裏面
での反射回折光との干渉が避けられるため、ギヤ
ツプ変動による位置ずれ検出信号への影響をきわ
めて小さくすることができ、高精度のギヤツプ・
位置合せ制御を高速で行なうことができる。
れ検出用回折格子マークに近接して、ギヤツプ検
出専用のマークを設けたことにより、位置ずれ検
出信号とギヤツプ検出信号とが完全に分離でき、
位置ずれとギヤツプとを独立して制御できること
から制御方法が簡単となる。また、２組のマーク
は同一の入射光スポツト内に配置しているので、
レーザビームは１本でよく、光学系を簡単に構成
できるとともに、第１の物体としてのマスクや第
２の物体としての平面度が悪い場合にも、両回折
格子が近接しているので最良の位置ずれ検出信号
の得られるギヤツプ値に容易に設定できる利点が
ある。特に、位置ずれ検出用の回折格子マーク
を、マスクマークに対しウエハマーク側の回折格
子ピツチが整数倍となるように構成したことによ
り、ウエハマークからの反射回折光とマスク裏面
での反射回折光との干渉が避けられるため、ギヤ
ツプ変動による位置ずれ検出信号への影響をきわ
めて小さくすることができ、高精度のギヤツプ・
位置合せ制御を高速で行なうことができる。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２
図は位置ずれ検出用回折格子マークを示す詳細
図、第３図はギヤツプ変化に対する位置ずれ検出
信号の変化を示す図、第４図Ａは従来の２重回折
格子を利用した位置合せ装置を示す構成図、同図
Ｂは位置合せ用回折格子マークを示す詳細図、第
５図は位置ずれ検出信号の一例を示す図である。 １……レーザ光源、４……マスク（第１の物
体）、５Ａ……第１の回折格子からなる位置ずれ
検出用のマスクマーク、５Ｂ……第３の回折格子
からなるギヤツプ検出用のマスクマーク、８……
ウエハ（第２の物体）、９Ａ……第２の回折格子
からなる位置ずれ検出用のウエハマーク、９Ｂ…
…反射面からなるギヤツプ検出用のウエハマー
ク、１２，１３……光電変換器、１０……透明薄
膜、１１……不透明薄膜、２１……レーザスポツ
ト、２２，２３……位置ずれ検出用マークによる
回折光、２４，２５……ギヤツプ検出用マークに
よる回折光、３１〜３４……回折光。
図は位置ずれ検出用回折格子マークを示す詳細
図、第３図はギヤツプ変化に対する位置ずれ検出
信号の変化を示す図、第４図Ａは従来の２重回折
格子を利用した位置合せ装置を示す構成図、同図
Ｂは位置合せ用回折格子マークを示す詳細図、第
５図は位置ずれ検出信号の一例を示す図である。 １……レーザ光源、４……マスク（第１の物
体）、５Ａ……第１の回折格子からなる位置ずれ
検出用のマスクマーク、５Ｂ……第３の回折格子
からなるギヤツプ検出用のマスクマーク、８……
ウエハ（第２の物体）、９Ａ……第２の回折格子
からなる位置ずれ検出用のウエハマーク、９Ｂ…
…反射面からなるギヤツプ検出用のウエハマー
ク、１２，１３……光電変換器、１０……透明薄
膜、１１……不透明薄膜、２１……レーザスポツ
ト、２２，２３……位置ずれ検出用マークによる
回折光、２４，２５……ギヤツプ検出用マークに
よる回折光、３１〜３４……回折光。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１の物体に設けた第１の回折格子と、第２
の物体に設けた第２の回折格子とを一定のギヤツ
プをおいて重ね、これら第１および第２の回折格
子にコヒーレント光もしくは準単色光を入射し、
両回折格子によつて生じた回折光の強度の変化に
よつて第１の物体と第２の物体の相対変位を検出
して位置合せする方法において、 第１の回折格子のピツチＰに対して第２の回折
格子のピツチを整数倍に設定するとともに、 第１の物体における前記第１の回折格子に入射
したコヒーレント光もしくは準単色光の同一スポ
ツト内の位置に、ギヤツプ検出用の第３の回折格
子を設け、 第２の物体には前記第３の回折格子に対応する
位置にギヤツプ検出用の反射面を設け、第３の回
折格子および反射面でそれぞれ回折・反射された
回折光の強度信号の変化から、第１の物体と第２
の物体間のギヤツプ制御を行なうとともに、第１
および第２の回折格子によつて入射光に対して対
称的な方向に回折された同次数の回折光強度を減
算し、 この減算強度の変化によつて第１の物体と第２
の物体間の相対位置ずれ変位を検出し、位置合せ
制御することを特徴とする回折格子によるギヤツ
プ・位置合せ制御法。 ２ 第１の物体と第２の物体間のギヤツプを、入
射光の波長をλとして（ｋ＋１／２）P2／λ（ｋは自 然数）付近に設定して、第１の物体と第２の物体
間の位置合せ制御を行なうことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の回折格子によるギヤツ
プ・位置合せ制御法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59237532A JPS61116837A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | 回折格子によるギヤツプ・位置合せ制御法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59237532A JPS61116837A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | 回折格子によるギヤツプ・位置合せ制御法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61116837A JPS61116837A (ja) | 1986-06-04 |
| JPH0582729B2 true JPH0582729B2 (ja) | 1993-11-22 |
Family
ID=17016727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59237532A Granted JPS61116837A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | 回折格子によるギヤツプ・位置合せ制御法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61116837A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4838693A (en) * | 1986-06-11 | 1989-06-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for setting a gap between first and second objects to a predetermined distance |
| KR900004269B1 (ko) * | 1986-06-11 | 1990-06-18 | 가부시기가이샤 도시바 | 제 1물체와 제 2 물체와의 위치 맞추는 방법 및 장치 |
| JP3197010B2 (ja) * | 1990-03-05 | 2001-08-13 | 株式会社東芝 | 間隔設定方法及び間隔設定装置 |
| EP0745211B1 (en) * | 1994-01-24 | 2003-05-14 | Svg Lithography Systems, Inc. | Grating-grating interferometric alignment system |
-
1984
- 1984-11-13 JP JP59237532A patent/JPS61116837A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61116837A (ja) | 1986-06-04 |
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| JPH0263288B2 (ja) | ||
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| JPS6355858B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |