JPH0582570A - Ｉｃモールドのクリーニング装置 - Google Patents
Ｉｃモールドのクリーニング装置Info
- Publication number
- JPH0582570A JPH0582570A JP24361891A JP24361891A JPH0582570A JP H0582570 A JPH0582570 A JP H0582570A JP 24361891 A JP24361891 A JP 24361891A JP 24361891 A JP24361891 A JP 24361891A JP H0582570 A JPH0582570 A JP H0582570A
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- Japan
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- mold
- slurry
- high pressure
- abrasive grains
- abrasive grain
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はＩＣモールドのクリーニングを良好
になし得るＩＣモールドのクリーニング装置を提供する
ことを目的とする。 【構成】 ウェットブラスト法における砥粒に直径０.
０６mm以下のガラスビーズを採用したものである。
になし得るＩＣモールドのクリーニング装置を提供する
ことを目的とする。 【構成】 ウェットブラスト法における砥粒に直径０.
０６mm以下のガラスビーズを採用したものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣモールドのクリー
ニングを良好に行い得るＩＣモールドのクリーニング装
置に関するものである。
ニングを良好に行い得るＩＣモールドのクリーニング装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来か
らＩＣモールドのクリーニング法としてウェットブラス
ト法が提案されている。
らＩＣモールドのクリーニング法としてウェットブラス
ト法が提案されている。
【０００３】このウェットブラスト法は、ＩＣモールド
を連続搬送する搬送路に砥粒を混入した水（以下スラリ
ー）を高圧噴射するノズルを配設し、このノズルからス
ラリーを高圧噴射し、リードフレーム上のフラッシュバ
リ取り、ＩＣパッケージ表面の洗浄を行うものである。
を連続搬送する搬送路に砥粒を混入した水（以下スラリ
ー）を高圧噴射するノズルを配設し、このノズルからス
ラリーを高圧噴射し、リードフレーム上のフラッシュバ
リ取り、ＩＣパッケージ表面の洗浄を行うものである。
【０００４】ところで、このウェットブラスト法におい
て一般的に使用されている砥粒は、直径０.２ｍｍ程度
の樹脂砥粒であるが、最近リードフレームはファインピ
ッチ化が進み、従来から使用されている樹脂砥粒では粒
径が大き過ぎてリード間につまってしまいリード間の目
づまりが生じてしまうという問題がある。
て一般的に使用されている砥粒は、直径０.２ｍｍ程度
の樹脂砥粒であるが、最近リードフレームはファインピ
ッチ化が進み、従来から使用されている樹脂砥粒では粒
径が大き過ぎてリード間につまってしまいリード間の目
づまりが生じてしまうという問題がある。
【０００５】また、このような問題を解決する為樹脂砥
粒の径のファイン化を図ることも考えられるが、樹脂砥
粒の径が小さくなるとそれだけバリ取り力が低下してし
まう。
粒の径のファイン化を図ることも考えられるが、樹脂砥
粒の径が小さくなるとそれだけバリ取り力が低下してし
まう。
【０００６】また、樹脂砥粒を採用する方法には、更
に、樹脂砥粒が高価であるという欠点、また樹脂砥粒は
摩耗してしまう為再利用が難しいという欠点がある。
に、樹脂砥粒が高価であるという欠点、また樹脂砥粒は
摩耗してしまう為再利用が難しいという欠点がある。
【０００７】本発明は上記欠点を解決したＩＣモールド
のクリーニング装置を提供することを技術的課題とする
ものである。
のクリーニング装置を提供することを技術的課題とする
ものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】添付図面を参照して本発
明の要旨を説明する。
明の要旨を説明する。
【０００９】リードフレーム１上に、合成樹脂を被覆し
