JPH0575149A - 太陽電池素子とその製造方法 - Google Patents
太陽電池素子とその製造方法Info
- Publication number
- JPH0575149A JPH0575149A JP3231674A JP23167491A JPH0575149A JP H0575149 A JPH0575149 A JP H0575149A JP 3231674 A JP3231674 A JP 3231674A JP 23167491 A JP23167491 A JP 23167491A JP H0575149 A JPH0575149 A JP H0575149A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- contact
- oxide film
- type conductive
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 裏面接触シリコン太陽電池の高効率化と低コ
スト化 【構成】 反受光面側に谷部１２２と頂部１２１が形成
されたｎ型導電層もしくはｐ型導電層のシリコン基板１
４と、前記頂部に形成され前記導電層よりも高濃度の不
純物を含む第３の層１６と、該第３の層の表面近傍に形
成された点状のｐ＋導電層１３と、ｐ＋導電層１３に接
する点状のアルミニウムシリコン合金層１５と、前記第
３の層１６にｐ＋導電層１３及び点状のアルミニウムシ
リコン合金層１５を介して接触し第３の層１６の他の部
分とは酸化膜３で絶縁された電極５と、前記谷部の表面
近傍に形成された点状のｐ＋導電層１３と、該ｐ＋導電
層１３に接する点状のアルミニウムシリコン合金層１５
と、前記シリコン基板の谷部に点状のｐ＋導電層１３及
び点状のアルミニウムシリコン合金層１５を介して接触
し谷部の他の部分とは酸化膜３で絶縁された電極６とを
含んで構成された太陽電池素子。 【効果】
スト化 【構成】 反受光面側に谷部１２２と頂部１２１が形成
されたｎ型導電層もしくはｐ型導電層のシリコン基板１
４と、前記頂部に形成され前記導電層よりも高濃度の不
純物を含む第３の層１６と、該第３の層の表面近傍に形
成された点状のｐ＋導電層１３と、ｐ＋導電層１３に接
する点状のアルミニウムシリコン合金層１５と、前記第
３の層１６にｐ＋導電層１３及び点状のアルミニウムシ
リコン合金層１５を介して接触し第３の層１６の他の部
分とは酸化膜３で絶縁された電極５と、前記谷部の表面
近傍に形成された点状のｐ＋導電層１３と、該ｐ＋導電
層１３に接する点状のアルミニウムシリコン合金層１５
と、前記シリコン基板の谷部に点状のｐ＋導電層１３及
び点状のアルミニウムシリコン合金層１５を介して接触
し谷部の他の部分とは酸化膜３で絶縁された電極６とを
含んで構成された太陽電池素子。 【効果】
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、受光面とは反対側の面
に一対の主電極をもつシリコン太陽電池素子とその製造
方法に関する。
に一対の主電極をもつシリコン太陽電池素子とその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】太陽電池を用いる太陽光発電は電卓の電
源や電力系統配線網のない灯台の電源や山間僻地の通信
設備の電源として普及しているが、既存の電力源の水
力、火力、原子力発電と比較して発電原価が高いため、
一般電源として普及するにいたっていない。この問題解
決には太陽電池の光電変換効率の向上とその製造原価の
低減が重要である。最近、原理的に変換効率の向上が期
待できる、裏面接触シリコン太陽電池素子（Backside−
Contact Silicon Solar Cells）が発表され、現在で
はこの素子の製造原価低減の努力が進められており、第
四回国際太陽電池科学技術会議（１９８９年）、プロシ
ーデイング第１４３頁から第１４９頁、及びアイ・イー
・イー、トランザクション オン エレクトロン デバ
イス （１９９０）３７巻、２号、第３４８頁から第３
５２頁にこの素子の安価な製造法が論じられるようにな
り、さらに第五回国際太陽電池科学技術会議（１９９０
年）、テクニカル ダイジェスト、第５０５頁から第５
０８頁にはスクリーン印刷技術を用いる製法に適した太
陽電池素子が論じられるようになってきている。
源や電力系統配線網のない灯台の電源や山間僻地の通信
設備の電源として普及しているが、既存の電力源の水
力、火力、原子力発電と比較して発電原価が高いため、
一般電源として普及するにいたっていない。この問題解
決には太陽電池の光電変換効率の向上とその製造原価の
低減が重要である。最近、原理的に変換効率の向上が期
待できる、裏面接触シリコン太陽電池素子（Backside−
Contact Silicon Solar Cells）が発表され、現在で
はこの素子の製造原価低減の努力が進められており、第
四回国際太陽電池科学技術会議（１９８９年）、プロシ
ーデイング第１４３頁から第１４９頁、及びアイ・イー
・イー、トランザクション オン エレクトロン デバ
イス （１９９０）３７巻、２号、第３４８頁から第３
５２頁にこの素子の安価な製造法が論じられるようにな
り、さらに第五回国際太陽電池科学技術会議（１９９０
年）、テクニカル ダイジェスト、第５０５頁から第５
０８頁にはスクリーン印刷技術を用いる製法に適した太
陽電池素子が論じられるようになってきている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術における
太陽電池素子は、工程数が大幅に低減された簡易なプロ
セスにより製作できる素子構造であり、低コストなスク
リーン印刷技術を用い、工程数が大幅に低減された簡易
なプロセスにより製作できる素子構造となっているがさ
らに製造コストの低減と変換効率を最大限に引き出すた
めの素子構造に関して不十分な点があった。
太陽電池素子は、工程数が大幅に低減された簡易なプロ
セスにより製作できる素子構造であり、低コストなスク
リーン印刷技術を用い、工程数が大幅に低減された簡易
なプロセスにより製作できる素子構造となっているがさ
らに製造コストの低減と変換効率を最大限に引き出すた
めの素子構造に関して不十分な点があった。
【０００４】本発明の課題は、裏面接触シリコン太陽電
池素子の製造コストの低減と変換効率の向上にある。
池素子の製造コストの低減と変換効率の向上にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、太陽電池
素子のシリコン基板をなすｎ型導電層もしくはｐ型導電
層と、該基板の反受光面側主表面に形成された電極と
を、点状のｐｎ接合を介して接触させることによりこと
により達成される。
素子のシリコン基板をなすｎ型導電層もしくはｐ型導電
層と、該基板の反受光面側主表面に形成された電極と
を、点状のｐｎ接合を介して接触させることによりこと
により達成される。