たＩＣパッケージ２を固着して成るＩＣモールド３を連
続搬送し、この連続搬送途中において砥粒を混入した水
を該ＩＣモールド３に高圧噴射し、該ＩＣモールド３を
クリーニングするＩＣモールド３のクリーニング装置で
あって、砥粒に直径０.０６mm以下のガラスビーズ，ア
ルミナ等の高比重粒材を採用し、この砥粒を混入した水
を高圧噴射せしめるノズル４をＩＣモールド幅方向に多
数本配設し、このノズル４に導入される砥粒を混入した
水の導入量を制御するオリフィス16を設け、ＩＣモール
ド３に高圧噴射した前記砥粒入りの水を回収する回収部
５を設け、この回収部５で回収された噴射済の砥粒入り
水から樹脂バリ等の異物を除去する異物除去部６を設
け、異物が除去された砥粒入り水を前記ノズル４に導入
する為の導入路７を設けたことを特徴とするＩＣモール
ドの装置に係るものである。
たＩＣパッケージ２を固着して成るＩＣモールド３を連
続搬送し、この連続搬送途中において砥粒を混入した水
を該ＩＣモールド３に高圧噴射し、該ＩＣモールド３を
クリーニングするＩＣモールド３のクリーニング装置で
あって、砥粒に直径０.０６mm以下のガラスビーズ，ア
ルミナ等の高比重粒材を採用し、この砥粒を混入した水
を高圧噴射せしめるノズル４をＩＣモールド幅方向に多
数本配設し、このノズル４に導入される砥粒を混入した
水の導入量を制御するオリフィス16を設け、ＩＣモール
ド３に高圧噴射した前記砥粒入りの水を回収する回収部
５を設け、この回収部５で回収された噴射済の砥粒入り
水から樹脂バリ等の異物を除去する異物除去部６を設
け、異物が除去された砥粒入り水を前記ノズル４に導入
する為の導入路７を設けたことを特徴とするＩＣモール
ドの装置に係るものである。
【００１０】
【作用及び実施例】スラリー噴射部は、基体９内に、Ｉ
Ｃモールド３のリードフレーム両側縁を挾持して該ＩＣ
モールド３を搬送する搬送ベルト８が配設されており、
搬送ベルト８のほぼ中央部の上方位置及び下方位置には
スラリーを高圧噴射するノズル４が噴射圧を分散させる
為搬送ベルト８の幅方向に複数本水平状態に並設されて
いる（図面においては、上方位置のノズル４のみを断面
図にしてある。)。そして、このノズル４はクリーニン
グを良好に行う為微少な揺動が可能な状態に設計されて
いる。
Ｃモールド３のリードフレーム両側縁を挾持して該ＩＣ
モールド３を搬送する搬送ベルト８が配設されており、
搬送ベルト８のほぼ中央部の上方位置及び下方位置には
スラリーを高圧噴射するノズル４が噴射圧を分散させる
為搬送ベルト８の幅方向に複数本水平状態に並設されて
いる（図面においては、上方位置のノズル４のみを断面
図にしてある。)。そして、このノズル４はクリーニン
グを良好に行う為微少な揺動が可能な状態に設計されて
いる。
【００１１】符号10は高圧エアー導入管、11は砥粒が混
入された水（スラリー）を導入する導入管である。この
導入管11内にはスラリーの量をエアーの量（圧）に対し
制御（少なく）する為オリフィス16が設けられている。
エアー圧を高くする方向での制御であると導入管11から
エアーが逆流してしまい好ましくない。従って、スラリ
ーの量を減らすべくオリフィス16を設ける。このスラリ
ー量を極力抑えることは、ＩＣモールド３へのダメージ
を低減させることにもつながる。本発明は砥粒に高比重
粒材を用いる。高比重粒材故にクリーニング能力は高め
られるが、その反面ＩＣモールド３へのダメージが高ま
る。従って、ＩＣモールド３へのダメージを極力抑える
べく砥粒の量は極力抑えることが望ましい。オリフィス
16はスラリー量を可変し得る可変式オリフィスを設け
る。尚、オリフィス16は図示したように導入管11内に設
けなければならないものではなく、後記する導入路７内
の所定ケ所に設けてもよいことは勿論である。
入された水（スラリー）を導入する導入管である。この
導入管11内にはスラリーの量をエアーの量（圧）に対し
制御（少なく）する為オリフィス16が設けられている。
エアー圧を高くする方向での制御であると導入管11から
エアーが逆流してしまい好ましくない。従って、スラリ
ーの量を減らすべくオリフィス16を設ける。このスラリ
ー量を極力抑えることは、ＩＣモールド３へのダメージ
を低減させることにもつながる。本発明は砥粒に高比重
粒材を用いる。高比重粒材故にクリーニング能力は高め
られるが、その反面ＩＣモールド３へのダメージが高ま
る。従って、ＩＣモールド３へのダメージを極力抑える
べく砥粒の量は極力抑えることが望ましい。オリフィス