【０００６】上記の課題はまた、太陽電池素子のシリコ
ン基板をなすｎ型導電層もしくはｐ型導電層上に酸化膜
を形成し、該酸化膜上にアルミニウム粒を含む銀ペース
トで電極パターンを印刷し、これを焼成して酸化膜をフ
ァイヤースルー（貫通）して小さな点状のアルミニウム
シリコン合金層とｐ型不純物層を設けることにより解決
される。
ン基板をなすｎ型導電層もしくはｐ型導電層上に酸化膜
を形成し、該酸化膜上にアルミニウム粒を含む銀ペース
トで電極パターンを印刷し、これを焼成して酸化膜をフ
ァイヤースルー（貫通）して小さな点状のアルミニウム
シリコン合金層とｐ型不純物層を設けることにより解決
される。
【０００７】
【作用】シリコン太陽電池では、太陽光によって生成し
た電子及び正孔の電荷はｐｎ接合によって分離され起電
圧を発生するが、この起電圧によりｐｎ接合を通じて再
び注入され元に戻ろうとするため、起電圧が下がる。従
って、ｐｎ接合の面積を小さくすることにより起電圧の
低下が防止でき高効率となる。
た電子及び正孔の電荷はｐｎ接合によって分離され起電
圧を発生するが、この起電圧によりｐｎ接合を通じて再
び注入され元に戻ろうとするため、起電圧が下がる。従
って、ｐｎ接合の面積を小さくすることにより起電圧の
低下が防止でき高効率となる。
【０００８】アルミニウムとシリコンとを合金反応させ
ると、アルミニウムとシリコンとが共晶合金相を示すた
め、アルミニウムシリコン合金層とシリコン面にアルミ
ニウムを固溶したｐ型導電層の再生長層ができる。また
この反応はシリコン表面が酸化膜で覆われていても、こ
の酸化膜をファイヤースルー（貫通）して生じることが
実験により確認された。更に、銀ペースト中にアルミニ
ウムの粒を混ぜて、酸化膜で覆われたシリコン基板上に
印刷して焼成し、このアルミニウムの粒とシリコンの上
記合金反応を行うとほぼアルミニウム粒の大きさに等し
いアルミニウムシリコン合金層とシリコン面にアルミニ
ウムを固溶したｐ型導電層の再生長層ができること及び
銀の粒は酸化膜によりシリコンとは電気的に絶縁される
ことを確認した。これらの実験事実から、小さな点状の
アルミニウムシリコン合金層及びｐ型導電層を介してシ
リコン接触させることが出来ることが確認できた。
ると、アルミニウムとシリコンとが共晶合金相を示すた
め、アルミニウムシリコン合金層とシリコン面にアルミ
ニウムを固溶したｐ型導電層の再生長層ができる。また
この反応はシリコン表面が酸化膜で覆われていても、こ
の酸化膜をファイヤースルー（貫通）して生じることが
実験により確認された。更に、銀ペースト中にアルミニ
ウムの粒を混ぜて、酸化膜で覆われたシリコン基板上に
印刷して焼成し、このアルミニウムの粒とシリコンの上
記合金反応を行うとほぼアルミニウム粒の大きさに等し
いアルミニウムシリコン合金層とシリコン面にアルミニ
ウムを固溶したｐ型導電層の再生長層ができること及び
銀の粒は酸化膜によりシリコンとは電気的に絶縁される
ことを確認した。これらの実験事実から、小さな点状の
アルミニウムシリコン合金層及びｐ型導電層を介してシ
リコン接触させることが出来ることが確認できた。
【０００９】
【実施例】図１及び図２は本発明の第１の実施例である
太陽電池素子を示す概略断面図及び拡大図である。
太陽電池素子を示す概略断面図及び拡大図である。
【００１０】図示の太陽電池素子を構成する半導体１
は、受光面となる一方の主表面１１と該主表面１１と反
対側に位置し頂部１２１と谷部１２２とからなる他方の
主表面１２とを備えたｎ型導電性の第２の層１４と、該
第２の層１４に主表面１２に隣接して配置された小さな
点状のｐ型導電性の第１の層１３と、該第１の層１３の
第２の層１４と反対側に隣接する小さな点状のｐ型不純
物のアルミニウムシリコン合金層１５と、頂部１２１に
隣接し第２の層１４より高不純物濃度で、第１の層１３
より厚い第３の層１６とを有している。他方の主表面１
２の頂部１２１及び谷部１２２はそれぞれ櫛型の面を有
し、その櫛歯を咬合わせた形状となっている。一方の主
表面１１及び他方の主表面１２の谷部１２２は微小凹凸
の存在するテクスチュア面となっており、その上に酸化
膜２、３が形成されている。酸化膜２上にはＴｉＯ2反
射防止膜４が形成されており、他方の主表面１２の頂部
１２１の櫛型の背部上にあって第３のｎ型で高い不純物
濃度層１６にアルミニウムシリコン合金層１５及び第１
の層１３を介しｐｎ接合で接触し、酸化膜３によりｎ型
導電層１６とは絶縁されている第１の電極５が形成され
ている。他方の主表面１２の谷部１２２の上には、第２
の層１４にアルミニウムシリコン合金層１５及び第１の
層１３を介してｐｎ接合で接触し、酸化膜３によりｎ型
導電層１４とは絶縁されている第２の電極６が形成され
ている。
は、受光面となる一方の主表面１１と該主表面１１と反
対側に位置し頂部１２１と谷部１２２とからなる他方の
主表面１２とを備えたｎ型導電性の第２の層１４と、該
第２の層１４に主表面１２に隣接して配置された小さな
点状のｐ型導電性の第１の層１３と、該第１の層１３の
第２の層１４と反対側に隣接する小さな点状のｐ型不純
物のアルミニウムシリコン合金層１５と、頂部１２１に
隣接し第２の層１４より高不純物濃度で、第１の層１３
より厚い第３の層１６とを有している。他方の主表面１
２の頂部１２１及び谷部１２２はそれぞれ櫛型の面を有
し、その櫛歯を咬合わせた形状となっている。一方の主
表面１１及び他方の主表面１２の谷部１２２は微小凹凸
の存在するテクスチュア面となっており、その上に酸化
膜２、３が形成されている。酸化膜２上にはＴｉＯ2反
射防止膜４が形成されており、他方の主表面１２の頂部
１２１の櫛型の背部上にあって第３のｎ型で高い不純物
濃度層１６にアルミニウムシリコン合金層１５及び第１
の層１３を介しｐｎ接合で接触し、酸化膜３によりｎ型
導電層１６とは絶縁されている第１の電極５が形成され
ている。他方の主表面１２の谷部１２２の上には、第２
の層１４にアルミニウムシリコン合金層１５及び第１の
層１３を介してｐｎ接合で接触し、酸化膜３によりｎ型
導電層１４とは絶縁されている第２の電極６が形成され
ている。
【００１１】小さな点状のｐ型導電性の第１の層１３と
ｎ型の第２の層１４とによる小さな面積のｐｎ接合は、
集電された電荷が再びｐｎ接合を通して注入されること
を防ぎ、電圧低下を少なくする働きがある。さらに、主
表面１２の頂部１２１に隣接する小さな点状のｐ型導電
性の第１の層１３、第１の層１３に隣接する小さな点状
のｐ型不純物のアルミニウムシリコン合金層１５は、ｎ
型導電層１６と接触する金属面積を小さくすることによ
り、この部分の高い表面再結合損失を低減する働きがあ
る。
ｎ型の第２の層１４とによる小さな面積のｐｎ接合は、
集電された電荷が再びｐｎ接合を通して注入されること
を防ぎ、電圧低下を少なくする働きがある。さらに、主
表面１２の頂部１２１に隣接する小さな点状のｐ型導電
性の第１の層１３、第１の層１３に隣接する小さな点状
のｐ型不純物のアルミニウムシリコン合金層１５は、ｎ
型導電層１６と接触する金属面積を小さくすることによ
り、この部分の高い表面再結合損失を低減する働きがあ
る。
【００１２】次に、上記構成の太陽電池素子の製法を説
明する。
明する。
【００１３】まず、ｎ型で比抵抗１Ωｃｍ，厚さ２００
μｍ，結晶方位（１，０，０）のシリコン基板１４にオ
キシ塩化りん（ＰＯＣｌ3）拡散を１２００℃で所定の
時間行い、シリコン基板の両面に表面濃度約５×１０20
個／ｃｍ3、深さ約１５μｍのｎ＋層１６を形成した。
μｍ，結晶方位（１，０，０）のシリコン基板１４にオ
キシ塩化りん（ＰＯＣｌ3）拡散を１２００℃で所定の
時間行い、シリコン基板の両面に表面濃度約５×１０20
個／ｃｍ3、深さ約１５μｍのｎ＋層１６を形成した。
【００１４】次に、この基板の他方の面（主表面１２と
なる面）にスクリーン印刷により、耐酸性マスク材（レ
ジスト）を櫛型の歯に相当する部分幅が約１３０μｍ，
歯の長さを約２２００μｍ、隣の歯とのピッチが約２５
０μｍ、櫛型の背部となる広い部分の幅が約４５０μｍ
となるように印刷した。次に、弗酸で、レジストのない
部分の燐ガラス（燐拡散時に形成）１６′を除去し、更
に溶剤でレジストを除去する。次に、パターンが転写さ
れた燐ガラスをマスク材にして、ＫＯＨを数％含むアル
カリエッチング液で、約２０μｍエッチング除去して、
他方の主表面の底部になる個所及び一方の主表面（主表
面１１となる面）をテキュスチュア面にした。ｎ＋層１
６が高濃度の厚い燐拡散層であるため、強い重金属ゲッ
ターリング効果が働き、燐拡散後のシリコンｎ基板（バ
ルク）の少数キャリア寿命の低下がみられなかった。次
に弗酸で、残った燐ガラスを全て除去し、しかる後、表
面をシリコン酸化膜で不動態化（パッシベーション）す
るため、１０００℃、１０分、酸素ガス雰囲気中で酸化
して厚さ約２００Åの酸化膜２、３を形成した。
なる面）にスクリーン印刷により、耐酸性マスク材（レ
ジスト）を櫛型の歯に相当する部分幅が約１３０μｍ，
歯の長さを約２２００μｍ、隣の歯とのピッチが約２５
０μｍ、櫛型の背部となる広い部分の幅が約４５０μｍ
となるように印刷した。次に、弗酸で、レジストのない
部分の燐ガラス（燐拡散時に形成）１６′を除去し、更
に溶剤でレジストを除去する。次に、パターンが転写さ
れた燐ガラスをマスク材にして、ＫＯＨを数％含むアル
カリエッチング液で、約２０μｍエッチング除去して、
他方の主表面の底部になる個所及び一方の主表面（主表
面１１となる面）をテキュスチュア面にした。ｎ＋層１
６が高濃度の厚い燐拡散層であるため、強い重金属ゲッ
ターリング効果が働き、燐拡散後のシリコンｎ基板（バ
ルク）の少数キャリア寿命の低下がみられなかった。次
に弗酸で、残った燐ガラスを全て除去し、しかる後、表
面をシリコン酸化膜で不動態化（パッシベーション）す
るため、１０００℃、１０分、酸素ガス雰囲気中で酸化
して厚さ約２００Åの酸化膜２、３を形成した。
【００１５】次に、粒径が約１０μｍ以下のＡｌを数％
含むＡｇペーストを印刷して、７００℃、１分、合成空
気雰囲気（酸素＋窒素）中で焼成した。この焼成によ
り、Ａｇペースト中のＡｌ粒は酸化膜３と反応してこれ
を貫通し、更にシリコンと反応しアルミニウムシリコン
合金層１５及びｐ＋層１３が形成された。また、アルミ
ニウムシリコン合金層１５及びｐ＋層１３は半球状に形
成され、かつその半径はＡｇペースト中のＡｌ粒の半径
とほぼ等しく、このためＡｌ粒の粒径１０μｍ、ｎ＋層
の厚さが約１５μｍではｎ＋層は全く貫通されなかっ
た。更に、ｎ＋層１６は高濃度のため、ｐ＋層１３と順
方向電圧降下は無視できるほど小さかった。この結果、
電極５はｎ＋層１６とオーミック接触し、電極６は酸化
膜３で第２の層１４と絶縁され第１の層１３とオーミッ
ク接触されることが確認された。また、Ａｌ粒の組成比
（重量％や粒の大きさ）を変えることにより、アルミニ
ウムシリコン合金層１５と第１の層１３とを生じせしめ
る比率を変えることができることが確認された。次にＴ
ｉＯ2反射防止膜４を受光面側の酸化膜２の表面に常圧
ＣＶＤ法で５５０Åの厚みに形成した。図９に上記手順
を示す。
含むＡｇペーストを印刷して、７００℃、１分、合成空
気雰囲気（酸素＋窒素）中で焼成した。この焼成によ
り、Ａｇペースト中のＡｌ粒は酸化膜３と反応してこれ
を貫通し、更にシリコンと反応しアルミニウムシリコン
合金層１５及びｐ＋層１３が形成された。また、アルミ
ニウムシリコン合金層１５及びｐ＋層１３は半球状に形
成され、かつその半径はＡｇペースト中のＡｌ粒の半径
とほぼ等しく、このためＡｌ粒の粒径１０μｍ、ｎ＋層
の厚さが約１５μｍではｎ＋層は全く貫通されなかっ
た。更に、ｎ＋層１６は高濃度のため、ｐ＋層１３と順
方向電圧降下は無視できるほど小さかった。この結果、
電極５はｎ＋層１６とオーミック接触し、電極６は酸化
膜３で第２の層１４と絶縁され第１の層１３とオーミッ
ク接触されることが確認された。また、Ａｌ粒の組成比
（重量％や粒の大きさ）を変えることにより、アルミニ
ウムシリコン合金層１５と第１の層１３とを生じせしめ
る比率を変えることができることが確認された。次にＴ
ｉＯ2反射防止膜４を受光面側の酸化膜２の表面に常圧
ＣＶＤ法で５５０Åの厚みに形成した。図９に上記手順
を示す。
【００１６】このようにして製造した裏面接触太陽電池
を受光面からレーザーダイオード・マイクロ波法でシリ
コンｐ基板（バルク）の少数キャリア寿命を測定した
所、寿命の低下は見られなかった。Ａｌ粒の組成比を変
えて製作した素子の開放電圧は組成比が小さくなるほど
高くなるが、短絡電流密度は組成比が約１％以下で低下
する傾向が見られた。このため光電変換効率はＡｌ粒の
組成比が約１％で最高値を示す傾向が見られた。
を受光面からレーザーダイオード・マイクロ波法でシリ
コンｐ基板（バルク）の少数キャリア寿命を測定した
所、寿命の低下は見られなかった。Ａｌ粒の組成比を変
えて製作した素子の開放電圧は組成比が小さくなるほど
高くなるが、短絡電流密度は組成比が約１％以下で低下
する傾向が見られた。このため光電変換効率はＡｌ粒の
組成比が約１％で最高値を示す傾向が見られた。
【００１７】図３及び図４は本発明の第２の実施例を示
す概略断面図及び拡大図であり、第１の実施例での第２
の層の導電型をｐ型にしたものである。
す概略断面図及び拡大図であり、第１の実施例での第２
の層の導電型をｐ型にしたものである。
【００１８】本実施例では、電極６が小さな点状のｐ型
導電性の第１の層１３を介してｐ型の第２の層１４１と
オーミック接触するため、高い表面再結合速度の部分が
小さくなり再結合損失が小さくなる働きがある。さら
に、主表面１２の頂部１２１に隣接する小さな点状のｐ
型導電性の第１の層１３、第１の層１３に隣接する小さ
な点状のｐ型不純物のアルミニウムシリコン合金層１５
は、ｎ型導電層１６と接触する金属面積を小さくするこ
とにより、この部分の高い表面再結合損失を低減する働
きがある。