16はスラリー量を可変し得る可変式オリフィスを設け
る。尚、オリフィス16は図示したように導入管11内に設
けなければならないものではなく、後記する導入路７内
の所定ケ所に設けてもよいことは勿論である。
【００１２】砥粒としては、直径０.０６mm以下のガラ
スビーズ，アルミナが採用可能である。直径０.０６mm
以上であるとＩＣモールド３へのダメージが大き過ぎて
ＩＣパッケージ２へのマスキングが必要となり好ましく
ない。即ち、砥粒は従来例のように径大であるとリード
間に目づまりが生ずるという問題を生じさせる。そし
て、更に０.０６ｍｍ以上であっても該砥粒が高比重粒
材故にＩＣモールド３へのダメージを生じさせる。逆に
砥粒が径小過ぎるとバリ取り能力の低下という問題を生
じさせる（尚、砥粒が限りなく径小となってもバリ取り
能力がゼロになることはない。）。従って、本実施例の
砥粒径は以上の相関関係を考慮し、種々の実験・研究に
より決定した。
スビーズ，アルミナが採用可能である。直径０.０６mm
以上であるとＩＣモールド３へのダメージが大き過ぎて
ＩＣパッケージ２へのマスキングが必要となり好ましく
ない。即ち、砥粒は従来例のように径大であるとリード
間に目づまりが生ずるという問題を生じさせる。そし
て、更に０.０６ｍｍ以上であっても該砥粒が高比重粒
材故にＩＣモールド３へのダメージを生じさせる。逆に
砥粒が径小過ぎるとバリ取り能力の低下という問題を生
じさせる（尚、砥粒が限りなく径小となってもバリ取り
能力がゼロになることはない。）。従って、本実施例の
砥粒径は以上の相関関係を考慮し、種々の実験・研究に
より決定した。
【００１３】種々の実験・研究の結果、砥粒としては、
東芝バロティーニ株式会社製の直径０.０５３mmの「東
芝ブラスティングビーズ（品番ＡＩ）」が望ましい。
尚、このガラスビーズは樹脂砥粒に比し、安価である為
本機のランニングコストが低減される。
東芝バロティーニ株式会社製の直径０.０５３mmの「東
芝ブラスティングビーズ（品番ＡＩ）」が望ましい。
尚、このガラスビーズは樹脂砥粒に比し、安価である為
本機のランニングコストが低減される。
【００１４】また、搬送ベルト８の下方位置に設けたポ
ッパー部５'は高圧噴射されたスラリー全量を回収する
回収部５であり、ＩＣモールド３に高圧噴射されたスラ
リーをこのポッパー部５'で全量回収する。このポッパ
ー部５'で回収されたスラリーは導管12は通って、基体
９に並設された異物除去部６に導入される。この異物除
去部６はメッシュ体13で形成され、このメッシュ体13に
よりスラリーに残留している樹脂バリが回収され、スラ
リーはメッシュ体13を透過して下方に導出され、このス
ラリーは導入路７を通ってノズル４の導入管11に導入さ
れる。尚、この導入路７から導入管11へのスラリーの送
出は加圧ポンプ（図示省略）により行う。符号14はバル
ブ、15は清水による洗浄部である。
ッパー部５'は高圧噴射されたスラリー全量を回収する
回収部５であり、ＩＣモールド３に高圧噴射されたスラ
リーをこのポッパー部５'で全量回収する。このポッパ
ー部５'で回収されたスラリーは導管12は通って、基体
９に並設された異物除去部６に導入される。この異物除
去部６はメッシュ体13で形成され、このメッシュ体13に
よりスラリーに残留している樹脂バリが回収され、スラ
リーはメッシュ体13を透過して下方に導出され、このス
ラリーは導入路７を通ってノズル４の導入管11に導入さ
れる。尚、この導入路７から導入管11へのスラリーの送
出は加圧ポンプ（図示省略）により行う。符号14はバル
ブ、15は清水による洗浄部である。
【００１５】
【発明の効果】本発明は上述のようにしたから、次の効
果を発揮する。
果を発揮する。
【００１６】 直径が０.０６ｍｍ以下の砥粒を採用
したから、該砥粒がリード間につまったりすることな
く、また、該砥粒は径小であっても樹脂製ではなく樹脂
より高比重の粒材である為バリ取り力の低下は来たさな
い。
したから、該砥粒がリード間につまったりすることな
く、また、該砥粒は径小であっても樹脂製ではなく樹脂
より高比重の粒材である為バリ取り力の低下は来たさな
い。
【００１７】 また、本発明の砥粒は高比重粒材故に
摩耗しにくく、従って、使用済スラリーの再利用が可能
となり、この点においてもランニングコストの低減が図
れる。 高比重の砥粒の場合にはそれだけＩＣパッケージへ
のダメージが大きくなるが、本発明の砥粒は直径０．０
６mm以下という微小粒であるから、ＩＣパッケージへの
ダメージは生ぜず、且つ、スラリー量を制御するオリフ
ィスが設けられている為ＩＣパッケージへ高圧噴射され
る該砥粒の量がそれだけ抑えられ、この点においてもＩ
Ｃパッケージへのダメージは極力抑えられ、従って、Ｉ
Ｃパッケージにマスキングを行うことなくクリーニング
ができることになる。
摩耗しにくく、従って、使用済スラリーの再利用が可能
となり、この点においてもランニングコストの低減が図
れる。 高比重の砥粒の場合にはそれだけＩＣパッケージへ
のダメージが大きくなるが、本発明の砥粒は直径０．０
６mm以下という微小粒であるから、ＩＣパッケージへの
ダメージは生ぜず、且つ、スラリー量を制御するオリフ
ィスが設けられている為ＩＣパッケージへ高圧噴射され
る該砥粒の量がそれだけ抑えられ、この点においてもＩ
Ｃパッケージへのダメージは極力抑えられ、従って、Ｉ
Ｃパッケージにマスキングを行うことなくクリーニング
ができることになる。
【００１８】 更に、異物除去部が設けられているか
ら、スラリーの再利用が可能となる。再利用するスラリ
ーに樹脂バリ等の異物が混入していると、リード間につ
まったり、また、リードフレームに変形を生じさせたり
して好ましくないが、本発明によればこのような問題も
生じない。
ら、スラリーの再利用が可能となる。再利用するスラリ
ーに樹脂バリ等の異物が混入していると、リード間につ
まったり、また、リードフレームに変形を生じさせたり
して好ましくないが、本発明によればこのような問題も
生じない。
【図１】本発明の説明図である。
【図２】ＩＣモールドの斜視図である。
１ リードフレーム ２ ＩＣパッケージ ３ ＩＣモールド ４ ノズル ５ 回収部 ６ 異物除去部 ７ 導入路 16 オリフィス
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/304 ３４１ Ｍ 8831−4Ｍ
Claims (1)
- 【請求項１】 リードフレーム上に、合成樹脂を被覆し
たＩＣパッケージを固着して成るＩＣモールドを連続搬
送し、この連続搬送途中において砥粒を混入した水を該
ＩＣモールドに高圧噴射し、該ＩＣモールドをクリーニ
ングするＩＣモールドのクリーニング装置であって、砥
粒に直径０.０６mm以下のガラスビーズ,アルミナ等の高
比重粒材を採用し、この砥粒を混入した水を高圧噴射せ
しめるノズルをＩＣモールド幅方向に多数本配設し、こ
のノズルに導入される砥粒を混入した水の導入量を制御
するオリフィスを設け、ＩＣモールドに高圧噴射した前
記砥粒入りの水を回収する回収部を設け、この回収部で
回収された噴射済の砥粒入り水から樹脂バリ等の異物を
除去する異物除去部を設け、異物が除去された砥粒入り
水を前記ノズルに導入する為の導入路を設けたことを特
徴とするＩＣモールドの装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3243618A JP2620666B2 (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | Ｉｃモールドのクリーニング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3243618A JP2620666B2 (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | Ｉｃモールドのクリーニング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582570A true JPH0582570A (ja) | 1993-04-02 |
| JP2620666B2 JP2620666B2 (ja) | 1997-06-18 |
Family
ID=17106504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3243618A Expired - Lifetime JP2620666B2 (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | Ｉｃモールドのクリーニング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2620666B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100283847B1 (ko) * | 1994-05-16 | 2001-04-02 | 윤종용 | 몰드된 반도체 패키지의 디플래싱 장치 및 그 디플래싱 방법 |