導電性の第１の層１３を介してｐ型の第２の層１４１と
オーミック接触するため、高い表面再結合速度の部分が
小さくなり再結合損失が小さくなる働きがある。さら
に、主表面１２の頂部１２１に隣接する小さな点状のｐ
型導電性の第１の層１３、第１の層１３に隣接する小さ
な点状のｐ型不純物のアルミニウムシリコン合金層１５
は、ｎ型導電層１６と接触する金属面積を小さくするこ
とにより、この部分の高い表面再結合損失を低減する働
きがある。
【００１９】かかる構成の製作法は実施例１の製作法に
おいて、ｎ型基板をｐ型基板とすることにより同様に製
作された。
おいて、ｎ型基板をｐ型基板とすることにより同様に製
作された。
【００２０】図５及び図６は本発明太陽電池の第３の実
施例を示す概略断面図及び拡大図である。本実施例は、
第２の層の導電型をｎ型にし、第１の電極５は、他方の
主表面１２の頂部１２１の上にあって第２の層１４にア
ルミニウムシリコン合金層１５及び第１の層１３とを介
してｐｎ接合で接触し、酸化膜３によりｐ型導電層１４
とは絶縁されており、第２の電極６は、他方主表面１２
の谷部１２２の櫛型の背部上にあって第３のｎ型で高い
不純物濃度の層１６にアルミニウムシリコン合金層１５
及び第１の層１３を介してｐｎ接合で接触し、酸化膜３
によりｎ型導電層１６とは絶縁されている。
施例を示す概略断面図及び拡大図である。本実施例は、
第２の層の導電型をｎ型にし、第１の電極５は、他方の
主表面１２の頂部１２１の上にあって第２の層１４にア
ルミニウムシリコン合金層１５及び第１の層１３とを介
してｐｎ接合で接触し、酸化膜３によりｐ型導電層１４
とは絶縁されており、第２の電極６は、他方主表面１２
の谷部１２２の櫛型の背部上にあって第３のｎ型で高い
不純物濃度の層１６にアルミニウムシリコン合金層１５
及び第１の層１３を介してｐｎ接合で接触し、酸化膜３
によりｎ型導電層１６とは絶縁されている。
【００２１】この構造では、第１の実施例における働き
に加えて、第１の電極５が平坦な主表面１２の頂部１２
１の上に形成されるので、櫛型の歯に相当する部分幅を
高精細に印刷でき、パターン位置合わせズレによるショ
ートが低減される。
に加えて、第１の電極５が平坦な主表面１２の頂部１２
１の上に形成されるので、櫛型の歯に相当する部分幅を
高精細に印刷でき、パターン位置合わせズレによるショ
ートが低減される。
【００２２】次に、かかる構成の太陽電池素子の製法を
説明する。まず、ｎ型で比抵抗１Ωｃｍ、厚さ２００μ
ｍ、結晶方位（１，０，０）のシリコン基板を酸素ガス
雰囲気中で、１１００℃で所定の時間酸化を行い基板表
面に厚さ約１８００Åの酸化膜を形成した。次に、この
基板の他方の面（受光面と反対側の面すなわち主表面１
２）にスクリーン印刷により、耐酸性マスク材を櫛型の
歯に相当する部分幅が約１３０μｍ，歯の長さを約２２
００μｍ、隣の歯とのピッチが約２５０μｍ、櫛型の背
部となる広い部分の幅が約４５０μｍとなるように櫛型
を印刷した。次に、弗酸で、レジストのない部分の酸化
膜を除去し、更に溶剤でレジストを除去した。次に、パ
ターン（前記櫛型）が転写された酸化膜をマスク材にし
て、ＫＯＨを数％含むアルカリエッチング液で、約２０
μｍエッチング除去して、他方の主表面１２の底部にな
る個所及び一方の主表面１１をテキュスチュア面にし
た。次に、酸化膜をマスク材にして、オキシ塩化りん
（ＰＯＣｌ3）拡散を１２００℃で所定の時間行い、他
方の主表面１２の谷部及び一方の主表面１１に表面濃度
５×１０20個／ｃｍ3、深さ約１５μｍのｎ＋層を形成
した。
説明する。まず、ｎ型で比抵抗１Ωｃｍ、厚さ２００μ
ｍ、結晶方位（１，０，０）のシリコン基板を酸素ガス
雰囲気中で、１１００℃で所定の時間酸化を行い基板表
面に厚さ約１８００Åの酸化膜を形成した。次に、この
基板の他方の面（受光面と反対側の面すなわち主表面１
２）にスクリーン印刷により、耐酸性マスク材を櫛型の
歯に相当する部分幅が約１３０μｍ，歯の長さを約２２
００μｍ、隣の歯とのピッチが約２５０μｍ、櫛型の背
部となる広い部分の幅が約４５０μｍとなるように櫛型
を印刷した。次に、弗酸で、レジストのない部分の酸化
膜を除去し、更に溶剤でレジストを除去した。次に、パ
ターン（前記櫛型）が転写された酸化膜をマスク材にし
て、ＫＯＨを数％含むアルカリエッチング液で、約２０
μｍエッチング除去して、他方の主表面１２の底部にな
る個所及び一方の主表面１１をテキュスチュア面にし
た。次に、酸化膜をマスク材にして、オキシ塩化りん
（ＰＯＣｌ3）拡散を１２００℃で所定の時間行い、他
方の主表面１２の谷部及び一方の主表面１１に表面濃度
５×１０20個／ｃｍ3、深さ約１５μｍのｎ＋層を形成
した。
【００２３】次にこの基板の他方の面にスクリーン印刷
により、耐酸性マスク材を全面に印刷した。次に、弗酸
で、レジストのない一方の主表面の燐ガラス（燐拡散時
に形成されたもの）を除去し、更に溶剤でレジストを除
去した。次に、他方の主表面１２の燐ガラスをマスク材
にして、ＫＯＨを数％含むアルカリエッチング液で、約
２０μｍエッチング除去した。次に弗酸で、残った燐ガ
ラスを全て除去して、しかる後、表面をシリコン酸化膜
で不動態化（パッシベーション）するため、１０００℃
で１０分間、酸素ガス雰囲気中で酸化して厚さ約２００
Åの酸化膜２、３を形成した。これ以降は第１の実施例
の電極形成法と同じ方法により製作された。
により、耐酸性マスク材を全面に印刷した。次に、弗酸
で、レジストのない一方の主表面の燐ガラス（燐拡散時
に形成されたもの）を除去し、更に溶剤でレジストを除
去した。次に、他方の主表面１２の燐ガラスをマスク材
にして、ＫＯＨを数％含むアルカリエッチング液で、約
２０μｍエッチング除去した。次に弗酸で、残った燐ガ
ラスを全て除去して、しかる後、表面をシリコン酸化膜
で不動態化（パッシベーション）するため、１０００℃
で１０分間、酸素ガス雰囲気中で酸化して厚さ約２００
Åの酸化膜２、３を形成した。これ以降は第１の実施例
の電極形成法と同じ方法により製作された。
【００２４】図７及び図８は本発明の第４の実施例であ
って、第３の実施例でにおける第２の層の導電型をｐ型
にしたものを示す概略断面図及び拡大図である。本実施
例においては、電極５が小さな点状のｐ型導電性の第１
の層１３を介してｐ型の第２の層１４１とオーミック接
触するため、高い表面再結合速度の部分が小さくなり再
結合損失が小さくなる。さらに、主表面１２の谷部１２
２に隣接する小さな点状のｐ型導電性の第１の層１３、
第１の層１３に隣接する小さな点状のｐ型不純物のアル
ミニウムシリコン合金層１５は、ｎ型導電層１６と接触
する金属面積を小さくすることにより、この部分の高い
表面再結合損失を低減する。
って、第３の実施例でにおける第２の層の導電型をｐ型
にしたものを示す概略断面図及び拡大図である。本実施
例においては、電極５が小さな点状のｐ型導電性の第１
の層１３を介してｐ型の第２の層１４１とオーミック接
触するため、高い表面再結合速度の部分が小さくなり再
結合損失が小さくなる。さらに、主表面１２の谷部１２
２に隣接する小さな点状のｐ型導電性の第１の層１３、
第１の層１３に隣接する小さな点状のｐ型不純物のアル
ミニウムシリコン合金層１５は、ｎ型導電層１６と接触
する金属面積を小さくすることにより、この部分の高い
表面再結合損失を低減する。
【００２５】かかる構成の素子は、第３の実施例の製作
法において、ｎ型基板をｐ型基板とすることにより同様
に製作された。
法において、ｎ型基板をｐ型基板とすることにより同様
に製作された。
【００２６】上記各実施例によれば、スクリーン印刷技
術で小さな点状のｐｎ接合が形成され、電極（金属）
とシリコン（半導体）とが直接接触する面積を低減でき
ることのため、高い変換効率の太陽電池素子が出来るこ
と、電極を１回で形成できること、ｐ層の形成が電
極形成と同時にできること、裏面接触シリコン太陽電
池は、裏面にｐｎ接合を形成するため、接合を形成する
ための不純物ドーピング層を高濃度で深くしても、光電
変換効率の低下が少ない特徴があり、この特徴をいかせ
ること、高濃度不純物ドーピング層を集電電極の一部
として利用できること、同時に両主面をテクスチュア
面にすることができることなど多くの性能向上、経済性
向上が可能である。
術で小さな点状のｐｎ接合が形成され、電極（金属）
とシリコン（半導体）とが直接接触する面積を低減でき
ることのため、高い変換効率の太陽電池素子が出来るこ
と、電極を１回で形成できること、ｐ層の形成が電
極形成と同時にできること、裏面接触シリコン太陽電
池は、裏面にｐｎ接合を形成するため、接合を形成する
ための不純物ドーピング層を高濃度で深くしても、光電
変換効率の低下が少ない特徴があり、この特徴をいかせ
ること、高濃度不純物ドーピング層を集電電極の一部
として利用できること、同時に両主面をテクスチュア
面にすることができることなど多くの性能向上、経済性
向上が可能である。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、スクリーン印刷技術で
小さな点状のｐｎ接合が形成され、電極（金属）とシリ
コン（半導体）とが直接接触する面積を低減できるた
め、高い変換効率の太陽電池素子を形成することが可能
となった。
小さな点状のｐｎ接合が形成され、電極（金属）とシリ
コン（半導体）とが直接接触する面積を低減できるた
め、高い変換効率の太陽電池素子を形成することが可能
となった。
【図１】本発明の第１の実施例を示す斜視図である。
【図２】図１の一部を示す拡大断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例を示す斜視図である。
【図４】図３の一部を示す拡大断面図である。
【図５】本発明の第３の実施例を示す斜視図である。
【図６】図５の一部を示す拡大断面図である。
【図７】本発明の第４の実施例を示す斜視図である。
【図８】図７の一部を示す拡大断面図である。
【図９】本発明の製造方法の実施例を示す手順図であ
る。
る。
１ 半導体 ２ 酸化膜 ３ 酸化膜 ４ ＴiＯ2反射防止膜 ５ 第１の電極 ６ 第２の電極 １１ 一方の主表面（受光面） １２ 他方の主表面 １３ 第１の層（点状のｐ＋層） １４，１４１ 第２の層 １５ 点状のｐ型不純物のアルミニウムシリコン合金層 １６ 第３の層（ｎ型導電層） １２１ 他方の主表面の頂部 １２２ 他方の主表面の谷部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内田 泰明 茨城県日立市幸町３丁目１番１号 株式会 社日立製作所日立工場内 (72)発明者 初見 君男 茨城県日立市幸町３丁目１番１号 株式会 社日立製作所日立工場内 (72)発明者 朝日 忠夫 茨城県日立市幸町３丁目１番１号 株式会 社日立製作所日立工場内 (72)発明者 八木 秀幸 茨城県日立市幸町３丁目１番１号 株式会 社日立製作所日立工場内
Claims (7)
- 【請求項１】 受光面となる一方の主表面、一方の主表
面とは反対側に位置し頂部と谷部とからなる他方の主表
面、一方の主表面に隣接する小さな点状のｐ型導電性の
第１、第１の層に隣接する第１の層と反対の導電性のｎ
型の第２の層、第１の層に隣接する小さな点状のｐ型不
純物のアルミニウムシリコン合金層、頂部に隣接する第
２の層より高不純物濃度で、第１の層より厚い第３の層
からなる半導体基体と、半導体基板の他方の主表面の頂
部において第３層にアルミニウムシリコン合金層及び第
１の層を介しｐｎ接合で接触し、酸化膜によりｎ型導電
層とは絶縁されている第１の主電極と半導体基板の他方
の主表面の谷部において第２の層にアルミニウムシリコ
ン合金層及び第１の層を介してｐｎ接合で接触し、酸化
膜によりｎ型導電層とは絶縁されている第２の主電極を
具備することを特徴とする太陽電池素子。 - 【請求項２】 他方の主表面の頂部において第２の層に
アルミニウムシリコン合金層及び第１の層とを介してｐ
ｎ接合で接触し、酸化膜により第２の層とは絶縁されて
いる第１の主電極、他方主表面の谷部において第３の層
にアルミニウムシリコン合金層及び第１の層を介してｐ
ｎ接合で接触し、酸化膜により第３の層とは絶縁されて
いる第２の主電極を有していることを特徴とする請求項
１に記載の太陽電池素子。 - 【請求項３】 受光面となる主表面Ａと該受光面と反対
側に位置し頂部と谷部を持つ他方の主表面Ｂとを有する
ｎ型導電性の第２の層と、前記頂部に形成され第２の層
より高い不純物濃度をもつｎ型導電性の第３の層と、該
第３の層の表面近くに配置された前記第３の層よりも薄
い点状のｐ型導電性の第１の層と、該第１の層を介して
第３の層と接する点状のアルミニウムシリコン合金層
と、該アルミニウムシリコン合金層及び第１の層を介し
て前記第３の層にｐｎ接合で接触しそれ以外の部分では
該第３の層と酸化膜により絶縁されている第１の電極
と、第２の層に前記谷部において点状のｐ型導電性の第
１の層と該第１の層に接する点状のアルミニウムシリコ
ン合金層とを介してｐｎ接合で接触し、該第２の層との
直接の接触は酸化膜により絶縁されている第２の電極と
を備えてなる太陽電池素子。 - 【請求項４】 受光面となる主表面Ａと該受光面と反対
側に位置し頂部と谷部を持つ他方の主表面Ｂとを有する
ｎ型導電性の第２の層と、前記谷部に形成され第２の層
より高い不純物濃度をもつｎ型導電性の第３の層と、該
第３の層の表面近くに配置された前記第３の層よりも薄
い点状のｐ型導電性の第１の層と、該第１の層を介して
第３の層と接する点状のアルミニウムシリコン合金層
と、該アルミニウムシリコン合金層及び第１の層を介し
て前記第３の層にｐｎ接合で接触しそれ以外の部分では
該第３の層と酸化膜により絶縁されている第２の電極
と、第２の層に前記頂部において点状のｐ型導電性の第
１の層と該第１の層に接する点状のアルミニウムシリコ
ン合金層とを介してｐｎ接合で接触し、該第２の層との
直接の接触は酸化膜により絶縁されている第１の電極と