| EP1465241A2 (en) * | 2003-04-04 | 2004-10-06 | ASM Technology Singapore Pte Ltd. | Apparatus and method for cleaning an electronic device |
| DE102013009211A1 (de) * | 2013-05-31 | 2014-12-04 | Volkswagen Aktiengesellschaft | Vorrichtung und Verfahren zum Reinigen eines formgebenden Werkzeugs |
| CN108389811A (zh) * | 2018-01-31 | 2018-08-10 | 金凯 | 一种集成电路封装后去除溢料装置 |
| CN114939561A (zh) * | 2022-07-01 | 2022-08-26 | 重庆电子工程职业学院 | 一种实训用检具维护管理装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58171261A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-07 | Fujitsu Ltd | ホ−ニング装置 |
-
1991
- 1991-09-24 JP JP3243618A patent/JP2620666B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58171261A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-07 | Fujitsu Ltd | ホ−ニング装置 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100283847B1 (ko) * | 1994-05-16 | 2001-04-02 | 윤종용 | 몰드된 반도체 패키지의 디플래싱 장치 및 그 디플래싱 방법 |
| EP1465241A2 (en) * | 2003-04-04 | 2004-10-06 | ASM Technology Singapore Pte Ltd. | Apparatus and method for cleaning an electronic device |
| EP1465241A3 (en) * | 2003-04-04 | 2006-11-15 | ASM Technology Singapore Pte Ltd. | Apparatus and method for cleaning an electronic device |
| DE102013009211A1 (de) * | 2013-05-31 | 2014-12-04 | Volkswagen Aktiengesellschaft | Vorrichtung und Verfahren zum Reinigen eines formgebenden Werkzeugs |
| CN108389811A (zh) * | 2018-01-31 | 2018-08-10 | 金凯 | 一种集成电路封装后去除溢料装置 |
| CN108389811B (zh) * | 2018-01-31 | 2020-05-12 | 陈英岳 | 一种集成电路封装后去除溢料装置 |
| CN114939561A (zh) * | 2022-07-01 | 2022-08-26 | 重庆电子工程职业学院 | 一种实训用检具维护管理装置 |
| CN114939561B (zh) * | 2022-07-01 | 2023-03-10 | 重庆电子工程职业学院 | 一种实训用检具维护管理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2620666B2 (ja) | 1997-06-18 |
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Legal Events
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