を備えてなる太陽電池素子。 - 【請求項５】 第２の層がｐ型導電層であることを特徴
とする請求項１〜４のいずれかに記載の太陽電池素子。 - 【請求項６】 受光面と反対側の面に電極を備え、該電
極が点状のｐ型導電層を介してシリコン基板のｎ型導電
層に接続される構造を持つ太陽電池素子を製造する方法
において、該ｎ型導電層上に酸化膜を形成し、次いで該
酸化膜上にアルミニウム粒を含む銀ペーストを用いて電
極パターンを印刷して焼成することを特徴とする太陽電
池素子の製造方法。 - 【請求項７】 銀ペースト中のアルミニウム粒は粒径が
最大１０μｍであり、かつ銀ペースト中のアルミニウム
粒の割合が約１重量％であることを特徴とする請求項６
に記載の太陽電池素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3231674A JPH07101752B2 (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 太陽電池素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3231674A JPH07101752B2 (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 太陽電池素子とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0575149A true JPH0575149A (ja) | 1993-03-26 |
| JPH07101752B2 JPH07101752B2 (ja) | 1995-11-01 |
Family
ID=16927209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3231674A Expired - Fee Related JPH07101752B2 (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 太陽電池素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07101752B2 (ja) |
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19525720A1 (de) * | 1995-07-14 | 1997-01-16 | Siemens Solar Gmbh | Solarzelle ohne Vorderseitemetallisierung und Herstellverfahren dafür |
| JP2003124483A (ja) * | 2001-10-17 | 2003-04-25 | Toyota Motor Corp | 光起電力素子 |
| JP2005510885A (ja) * | 2001-11-26 | 2005-04-21 | シェル・ゾラール・ゲーエムベーハー | 背面接点を有する太陽電池の製造 |
| JP2005184025A (ja) * | 2005-02-03 | 2005-07-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2005347339A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-15 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 太陽電池の製造方法及び太陽電池 |
| JP2006303230A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Sharp Corp | 太陽電池 |
| JP2007134655A (ja) * | 2005-11-14 | 2007-05-31 | Sharp Corp | 太陽電池およびその製造方法 |
| JP2009071339A (ja) * | 2009-01-07 | 2009-04-02 | Sharp Corp | 太陽電池セルおよび太陽電池モジュール |
| WO2010104340A3 (en) * | 2009-03-11 | 2010-11-25 | Lg Electronics Inc. | Solar cell and method for manufacturing the same, and method for forming impurity region |
| WO2012132615A1 (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-04 | 三洋電機株式会社 | 光電変換装置及びその製造方法 |
| JP2013077851A (ja) * | 2006-10-27 | 2013-04-25 | Kyocera Corp | 太陽電池素子 |
| WO2013125036A1 (ja) * | 2012-02-24 | 2013-08-29 | 三菱電機株式会社 | 光起電力素子およびその製造方法、光起電力モジュール |
| JP2013201217A (ja) * | 2012-03-23 | 2013-10-03 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池およびその製造方法 |
| WO2013183867A1 (en) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | Hanwha Chemical Corporation | Emitter wrap-through solar cell and method of preparing the same |
| US8633375B2 (en) | 2010-12-29 | 2014-01-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Solar cell and method for Manufacturing the same |
| EP2709162A1 (en) * | 2012-09-13 | 2014-03-19 | Roth & Rau AG | Photovoltaic cell and photovoltaic cell module based thereon |
| WO2015072241A1 (ja) * | 2013-11-15 | 2015-05-21 | 三菱電機株式会社 | 光電変換素子モジュール及び光電変換素子モジュールの製造方法 |
| KR20150132269A (ko) * | 2013-03-15 | 2015-11-25 | 선파워 코포레이션 | 태양 전지의 감소된 접촉 저항 및 향상된 수명 |
| TWI557928B (zh) * | 2009-05-02 | 2016-11-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 光電轉換裝置及其製造方法 |
| CN108133974A (zh) * | 2018-01-29 | 2018-06-08 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种多晶掺镓双面太阳电池及其制备方法 |
| CN108172642A (zh) * | 2018-01-29 | 2018-06-15 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种单晶掺镓双面太阳电池及其制备方法 |
| CN108649078A (zh) * | 2018-07-11 | 2018-10-12 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种p型背接触太阳电池及其制备方法 |
| CN108666379A (zh) * | 2018-07-11 | 2018-10-16 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种p型背接触太阳电池及其制备方法 |
| CN108987503A (zh) * | 2018-07-11 | 2018-12-11 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种具有隔离区域的指状交叉背接触太阳电池及其制备方法 |
| CN108987502A (zh) * | 2018-07-11 | 2018-12-11 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种指状交叉背接触太阳电池及其制备方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108666378A (zh) * | 2018-07-11 | 2018-10-16 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种p型背接触太阳电池及其制备方法 |
-
1991
- 1991-09-11 JP JP3231674A patent/JPH07101752B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19525720A1 (de) * | 1995-07-14 | 1997-01-16 | Siemens Solar Gmbh | Solarzelle ohne Vorderseitemetallisierung und Herstellverfahren dafür |
| DE19525720C2 (de) * | 1995-07-14 | 1998-06-10 | Siemens Solar Gmbh | Herstellungsverfahren für eine Solarzelle ohne Vorderseitenmetallisierung |
| JP2003124483A (ja) * | 2001-10-17 | 2003-04-25 | Toyota Motor Corp | 光起電力素子 |
| JP2005510885A (ja) * | 2001-11-26 | 2005-04-21 | シェル・ゾラール・ゲーエムベーハー | 背面接点を有する太陽電池の製造 |
| JP2005347339A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-15 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 太陽電池の製造方法及び太陽電池 |
| JP2005184025A (ja) * | 2005-02-03 | 2005-07-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2006303230A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Sharp Corp | 太陽電池 |
| JP4656996B2 (ja) * | 2005-04-21 | 2011-03-23 | シャープ株式会社 | 太陽電池 |
| JP2007134655A (ja) * | 2005-11-14 | 2007-05-31 | Sharp Corp | 太陽電池およびその製造方法 |
| JP2013077851A (ja) * | 2006-10-27 | 2013-04-25 | Kyocera Corp | 太陽電池素子 |
| JP2009071339A (ja) * | 2009-01-07 | 2009-04-02 | Sharp Corp | 太陽電池セルおよび太陽電池モジュール |
| WO2010104340A3 (en) * | 2009-03-11 | 2010-11-25 | Lg Electronics Inc. | Solar cell and method for manufacturing the same, and method for forming impurity region |
| US8012531B2 (en) | 2009-03-11 | 2011-09-06 | Lg Electronics Inc. | Solar cell and method for manufacturing the same, and method for forming impurity region |
| TWI557928B (zh) * | 2009-05-02 | 2016-11-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 光電轉換裝置及其製造方法 |
| US8633375B2 (en) | 2010-12-29 | 2014-01-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Solar cell and method for Manufacturing the same |
| WO2012132615A1 (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-04 | 三洋電機株式会社 | 光電変換装置及びその製造方法 |
| JP5879538B2 (ja) * | 2011-03-25 | 2016-03-08 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 光電変換装置及びその製造方法 |
| JPWO2013125036A1 (ja) * | 2012-02-24 | 2015-07-30 | 三菱電機株式会社 | 光起電力素子 |
| WO2013125036A1 (ja) * | 2012-02-24 | 2013-08-29 | 三菱電機株式会社 | 光起電力素子およびその製造方法、光起電力モジュール |
| JP2013201217A (ja) * | 2012-03-23 | 2013-10-03 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池およびその製造方法 |
| US9666734B2 (en) | 2012-06-04 | 2017-05-30 | Hanwha Chemical Corporation | Emitter wrap-through solar cell and method of preparing the same |
| WO2013183867A1 (en) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | Hanwha Chemical Corporation | Emitter wrap-through solar cell and method of preparing the same |
| EP2709162A1 (en) * | 2012-09-13 | 2014-03-19 | Roth & Rau AG | Photovoltaic cell and photovoltaic cell module based thereon |
| KR20150132269A (ko) * | 2013-03-15 | 2015-11-25 | 선파워 코포레이션 | 태양 전지의 감소된 접촉 저항 및 향상된 수명 |
| JP2016512928A (ja) * | 2013-03-15 | 2016-05-09 | サンパワー コーポレイション | 太陽電池の低減された接触抵抗率及び向上された耐用期間 |
| WO2015072241A1 (ja) * | 2013-11-15 | 2015-05-21 | 三菱電機株式会社 | 光電変換素子モジュール及び光電変換素子モジュールの製造方法 |
| JPWO2015072241A1 (ja) * | 2013-11-15 | 2017-03-16 | 三菱電機株式会社 | 光電変換素子モジュール及び光電変換素子モジュールの製造方法 |
| CN108133974A (zh) * | 2018-01-29 | 2018-06-08 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种多晶掺镓双面太阳电池及其制备方法 |
| CN108172642A (zh) * | 2018-01-29 | 2018-06-15 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种单晶掺镓双面太阳电池及其制备方法 |
| CN108649078A (zh) * | 2018-07-11 | 2018-10-12 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种p型背接触太阳电池及其制备方法 |
| CN108666379A (zh) * | 2018-07-11 | 2018-10-16 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种p型背接触太阳电池及其制备方法 |
| CN108987503A (zh) * | 2018-07-11 | 2018-12-11 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种具有隔离区域的指状交叉背接触太阳电池及其制备方法 |
| CN108987502A (zh) * | 2018-07-11 | 2018-12-11 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种指状交叉背接触太阳电池及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07101752B2 (ja) | 1995-11-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0575149A (ja) | 太陽電池素子とその製造方法 | |
| JP2837296B2 (ja) | 太陽電池 | |
| US8399287B1 (en) | Method of manufacturing solar cell | |
| US5468652A (en) | Method of making a back contacted solar cell | |
| KR19990063990A (ko) | 부분적으로 깊게 확산된 에미터가 있는 자가조정식(salde) 태양 전지 및 그 제조 방법 | |
| JP2002500825A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| CN102934236A (zh) | 太阳能电池及其制造方法 | |
| JPH0682854B2 (ja) | 太陽電池 | |
| JPH05110122A (ja) | 光電変換装置及びその製造方法 | |
| JP2001044470A (ja) | 太陽電池および太陽電池の製造方法並びに集光型太陽電池モジュール | |
| JPH05259488A (ja) | シリコン太陽電池素子及び製造方法 | |
| CN116741850A (zh) | 一种太阳能电池及光伏组件 | |
| KR20090075421A (ko) | 태양 전지 | |
| JPS62156881A (ja) | 太陽電池素子 | |
| JP4953562B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
| JP2024082212A (ja) | 太陽電池及びその製造方法、光起電力モジュール | |
| JP2001257371A (ja) | 太陽電池作製方法及び太陽電池並びに集光型太陽電池モジュール | |
| KR100366350B1 (ko) | 태양 전지 및 그 제조 방법 | |
| JP3448098B2 (ja) | 結晶シリコン太陽電池 | |
| JP2875382B2 (ja) | 太陽電池素子 | |
| JP2835415B2 (ja) | 光電変換素子 | |
| KR100322708B1 (ko) | 자체전압인가형태양전지의제조방법 | |
| JP2931451B2 (ja) | 太陽電池素子 | |
| JPH0945945A (ja) | 太陽電池素子およびその製造方法 | |
| JP4761714B2 (ja) | 太陽電池およびこれを用いた太陽電池モジュール |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |